JPH03241693A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
- Publication number
- JPH03241693A JPH03241693A JP3806690A JP3806690A JPH03241693A JP H03241693 A JPH03241693 A JP H03241693A JP 3806690 A JP3806690 A JP 3806690A JP 3806690 A JP3806690 A JP 3806690A JP H03241693 A JPH03241693 A JP H03241693A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetron
- semiconductor switch
- heating device
- frequency heating
- voltage
- Prior art date
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- Pending
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- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は高周波加熱装置、特にそのマグネトロン起動
時の過電圧を防止するための電気回路の改良に関するも
のである。
時の過電圧を防止するための電気回路の改良に関するも
のである。
第４図は例えば特公昭６２−２７６２３号に示された従
来の高周波加熱装置の回路図であ）１図において、（１
）は商用電源、（２）は整流器、（３）は平滑コンデン
サで、これらによって直流電源部を構成している。（７
１，（８）及び（９）はそれぞれ高周波トランスの一次
、二次、゛及び三次巻線、（４）は共振コンデンサ。
来の高周波加熱装置の回路図であ）１図において、（１
）は商用電源、（２）は整流器、（３）は平滑コンデン
サで、これらによって直流電源部を構成している。（７
１，（８）及び（９）はそれぞれ高周波トランスの一次
、二次、゛及び三次巻線、（４）は共振コンデンサ。
（５１は一次巻線（７）に直列接続した半導体スイッチ
。
。
（６）は半導体スイッチ（５）Ｋ並列接続した転流ダイ
オードで、これらによって高周波スイッチングパワー回
路となるインバータ回路を構成している。また二次巻線
（８）には高圧コンデンサａｎ及び高圧ダイオードａ９
を介してマグふトロンａ２に高圧絶縁トランスよりの高
圧電力を供給しさらに、三次巻線（９）の端子間電圧は
マグネトロン＆２のフィラメント（１２ａ）に印加して
ヒータ電力を供給することによシマグネトロンα２を駆
動し、これによシ発振するマイクロ波を被加熱体（図示
なし）に照射するようになっている。
オードで、これらによって高周波スイッチングパワー回
路となるインバータ回路を構成している。また二次巻線
（８）には高圧コンデンサａｎ及び高圧ダイオードａ９
を介してマグふトロンａ２に高圧絶縁トランスよりの高
圧電力を供給しさらに、三次巻線（９）の端子間電圧は
マグネトロン＆２のフィラメント（１２ａ）に印加して
ヒータ電力を供給することによシマグネトロンα２を駆
動し、これによシ発振するマイクロ波を被加熱体（図示
なし）に照射するようになっている。
第５図は第４図に示す従来の高周波加熱装置のインバー
タ電源起動時に、二次巻線（８）に発生する電圧を示し
た特性図で、約−〇ＫＶの高電圧が発振を開始するまで
印加される。
タ電源起動時に、二次巻線（８）に発生する電圧を示し
た特性図で、約−〇ＫＶの高電圧が発振を開始するまで
印加される。
上記のような従来の高周波加熱装置は以上のように構成
されているので、マグネトロンａ７Ｊの起動時にマグネ
トロンα２がヒートアップし、ツェナー特性を持つまで
の時間、高周波トランスの二次巻線（８）側に過電圧が
印加されることになシ、高圧ダイオードαＩｌ＃高圧コ
ンデンサＨ，及び半導体スイッチ（５）が破壊されてし
まうという問題点があった。
されているので、マグネトロンａ７Ｊの起動時にマグネ
トロンα２がヒートアップし、ツェナー特性を持つまで
の時間、高周波トランスの二次巻線（８）側に過電圧が
印加されることになシ、高圧ダイオードαＩｌ＃高圧コ
ンデンサＨ，及び半導体スイッチ（５）が破壊されてし
まうという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、マグネトロン起動時の過電圧を防止するよう
にした高周波加熱装置を得ることを目的とする。
たもので、マグネトロン起動時の過電圧を防止するよう
にした高周波加熱装置を得ることを目的とする。
この発明に係る高周波加熱装置は、マグネトロンの駆動
電流を検出して、この検出信号によシマタネトロン起動
時までのヒートアラ１時間、半導体スイッチの導通期間
を制御するようにしたものである。。
電流を検出して、この検出信号によシマタネトロン起動
時までのヒートアラ１時間、半導体スイッチの導通期間
を制御するようにしたものである。。
この発明における高周波加熱装置は、マグネトロンの駆
動電流を検出し、この検出信号によりマグネトロン起動
時までの半導体スイッチの導通期間を制御することによ
シ、マグふトロンヒートアップ時にも高圧トランスの二
次側に過電圧が発生することを防止することができる。
動電流を検出し、この検出信号によりマグネトロン起動
時までの半導体スイッチの導通期間を制御することによ
シ、マグふトロンヒートアップ時にも高圧トランスの二
次側に過電圧が発生することを防止することができる。
以下この発明の一実施例について第１図を用いて説明す
る。
る。
第１図はこの発明の一実施例による高周波加熱装置の構
成を示す回路図であ９１図において、（１）〜αＺ、
（１２ａ）は第４図に示す符号と同−又は相当部分を
示しているので、説明を省略する。
成を示す回路図であ９１図において、（１）〜αＺ、
（１２ａ）は第４図に示す符号と同−又は相当部分を
示しているので、説明を省略する。
０はマグネトロンａ２のアノードと二次巻線（８）この
間に設けられたマグネトロン発振時の駆動電流の検出す
る検出器、 （１４１はこの検出器ａ３の出力信号ｅ４
けてマグネトロン発振までのヒートアラ１時間、半導体
スイッチ１５１の導通時間を変化させる制御回路で、マ
グネトロン発振までの期間半導体スイッチ（５）の信号
を制御する。
間に設けられたマグネトロン発振時の駆動電流の検出す
る検出器、 （１４１はこの検出器ａ３の出力信号ｅ４
けてマグネトロン発振までのヒートアラ１時間、半導体
スイッチ１５１の導通時間を変化させる制御回路で、マ
グネトロン発振までの期間半導体スイッチ（５）の信号
を制御する。
次にこの高周波加熱装置におはる動作を第２図０〜（ｄ
）の線図に基づいて説明する。
）の線図に基づいて説明する。
第２図（ａ）は半導体スイッチ（５）のベース、エミッ
タに印加される電圧ｖｂｏを示し、この電圧■ｂｅに対
応してマグネトロンａ３の陽極には第２図Ｃｂ）に示す
電圧ｖｍが印加され、また陽極電流−は第２図（Ｃ）に
示すような電流が流れ、マグネトロンヒーターに電力を
供給する高周波トランス３次巻線１９１には第２図（ｄ
）に示すような電流工ｆが流れる。
タに印加される電圧ｖｂｏを示し、この電圧■ｂｅに対
応してマグネトロンａ３の陽極には第２図Ｃｂ）に示す
電圧ｖｍが印加され、また陽極電流−は第２図（Ｃ）に
示すような電流が流れ、マグネトロンヒーターに電力を
供給する高周波トランス３次巻線１９１には第２図（ｄ
）に示すような電流工ｆが流れる。
検出器αりは陽極電流工ｍを電圧値拠変換し、マグふト
ロン（１２が発振し、陽極電流工□が流れたことを制御
回路（１４１に伝え、制御回路α６は検出器０からの信
号がぐるまでの期間半導体スイッチ（６）のベースに制
御信号を送る。
ロン（１２が発振し、陽極電流工□が流れたことを制御
回路（１４１に伝え、制御回路α６は検出器０からの信
号がぐるまでの期間半導体スイッチ（６）のベースに制
御信号を送る。
マグネトロンα２は発振時忙はツェナー特性を有するが
、起動時のヒートアンプ期間インピーダンスはωとなる
ため高圧トランス２次巻線（８）には過電圧が発生する
が、この過電圧を防止するためにはマグネトロンヒータ
ー電流を起動時に安定時よシ、多く流す必要がある。起
動時にヒータ電流を多く流すために、マグネトロン発振
までの期間半導体スイッチを定常時よシ、高周波駆動さ
せることによ−り第２図（（Ｌ）に示すヒーター電流工
ｆを定常時よ、り高周波電流とする。なおマグネトロン
ヒーター電流の定常時の値はマグふトロン（Ｌ２によシ
決定されているので定常時は決定された電流値にもどす
必要がある。
、起動時のヒートアンプ期間インピーダンスはωとなる
ため高圧トランス２次巻線（８）には過電圧が発生する
が、この過電圧を防止するためにはマグネトロンヒータ
ー電流を起動時に安定時よシ、多く流す必要がある。起
動時にヒータ電流を多く流すために、マグネトロン発振
までの期間半導体スイッチを定常時よシ、高周波駆動さ
せることによ−り第２図（（Ｌ）に示すヒーター電流工
ｆを定常時よ、り高周波電流とする。なおマグネトロン
ヒーター電流の定常時の値はマグふトロン（Ｌ２によシ
決定されているので定常時は決定された電流値にもどす
必要がある。
上記の効果を説明するために、マグネトロン起動時に定
常時よシ高周波電流をマグネトロンヒーターに流した場
合の高周波トランス二次巻線（８）に発生する電圧を、
第５図に示す従来の高周波インバータ回路のマグネトロ
ン起動時に発生・する高周波トランス二次巻＃Ｃ８）の
電圧に対応して、第３図に示す。第４図に示す従来の高
周波加熱装置に比較し、第１図に示す一実施例では、起
動時に定常時よシ高周波電流をマグネトロンヒーターに
加えると、二次巻線（８）に発生する電圧を約−６ＫＶ
の電圧に押さえることが出来、ヒートアップ時間も半
分以下になるという結果を得た。
常時よシ高周波電流をマグネトロンヒーターに流した場
合の高周波トランス二次巻線（８）に発生する電圧を、
第５図に示す従来の高周波インバータ回路のマグネトロ
ン起動時に発生・する高周波トランス二次巻＃Ｃ８）の
電圧に対応して、第３図に示す。第４図に示す従来の高
周波加熱装置に比較し、第１図に示す一実施例では、起
動時に定常時よシ高周波電流をマグネトロンヒーターに
加えると、二次巻線（８）に発生する電圧を約−６ＫＶ
の電圧に押さえることが出来、ヒートアップ時間も半
分以下になるという結果を得た。
このように上記一実施例によれば、マグネトロン起動時
のヒーター電流を定常時よシ高周波電流に変換すること
によシ、マグネトロン起動時の過電圧を防止できヒート
アップ時間も短かくすることができる。
のヒーター電流を定常時よシ高周波電流に変換すること
によシ、マグネトロン起動時の過電圧を防止できヒート
アップ時間も短かくすることができる。
以上のようにこの発明によれば、マグネトロンの駆動電
流を検出してこの検出信号にょシマタネトロン起動時ま
でのヒートアップ時間、半導体スイッチの導通期間を制
御することによシ、マグふトロンヒートアップ時にも高
圧トランスの二次側に過電圧が発生することを防止でき
る。
流を検出してこの検出信号にょシマタネトロン起動時ま
でのヒートアップ時間、半導体スイッチの導通期間を制
御することによシ、マグふトロンヒートアップ時にも高
圧トランスの二次側に過電圧が発生することを防止でき
る。
第１図はこの発明の一実施例による高周波加熱装置の構
成を示す回路図、第２図は第１図の一実施例の動作を散
開するだめの波形図、第３図は第１図の−★施例の高圧
トランスの二次巻線に発生する電圧を示す特性図、第４
図は従来の高周波加熱装置の構成を示す回路図、第５図
は第４図に示す高周波加熱装置の高圧トランスの二次巻
線に発生する電圧を示す特性図である。 図において、（１）は商用電源、 ＋２１． ＋３１は
整流平滑回路、（４）は共振コンデンサ、ｃ５）は半導
体スイッチ。 （６）は転流ダイオード、σ２はマグネトロン、αｊは
検出器、 （１４）は制御回路である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
成を示す回路図、第２図は第１図の一実施例の動作を散
開するだめの波形図、第３図は第１図の−★施例の高圧
トランスの二次巻線に発生する電圧を示す特性図、第４
図は従来の高周波加熱装置の構成を示す回路図、第５図
は第４図に示す高周波加熱装置の高圧トランスの二次巻
線に発生する電圧を示す特性図である。 図において、（１）は商用電源、 ＋２１． ＋３１は
整流平滑回路、（４）は共振コンデンサ、ｃ５）は半導
体スイッチ。 （６）は転流ダイオード、σ２はマグネトロン、αｊは
検出器、 （１４）は制御回路である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 商用電源に接続した整流平滑回路と、この整流平滑回
路に接続された共振用コンデンサ、半導体スイッチ及び
転流ダイオードを含むインバータ回路と、このインバー
タ回路によつて付勢されてマグネトロンに高圧パルスを
供給するとともに、上記マグネトロンのフィラメントに
ヒータ電力を供給する高圧トランスとを有する高周波加
熱装置において、マグネトロンの駆動電流を検出して、
この検出信号によりマグネトロン起動時までのヒートア
ップ時間、半導体スイッチの導通期間を制御するように
したことを特徴とした高周波加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3806690A JPH03241693A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 高周波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3806690A JPH03241693A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 高周波加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03241693A true JPH03241693A (ja) | 1991-10-28 |
Family
ID=12515121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3806690A Pending JPH03241693A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03241693A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9801238B2 (en) | 2012-05-30 | 2017-10-24 | Acp, Inc | Dynamic control system for a magnetron tube in a microwave oven |
-
1990
- 1990-02-19 JP JP3806690A patent/JPH03241693A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9801238B2 (en) | 2012-05-30 | 2017-10-24 | Acp, Inc | Dynamic control system for a magnetron tube in a microwave oven |
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