JPH0324268A - 絶縁膜の形成方法 - Google Patents
絶縁膜の形成方法Info
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- JPH0324268A JPH0324268A JP16009289A JP16009289A JPH0324268A JP H0324268 A JPH0324268 A JP H0324268A JP 16009289 A JP16009289 A JP 16009289A JP 16009289 A JP16009289 A JP 16009289A JP H0324268 A JPH0324268 A JP H0324268A
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- gas
- insulating film
- gaseous
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- Element Separation (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業］二の利用分野］
本発明は、絶縁膜の形成方法に関し、更に詳しくは、バ
イアスＥＣＩ１プラズマＣＶＤ法を用いて低ストレス化
された絶縁膜の形戊方法に係るものである。
イアスＥＣＩ１プラズマＣＶＤ法を用いて低ストレス化
された絶縁膜の形戊方法に係るものである。
［発明の概要］
第１の発明は、段差を有する基体上にバイアスＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ法に上り絶縁膜を形成する方法において、
はじめに、シラン系ガスとＮ．０ガスを用いてＣＶＤを
行ない、次いで、シラン系ガスとＯ，ガスを用いてＣＶ
Ｄを行なうことにより、又、第２の発明は、反応ガスに
シラン系ガスを用い、該シラン系ガスの流量比を小さく
しながらＣＶＤを行なうことにより、 共に、低ストレスな絶縁膜を段差部に埋め込めるように
したしのである。
ラズマＣＶＤ法に上り絶縁膜を形成する方法において、
はじめに、シラン系ガスとＮ．０ガスを用いてＣＶＤを
行ない、次いで、シラン系ガスとＯ，ガスを用いてＣＶ
Ｄを行なうことにより、又、第２の発明は、反応ガスに
シラン系ガスを用い、該シラン系ガスの流量比を小さく
しながらＣＶＤを行なうことにより、 共に、低ストレスな絶縁膜を段差部に埋め込めるように
したしのである。
第３の発明は、段差を有する基体上にバイアスＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ法により絶縁膜を形成する方法において、
はじめに、ＳｉＯｚ膜を形成し、次いで、ＳｉＮｘ膜を
形成することにより、段差部への密着性の高い絶縁膜を
形成することを可能にするようにしたしのであり、例え
ばトレンチアイソレーションにおけるトレンチ内壁への
密着性を改善し、リーク電流の低減を図ることが可能と
なる。
ラズマＣＶＤ法により絶縁膜を形成する方法において、
はじめに、ＳｉＯｚ膜を形成し、次いで、ＳｉＮｘ膜を
形成することにより、段差部への密着性の高い絶縁膜を
形成することを可能にするようにしたしのであり、例え
ばトレンチアイソレーションにおけるトレンチ内壁への
密着性を改善し、リーク電流の低減を図ることが可能と
なる。
［従来の技術］
バイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法は、デバイスの高集積
化が今後、増々進む中で、層間膜の平坦化の要求に応え
得る重要な技術となりつつある。
化が今後、増々進む中で、層間膜の平坦化の要求に応え
得る重要な技術となりつつある。
即ち、バイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法は、低圧で高密
度プラズマを形戚できるため、アスベクト比の高い溝，
段差へも高速で膜成長可能なうえ、ウエハにＲＦバイア
スを印加することにより余分な膜をエッヂング除去する
ことが出来、同一装置内で平坦化絶縁膜を形成出来る利
点かある。しかも、このＣＶＤ法は、低温プラズマを用
いるため、低愚戊長が可能である。
度プラズマを形戚できるため、アスベクト比の高い溝，
段差へも高速で膜成長可能なうえ、ウエハにＲＦバイア
スを印加することにより余分な膜をエッヂング除去する
ことが出来、同一装置内で平坦化絶縁膜を形成出来る利
点かある。しかも、このＣＶＤ法は、低温プラズマを用
いるため、低愚戊長が可能である。
この種のバイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法としては、特
開昭６３−８０５３８号公報記載のものが知られている
。この技術は、シラン（ＳｉＨ．）ガスと酸素（０，）
ガスを反応ガスとして用い、ＳｉＯｚ膜をエッチングし
て平坦化しながら堆積さＵ・るようにし、また、基板に
バイアス電圧を印加し、アルゴン（Ａｒ）よりも質量の
重い不活性ガスを用いることにより、横方向のエソチン
グ速度を大きくし、平坦化処理時間を短縮ずろようにし
たちのである。
開昭６３−８０５３８号公報記載のものが知られている
。この技術は、シラン（ＳｉＨ．）ガスと酸素（０，）
ガスを反応ガスとして用い、ＳｉＯｚ膜をエッチングし
て平坦化しながら堆積さＵ・るようにし、また、基板に
バイアス電圧を印加し、アルゴン（Ａｒ）よりも質量の
重い不活性ガスを用いることにより、横方向のエソチン
グ速度を大きくし、平坦化処理時間を短縮ずろようにし
たちのである。
斯るバイアスＥＣＲプラズマＣＶＤｉの特徴を生かして
、例えば素子間分離領域にトレインチを形成し、そのト
レインチ内にバイアスＥＣＵＬプラズマＣＶＤ法でＳｉ
ｎｓなどの絶縁膜を埋め込もうという研究開発が近年行
なわれている。
、例えば素子間分離領域にトレインチを形成し、そのト
レインチ内にバイアスＥＣＵＬプラズマＣＶＤ法でＳｉ
ｎｓなどの絶縁膜を埋め込もうという研究開発が近年行
なわれている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このような従来の絶縁膜の形成方法にあ
っては、バイアスＥＣＲプラズマＣＶＤの反応ガスとし
てＳｉｔ｛．と０，を用いるが、堆積した絶縁膜のスト
レスが比較的大きいため、トレインチ浬込み後に、デバ
イス形ｆ戊過程で加わる熱処理等により、基体結晶に欠
陥を誘起したり、塊込み膜にクラックが生じ易いという
問題点があった。
っては、バイアスＥＣＲプラズマＣＶＤの反応ガスとし
てＳｉｔ｛．と０，を用いるが、堆積した絶縁膜のスト
レスが比較的大きいため、トレインチ浬込み後に、デバ
イス形ｆ戊過程で加わる熱処理等により、基体結晶に欠
陥を誘起したり、塊込み膜にクラックが生じ易いという
問題点があった。
本発明は、このよう紅従来の問題点に着目して創案され
たものであって、段差に埋め込む絶縁膜の低ストレス化
を期し得るようにしたちのである。
たものであって、段差に埋め込む絶縁膜の低ストレス化
を期し得るようにしたちのである。
Ｆ課゛題を解決するための手段］
そこで、第１の発明は、段差を有する基体上にバイアス
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により絶縁模を形成する方法に
おいて、はじめに、シラン系ガスとＮ ｔ Ｏガスを用
いてＣＶＤを行ない、次いで、シラン系ガスとＯ！ガス
を用いてＣＶＤを行なうことを、その・解決手段として
いる。
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により絶縁模を形成する方法に
おいて、はじめに、シラン系ガスとＮ ｔ Ｏガスを用
いてＣＶＤを行ない、次いで、シラン系ガスとＯ！ガス
を用いてＣＶＤを行なうことを、その・解決手段として
いる。
第２の発明は、段差を有する基体上にバイアスＥ Ｃ
ＲプラズマＣＶＤ法により絶縁膜を形成ずろ方法におい
て、反応ガスにプラン系ガスを用い、該シラン系ガスの
流量比を小さくしながらＣＶＤを行なうことを、その解
決手段としていろ。
ＲプラズマＣＶＤ法により絶縁膜を形成ずろ方法におい
て、反応ガスにプラン系ガスを用い、該シラン系ガスの
流量比を小さくしながらＣＶＤを行なうことを、その解
決手段としていろ。
第３の発明は、段差を有する基体上にバイアスＥＣ Ｒ
プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を形成する方法において
、はじめに、Ｓｉｎ２膜を形成し、次いで、ＳｉＮｘ膜
を形成することを、その解決手段としている。
プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を形成する方法において
、はじめに、Ｓｉｎ２膜を形成し、次いで、ＳｉＮｘ膜
を形成することを、その解決手段としている。
［作用］
第１の発明においては、はじめに、基体上にＳｔ１−１
．ガスとＮ ｔ Ｏガスを用いてＳｉｎ２膜を形成す
ることにより、段差表面をおよそＩＸＩ０９ｄｙｎ ｅ
／ ｃ ｍ″以下の低ストレスな膜で保護するため、
後工程でＳ ｉ １−■．ガスと０，ガスを用いた通常
のバイアスＥＣＲプラズマＣＶＤを行なってもＳＩＯｔ
膜全体としては基体側へ応力を与えることが抑制される
。
．ガスとＮ ｔ Ｏガスを用いてＳｉｎ２膜を形成す
ることにより、段差表面をおよそＩＸＩ０９ｄｙｎ ｅ
／ ｃ ｍ″以下の低ストレスな膜で保護するため、
後工程でＳ ｉ １−■．ガスと０，ガスを用いた通常
のバイアスＥＣＲプラズマＣＶＤを行なってもＳＩＯｔ
膜全体としては基体側へ応力を与えることが抑制される
。
第２の発明においては、シラン系ガスの流量比を小さく
しながらＣＶＤを行なうため、段差に付着するＳｉｆｔ
膜は、低ストレスなしのが頭初形成される。このため、
ＳｉＯｚ膜が基体側へ応力を与えるのを防止できる。
しながらＣＶＤを行なうため、段差に付着するＳｉｆｔ
膜は、低ストレスなしのが頭初形成される。このため、
ＳｉＯｚ膜が基体側へ応力を与えるのを防止できる。
第３の発明においては、ＳｉＯｙ膜を形成した後、ノリ
コン窒化膜（ＳｉＮス）を形成することにより、Ｓｉｎ
ｓ膜の圧縮応力を、ＳｉＮｘ膜の引張り応力で緩和し、
基体側へ応力を及ぼずのを防止する。このため、例えば
トレンチ部でのリーク電流を低減し、高アスペクト比の
トレンチ埋達みを可能にする。
コン窒化膜（ＳｉＮス）を形成することにより、Ｓｉｎ
ｓ膜の圧縮応力を、ＳｉＮｘ膜の引張り応力で緩和し、
基体側へ応力を及ぼずのを防止する。このため、例えば
トレンチ部でのリーク電流を低減し、高アスペクト比の
トレンチ埋達みを可能にする。
［実施例］
以下、本発明に係る絶縁膜の形成方法の詳細を図面に示
す実施例に基づいて説明する。
す実施例に基づいて説明する。
（第１実施例）
第ｌ図Ａ〜第ｌ図Ｃは、本発明の第１実施例の工程を示
す断面図である。
す断面図である。
先ず、第１図Ａに示すように、基体としてのンリコン基
板ｌの表面に、リソグラフィー技術及びドライエッチン
グ技術を用いて、段差としてのトレンチｌａを形成した
後、該トレンチｌａ内壁面及びシリコン基板１表面に熱
酸化を行ない、酸化膜２を１００〜２００人程度の厚さ
に形成する。
板ｌの表面に、リソグラフィー技術及びドライエッチン
グ技術を用いて、段差としてのトレンチｌａを形成した
後、該トレンチｌａ内壁面及びシリコン基板１表面に熱
酸化を行ない、酸化膜２を１００〜２００人程度の厚さ
に形成する。
次に、第１図Ｂに示すように、シラン（ Ｓ ｉＨ ４
）ガスと酸化二窒素（Ｎ１０）ガスを反応ガスとして用
いて、バイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法を行ない絶縁膜
としての第ｌ次Ｓｉｎ，膜３を約５００〜３０００人の
膜厚に形成する。このバイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法
の条件としては、ＳｉＨ＋ガスの流量を２０ＳＣＣＭ．
ＮｔＯガスの流量４０８ＣＣＭ，圧力を５Ｘ Ｉ Ｏ−
’Ｔｏ ｒ ｒ，マイクロ波電力を８００Ｗ，ＲＦバイ
アスを３００Ｗに設定した。
）ガスと酸化二窒素（Ｎ１０）ガスを反応ガスとして用
いて、バイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法を行ない絶縁膜
としての第ｌ次Ｓｉｎ，膜３を約５００〜３０００人の
膜厚に形成する。このバイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法
の条件としては、ＳｉＨ＋ガスの流量を２０ＳＣＣＭ．
ＮｔＯガスの流量４０８ＣＣＭ，圧力を５Ｘ Ｉ Ｏ−
’Ｔｏ ｒ ｒ，マイクロ波電力を８００Ｗ，ＲＦバイ
アスを３００Ｗに設定した。
次いで、第Ｉ図Ｃに示すように、反応ガスをＳｉＨ４ガ
スと酸素（Ｏ，）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスに代えて
バイアスＥＣｒ｛プラズマＣＶＤを行ない、第２次Ｓｉ
Ｏｔｔ［ｉ４を埋め込み平坦化を行なう。なお、このバ
イアスＥＣＲプラズマＣＶＤの条件は、ＳｉＨ４ガスの
流量を２０ＳＣＣＭ．０，ガスの流量を４０ＳＣＣＭ，
アルゴンガスの流量をＩＯｓｃｃＭとし、圧力を５Ｘ１
０−３Ｔｏｒｒ、マイクロ波電力を８００Ｗ，ＲＦバイ
アスを３００に設定した。
スと酸素（Ｏ，）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスに代えて
バイアスＥＣｒ｛プラズマＣＶＤを行ない、第２次Ｓｉ
Ｏｔｔ［ｉ４を埋め込み平坦化を行なう。なお、このバ
イアスＥＣＲプラズマＣＶＤの条件は、ＳｉＨ４ガスの
流量を２０ＳＣＣＭ．０，ガスの流量を４０ＳＣＣＭ，
アルゴンガスの流量をＩＯｓｃｃＭとし、圧力を５Ｘ１
０−３Ｔｏｒｒ、マイクロ波電力を８００Ｗ，ＲＦバイ
アスを３００に設定した。
上記Ｌ タ第１ 次Ｓ ｉ Ｏ ｔ 膜３ ハ、約ＩＸ
ｌＯ’ｄｙ ｎ ｅ ／ ｃ ｍ ’以下の低ストレス
化を期し得るものであり、第２次Ｓｉｎ，膜４の応力が
約２×１０”ｄ ｙ ｎ ｅ／ｃｍ’と比較的高ストレ
スであっても第ｌ次ＳｉＯｚ膜３からシリコン基板ｉ側
へ応力を及ぼずことを防止出来る。
ｌＯ’ｄｙ ｎ ｅ ／ ｃ ｍ ’以下の低ストレス
化を期し得るものであり、第２次Ｓｉｎ，膜４の応力が
約２×１０”ｄ ｙ ｎ ｅ／ｃｍ’と比較的高ストレ
スであっても第ｌ次ＳｉＯｚ膜３からシリコン基板ｉ側
へ応力を及ぼずことを防止出来る。
このようにして形威されたトレンチＩのＳｉｎｓ膜（第
１次Ｓｉｎｔ膜３及び第２次Ｓｉｎ，膜４）は全体とし
て低ストレス化が図れるため、デバイス形成過程で行な
われる熱処理を経ても、シリコン基板ｌの結晶に欠陥を
生じたり、９４０，膜にクラックが生じたりすることが
ない。
１次Ｓｉｎｔ膜３及び第２次Ｓｉｎ，膜４）は全体とし
て低ストレス化が図れるため、デバイス形成過程で行な
われる熱処理を経ても、シリコン基板ｌの結晶に欠陥を
生じたり、９４０，膜にクラックが生じたりすることが
ない。
（第２実施例）
第２図Ａ〜第２図Ｃは、本発明に係る絶縁膜の形成方法
の第２実施例の工程を示す断面図である。
の第２実施例の工程を示す断面図である。
先ず、第２図Ａに示すように、シリコン基板ｌの表面に
、リソグラフィー技術及びドライエッチング技術を用い
て、トレンチｌａを形戊した後、熱酸化を行なって該ト
レンチ１ａ内壁面及びシリコン基板１表面に酸化膜２を
１００〜２００人程度の厚さに形成する。
、リソグラフィー技術及びドライエッチング技術を用い
て、トレンチｌａを形戊した後、熱酸化を行なって該ト
レンチ１ａ内壁面及びシリコン基板１表面に酸化膜２を
１００〜２００人程度の厚さに形成する。
次に、第２図Ｂに示すように、反応ガスとしてシラン（
ＳｉＨ＊）ガスと酸素（０１）ガスを用いて、バイアス
ＥＣＲプラズマＣＶＤを行ないトレンチｌａ内及びンリ
コン基板ｌ上にＳｉｎ２膜５を形成する。このＣＶＤの
条件としては、ＳｉＨ４ガスの流攪を２０ＳＣＣＭ，Ｏ
，ガスを２０８ＣＣＭ，圧力を５ｘ １ ０−３Ｔｏ
ｒ ｒｓ ？イク口波電力を８００Ｗ％ＲＦバイアスを
３００Ｗに設定した。この条件でＳｉｆｔ膜５を５００
〜３０００人程度の厚さに形成した後、圧力，マイクロ
波電力及びＲＦバイアスを同一条件に保ったまま、Ｓｉ
Ｈ４の流量比を小さくして、さらに、ＳｉＯｙ膜５の堆
積、平坦化をバイアスＥＣＲプラズマＣ■Ｄによって行
う（第２図Ｃ）。この場合、Ｓ ｔ Ｈ４ガスを２０Ｓ
ＣＣＭ．ｏｔガスの流量を４０３ＣＣＭ．アルゴンガス
をＩＯｓｃｃＭのｄ量とした。
ＳｉＨ＊）ガスと酸素（０１）ガスを用いて、バイアス
ＥＣＲプラズマＣＶＤを行ないトレンチｌａ内及びンリ
コン基板ｌ上にＳｉｎ２膜５を形成する。このＣＶＤの
条件としては、ＳｉＨ４ガスの流攪を２０ＳＣＣＭ，Ｏ
，ガスを２０８ＣＣＭ，圧力を５ｘ １ ０−３Ｔｏ
ｒ ｒｓ ？イク口波電力を８００Ｗ％ＲＦバイアスを
３００Ｗに設定した。この条件でＳｉｆｔ膜５を５００
〜３０００人程度の厚さに形成した後、圧力，マイクロ
波電力及びＲＦバイアスを同一条件に保ったまま、Ｓｉ
Ｈ４の流量比を小さくして、さらに、ＳｉＯｙ膜５の堆
積、平坦化をバイアスＥＣＲプラズマＣ■Ｄによって行
う（第２図Ｃ）。この場合、Ｓ ｔ Ｈ４ガスを２０Ｓ
ＣＣＭ．ｏｔガスの流量を４０３ＣＣＭ．アルゴンガス
をＩＯｓｃｃＭのｄ量とした。
上記したように、Ｓ ＩＨ ４ガスの流量比を段階的に
小さくしたが、連続的にＳｉ８４ガスの流量比を小さく
するようにしてもよい。即ち、トレンチＩａ内壁を覆う
Ｓｉｎ，膜形成時のＳｉＨ＋の流量比が大きければ（Ｓ
ＩＨ４ガスとＯ，ガスとの流量比がｌ：１程度）、充分
に低ストレス化を図ることが可能である。
小さくしたが、連続的にＳｉ８４ガスの流量比を小さく
するようにしてもよい。即ち、トレンチＩａ内壁を覆う
Ｓｉｎ，膜形成時のＳｉＨ＋の流量比が大きければ（Ｓ
ＩＨ４ガスとＯ，ガスとの流量比がｌ：１程度）、充分
に低ストレス化を図ることが可能である。
なお、本実施例においては、アルゴンガスを加えたが、
他の不活性ガスを加えてもよい。
他の不活性ガスを加えてもよい。
（第３実施例）
第３図Ａ〜第３図Ｃは、本発明の第３実施例の工程を示
す断面図である。
す断面図である。
先ず、第３図Ａに示すように、シリコン基板１のトレン
ヂ１ａの内壁及びシリコン基板１表面を熱酸化により酸
化膜２を形成する。
ヂ１ａの内壁及びシリコン基板１表面を熱酸化により酸
化膜２を形成する。
次いで、第３図Ｂに示すように、反応ガスとしてＳｉｌ
４＋ガスと，Ｏガスを用いてバイアスＥＣＲプラズマＣ
ＶＤを行ないｓｉｏ，＠ｓを５００〜３０００人程度の
膜厚で形成する。このＳｉｆｔ膜５は、圧縮応力を有す
る。このＣＶＤの条件は、ガス流量をＳ ｉ Ｈ ４／
Ｏ ｔ＝ ２ ０ ／ ４ ０ ３ Ｃ Ｃ Ｍ圧力
を５ＸＩＯ−３Ｔｏｒｒ１マイクロ波電力を８００ＷＳ
ｒｌＦバイアスを３００Ｗに設定した。
４＋ガスと，Ｏガスを用いてバイアスＥＣＲプラズマＣ
ＶＤを行ないｓｉｏ，＠ｓを５００〜３０００人程度の
膜厚で形成する。このＳｉｆｔ膜５は、圧縮応力を有す
る。このＣＶＤの条件は、ガス流量をＳ ｉ Ｈ ４／
Ｏ ｔ＝ ２ ０ ／ ４ ０ ３ Ｃ Ｃ Ｍ圧力
を５ＸＩＯ−３Ｔｏｒｒ１マイクロ波電力を８００ＷＳ
ｒｌＦバイアスを３００Ｗに設定した。
次に、第３図Ｃに示すように、バイアスＥＣＲプラズマ
ＣＶＤＩにより、窒化ンリコン（ＳｉＮｘ）膜６を平坦
化、形成する。むお、このＣＶＤの条件は、反応ガスの
流潰をＳ ｉＨ −／ Ｎ ｔ ＝ ２ ０ ／ ６０
９ＣＣＭ，圧力を５ＸＩＯ−’Ｔｏｒｒ， マイクロ波
電力を８００Ｗ，ＲＦバイアスを３００Ｗに設定した。
ＣＶＤＩにより、窒化ンリコン（ＳｉＮｘ）膜６を平坦
化、形成する。むお、このＣＶＤの条件は、反応ガスの
流潰をＳ ｉＨ −／ Ｎ ｔ ＝ ２ ０ ／ ６０
９ＣＣＭ，圧力を５ＸＩＯ−’Ｔｏｒｒ， マイクロ波
電力を８００Ｗ，ＲＦバイアスを３００Ｗに設定した。
なお、この窒化シリコン膜６は、引張り応力を有し、上
記Ｓｉｄｅ膜の圧縮応力を緩和する。
記Ｓｉｄｅ膜の圧縮応力を緩和する。
本実施例では、ＳｉＯ！膜５とＳ ｉ Ｎ ｘｌｌｌｉ
６の２層としたが、トレンチＩａの内壁に密着する層
かＳｊＯ．膜であれば、窒化シリコン膜との多層構造と
してもよい。また、Ｓｔｏｗ膜５とＳｉＮＸ膜６の成膜
工程を、反応ガスを除々に代えることにより連続的に形
成してもよい。この場合、例えば、ＳＬＨａガスの流量
を２０８ＣＣＭに保ち、Ｏｄｆスを４０ＳＣＣＭからＱ
ＳＣＣＭに変化させ、同時にＮ，ガスをＯから６０ＳＣ
ＣＭに変化させることにより、連続的なバイアスＥＣＲ
プラズマＣＶＤが可能となる。このように連続的に絶縁
膜を形成した場合、２層のものに比べてＳｉＯｚ膜とＳ
ｉＮｘ膜の密着性が改善される。
６の２層としたが、トレンチＩａの内壁に密着する層
かＳｊＯ．膜であれば、窒化シリコン膜との多層構造と
してもよい。また、Ｓｔｏｗ膜５とＳｉＮＸ膜６の成膜
工程を、反応ガスを除々に代えることにより連続的に形
成してもよい。この場合、例えば、ＳＬＨａガスの流量
を２０８ＣＣＭに保ち、Ｏｄｆスを４０ＳＣＣＭからＱ
ＳＣＣＭに変化させ、同時にＮ，ガスをＯから６０ＳＣ
ＣＭに変化させることにより、連続的なバイアスＥＣＲ
プラズマＣＶＤが可能となる。このように連続的に絶縁
膜を形成した場合、２層のものに比べてＳｉＯｚ膜とＳ
ｉＮｘ膜の密着性が改善される。
また、シリコン基仮ｌの温度等を制御することにより、
さらに、膜質を向七することが可能である。
さらに、膜質を向七することが可能である。
本実施例によれば、ＳｉＯｙ膜のみでトレンヂ埋込みを
行なうよりら、リーク電流等を低減化し、トレンヂ分離
能の良好なアイソレーションを高アスペクト比のトレン
ヂにおいてら実現することが可能となる。
行なうよりら、リーク電流等を低減化し、トレンヂ分離
能の良好なアイソレーションを高アスペクト比のトレン
ヂにおいてら実現することが可能となる。
理を施しても基体結晶に欠陥が生じることがなく、例え
ばリーク電流等を低減した良好な特性を有する効果があ
る。
ばリーク電流等を低減した良好な特性を有する効果があ
る。
第ｌ図Ａ〜第１図Ｃは本発明に係る絶縁膜の形成方法の
第１実施例の工程を示す断面図、第２図Ａ〜第２図Ｃは
同第２実施例の工程を示す断面図、第３図Ａ〜第３図Ｃ
は同第３実施例の工程を示す断面図である。 ■・・・ンリコン基板、ｌａ・・・トレンチ、２・・酸
化膜、３・・第１次Ｓｉｎ，膜、４・・第２次Ｓｔｏｗ
膜、５・・・Ｓ ｉ Ｏ ｖ膜、６・・ＳｉＮｘ膜。 ［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明に係る絶縁膜の
形戚方法によれば、段差部、特にトレンチに埋め込まれ
た絶縁膜の一低ストレス化を図ることか可能となり、デ
バイス形威過程において熱処／ｋｌ．ｉ”， 第１ 図Ｇ 青５２突 ス１と イダリ σ９ 工 １１【 左 示
す 断ｄｈ 巨虱第２図Ａ 第２図Ｂ 第２図Ｃ
第１実施例の工程を示す断面図、第２図Ａ〜第２図Ｃは
同第２実施例の工程を示す断面図、第３図Ａ〜第３図Ｃ
は同第３実施例の工程を示す断面図である。 ■・・・ンリコン基板、ｌａ・・・トレンチ、２・・酸
化膜、３・・第１次Ｓｉｎ，膜、４・・第２次Ｓｔｏｗ
膜、５・・・Ｓ ｉ Ｏ ｖ膜、６・・ＳｉＮｘ膜。 ［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明に係る絶縁膜の
形戚方法によれば、段差部、特にトレンチに埋め込まれ
た絶縁膜の一低ストレス化を図ることか可能となり、デ
バイス形威過程において熱処／ｋｌ．ｉ”， 第１ 図Ｇ 青５２突 ス１と イダリ σ９ 工 １１【 左 示
す 断ｄｈ 巨虱第２図Ａ 第２図Ｂ 第２図Ｃ
Claims (3)
- （１） 段差を有する基体上にバイアスＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ法により絶縁膜を形成する方法において、 はじめに、シラン系ガスとＮ＿２Ｏガスを用いてＣＶＤ
を行ない、次いで、シラン系ガスとＯ＿２ガスを用いて
ＣＶＤを行なうことを特徴とする絶縁膜の形成方法。 - （２） 段差を有する基体上にバイアスＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ法により絶縁膜を形成する方法において、 反応ガスにシラン系ガスを用い、該シラン系ガスの流量
比を小さくしながらＣＶＤを行なうことを特徴とする絶
縁膜の形成方法。 - （３） 段差を有する基体上にバイアスＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ法により絶縁膜を形成する方法において、 はじめに、ＳｉＯ＿２膜を形成し、次いで、ＳｉＮｘ膜
を形成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1160092A JP2976442B2 (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1160092A JP2976442B2 (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0324268A true JPH0324268A (ja) | 1991-02-01 |
| JP2976442B2 JP2976442B2 (ja) | 1999-11-10 |
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| JP (1) | JP2976442B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6149986A (en) * | 1991-10-15 | 2000-11-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Methods for manufacturing a substrate for a liquid jet recording head, liquid jet recording head, and liquid jet recording apparatus |
| JP2013514661A (ja) * | 2009-12-16 | 2013-04-25 | ナショナル セミコンダクター コーポレーション | 半導体基板上のラージエリアガリウム窒化物又は他の窒化物ベース構造のための応力補償 |
| JP2020035931A (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 富士電機株式会社 | 窒化ガリウム系半導体装置および窒化ガリウム系半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-22 JP JP1160092A patent/JP2976442B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6149986A (en) * | 1991-10-15 | 2000-11-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Methods for manufacturing a substrate for a liquid jet recording head, liquid jet recording head, and liquid jet recording apparatus |
| JP2013514661A (ja) * | 2009-12-16 | 2013-04-25 | ナショナル セミコンダクター コーポレーション | 半導体基板上のラージエリアガリウム窒化物又は他の窒化物ベース構造のための応力補償 |
| JP2020035931A (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 富士電機株式会社 | 窒化ガリウム系半導体装置および窒化ガリウム系半導体装置の製造方法 |
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| JP2976442B2 (ja) | 1999-11-10 |
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