JPH03242843A - 磁気光学記憶媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本発明は磁気光学記憶媒体に関し、詳細に言えば磁気光
学記憶媒体に用いる誘電体の層の屈折率、濃度および化
学的な耐久性の調整に関する。

Ｂ、従来の技術 磁気光学記録媒体は放射エネルギーに対応する記憶媒体
即ちメモリ素子に関連し、記録及び読取りのためにレー
ザー・ビームのような前記エネルギー供給源の使用を可
能にする。該媒体は入射偏光ビームの特性を変更し、該
変更がフォトダイオードのような電子デバイスにより検
出できるようにする。磁気光学記録媒体は既知の磁気記
録媒体に比し幾つかの利点を有する。即ち、該媒体と記
録ヘッドの間の間隔が大きくなるので、両者の間の接触
電位差を減らし、書込み手段としてパルス・レーザー・
ビームの使用は非常に高い密度のデータ記憶を生じる。

磁気光学記憶媒体の使用並びに該媒体へのデータの書込
み及び該媒体からのデータの読取りはどちらも当業者に
は周知である。

希土類元素転移金属非結晶合金は、磁気光学的に能動的
であり、室温で大きな値の保磁力および磁気的異方性を
有する磁性材料の等級を構成する、従って光学記録に基
づいた取消可能記憶技術の能動的な媒体として見込みが
ある。典型的なディスク記憶媒体の構造では、該能動的
な磁気光学的な層は、第１の薄い誘電体層が予め付着さ
れている溝付き基板にスパッタ付着され、次いで第２の
薄い誘電体層が該磁気光学的な層に付着され、それによ
って薄い誘電体層の対の間に該磁気光学的な層がはさま
れる。該誘電体層は磁気光学的な媒体への光学的な結合
を最大にするように整合する適切な屈折率、熱的分離及
び磁気光学的な層の環境の安定性を与える。

ＺｒＯ２，５ｉ（ｈ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ、０．及びＮ　
ｂ　２０　；ｌのような単純な酸化物を含む誘電体層が
試験されているが、１つの等級として受入可能な信号向
上および環境保護を与えるには、これらの材料は一般に
適切ではない。これは、場合によっては、それらが熱サ
イクル中に結晶化し且つ（又は）磁気光学的な層に大気
汚染物質が浸透するのを許す傾向によるものである。

窒化物、酸窒化物のような他の化合物及び非結晶炭素も
、磁気光学記憶媒体で誘電体層として使用されたとき、
薄膜内の受入れできない応力レベル及び不十分な表面被
覆のような種々の要素により同様な欠点を示す。また、
これら後者の場合には、該使用された化合物は離散値の
屈折率しか提供しないので、磁気光学記憶ディスクの光
学設計は当該離散値に基づく必要がある。

米国特許第４６８０７４２号明細書に記載されている磁
気光学記録素子は基板、磁性層及び誘電体層を含み、該
誘電体層はＳｉ、、Ｎ、及び屈折率改良剤、例えばＡｌ
２Ｏ３又はＹ２Ｏ３を含む合成物の付着により形式され
る。媒体を含むこのような窒化物は、付着中に、真空装
置中にある残留気体不純物に敏感である。例えば、もし
反応室に不十分な量の酸素があれば、誘電体層に珪素酸
窒化物が形式されることがあり、該誘電体層の屈折率を
大幅に減少させる。

米国特許第４５６９８８１号明細書に記載されている磁
気光学記憶媒体は、磁気光学材料への読取／書込レーザ
ー光線の結合を高める少なくとも１つの誘電体層を含む
。該誘電体層は酸化物又は窒化物を含む。該誘電体層が
与える屈折率の調整又は環境保護の程度については何も
言及されていない。

Ｃ６発明が解決しようとする課題 本発明の目的は従来の磁気光学記憶媒体にある制約を克
服し且つ信号対雑音比及び環境安定性の改良を達成する
ために合成酸化物ガラスを誘電体層に含ませることであ
る。

本発明の主たる目的は安定し、保護され、高く且つ精密
制御及び調整可能な屈折率の誘電体層を磁気光学記憶装
置に提供することである。

本発明のもう１つの目的は合成酸化物ガラスを含む少な
くとも１つの誘電体層を含む磁気光学記憶媒体を提供す
ることである。

本発明の更にもう■つの目的はＭがＺｒ、　Ｔｉ、　Ａ
Ｉ。

Ｎｂ、　ＹｌＳｎｓ　Ｉｎ、　Ｔａ及び３ｂから選択さ
れ且つそれらに限定されない化学式ＳｉＯ□−Ｍ０２又
はＳｉＯ□−Ｍ２Ｏ３又はＳｉＯ□−Ｍ２−ＭＯ２、Ｓ
ｉＯ２−Ｍ２Ｏ３並びにそれらの組合せを持つ合成酸化
物ガラスを含む少なくとも１つの誘電体層を含む磁気光
学記憶媒体を提供することである。

００課題を解決するための手段 本発明に従って、前述の磁気光学記憶媒体にある制約を
克服し且つ信号対雑音比及び環境安定性の改良を達成す
るために、誘電体層は合成酸化物ガラスを含む。良好な
ガラスは化学式ＳｉＯ□−Ｍ０２又はＳ＋０２　　ＬＯ
ｓ及びＳｉＯ□−Ｍ２Ｏ５を持っている。ここではＨは
Ｚｒ５Ｔｉ、　Ａｌ、Ｎｂ５Ｙｓ　Ｓｎ、　Ｉｎ、　Ｔ
ａ又はＳｂから選択される。特にＨはＴｉ、　Ｚｒ又は
Ａｌであることが望ましい。

１ Ｅ、実施例 第１図は基板１０、該基板に配置された第１のプラスチ
ック層１２（２Ｐ層とも呼ばれる）、該２Ｐ層に配置さ
れた第１の誘電体層１４（ＤＩ層とも呼ばれる）、該Ｄ
１層に配置された磁気光学材料薄膜層１６、及び該磁気
光学材料の層に配置された第２の誘電体層１Ｂ　（Ｄ２
層とも呼ばれる）を含む多重層のスタックの形式で作ら
れた良好な磁気光学記憶媒体の部分断面図を示す。

これらの層１２．１４．１６及び１８は保護層２０によ
って覆われる。

磁気光学記憶は基板に付着されている磁気光学薄膜材料
の選択部分の磁化方向を変えるレーザー光源を用いて行
われる。

該磁気光学薄膜の選択部分（ビット）の温度を垂直磁化
がもはや維持されない温度に上げる熱源として集束され
たレーザー放射を使用し、次いで加熱された材料の部分
（ビット）を加熱されない薄膜部分の方向と逆の方向に
変えることにより、実際の情報記憶が行われる。これは
、方向を変えた材料の部分２ が低い強度の読取りレーザー・ビームと異なる相互作用
をするようにし、それによって２進記憶状態が生じる。

記憶に用いられる磁気光学効果には、偏光が磁気光学薄
膜の表面から反射し該反射ビームの回転が測定されるカ
ー効果、及び磁気光学薄膜を通過する偏光面の回転が測
定されるファラデー効果の２つのタイプがある。第２の
方法の僅かな変化は第１図に示す層１８と層２０の間の
反射層を利用するか、代りに保護層２０が選択されて反
射作用を実行する。このような層は磁気光学薄膜を通る
光の多重経路を生じ、それによってファラデー信号を強
める。ファラデー・モードでは、磁気光学層及びＤ２層
は、光ビームがそれらを通過しなければならないので、
カー・モードの場合よりも薄い。層１６及び層１８の最
適屈折率及び厚さはあらゆる場合に同じとは限らない。

従って、所与の記憶媒体設計で信号対雑音比、光学的な
効率、熱処理等について最大の性能が取得できるように
誘電体層の屈折率を調整する能力を持つことが望ましい
。磁気光学記憶媒体をつくる方法及び前記各層を含む良
好な材料について以下に説明する。

基板１０は、当業者には明らかなように、完成した媒体
構造に構造的及び機械的な完全性を与えるように、ガラ
ス文はプラスチックを含み且つ十分な厚さを持つことが
望ましい。通常は溝のあるプラスチック層１２は大抵は
光電性の重合体材料である。該材料は標準的な写真平版
及びエツチング技術によりパターン化され、一般に１〜
２μｍの厚さである。溝の機能は該媒体での読取り及び
（又は）書込み中にレザー・ヘッドを正しいトラックに
保持することである。

誘電体層１４及び１８は、通常は、予め電気的に絶縁さ
れた材料、例えばシリコン酸化物、炭化物、窒化物、酸
化アルミニウム、二酸化チタン、酸化ジルコニウムから
作られているが、それらに限定されるものではない。誘
電体層の屈折率は、２つの誘電体層１４及び１８の間に
配置された磁気光学材料薄膜層１６に結合される光の量
を最適化する点から重要であり、正確なスタック構成に
よる最適値を仮定する、即ちデータ記憶のためにカー効
果又はファラデー効果等を利用する。消去できる磁気光
学記憶媒体の信号対雑音比は０（Ｒ）ｌ／２に比例する
。この場合、Ｒは媒体の反射率であり、Ｏは回転角であ
る。

記憶媒体は下記の手順によって作ることが望ましい。プ
ラスチック層１２は基板１０に写真食刻され、該基板の
表面の予め選択された位置に複数の溝をつくる。第１の
誘電体層１４は合成ターゲットから直に又は基本ターゲ
ットから反応してプラスチック層１２にスパッタ付着さ
れ、その厚さは一般に１０００人未満である。磁気光学
材料薄膜層１６は第１の誘電体層１４に付着される。そ
して第２の誘電体層１８は第１の誘電体層１４の付着と
同じ方法で磁気光学材料薄膜層１６に付着される。

一般に同じ構成内容を含む第１の誘電体層１４及び第２
の誘電体層１８は、一定の使用例では、Ｍを含む成分及
び適切なパーセンテージのＳｉＯ２に関してどちらも異
なる構成内容を含むことがある。

前述の媒体の誘電体層及び磁気光学材料薄膜は前記媒体
のスタックを形式するために複製することができる。

一層の環境の安定性を与えるために前記スタック５ に保護層（即ち被覆層）２０が付着される。

薄膜形式で誘電体層を製造する良好な方法は酸素含有プ
ラズマで個々の即ち合金基本ターゲットのスパッタ付着
及び（又は）合成物自体のスパッタ付着を順次に又は同
時に又はその組合せで行う方法である。物理的な蒸発及
び化学的な蒸気付着方法を用いて誘電体層をつくること
もできる。誘電体層は３０〜２００　ｎｍの厚さが望ま
しく、屈折率は１．４から２．４までの範囲内にあり、
カー・モードの動作の場合の屈折率はおよそ２．２であ
り、ファラデー・モードの動作の場合はおよそ１．８で
あることが望ましい。多結晶状態の材料で見つかった粒
界を除去するためにも誘電体層は非結晶状態であること
が望ましい。粒界の存在により、媒体が加熱されるか環
境的に応力が加わると、磁気光学材料層に大気汚染物質
が拡散し又は磁気光学材料成分が外部に拡散する。

磁気光学記録分野の当業者には知られているように、磁
気光学材料薄膜層１６は希土類元素転移金属合金のよう
な既知の能動的な磁気光学材料、例えば特にＴｂＦｅ、
　ＴｂＦｅＣｏ％ＧｄＣｏを含む。磁気光学材料薄膜６ 層の厚さは、記録モード及びスタック設計により一般に
２ｎｍから２００ｎｍまでの範囲にある。

保護層２０はアルミニウムのような安価で、付着するの
が容易な材料であることが望ましく、厚さは一般に２０
００人よりも大きい。保護層２０は無塵で密封された環
境を磁気光学記憶媒体に提供する。

本発明は誘電体層の材料として化学式ＳｉＯ２−ＭＯ２
又はＳｉＯ２−Ｍ２Ｏ３又はＳｉＯ□−Ｍ２−ＭＯ２、
ＳｉＯ２−Ｍ２Ｏ３及びその組合せを持つ合成ガラスの
利用に関する。要素ＨはＺｒ。

ＴＩ％　Ａｌｓ　Ｎｂ５Ｙｓ　Ｓｎｓ　Ｉｎｓ　Ｔａ及
びＳｂから選択され、できればＴｉ１Ｚｒ又はＡＩが望
ましい。合成ガラス誘電体層の利用による明白な利点は
Ｈを含む合成物の結晶する性質がＳｉＯ□を形式するガ
ラスにより抑制されることである。更に、物理的、化学
的及び構造上の特性、特に屈折率が該合成ガラス成分の
相対的な率の適切な調整により制御できる。

下記の実施例はＳｉＯ２−ＺｒＯ２及びＳｉＯ２　　Ｔ
ｉＯ２の２値方式の成分合成がそれによって作られたス
パッタ薄膜の屈折率及び密度に及ぼす効果を示す。

実施例１ 構成内容を変える混合ＳｉＯ□−Ｚｒ０２の薄膜は従来
のように二重ソース反応形マグネトロン・スパッタリン
グによって作られた。Ｚｒ及びＳｉの２つの高純度の基
本ターゲットは、各々の付着実行中に合成内容の傾斜の
設定を可能にする共直線形式で配列されたソースをスパ
ッタするマグネトロン内の真空室に取付けられた。真空
室は、少なくとも１ｘｌＯ−’Ｔまで排気された。純度
９９．９９％のＡｒ及び０□の混合物はスパッタ・ガス
として使用された。適切なガスの定量は一定のアルゴン
流量率測定のために一連の全圧力対酸素流量率により設
定された。これらの測定はターゲットが金属性を保持し
且つ該ターゲットを酸化させる圧力範囲を設定した。付
着率が高まるときターゲットが金属状態に近い間に混合
薄膜を付着することが望ましい。これらの測定に基づい
て、薄膜は一般に５　ｍＴと７　ｍＴの間の全圧力と酸
素のおよそ０．１の部分圧力で作られた。これらの値は
便宜上選択されたものであり、プロセスの限界を示すも
のではない。スパッタリング・パワーは、Ｚｒ及びＳｉ
のスパッタの歩留まりの差異を補償し且つ構成内容を制
御するために、ターゲット毎におよそ５０Ｗ／ｃｍ２か
らＪＯＷ／ｃｍ２まで変えられた。ＺｒＯ２からＳｉｎ
、への構成及び１０Ａ／ｍから７５０人／ｍまでの付着
率の全範囲はターゲット・パワー・レベル及びソースか
ら基板までの距離の調整によって取得することが、でき
た。完全に酸化された混合構成の薄膜はこの方法により
容易に作ることができた。第２図は、前述の方法で作ら
れた薄膜の２つのラザフオード後方散乱（ＲＢＳ）スペ
クトルを示すグラフであり、該薄膜は完全に酸化される
が、各薄膜の構成内容は異なることを示す。実線で示す
薄膜は０．９４Ｚｒ０２０．０６ＳＩ０２の構成内容を
持ち、破線で示す薄膜は０．８３Ｚｒ０２ｏ、　１７Ｓ
ｉＯ２の構成内容を持つ。第３図は反応形スパッタ付着
により個々の基本ターゲットから作られたＳｉＯ２−Ｚ
ｒＯ□薄膜の付着率及び構成内容に依存する、８３０　
ｎｍで測定された屈折率を示す。破線は計算によって決
められた十分に濃密なバルク・サンプル及び高率のＳｉ
Ｏ２のバルク・ガラス・サンプルの公表されたデータで
予想され、論文阿、　Ｎｏｇａｍｉ、”ゾル・ゲル方法
による金属アルコイドからのＺｒＯ２５Ｉ０２方式のガ
ラス製造（Ｇｌａｓｓ　Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｏｆ
　ｔｈｅ　ＺＺｒＯ２−ＳｉＯ２Ｓｙｓｔｅ　ｂｙｔｈ
ｅ　５ｏｌ−Ｇｅｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓ　ｆｒｏｍ　Ｍｅ
ｔａｌ　Ａｌｋｏｉｄｅｓ）”、非結晶固体ジャーナル
（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉ
ｎｅＳｏｌｉｄ）　６９　、（１９８５）　４１５−４
２３に報告された屈折率の理論値を表わす。このプロセ
スでたとえｄ、　ｃ、スパッタが８１に使用され該ター
ゲットは十分に低い抵抗率を持つように不純物を添加す
べきであってもｒ、ｆ、又はｄ、　ｃ、スパッタのどち
らかを用いることができる。

光学及び物理特性の測定を容易にするために、薄膜の厚
さは一般に５０〜９００　ｎｍの範囲であったが、決し
て当該範囲に限定されるものではない。薄膜が完全に非
結晶であることを保証するために、これらの混合酸化物
薄膜には、およそ９原子％のＳｉＯ□が必要である。

実施例２ 実施例１に引用された同じ真空室ならびにイオン・ビー
ム・スパッタ付着システムを用いて、混合された構成内
容の薄膜は基本合金ターゲットからも作られた。スパッ
タリング・ターゲットの構成内容は（ｉ）８７゜４％Ｚ
ｒ−１２，６％Ｓｉ、　（ｉｉ）　７３．５％Ｚｒ−２
６，５％Ｓｉ及び（ｉｉｉ）　３０％Ｚｒ−７０％３ｉ
（実際の原子％）であった。４６％Ｚｒ−５４％Ｓｉの
ターゲットは反応形イオン・ビーム・スパッタ付着に用
いられた。十分に酸化された薄膜を１つの構成内容のタ
ーゲットを用いて作るのにスパッタリング・ガス中の酸
素対アルゴンの比が十分である条件が再び決められた。

第４図に示すように屈折率も変化した。

実施例３ 本発明の重要な特性は、５Ｉ０２を前記Ｍを含む合成物
との混合による非結晶薄膜の熱安定性である。これは、
第５図に示す、アニーリング時間を関数とする２０３　
ｉｏ　２−８０ＺｒＯ２の薄膜の屈折率のグラフである
。

同様な条件の下で、純粋なＺｒ−ＭＯ２、ＳｉＯ２−Ｍ
２Ｏ３の薄膜は結晶体及び屈折率の変化を示す。

実施例４ 環境保護が改良された磁気光学記憶媒体の領域で本発明
が提供する利点を下記に示す。およそ１０００人の厚さ
の幾つかのＴｂＦｅ薄膜は、反応形スパッタ付着された
Ｚｒｏ、　ｌ１ｎ４ＳＩ−ＭＯ２、ＳｉＯ２−Ｍ２Ｏ３
＋４６０２の７００〜９００人の厚さの薄膜で被覆され
、被覆されないＴｂＦｅ及び同等の厚さのＺｒＯ□で被
覆されたＴｂＦｅと比較して腐食耐性が試験された。そ
の結果は第６図に示す。この試験で使用された溶剤、イ
オンを除去された水では、被覆されず且つ保護されない
ＴｂＦｅは最高の腐食率を有し、およそ６分で完全に溶
解される。それに対して、ＺｒＯ２及びＳｉＯ□−Ｚｒ
０２で被覆された薄膜はどちらもずっと低い腐食率を有
し、混合酸化物薄膜は２者のうち最低の腐食率を与える
。この改善は、ＺｒＯ□にＳｉｎ、を付加することによ
って誘電体層を多結晶状態から非結晶状態に変更し、そ
れによって磁気光学層への粒界拡散を除去することによ
る。

実施例５ 非結晶ＳｉＯ２−Ｚｒ０２薄膜の光学的な品質も幾つか
のシリカ基板を４分の１波長の厚さ（およそ９５０人）
のＺｒｏ、　１ｉｎ４ｓＩ０．１４［１０２構戒の薄膜
そしてＴｂＦｅＣｏ磁気光学薄膜で被覆することによっ
て検査された。°第７Ａ図は混合酸化物層のない媒体の
代表的なカー・ループを示し、第７Ｂ図は混合酸化物層
のある媒体の代表的なカー・ループを示す。ループは全
てバックウオール（ｂａｃｋｗａ　ｌ　ｌ　）モードで
測定され、磁気光学媒体は、挿入図形に示すように基板
及び０１層を通してアドレス指定された。期待された光
学的な改善は、記録されたカー回転の２１．８分から４
２．９分への増加によって得られる。

実施例６ Ｔｉ及びＳｉの一連の基本合金ターゲットが反応的にス
パッタされたときも前述と同様な結果が得られた。この
実施例では、ＴｉＯ２に加えられたおよそ３原子％のＳ
ｉＯ２は、熱安定した混合酸化物の非結晶薄膜を作るの
に十分であることがわかった。第８図はＳｉＯ□−Ｔｉ
Ｏ□薄膜方式の屈折率及び濃度が構成内容の関数によっ
て決まることを示す。

ＢａＯ、ＺｎＯ及びＰｂＯのような、しかしそれに限定
されない、ガラス・ネットワーク変更子を台底ガラスに
加え、特定の状況で必要とする光学的又は他の特性を更
に制御することができる。該ガラス・ネットワーク変更
子は誘電体層１４．１８のどちらか又は両方に加えられ
る。

３ Ｆ６発明の効果 本発明に従って誘電体層に合成酸化物ガラスを含ませる
ことにより従来の磁気光学記憶媒体の制約が克服され且
つ信号対雑音比及び環境安定性が改良される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に従って作られた良好な磁気光学記憶媒
体の部分断面図である。 第２図は異なる構成によるＳｉＯ□−ＺｒＯ□フィルム
のＲＢＳスペクトルを示す図である。 第３図は個々の基本ターゲットから反応形スパッタ付着
により作られたＺｒＯ２−３ｉｎ、薄膜の付着速度及び
合成で（６６３ｎｍにおける）屈折率の依存を示す図で
ある。 第４図はＺｒ−Ｓｉ基本合金ターゲットから反応形スパ
ッタ付着により作られたＺｒＯ□−ＳｉＯ２薄膜の付着
速度及び合成で（６６３ｎｍにおける）屈折率の依存を
示す図である。 第５図は２０％Ｓ＋０２を含むフィルムのアニーリング
関数として屈折率を表わすグラフを示す図である。 　４ 第６図は非結晶混合ＳｉＯ□−ＺｒＯ２フィルムにより
提供された高い腐食防護を表わすグラフを示す図である
。 第７Ａ図及び第７Ｂ図は混合ＳｉＯ２−ＺｒＯ□フィル
ムの使用により提供されたカー回転の改善を表わすグラ
フを示す図である。 第８図は種々の合金ターゲットから反応形スバ・ツタ付
着により作られたＴｉＯ□−３ｉＯ□薄膜の合成で（６
６３ｎｍにおける）屈折率の依存を示す図である。 １０・・・・基板、１２・・・・第１のプラスチ・ンク
層、１４・・・・第１の誘電体層、１６・・・・磁気光
学材料薄膜層、１８・・・・第２の誘電体層、２０・・
・・保護層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）磁気光学記憶媒体で用いる誘電体層であつて、Ｓ
   ｉＯ＿２−ＭＯ＿２、ＳｉＯ＿２−Ｍ＿２Ｏ＿３又はＳ
   ｉＯ＿２−Ｍ＿２Ｏ＿５の合成ガラスを含み、前記Ｍは
   Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｙ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔａ及びＳ
   ｂを含むグループから選択される誘電体層。（２）請求
   項（１）記載の誘電体層であって、前記にはＺｒ、Ｔｉ
   及びＡｌから成るグループから選択される誘電体層。 （３）請求項（１）記載の誘電体層であって、ＳｉＯ＿
   ２成分は該誘電体層を非結晶にするために十分である誘
   電体層。 （４）請求項（１）記載の誘電体層であって、更にガラ
   ス・ネットワーク変更子を含む誘電体層。 （５）請求項（４）記載の誘電体層であって、該ガラス
   ・ネットワーク変更子はＢａＯ、ＺｎＯ及びＰｂＯから
   成るグループから選択される誘電体層。 （６）請求項（３）記載の誘電体層であって、更にガラ
   ス・ネットワーク変更子を含む誘電体層。 （７）請求項（６）記載の誘電体層であって、該ガラス
   ・ネットワーク変更子はＢａＯ、ＺｎＯ及びＰｂＯから
   成るグループから選択される誘電体層。 （８）請求項（１）記載の誘電体層であって、該合成ガ
   ラスはＳｉＯ＿２−ＺｒＯ＿２である誘電体層。 （９）請求項（８）記載の誘電体層であつて、更にガラ
   ス・ネットワーク変更子を含む誘電体層。 （１０）請求項（９）記載の誘電体層であつて、該ガラ
   ス・ネットワーク変更子はＢａＯ、ＺｎＯ及びＰｂＯか
   ら成るグループから選択される誘電体層。 （１１）請求項（１）記載の誘電体層であつて、該合成
   ガラスはＳｉＯ＿２−ＴｉＯ＿２である誘電体層。 （１２）請求項（１１）記載の誘電体層であって、更に
   ガラス・ネットワーク変更子を含む誘電体層。 （１３）請求項（１２）記載の誘電体層であって、該ガ
   ラス・ネットワーク変更子はＢａＯ、ＺｎＯ及びＰｂＯ
   から成るグループから選択される誘電体層。 （１４）磁気光学記憶媒体であって、 ２つの表面を有する磁気光学薄膜及び 前記磁気光学薄膜の前記表面の少なくとも１つに付着さ
   れた誘電体層 を含み、 前記誘電体層はＳｉＯ＿２−ＭＯ＿２、ＳｉＯ＿２−Ｍ
   ＿２Ｏ＿３又はＳｉＯ＿２−Ｍ＿２Ｏ＿５の合成ガラス
   を含み、前記ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｙ、Ｓｎ、
   Ｉｎ、Ｔａ及びＳｂから成るグループから選択される 磁気光学記憶媒体。 （１５）請求項（１４）記載の磁気光学記憶媒体であっ
   て、前記磁気光学薄膜は希土類元素転移金属合金である
   磁気光学記憶媒体。 （１６）請求項（１４）記載の磁気光学記憶媒体であつ
   て、前記誘電体層は更にガラス・ネットワーク変更子を
   含む磁気光学記憶媒体。 （１７）請求項（１４）記載の磁気光学記憶媒体であつ
   て、前記磁気光学薄膜の両表面に誘電体層が付着される
   磁気光学記憶媒体。 （１８）請求項（１７）記載の磁気光学記憶媒体であつ
   て、前記磁気光学薄膜の第１の表面に付着された誘電体
   層は前記磁気光学薄膜の第２の表面に付着された誘電体
   層と異なる磁気光学記憶媒体。 （１９）請求項（１７）記載の磁気光学記憶媒体であっ
   て、前記磁気光学薄膜の第１の表面に付着された誘電体
   層と第２の表面に付着された誘電体層は同じである磁気
   光学記憶媒体。 （２０）請求項（１４）記載の磁気光学記憶媒体であっ
   て、前記誘電体層のＳｉＯ＿２成分は前記誘電体層を非
   結晶にするのに十分である磁気光学記憶媒体。 （２１）磁気光学記憶媒体であって、 基板、 ＳｉＯ＿２−ＭＯ＿２、ＳｉＯ＿２−Ｍ＿２Ｏ＿３又は
   ＳｉＯ＿２−Ｍ＿２Ｏ＿５の合成ガラスを含み、前記Ｍ
   は前記基板に配置されたＺｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｙ、
   Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔａ及びＳｂから成るグループから選択さ
   れる第１の誘電体層、 前記第１の誘電体層に配置された磁気光学薄膜層及び ＳｉＯ＿２−ＭＯ＿２、ＳｉＯ＿２−Ｍ＿２Ｏ＿３又は
   ＳｉＯ＿２−Ｍ＿２Ｏ＿５の合成ガラスを含み、前記Ｍ
   は前記磁気光学薄膜に配置されたＺｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎ
   ｂ、Ｙ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔａ及びＳｂから成るグループか
   ら選択される第２の誘電体層を含む磁気光学記憶媒体。 （２２）請求項（２１）記載の磁気光学記憶媒体であっ
   て、前記基板は織られた表面を有し前記第１の誘電体層
   がその上に配置される磁気光学記憶媒体。 （２３）請求項（２１）記載の磁気光学記憶媒体であっ
   て、更に前記基板に配置された溝付きの層を含み且つ前
   記第１の誘電体層は前記溝付きの層に配置される磁気光
   学記憶媒体。 （２４）請求項（２３）記載の磁気光学記憶媒体であつ
   て、更に、前記溝付きの層、前記第１の誘電体層、前記
   磁気光学薄膜層及び前記第２の誘電体層に配置された、
   保護層を含む磁気光学記憶媒体。 （２５）請求項（２１）記載の磁気光学記憶媒体であっ
   て、更に、前記第１の誘電体層、前記磁気光学薄膜層及
   び前記第２の誘電体層に配置された、保護層を含む磁気
   光学記憶媒体。 （２６）請求項（２１）記載の磁気光学記憶媒体であつ
   て、前記第１及び第２の誘電体層は構成内容がほぼ同じ
   である磁気光学記憶媒体。 （２７）請求項（２１）記載の磁気光学記憶媒体であつ
   て、前記第１及び第２の誘電体層は構成内容が異なる磁
   気光学記憶媒体。 （２８）請求項（２１）記載の磁気光学記憶媒体であつ
   て、前記第１の誘電体層及び前記第２の誘電体層の少な
   くとも一方は更にガラス・ネットワーク変更子を含む磁
   気光学記憶媒体。 （２９）請求項（２８）記載の磁気光学記憶媒体であつ
   て、前記ガラス・ネットワーク変更子はＢａＯ、ＺｎＯ
   及びＰｂＯから成るグループから選択される磁気光学記
   憶媒体。 （３０）請求項（２３）記載の磁気光学記憶媒体であつ
   て、前記第１及び第２の誘電体層は構成内容がほぼ同じ
   である磁気光学記憶媒体。 （３１）請求項（２３）記載の磁気光学記憶媒体であっ
   て、前記第１及び第２の誘電体層は構成内容が異なる磁
   気光学記憶媒体。 （３２）請求項（２３）記載の磁気光学記憶媒体であつ
   て、前記第１の誘電体層及び前記第２の誘電体層の少な
   くとも一方は更にガラス・ネットワーク変更子を含む磁
   気光学記憶媒体。 （３３）請求項（３２）記載の磁気光学記憶媒体であっ
   て、前記ガラス・ネットワーク変更子はＢａＯ、ＺｎＯ
   及びＰｂＯから成るグループから選択される磁気光学記
   憶媒体。 （３４）請求項（２４）記載の磁気光学記憶媒体であっ
   て、前記基板はガラスであり、前記溝付きの層は光電性
   重合体材料であり、前記第１及び第２の誘電体層はＳｉ
   Ｏ＿２−ＺｒＯ＿２の合成ガラスを含み、前記磁気光学
   層は希土類元素転移金属であり且つ前記保護層はアルミ
   ニウムである磁気光学記憶媒体。 （３５）請求項（２４）記載の磁気光学記憶媒体であっ
   て、前記基板はガラスであり、前記溝付きの層は光電性
   重合体材料であり、前記第１及び第２の誘電体層はＳｉ
   Ｏ＿２−ＴｉＯ＿２の合成ガラスを含み、前記磁気光学
   層は希土類元素転移金属であり且つ前記保護層はアルミ
   ニウムである磁気光学記憶媒体。 （３６）請求項（２１）記載の磁気光学記憶媒体であっ
   て、前記基板はガラスであり、前記第１の誘電体層及び
   前記第２の誘電体層はＳｉＯ＿２−ＺｒＯ＿２の合成ガ
   ラスを含み、前記磁気光学層は希土類元素転移金属であ
   り且つ前記保護層はアルミニウムである磁気光学記憶媒
   体。 （３７）請求項（２１）記載の磁気光学記憶媒体であっ
   て、前記基板はガラスであり、前記第１の誘電体層及び
   前記第２の誘電体層はＳｉＯ＿２−ＴｉＯ＿２の合成ガ
   ラスを含み、前記磁気光学層は希土類元素転移金属であ
   り且つ前記保護層はアルミニウムである磁気光学記憶媒
   体。