JPH0660452A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0660452A JPH0660452A JP21507992A JP21507992A JPH0660452A JP H0660452 A JPH0660452 A JP H0660452A JP 21507992 A JP21507992 A JP 21507992A JP 21507992 A JP21507992 A JP 21507992A JP H0660452 A JPH0660452 A JP H0660452A
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- magnetic
- magnetic layer
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 軽希土類を主に含有する希土類−遷移金属非
晶質合金よりなる第1の層と重希土類を主に含有する希
土類−遷移金属非晶質合金よりなる第2の層とが交互に
積層されてなる磁性体層を有する光磁気記録媒体。 【効果】 本発明の光磁気記録媒体は、その磁性体層が
短波長領域で大きなカー回転角を示し、かつ大きな垂直
異方性を示すため、短波長レーザーで良好な記録特性を
示す。本発明の光磁気記録媒体は、短波長レーザー光を
用いた高密度記録に適したものである。
晶質合金よりなる第1の層と重希土類を主に含有する希
土類−遷移金属非晶質合金よりなる第2の層とが交互に
積層されてなる磁性体層を有する光磁気記録媒体。 【効果】 本発明の光磁気記録媒体は、その磁性体層が
短波長領域で大きなカー回転角を示し、かつ大きな垂直
異方性を示すため、短波長レーザーで良好な記録特性を
示す。本発明の光磁気記録媒体は、短波長レーザー光を
用いた高密度記録に適したものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光を用いて情報
の記録、再生、消去を行なう光磁気記録媒体に関する。
の記録、再生、消去を行なう光磁気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、レーザー光による熱と外部磁
界により磁性薄膜の膜面に対し垂直方向に磁化した磁区
を形成することにより情報の記録を行ない、この記録磁
区におけるよるカー効果、もしくはファラデー効果を利
用して情報の再生を行なう光磁気記録方式は、記録、消
去の繰り返しが可能で、かつ信頼性の高い高密度情報記
録方式として実用化されている。この光磁気記録媒体の
記録に用いる磁性体膜としては、多くの種類の磁性体合
金が提案されているが、とりわけFe、Co等の遷移金
属とTb、Dy、Gd等の重希土類金属を主体とした非
晶質合金薄膜は、キュリー温度が半導体レーザーによる
記録に適当な範囲であること、非晶質であるため再生時
に粒界ノイズを生じないこと、スパッタリング等の方法
で容易に垂直磁化膜を形成できること、比較的大きな磁
気−光カー効果を得られること等の理由で最も多く用い
られている。
界により磁性薄膜の膜面に対し垂直方向に磁化した磁区
を形成することにより情報の記録を行ない、この記録磁
区におけるよるカー効果、もしくはファラデー効果を利
用して情報の再生を行なう光磁気記録方式は、記録、消
去の繰り返しが可能で、かつ信頼性の高い高密度情報記
録方式として実用化されている。この光磁気記録媒体の
記録に用いる磁性体膜としては、多くの種類の磁性体合
金が提案されているが、とりわけFe、Co等の遷移金
属とTb、Dy、Gd等の重希土類金属を主体とした非
晶質合金薄膜は、キュリー温度が半導体レーザーによる
記録に適当な範囲であること、非晶質であるため再生時
に粒界ノイズを生じないこと、スパッタリング等の方法
で容易に垂直磁化膜を形成できること、比較的大きな磁
気−光カー効果を得られること等の理由で最も多く用い
られている。
【0003】現在、光磁気ディスクにおいてはさらに高
記録密度化が検討されている。その一つの方法として、
記録、再生に用いる半導体レーザーの短波長化が検討さ
れている。即ち、記録用の光源の波長が短くなると、対
物レンズにより、より小さなビームスポット径に集光す
ることができ、単位面積当たり、より多くの情報を記録
することが可能となる。このためには、短波長の半導体
レーザーの開発が必要であるが、同時に短波長半導体レ
ーザーに対応した光磁気記録膜の開発も必要となる。一
般に用いられている重希土類−遷移金属非晶質合金薄膜
は、近赤外領域の波長付近のレーザー光に対して、十分
なカー効果が得られるが、波長が短くなるに従ってカー
効果が減少し、十分な再生信号が得られないという問題
がある。一方、軽希土類−遷移金属非晶質合金は、上記
のように、重希土類−遷移金属非晶質合金薄膜ではカー
効果が減少する波長領域であっても十分大きなカー効果
が得られることが知られているが、磁化容易軸が膜面内
となり、垂直磁気異方性が得られないので、このままで
は光磁気記録には適さない。
記録密度化が検討されている。その一つの方法として、
記録、再生に用いる半導体レーザーの短波長化が検討さ
れている。即ち、記録用の光源の波長が短くなると、対
物レンズにより、より小さなビームスポット径に集光す
ることができ、単位面積当たり、より多くの情報を記録
することが可能となる。このためには、短波長の半導体
レーザーの開発が必要であるが、同時に短波長半導体レ
ーザーに対応した光磁気記録膜の開発も必要となる。一
般に用いられている重希土類−遷移金属非晶質合金薄膜
は、近赤外領域の波長付近のレーザー光に対して、十分
なカー効果が得られるが、波長が短くなるに従ってカー
効果が減少し、十分な再生信号が得られないという問題
がある。一方、軽希土類−遷移金属非晶質合金は、上記
のように、重希土類−遷移金属非晶質合金薄膜ではカー
効果が減少する波長領域であっても十分大きなカー効果
が得られることが知られているが、磁化容易軸が膜面内
となり、垂直磁気異方性が得られないので、このままで
は光磁気記録には適さない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この軽希土類−遷移金
属非晶質合金薄膜を垂直磁化膜とする方法の一つとし
て、Dy、Tb等の重希土類を添加する方法が知られて
いる。しかし、これを垂直磁化膜とするためには、軽希
土類の含有量以上の重希土類が必要となり、結果として
短波長領域でのカー効果は減少する。
属非晶質合金薄膜を垂直磁化膜とする方法の一つとし
て、Dy、Tb等の重希土類を添加する方法が知られて
いる。しかし、これを垂直磁化膜とするためには、軽希
土類の含有量以上の重希土類が必要となり、結果として
短波長領域でのカー効果は減少する。
【0005】上記の軽希土類−遷移金属非晶質合金薄膜
の有する短波長域での高いカー効果を維持しつつ、垂直
磁化膜を得る他の方法としては、例えば、特開平3−1
08144公報に記載のように、垂直異方性を有する重
希土類−遷移金属非晶質合金薄膜と積層し、磁気的交換
相互作用を利用することにより、軽希土類−遷移金属非
晶質合金薄膜を垂直磁化膜とする方法が提案されてい
る。しかし、この方法の場合、重希土類−遷移金属層の
厚さが十分厚くなければ、軽希土類−遷移金属層の垂直
磁気異方性は十分でなく、垂直方向の保磁力が小さいた
め、軽希土類−遷移金属層に短波長レーザーで高密度記
録を行なった際、良好な形状の微小磁区が得られず、そ
の結果、高いCN比を得ることはできない。逆に大きな
垂直異方性を得ようとすれば、軽希土類−遷移金属層を
薄く、重希土類−遷移金属層を厚くしなければならず、
この結果、短波長になるに従って、カー回転角は減少す
る。
の有する短波長域での高いカー効果を維持しつつ、垂直
磁化膜を得る他の方法としては、例えば、特開平3−1
08144公報に記載のように、垂直異方性を有する重
希土類−遷移金属非晶質合金薄膜と積層し、磁気的交換
相互作用を利用することにより、軽希土類−遷移金属非
晶質合金薄膜を垂直磁化膜とする方法が提案されてい
る。しかし、この方法の場合、重希土類−遷移金属層の
厚さが十分厚くなければ、軽希土類−遷移金属層の垂直
磁気異方性は十分でなく、垂直方向の保磁力が小さいた
め、軽希土類−遷移金属層に短波長レーザーで高密度記
録を行なった際、良好な形状の微小磁区が得られず、そ
の結果、高いCN比を得ることはできない。逆に大きな
垂直異方性を得ようとすれば、軽希土類−遷移金属層を
薄く、重希土類−遷移金属層を厚くしなければならず、
この結果、短波長になるに従って、カー回転角は減少す
る。
【0006】本発明が解決しようとする課題は、短波長
側で大きなカー回転角を示し、かつ、大きな垂直異方性
を示す磁性体層を有する光磁気記録媒体を提供すること
にある。
側で大きなカー回転角を示し、かつ、大きな垂直異方性
を示す磁性体層を有する光磁気記録媒体を提供すること
にある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、基板上に多層膜からなる磁性体層が形成さ
れており、その磁性体層が希土類元素として軽希土類を
主に含有する第1の希土類−遷移金属非晶質合金層と重
希土類を主に含有する第2の希土類−遷移金属非晶質合
金層とが交互に積層されてなることを特徴とする光磁気
記録媒体を提供する。
するために、基板上に多層膜からなる磁性体層が形成さ
れており、その磁性体層が希土類元素として軽希土類を
主に含有する第1の希土類−遷移金属非晶質合金層と重
希土類を主に含有する第2の希土類−遷移金属非晶質合
金層とが交互に積層されてなることを特徴とする光磁気
記録媒体を提供する。
【0008】本発明の光磁気記録媒体によれば、各々の
軽希土類−遷移金属合金層は隣接する重希土類−遷移金
属合金層からの交換相互作用を受けるため、光磁気記録
に十分な垂直異方性を有する磁性体膜が得られる。その
上、第1の合金層と第2の合金層の厚さを同程度にする
と、重希土類元素に対する軽希土類元素の比率を大きく
することができるため、短波長において大きなカー効果
を得ることができる。
軽希土類−遷移金属合金層は隣接する重希土類−遷移金
属合金層からの交換相互作用を受けるため、光磁気記録
に十分な垂直異方性を有する磁性体膜が得られる。その
上、第1の合金層と第2の合金層の厚さを同程度にする
と、重希土類元素に対する軽希土類元素の比率を大きく
することができるため、短波長において大きなカー効果
を得ることができる。
【0009】以上のように、大きな垂直異方性と短波長
における大きなカー効果の両者を同時に満足するという
本発明の目的を達成するためには、第1の合金層の厚さ
の総和と第2の合金層の厚さの総和が同程度であること
が好ましい。具体的には、第1の磁性体層の厚さの総和
をT1、第2の磁性体層の厚さの総和をT2とすると、こ
れらの厚さの比(T1/T2)が0.8以上1.2以下で
あることが好ましい。
における大きなカー効果の両者を同時に満足するという
本発明の目的を達成するためには、第1の合金層の厚さ
の総和と第2の合金層の厚さの総和が同程度であること
が好ましい。具体的には、第1の磁性体層の厚さの総和
をT1、第2の磁性体層の厚さの総和をT2とすると、こ
れらの厚さの比(T1/T2)が0.8以上1.2以下で
あることが好ましい。
【0010】一方、本発明の磁性体層が前記の厚さで膜
面に対して垂直方向の磁化容易軸を有するためには、交
互に積層されている第1の希土類−遷移金属非晶質合金
層及び第2の希土類−遷移金属非晶質合金層の各々の厚
さが1nm以上5nm以下の範囲が好ましい。この範囲を超
えると第1の合金層の磁化容易軸の方向は、第2の合金
層との交換相互作用により膜面に対して垂直とはなら
ず、磁性体膜全体の保磁力は小さくなる。逆に厚さがこ
の範囲より小さいと第2の希土類遷移金属非晶質合金層
の垂直異方性が小さく、同様に磁性体膜全体として十分
な垂直異方性が得られない。
面に対して垂直方向の磁化容易軸を有するためには、交
互に積層されている第1の希土類−遷移金属非晶質合金
層及び第2の希土類−遷移金属非晶質合金層の各々の厚
さが1nm以上5nm以下の範囲が好ましい。この範囲を超
えると第1の合金層の磁化容易軸の方向は、第2の合金
層との交換相互作用により膜面に対して垂直とはなら
ず、磁性体膜全体の保磁力は小さくなる。逆に厚さがこ
の範囲より小さいと第2の希土類遷移金属非晶質合金層
の垂直異方性が小さく、同様に磁性体膜全体として十分
な垂直異方性が得られない。
【0011】本発明において第1の希土類−遷移金属非
晶質合金層は、遷移金属元素としてFe及びCoから成
る郡から選ばれた少なくとも一元素を含み、かつ軽希土
類元素としてNd及びPrから成る郡から選ばれた少な
くとも一元素を含むことを特徴とする。また、垂直異方
性、キュリー温度等の磁気特性を制御する目的でGd、
Dy、Tb等の重希土類元素を添加しても良いが、短波
長におけるカー効果の点から上記の軽希土類元素の組成
比を超えないことが好ましい。
晶質合金層は、遷移金属元素としてFe及びCoから成
る郡から選ばれた少なくとも一元素を含み、かつ軽希土
類元素としてNd及びPrから成る郡から選ばれた少な
くとも一元素を含むことを特徴とする。また、垂直異方
性、キュリー温度等の磁気特性を制御する目的でGd、
Dy、Tb等の重希土類元素を添加しても良いが、短波
長におけるカー効果の点から上記の軽希土類元素の組成
比を超えないことが好ましい。
【0012】一方、第2の希土類−遷移金属非晶質合金
層は、第1の希土類−遷移金属非晶質合金層と同様に遷
移金属元素として少なくともFe及びCoから成る郡か
ら選ばれた一元素を含むが、重希土類元素としてDy及
びTbから成る郡から選ばれた少なくとも一元素を含む
ことを特徴とする。
層は、第1の希土類−遷移金属非晶質合金層と同様に遷
移金属元素として少なくともFe及びCoから成る郡か
ら選ばれた一元素を含むが、重希土類元素としてDy及
びTbから成る郡から選ばれた少なくとも一元素を含む
ことを特徴とする。
【0013】以上の第1及び第2の希土類−遷移金属非
晶質合金層には磁性体層の耐酸化性を向上するために、
Ti、Cr、Zi、Pt、Nb、Ta等の金属を原子数
で10%以下の添加を行なっても良い。
晶質合金層には磁性体層の耐酸化性を向上するために、
Ti、Cr、Zi、Pt、Nb、Ta等の金属を原子数
で10%以下の添加を行なっても良い。
【0014】本発明においては、基板上に第1の希土類
−遷移金属非晶質合金層と第2の希土類−遷移金属非晶
質合金層とが交互に積層された磁性体層を成膜したした
だけで光磁気記録媒体として用いても良いが、カー回転
角を増幅し、さらに良好な記録再生特性を得るため、も
しくは磁性体層の酸化による記録再生特性の経時劣化を
防止する目的で、上記磁性体層の片側もしくは両側に誘
電体層を設けた構造、またさらに、記録感度を調節し、
記録、消去の繰り返し耐久性を向上するために反射層を
兼ねた熱伝導層を設けた構造としても良い。この場合、
第1の磁性体層と第2の磁性体層の積層よりなる磁性体
膜全体の厚さを40nm以下とし、光が透過する程度の厚
さとすることが好ましい。これは、記録、再生に用いる
レーザー光が交互積層膜よりなる磁性体層の厚さ方向の
全ての層に到達し、その結果、本発明の効果を十分に得
ることができ、反射率、カー回転角の大きな光磁気記録
媒体を得ることができる。以上における誘電体層の例と
しては、Si、Al等の酸化物や窒化物等であって、透
明で比較的屈折率の大きい薄膜、反射層、熱伝導層の例
としてはAlやAl合金、Cu等であって反射率が大き
く、かつ熱伝導率の比較的大きな金属膜等が挙げられ
る。
−遷移金属非晶質合金層と第2の希土類−遷移金属非晶
質合金層とが交互に積層された磁性体層を成膜したした
だけで光磁気記録媒体として用いても良いが、カー回転
角を増幅し、さらに良好な記録再生特性を得るため、も
しくは磁性体層の酸化による記録再生特性の経時劣化を
防止する目的で、上記磁性体層の片側もしくは両側に誘
電体層を設けた構造、またさらに、記録感度を調節し、
記録、消去の繰り返し耐久性を向上するために反射層を
兼ねた熱伝導層を設けた構造としても良い。この場合、
第1の磁性体層と第2の磁性体層の積層よりなる磁性体
膜全体の厚さを40nm以下とし、光が透過する程度の厚
さとすることが好ましい。これは、記録、再生に用いる
レーザー光が交互積層膜よりなる磁性体層の厚さ方向の
全ての層に到達し、その結果、本発明の効果を十分に得
ることができ、反射率、カー回転角の大きな光磁気記録
媒体を得ることができる。以上における誘電体層の例と
しては、Si、Al等の酸化物や窒化物等であって、透
明で比較的屈折率の大きい薄膜、反射層、熱伝導層の例
としてはAlやAl合金、Cu等であって反射率が大き
く、かつ熱伝導率の比較的大きな金属膜等が挙げられ
る。
【0015】
【実施例】以下、実施例及び比較例を用いて、本発明を
更に詳細に説明する。
更に詳細に説明する。
【0016】(実施例1)図1は本実施例に係る光磁気
記録媒体の一例を示す断面図であって、この図に示した
ように、本実施例の記録媒体は、透明基板上に、第1の
誘電体層、磁性体層、第2の誘電体層、反射層とを順次
厚さ方向に積層してなる。ここにおいて磁性体層は第1
の希土類−遷移金属合金層と第2の希土類−遷移金属合
金層の交互積層膜よりなっている。
記録媒体の一例を示す断面図であって、この図に示した
ように、本実施例の記録媒体は、透明基板上に、第1の
誘電体層、磁性体層、第2の誘電体層、反射層とを順次
厚さ方向に積層してなる。ここにおいて磁性体層は第1
の希土類−遷移金属合金層と第2の希土類−遷移金属合
金層の交互積層膜よりなっている。
【0017】本実施例の光磁気記録媒体は、グルーブ及
びプリフォーマットの形成された直径86mm、厚さ1.
2mmのポリカーボネート基板上に、マグネトロンスパッ
タリング法によって、真空を破らないで連続的に各層を
順次形成することによって作製した。ここで用いるスパ
ッタ装置のスパッタ室には4カ所のターゲットを取り付
けるカソードがあり、基板はそれぞれのターゲット上を
通過しながら自公転する基板ホルダーに取り付けた。
びプリフォーマットの形成された直径86mm、厚さ1.
2mmのポリカーボネート基板上に、マグネトロンスパッ
タリング法によって、真空を破らないで連続的に各層を
順次形成することによって作製した。ここで用いるスパ
ッタ装置のスパッタ室には4カ所のターゲットを取り付
けるカソードがあり、基板はそれぞれのターゲット上を
通過しながら自公転する基板ホルダーに取り付けた。
【0018】成膜の方法としては、まず第1の誘電体層
の成膜を行なった。ここでは、Siターゲットを用い、
N2を混合したArをスパッタガスとしたRFスパッタ
法で厚さ100nm、屈折率が2.0のSiN膜を成膜し
た。
の成膜を行なった。ここでは、Siターゲットを用い、
N2を混合したArをスパッタガスとしたRFスパッタ
法で厚さ100nm、屈折率が2.0のSiN膜を成膜し
た。
【0019】続いて磁性体層は以下のようにして先に成
膜した第1の誘電体層上に成膜を行なった。ここでは、
それぞれの放電プラズマが混合しないように仕切られた
別々のDCカソードに取り付けられたNdCo及びTb
FeCo合金ターゲットに、それぞれ別のDC電源より
電圧を印加した。成膜の際、それぞれのターゲットの放
電電流及び基板ホルダーの公転速度、回数を調節し、各
々3nmの厚さのNd50Co50膜とTb21Fe70Co9膜
を交互に5層ずつ、計30nmの磁性体層を成膜した。
膜した第1の誘電体層上に成膜を行なった。ここでは、
それぞれの放電プラズマが混合しないように仕切られた
別々のDCカソードに取り付けられたNdCo及びTb
FeCo合金ターゲットに、それぞれ別のDC電源より
電圧を印加した。成膜の際、それぞれのターゲットの放
電電流及び基板ホルダーの公転速度、回数を調節し、各
々3nmの厚さのNd50Co50膜とTb21Fe70Co9膜
を交互に5層ずつ、計30nmの磁性体層を成膜した。
【0020】次に、第2の誘電体層として再びSiター
ゲットを用い第1の誘電体層と同様の方法で20nmのS
iN膜を積層した。
ゲットを用い第1の誘電体層と同様の方法で20nmのS
iN膜を積層した。
【0021】最後に反射層としてAlTi合金ターゲッ
トを用い、DCスパッタ法で50nmのAl98Ti2膜を
成膜した。
トを用い、DCスパッタ法で50nmのAl98Ti2膜を
成膜した。
【0022】以上のようにして磁性体層が成膜された基
板の磁性体層が成膜された面上に紫外線硬化樹脂で保護
コーティングを行なったものを記録媒体とした。この記
録媒体の波長830nmでの反射率は21%、カー回転角
は0.9deg.であった。
板の磁性体層が成膜された面上に紫外線硬化樹脂で保護
コーティングを行なったものを記録媒体とした。この記
録媒体の波長830nmでの反射率は21%、カー回転角
は0.9deg.であった。
【0023】図2は上記の磁性体層のみのカーヒステリ
シスループを示した。このカーヒステリシスループの測
定には波長830nmの光源を用いた。図2に示した結果
から、本実施例の磁性体層は保磁力が大きく、角型性が
よく、かつカー回転角も大きい垂直磁化膜が得られるこ
とが理解できる。
シスループを示した。このカーヒステリシスループの測
定には波長830nmの光源を用いた。図2に示した結果
から、本実施例の磁性体層は保磁力が大きく、角型性が
よく、かつカー回転角も大きい垂直磁化膜が得られるこ
とが理解できる。
【0024】図3は同じ試料についてカー回転角の波長
依存性を測定した結果である。図3から、本実施例の磁
性体層は入射光の波長が短くなっても大きなカー回転角
は維持され、短波長光による光磁気記録に適しているこ
とが理解できる。
依存性を測定した結果である。図3から、本実施例の磁
性体層は入射光の波長が短くなっても大きなカー回転角
は維持され、短波長光による光磁気記録に適しているこ
とが理解できる。
【0025】次に、上記の記録媒体を用いて記録、再生
の実験を行なった。レーザー光には488.0nmのアル
ゴンレーザーを用い、0.5μmの磁区を記録したとこ
ろ、47dBのC/Nを得た。本結果より、本実施例の記
録媒体は短波長レーザーによる高密度記録媒体として好
適であることが理解できる。
の実験を行なった。レーザー光には488.0nmのアル
ゴンレーザーを用い、0.5μmの磁区を記録したとこ
ろ、47dBのC/Nを得た。本結果より、本実施例の記
録媒体は短波長レーザーによる高密度記録媒体として好
適であることが理解できる。
【0026】(比較例1)基板上に実施例1の磁性体層
に用いたTb21Fe70Co9膜を作製した。この薄膜の
カー回転角の波長依存性を実施例1と同じ図3に示し
た。
に用いたTb21Fe70Co9膜を作製した。この薄膜の
カー回転角の波長依存性を実施例1と同じ図3に示し
た。
【0027】図3から、本比較例の薄膜は、入射光の波
長が短くなるとカー回転角が低下するため、上記のよう
な短波長レーザー光で記録を行なった場合、実施例1の
媒体のような高いC/Nは期待できないことが理解でき
る。
長が短くなるとカー回転角が低下するため、上記のよう
な短波長レーザー光で記録を行なった場合、実施例1の
媒体のような高いC/Nは期待できないことが理解でき
る。
【0028】(実施例2)実施例1と同様の方法で、
基板上にNd50Co50層とTb21Fe70Co9層との交
互積層膜からなる磁性体膜を作製した。この際、磁性体
層全体の厚さを30nm一定とし、 各Nd50Co50層と
Tb21Fe70Co9層の膜厚を変化させたものを作製し
た。この場合の各層の膜厚と保磁力の関係を図4に示し
た。
基板上にNd50Co50層とTb21Fe70Co9層との交
互積層膜からなる磁性体膜を作製した。この際、磁性体
層全体の厚さを30nm一定とし、 各Nd50Co50層と
Tb21Fe70Co9層の膜厚を変化させたものを作製し
た。この場合の各層の膜厚と保磁力の関係を図4に示し
た。
【0029】この結果より、各層の膜厚が1nm以上、5
nm以下の範囲で高い保磁力が得られ、磁気トルク測定よ
り、この範囲で垂直異方性となっていることが理解でき
る。
nm以下の範囲で高い保磁力が得られ、磁気トルク測定よ
り、この範囲で垂直異方性となっていることが理解でき
る。
【0030】(実施例3)基板上に各々3nmの厚さのP
r50Co50とDy23Fe65Co12を交互に積層し、カー
ヒステリシスループの測定を行なった。この結果、角型
性の良好なカーヒステリシスループが得られ、保磁力は
5kOe、 カー回転角は0.38deg.であった。また、カ
ー回転角の波長依存性を測定したところ、実施例1と同
様に短波長であっても高いθKが得られた。 また、トル
ク測定の結果、このディスクは垂直異方性を有してお
り、実施例1のディスク同様、短波長レーザー光による
高密度記録に適していることが理解できる。
r50Co50とDy23Fe65Co12を交互に積層し、カー
ヒステリシスループの測定を行なった。この結果、角型
性の良好なカーヒステリシスループが得られ、保磁力は
5kOe、 カー回転角は0.38deg.であった。また、カ
ー回転角の波長依存性を測定したところ、実施例1と同
様に短波長であっても高いθKが得られた。 また、トル
ク測定の結果、このディスクは垂直異方性を有してお
り、実施例1のディスク同様、短波長レーザー光による
高密度記録に適していることが理解できる。
【0031】(実施例4)実施例1と同様の方法で、
基板上にNd50Co50層とTb21Fe70Co9層との交
互積層膜からなる磁性体膜を作製した。この際磁性体膜
全体の厚さを30nm、交互積層膜の層数を一定とした上
で、第1の磁性体層であるNd50Co50層と第2の磁性
体層であるTb21Fe70Co9層の各々の厚さを変化さ
せ、 第1の磁性体層の厚さの総和T1と第2の磁性体層
の厚さの総和T2の比(T1/T2)を変化させた。この
T1/T2に対する波長500nmでの保磁力及びカー回転
角の変化を図5に示した。
基板上にNd50Co50層とTb21Fe70Co9層との交
互積層膜からなる磁性体膜を作製した。この際磁性体膜
全体の厚さを30nm、交互積層膜の層数を一定とした上
で、第1の磁性体層であるNd50Co50層と第2の磁性
体層であるTb21Fe70Co9層の各々の厚さを変化さ
せ、 第1の磁性体層の厚さの総和T1と第2の磁性体層
の厚さの総和T2の比(T1/T2)を変化させた。この
T1/T2に対する波長500nmでの保磁力及びカー回転
角の変化を図5に示した。
【0032】図5に示した結果から、T1/T2が0.8
から1.2の範囲で高い保磁力とカー回転角を同時に満
足できることが理解できる。
から1.2の範囲で高い保磁力とカー回転角を同時に満
足できることが理解できる。
【0033】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、その磁性体
層が従来の重希土類−遷移金属非晶質合金膜のように垂
直異方性を有し、かつ軽希土類−遷移金属合金膜と同様
に短波長領域においてもカー回転角の低下がないため、
短波長レーザー光による高密度記録に適したものであ
る。
層が従来の重希土類−遷移金属非晶質合金膜のように垂
直異方性を有し、かつ軽希土類−遷移金属合金膜と同様
に短波長領域においてもカー回転角の低下がないため、
短波長レーザー光による高密度記録に適したものであ
る。
【図1】本発明に係る磁性体層の層構成の一例を示す断
面図である。
面図である。
1 基板 2 第1の誘電体層 3 磁性体層 4 第2の誘電体層 5 反射層 6 第1の希土類−遷移金属非晶質合金層 7 第2の希土類−遷移金属非晶質合金層
【図2】実施例1における本発明の磁性体膜のカーヒス
テリシスループを示した図表である。
テリシスループを示した図表である。
【図3】実施例1と比較例1における磁性体膜のカー回
転角の波長依存性を示した図表である。
転角の波長依存性を示した図表である。
【図4】実施例3の磁性体膜において、交互に積層され
る希土類−遷移金属合金層の各々の膜厚に対する保磁力
の変化を示した図表である。
る希土類−遷移金属合金層の各々の膜厚に対する保磁力
の変化を示した図表である。
【図5】実施例5における磁性体膜において、第1の磁
性体層の総和に対する第2の磁性体層の総和の比と保磁
力、波長500nmでのカー回転角との関係を示した図表
である。
性体層の総和に対する第2の磁性体層の総和の比と保磁
力、波長500nmでのカー回転角との関係を示した図表
である。
Claims (4)
- 【請求項1】 基板上に多層膜からなる磁性体層が形成
されており、その磁性体層が希土類元素として軽希土類
を主に含有する第1の希土類−遷移金属非晶質合金層と
重希土類を主に含有する第2の希土類−遷移金属非晶質
合金層とが交互に積層されてなることを特徴とする光磁
気記録媒体。 - 【請求項2】 第1の希土類−遷移金属非晶質合金層と
第2の希土類−遷移金属非晶質合金層の各々の厚さが1
nm以上5nm以下であることを特徴とする請求項1記載の
光磁気記録媒体。 - 【請求項3】 第1の磁性体層の厚さの総和T1と、第
2の磁性体層の厚さの総和T2とが式 【数1】0.8≦T1/T2≦1.2 で表わされる関係にあることを特徴とする請求項1記載
の光磁気記録媒体。 - 【請求項4】 第1の磁性体層に含まれる軽希土類元素
がNd及びPrから成る郡から選ばれた少なくとも一元
素であり、かつ、第2の磁性体層に含まれる重希土類元
素がTb及びDyから成る郡から選ばれた少なくとも一
元素、さらに第1及び第2の磁性体層の含まれる遷移金
属元素がFe及びCoから成る郡から選ばれた少なくと
も一元素であることを特徴とする請求項1記載の光磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21507992A JPH0660452A (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21507992A JPH0660452A (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660452A true JPH0660452A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16666408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21507992A Pending JPH0660452A (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660452A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5826805A (en) * | 1996-02-29 | 1998-10-27 | Trinity Industrial Corporation | Electrostatic coating machine |
| US6096446A (en) * | 1997-09-30 | 2000-08-01 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium and method of producing the same |
| US7328862B2 (en) | 2003-03-18 | 2008-02-12 | Honda Motor Co., Ltd. | Method and device for electrostatic coating |
-
1992
- 1992-08-12 JP JP21507992A patent/JPH0660452A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5826805A (en) * | 1996-02-29 | 1998-10-27 | Trinity Industrial Corporation | Electrostatic coating machine |
| US6096446A (en) * | 1997-09-30 | 2000-08-01 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium and method of producing the same |
| US7328862B2 (en) | 2003-03-18 | 2008-02-12 | Honda Motor Co., Ltd. | Method and device for electrostatic coating |
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