JPH03242929A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03242929A JPH03242929A JP2039992A JP3999290A JPH03242929A JP H03242929 A JPH03242929 A JP H03242929A JP 2039992 A JP2039992 A JP 2039992A JP 3999290 A JP3999290 A JP 3999290A JP H03242929 A JPH03242929 A JP H03242929A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ashing
- dry etching
- semiconductor device
- etching
- etching chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ドライエツチングまたはアッシングまたはド
ライエツチング後アッシングする工程を含む半導体装置
の製造方法に関する。
ライエツチング後アッシングする工程を含む半導体装置
の製造方法に関する。
従来の技術
近年、半導体装置の微細化および高集積化にともない、
ＭＯ８型トランジスタのゲート酸化膜の薄膜化が進めら
れている。
ＭＯ８型トランジスタのゲート酸化膜の薄膜化が進めら
れている。
以下に従来のドライエツチング工程を含む半導体装置の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
第２図（ａ）〜（ｄ）はＭＯ８型トランジスタのゲート
電極となるポリシリコンのドライエツチング工程を示し
ている。同図（ａ）において、１はエツチングチャンバ
ー、２．３はエツチングチャンバー１内に設けられた下
部電極および上部電極、４は排気口、５は反応ガス導入
口、６は下部電極２の上に置かれたシリコン基板、７ａ
、８ａはシリコン基板６上に形成されたゲート酸化膜お
よびポリシリコン膜、９はマスクとなるホトレジストで
ある。
電極となるポリシリコンのドライエツチング工程を示し
ている。同図（ａ）において、１はエツチングチャンバ
ー、２．３はエツチングチャンバー１内に設けられた下
部電極および上部電極、４は排気口、５は反応ガス導入
口、６は下部電極２の上に置かれたシリコン基板、７ａ
、８ａはシリコン基板６上に形成されたゲート酸化膜お
よびポリシリコン膜、９はマスクとなるホトレジストで
ある。
動作としては、（ａ）に示すようにエツチングチャンバ
ー１に反応ガスを導入して、高周波電力（ＲＦパワー）
を印加し、（ｂ）に示すようにポリシリコン膜８ａとゲ
ート酸化膜７ａをドライエツチングしてポリシリコン膜
からなるゲート電極８とゲート酸化膜７を得る。つぎに
（Ｃ）に示すように反応カスおよびエツチング反応によ
り生成したガスを排気し、エツチングチャンバー１を真
空にする。その後、（ｄ）に示すように窒素ガス（Ｎ２
）をエツチングチャンバー１内に導入し、大気圧に戻し
ている。なお、ドライエツチング後、フォトレジスト９
をアッシングにより除去する場合もあり、この場合も同
様に行っている。
ー１に反応ガスを導入して、高周波電力（ＲＦパワー）
を印加し、（ｂ）に示すようにポリシリコン膜８ａとゲ
ート酸化膜７ａをドライエツチングしてポリシリコン膜
からなるゲート電極８とゲート酸化膜７を得る。つぎに
（Ｃ）に示すように反応カスおよびエツチング反応によ
り生成したガスを排気し、エツチングチャンバー１を真
空にする。その後、（ｄ）に示すように窒素ガス（Ｎ２
）をエツチングチャンバー１内に導入し、大気圧に戻し
ている。なお、ドライエツチング後、フォトレジスト９
をアッシングにより除去する場合もあり、この場合も同
様に行っている。
発明が解決しようとする課題
このような従来の半導体装置の製造方法では、ドライエ
ツチング工程またはドライエツチング後アッシングする
工程でゲート電極８に帯電が起こり、ゲート酸化膜７上
の多結晶シリコンからなるゲート電極８とシリコン基板
６との間に電位差が発生する。このため、ゲート酸化膜
７がイオン注入工程で耐圧の劣化を起こしたり、または
破壊されるという問題を有していた。
ツチング工程またはドライエツチング後アッシングする
工程でゲート電極８に帯電が起こり、ゲート酸化膜７上
の多結晶シリコンからなるゲート電極８とシリコン基板
６との間に電位差が発生する。このため、ゲート酸化膜
７がイオン注入工程で耐圧の劣化を起こしたり、または
破壊されるという問題を有していた。
またドライエツチング工程またはドライエツチング後ア
ッシングする工程で発生した静電気のため、半導体装置
の表面にダスト等が吸着し、後工程で不良を引き起こす
ことが問題になっている。
ッシングする工程で発生した静電気のため、半導体装置
の表面にダスト等が吸着し、後工程で不良を引き起こす
ことが問題になっている。
本発明は、このような課題を解決するもので、ドライエ
ツチング、またはアッシングまたはドライエツチング後
アッシングする工程でゲート酸化膜の耐圧の劣化や破壊
を起こさず、静電気のため、半導体装置の表面にダスト
等が吸着し、後工程で不良を引き起こすことない半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
ツチング、またはアッシングまたはドライエツチング後
アッシングする工程でゲート酸化膜の耐圧の劣化や破壊
を起こさず、静電気のため、半導体装置の表面にダスト
等が吸着し、後工程で不良を引き起こすことない半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、反応ガスをエツチ
ングチャンバーに導入する工程と、高周波電力を印加し
た半導体装置をドライエツチングまたはアッシングまた
はドライエツチング後アッシングする工程と、反応ガス
およびドライエツチングまたはアッシングまたはドライ
エツチング後アッシングした時に反応により生成したガ
スを排気しエツチングチャンバー内を真空にする工程と
、プラスおよびマイナスにイオン化した窒素を導入しエ
ツチングチャンバー内を大気圧にする工程から構成され
ている。
ングチャンバーに導入する工程と、高周波電力を印加し
た半導体装置をドライエツチングまたはアッシングまた
はドライエツチング後アッシングする工程と、反応ガス
およびドライエツチングまたはアッシングまたはドライ
エツチング後アッシングした時に反応により生成したガ
スを排気しエツチングチャンバー内を真空にする工程と
、プラスおよびマイナスにイオン化した窒素を導入しエ
ツチングチャンバー内を大気圧にする工程から構成され
ている。
＼
作用
本発明は上記した構成により、ゲート電極近傍の帯電が
中和され、静電気が除かれる。
中和され、静電気が除かれる。
実施例
以下、本発明の半導体装置の製造方法の一実施例につい
て第１図（ａ）〜（ｄ）とともに説明する。同図（ａ）
〜（Ｃ）は先に述べた従来例の第１図（ａ）〜（Ｃ）と
全く同じであるので、同一番号を付し、説明を省略する
。すなわち本発明においては、ドライエツチングまたは
ドライエツチング後アッシングした後、エツチングチャ
ンバー１を排気した第１図（Ｃ）の工程の後、同図（ｄ
）に示すように本発明の特徴であるプラスおよびマイナ
スにイオン化した窒素をエツチングチャンバーｌ内に導
入し、大気圧に戻すのである。これによりゲート電極近
傍の帯電が中和され、静電気が除かれることになる。な
お、本実施例ではドライエツチングまたはドライエツチ
ング後アッシングする場合について述べたが、アッシン
グ工程だけの場合にも本発明は有効である。
て第１図（ａ）〜（ｄ）とともに説明する。同図（ａ）
〜（Ｃ）は先に述べた従来例の第１図（ａ）〜（Ｃ）と
全く同じであるので、同一番号を付し、説明を省略する
。すなわち本発明においては、ドライエツチングまたは
ドライエツチング後アッシングした後、エツチングチャ
ンバー１を排気した第１図（Ｃ）の工程の後、同図（ｄ
）に示すように本発明の特徴であるプラスおよびマイナ
スにイオン化した窒素をエツチングチャンバーｌ内に導
入し、大気圧に戻すのである。これによりゲート電極近
傍の帯電が中和され、静電気が除かれることになる。な
お、本実施例ではドライエツチングまたはドライエツチ
ング後アッシングする場合について述べたが、アッシン
グ工程だけの場合にも本発明は有効である。
また窒素の代りに酸素または不活性ガスを用いても全く
同様の効果が得られる。
同様の効果が得られる。
発明の効果
上記実施例から明らかなように本発明による半導体装置
の製造方法ζＪ、ドライエツチングまたはアッシングま
たはドライエツチング後アッシングする工程の後エツチ
ングチャンバーを真空にし、その後プラスおよびマイナ
スにイオン化した窒素または酸素または不活性ガスを導
入するものであり、この方法によれば、ドライエツチン
グまたはアッシングまたはドライエツチング後アッシン
グした工程で発生した静電気を除去し、ゲート酸化膜の
耐圧の劣化や破壊を防ぐと同時に、半導体装置の表面に
ダスト等が吸着し、後工程で不良を引き起こすことを防
ぐことができる。
の製造方法ζＪ、ドライエツチングまたはアッシングま
たはドライエツチング後アッシングする工程の後エツチ
ングチャンバーを真空にし、その後プラスおよびマイナ
スにイオン化した窒素または酸素または不活性ガスを導
入するものであり、この方法によれば、ドライエツチン
グまたはアッシングまたはドライエツチング後アッシン
グした工程で発生した静電気を除去し、ゲート酸化膜の
耐圧の劣化や破壊を防ぐと同時に、半導体装置の表面に
ダスト等が吸着し、後工程で不良を引き起こすことを防
ぐことができる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明による半導体装置の製造
方法を説明するための工程図、第２図（ａ）〜ω）は従
来の半導体装置の製造方法を説明するための工程図であ
る。 １・・・・・・エツチングチャンバー 第 １ 図 第１ 図 １・・・工・ｌ＋フク°′ｉ−ヤンバ゛−第 ２ 図 弔 図
方法を説明するための工程図、第２図（ａ）〜ω）は従
来の半導体装置の製造方法を説明するための工程図であ
る。 １・・・・・・エツチングチャンバー 第 １ 図 第１ 図 １・・・工・ｌ＋フク°′ｉ−ヤンバ゛−第 ２ 図 弔 図
Claims (1)
- 反応ガスをエッチングチャンバーに導入する工程と、高
周波電力を印加した半導体装置をドライエッチング、ま
たはアッシングまたはドライエッチング後アッシングす
る工程と、前記反応ガスおよび前記ドライエッチングま
たはアッシングまたはドライエッチング後アッシングし
た時に反応により生成したガスを排気しエッチングチャ
ンバー内を真空にする工程と、プラスおよびマイナスに
イオン化した窒素を導入しエッチングチャンバー内を大
気圧にする工程とからなる半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2039992A JPH03242929A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2039992A JPH03242929A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03242929A true JPH03242929A (ja) | 1991-10-29 |
Family
ID=12568432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2039992A Pending JPH03242929A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03242929A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5492862A (en) * | 1993-01-12 | 1996-02-20 | Tokyo Electron Limited | Vacuum change neutralization method |
| US6207006B1 (en) | 1997-09-18 | 2001-03-27 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| US6753201B2 (en) * | 2001-05-28 | 2004-06-22 | Denso Corporation | Method of manufacturing semiconductor device capable of sensing dynamic quantity |
-
1990
- 1990-02-21 JP JP2039992A patent/JPH03242929A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5492862A (en) * | 1993-01-12 | 1996-02-20 | Tokyo Electron Limited | Vacuum change neutralization method |
| US6207006B1 (en) | 1997-09-18 | 2001-03-27 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| US6753201B2 (en) * | 2001-05-28 | 2004-06-22 | Denso Corporation | Method of manufacturing semiconductor device capable of sensing dynamic quantity |
| US6906394B2 (en) | 2001-05-28 | 2005-06-14 | Denso Corporation | Method of manufacturing semiconductor device capable of sensing dynamic quantity |
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