JPH0324292A - 希土類金属―遷移金属系合金めっき方法 - Google Patents
希土類金属―遷移金属系合金めっき方法Info
- Publication number
- JPH0324292A JPH0324292A JP15685889A JP15685889A JPH0324292A JP H0324292 A JPH0324292 A JP H0324292A JP 15685889 A JP15685889 A JP 15685889A JP 15685889 A JP15685889 A JP 15685889A JP H0324292 A JPH0324292 A JP H0324292A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rare earth
- transition metal
- earth metal
- metal
- plating method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/012—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials adapted for magnetic entropy change by magnetocaloric effect, e.g. used as magnetic refrigerating material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
- H01F41/26—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids using electric currents, e.g. electroplating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は，機能材料の１つとして有用な希土類金属一遷
移金属合金を得ることのできる湿式めっき法に関する。
移金属合金を得ることのできる湿式めっき法に関する。
（従来の技術）
近年，希土類金属一遷移金属系の化合物合金が強磁性体
（ＳｍＣｏｓ ，Ｓｍ２ＣＯＩ７＋ Ｎｄ２ Ｆｅ ＋
ａＢ） ｒ水素吸蔵材（ Ｌ ａ Ｎ ｔ ｓ ） ＋
磁気冷凍材（ Ｐ ｒ Ｎ １ ９ ） ＊光磁気記録
材（ＧｄＣｏ，ＧｄＦｅ）などの機能性物質として着目
されており，それらの用途は益々発展している一方であ
る。また，この希土類化合物合金材料の用途開発と並び
，高コスト，エネルギー消費型である合金製造法を大幅
に改善し，新プロセスを開発することも重要な課題とな
っている。
（ＳｍＣｏｓ ，Ｓｍ２ＣＯＩ７＋ Ｎｄ２ Ｆｅ ＋
ａＢ） ｒ水素吸蔵材（ Ｌ ａ Ｎ ｔ ｓ ） ＋
磁気冷凍材（ Ｐ ｒ Ｎ １ ９ ） ＊光磁気記録
材（ＧｄＣｏ，ＧｄＦｅ）などの機能性物質として着目
されており，それらの用途は益々発展している一方であ
る。また，この希土類化合物合金材料の用途開発と並び
，高コスト，エネルギー消費型である合金製造法を大幅
に改善し，新プロセスを開発することも重要な課題とな
っている。
現在，この種の薄膜は電子ビーム蒸着法やスパッタリン
グ法により製造されているが生産性に乏しく，コスト高
である。
グ法により製造されているが生産性に乏しく，コスト高
である。
また湿気式めっき法においても，希土類合金の還元電位
がかなり卑であるため，水溶液中からの析出が不可能（
Ｈ＋の放電が優先的に起る）であった。
がかなり卑であるため，水溶液中からの析出が不可能（
Ｈ＋の放電が優先的に起る）であった。
（発明が解決しようとする課題）
これら従来法による希土類金属一遷移金属系合金７！！
膜の製造広においては，生産性に乏しく，コスト高であ
る欠点を有している。更に，容易かつ簡便な方法で高品
質の希土類金属一遷移金属系合金薄膜を得ることは難易
であった。
膜の製造広においては，生産性に乏しく，コスト高であ
る欠点を有している。更に，容易かつ簡便な方法で高品
質の希土類金属一遷移金属系合金薄膜を得ることは難易
であった。
そこで，本発明の技術的課題は，生産性に乏しくコスト
高である欠点を解消し，簡便な方法で高品質の希土類金
属一遷移金属系合金薄膜の製造方法を提供することにあ
る。
高である欠点を解消し，簡便な方法で高品質の希土類金
属一遷移金属系合金薄膜の製造方法を提供することにあ
る。
（課題を解決するための手段）
そこで本発明者は．めっき液の溶媒に有機溶媒を使用し
た有機電解めっき法を用いた希土類金属−遷移金属系合
金のめっき法を提案するものである。
た有機電解めっき法を用いた希土類金属−遷移金属系合
金のめっき法を提案するものである。
本発明によれば，金属塩と有機溶媒とを含む有機電解め
っき液から前記金属の被膜を電着させる方法において１
前記金属塩は，希土類塩化物と遷移金属とを含むことを
特徴とする希土類金属一遷移金属系合金めっき方法が得
られる。
っき液から前記金属の被膜を電着させる方法において１
前記金属塩は，希土類塩化物と遷移金属とを含むことを
特徴とする希土類金属一遷移金属系合金めっき方法が得
られる。
本発明によれば，前記希土類金属一遷移金属系合金めっ
き方法において，前記有機溶媒は，誘電率が１０以上の
値を有することを特徴とする希土類金属一遷移金属系合
金めっき方法が得られる。
き方法において，前記有機溶媒は，誘電率が１０以上の
値を有することを特徴とする希土類金属一遷移金属系合
金めっき方法が得られる。
本発明によれば，前記希土類金属一遷移金属系合金めっ
き方法において，前記有機電解めっき液は，支持塩とし
て過塩素酸塩類を含むことを特徴とする第１の請求項記
載の希土類金属一遷移金属系合金めっき方法が得られる
。
き方法において，前記有機電解めっき液は，支持塩とし
て過塩素酸塩類を含むことを特徴とする第１の請求項記
載の希土類金属一遷移金属系合金めっき方法が得られる
。
ここで本発明において使用される金属塩としては，希土
類金属塩化物（Ｒ−Ｃｇで表す。但し，ＲはＹを含む希
土類金Ｒ）．；４移金属塩（Ｔ−Ｘで表す。但しＴは遷
移金属，Ｘは塩基）はそれぞれの金属の塩酸塩，硫酸塩
，硝酸塩等各種使用できる。
類金属塩化物（Ｒ−Ｃｇで表す。但し，ＲはＹを含む希
土類金Ｒ）．；４移金属塩（Ｔ−Ｘで表す。但しＴは遷
移金属，Ｘは塩基）はそれぞれの金属の塩酸塩，硫酸塩
，硝酸塩等各種使用できる。
しかし，一般に，卑な金属を非水溶媒系のめっき浴から
電折させる場合には，水分の混入は好ましくないことか
ら．水分を含んだめっき浴からは良質のめっき膜を得る
ことができない。
電折させる場合には，水分の混入は好ましくないことか
ら．水分を含んだめっき浴からは良質のめっき膜を得る
ことができない。
ここで，希土類金属塩を希土類金属塩化物Ｒ−Ｃｇに限
定した理由としては， １）希土類金属の塩化物が，比較的無水塩を得やすいこ
と， ２）有機溶媒への溶解性が，他の塩に比べ優れているこ
と，があげられる。
定した理由としては， １）希土類金属の塩化物が，比較的無水塩を得やすいこ
と， ２）有機溶媒への溶解性が，他の塩に比べ優れているこ
と，があげられる。
これらの希土類金属塩化物．遷移金属塩を溶解する有機
溶媒としては，ホルムアミド，ジメチルホルムアミド，
アセトアミドを含むグループから選択された少くとも１
種を用いることが好ましい。
溶媒としては，ホルムアミド，ジメチルホルムアミド，
アセトアミドを含むグループから選択された少くとも１
種を用いることが好ましい。
これらの有機溶媒はいずれも非プロトン性溶媒であり，
溶媒自身（溶媒中の不純物として水が全く含まれていな
い場合）からは理論上Ｈ＋の放電は生じない溶媒である
。更に，有機溶媒の誘電率が１０以上であるためには，
各種金属塩の溶解性も高いからである。
溶媒自身（溶媒中の不純物として水が全く含まれていな
い場合）からは理論上Ｈ＋の放電は生じない溶媒である
。更に，有機溶媒の誘電率が１０以上であるためには，
各種金属塩の溶解性も高いからである。
また．過塩素酸テトラブチルアンモニウム，過塩素酸ナ
トリウムの支持塩は，めっき浴の導電性を上昇させるた
めに添加される。
トリウムの支持塩は，めっき浴の導電性を上昇させるた
めに添加される。
このようなめっき法によれば，湿式めっき法という簡便
な方法で良質な希土類金属一遷移金属系合金膜を得るこ
とができる。また，めっき浴中に水分がほとんど含有し
ない状態でめっきを行うことができるので，得られるめ
っき膜の純度がよく，高品質の合金膜を得ることができ
る。
な方法で良質な希土類金属一遷移金属系合金膜を得るこ
とができる。また，めっき浴中に水分がほとんど含有し
ない状態でめっきを行うことができるので，得られるめ
っき膜の純度がよく，高品質の合金膜を得ることができ
る。
更に，めっき時の電流密度を高くすることにより得られ
る合金膜中の希土類金属含有率を高くすることができる
ので，電流密度の調節により合金膜の組成を変化させる
ことができる。
る合金膜中の希土類金属含有率を高くすることができる
ので，電流密度の調節により合金膜の組成を変化させる
ことができる。
また．従来法に比べ，容易．かつ簡便な方法で高品質の
希土類金属一遷移金属系合金膜を得ることができ，生産
性にも優れ，低コストでの生産を可能にすることができ
る。
希土類金属一遷移金属系合金膜を得ることができ，生産
性にも優れ，低コストでの生産を可能にすることができ
る。
（実施例）
本発明の実施例について説明する。
希土類金属塩として，希土類金属の塩化物ＲＣｆＩ，（
但し，ＲはＮｄ，Ｄｙ，Ｇｄ，Ｓｍ，Ｔｂ），遷移金属
塩として遷移金属の塩化物ＴＣＮ２（但し，ＴはＦｅ，
Ｃｏ）のいずれも無水物を用い，非水溶媒としてホルム
アミド１ ジメチルホルムアミドを窒素下減圧蒸留して
精製したものを用いた。
但し，ＲはＮｄ，Ｄｙ，Ｇｄ，Ｓｍ，Ｔｂ），遷移金属
塩として遷移金属の塩化物ＴＣＮ２（但し，ＴはＦｅ，
Ｃｏ）のいずれも無水物を用い，非水溶媒としてホルム
アミド１ ジメチルホルムアミドを窒素下減圧蒸留して
精製したものを用いた。
これらの化合物を第１表記載の所定量混合し，めっき浴
とした。電解容器は密閉式のものを用いた。
とした。電解容器は密閉式のものを用いた。
陽極には白金板，陰極には導電処理ガラス板（１０Ｘ１
０Ｘ１ｍｍ）を用い，マグネチックスターラーで撹拌し
ながら直流電流で浴温３０℃，電解時間３０ＩＩＩｎ？
！！解した。
０Ｘ１ｍｍ）を用い，マグネチックスターラーで撹拌し
ながら直流電流で浴温３０℃，電解時間３０ＩＩＩｎ？
！！解した。
陰極上に得られためっき膜は，金属光沢のある平滑なも
ので電流密度が高くなると，めっき膜は金属光沢を示さ
なくなり，粉末状の析出物となった。
ので電流密度が高くなると，めっき膜は金属光沢を示さ
なくなり，粉末状の析出物となった。
また．ｔｓ流密度の増加に伴い合金皮膜中の希土類金属
の含有量が増加した。例としてＧｄＣｏ合金めっき膜の
生成に関し，得られためっき膜の電流密度とＧｄの含有
量との関係が第１表の実施例１〜５よりわかる。
の含有量が増加した。例としてＧｄＣｏ合金めっき膜の
生成に関し，得られためっき膜の電流密度とＧｄの含有
量との関係が第１表の実施例１〜５よりわかる。
（発明の効果）
以上説明したように，本発明の希土類金属塩化物Ｒ−（
１ （但し，ＲはＹを含む希土類金属），遷移金属塩
Ｔ−Ｘ （但し，Ｔは遷移金属，Ｘは塩基）のそれぞれ
１種以上を，これら溶質が可溶な有機溶媒のＩＰ！，
または２種以上の混合溶媒中に溶解させた溶液を用いた
有機電解めっき広により，希土類金属一遷移金属系合金
膜を容易に，かつ簡便に得ることができる。
１ （但し，ＲはＹを含む希土類金属），遷移金属塩
Ｔ−Ｘ （但し，Ｔは遷移金属，Ｘは塩基）のそれぞれ
１種以上を，これら溶質が可溶な有機溶媒のＩＰ！，
または２種以上の混合溶媒中に溶解させた溶液を用いた
有機電解めっき広により，希土類金属一遷移金属系合金
膜を容易に，かつ簡便に得ることができる。
また，めっき液を完全に非水系とすることができるので
，商品質の合金膜を得ることができる。
，商品質の合金膜を得ることができる。
更に，生産性にも優れ，低コストでの生産を可能にする
ことができる。
ことができる。
Claims (3)
- １．金属塩と有機溶媒とを含む有機電解めっき液から前
記金属の被膜を電着させる方法において，前記金属塩は
，希土類塩化物と遷移金属とを含むことを特徴とする希
土類金属−遷移金属系合金めっき方法。 - ２．第１の請求項記載の希土類金属−遷移金属系合金め
っき方法において，前記有機溶媒は，誘電率が１０以上
の値を有することを特徴とする希土類金属−遷移金属系
合金めっき方法。 - ３．第１又は第２の請求項記載の希土類金属−遷移金属
系合金めっき方法において，前記有機電解めっき液は、
支持塩として過塩素酸塩類を含むことを特徴とする第１
の請求項記載の希土類金属−遷移金属系合金めっき方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156858A JP2750902B2 (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 希土類金属―遷移金属系合金めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156858A JP2750902B2 (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 希土類金属―遷移金属系合金めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0324292A true JPH0324292A (ja) | 1991-02-01 |
| JP2750902B2 JP2750902B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=15636920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1156858A Expired - Fee Related JP2750902B2 (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 希土類金属―遷移金属系合金めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2750902B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001077418A1 (fr) * | 2000-04-07 | 2001-10-18 | Hui Gao | Procede d'electrodeposition permettant d'obtenir un alliage de terre rare et de metal de transition a partir d'une solution aqueuse |
| JP2007288020A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Hitachi Metals Ltd | Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系希土類焼結磁石の製造方法 |
| US7639405B2 (en) * | 1997-10-14 | 2009-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for changing, adding and deleting a job, and a storage medium for such a program |
| JP2018502212A (ja) * | 2015-10-21 | 2018-01-25 | 北京中科三環高技術股▲ふん▼有限公司 | 電着法、電着液及び電着による希土類永久磁石材料の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-21 JP JP1156858A patent/JP2750902B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7639405B2 (en) * | 1997-10-14 | 2009-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for changing, adding and deleting a job, and a storage medium for such a program |
| WO2001077418A1 (fr) * | 2000-04-07 | 2001-10-18 | Hui Gao | Procede d'electrodeposition permettant d'obtenir un alliage de terre rare et de metal de transition a partir d'une solution aqueuse |
| JP2007288020A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Hitachi Metals Ltd | Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系希土類焼結磁石の製造方法 |
| JP2018502212A (ja) * | 2015-10-21 | 2018-01-25 | 北京中科三環高技術股▲ふん▼有限公司 | 電着法、電着液及び電着による希土類永久磁石材料の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2750902B2 (ja) | 1998-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2974104A (en) | High-energy magnetic material | |
| Iida et al. | Electrochemical formation of Sm–Co alloys by codeposition of Sm and Co in a molten LiCl–KCl–SmCl3–CoCl2 system | |
| Ali et al. | Electrodeposition of Co Al alloys of different composition from the AlCl3 BPC CoCl2 room temperature molten salt | |
| EP0471946A2 (en) | High magnetic moment materials and process for fabrication of thin film heads | |
| Sides et al. | Electrodeposition of ferromagnetic FeCo and FeCoMn alloy from choline chloride based deep eutectic solvent | |
| WO2013036340A1 (en) | Electrodeposition of hard magnetic coatings | |
| JPH0324292A (ja) | 希土類金属―遷移金属系合金めっき方法 | |
| US3518170A (en) | Electrodeposition of iron group metals | |
| US4465563A (en) | Electrodeposition of palladium-silver alloys | |
| US4846942A (en) | Process for producing a film of Sm-Co alloy | |
| Vértes et al. | A comparative study of Mössbauer spectroscopy and X-ray diffraction for the elucidation of the microstructure of electrodeposited Fe Cr Ni alloys | |
| US3772170A (en) | Electrodeposition of chromium | |
| JPH0244911B2 (ja) | Denkimetsukihoho | |
| JPS62218595A (ja) | コバルト−ガドリニウム合金めつき浴 | |
| JPH01272787A (ja) | 鉄−ジスプロシウム合金めっき液 | |
| JPH0466690A (ja) | 亜鉛―鉄族金属合金めっき液およびそれを用いた亜鉛―鉄族金属合金めっき方法 | |
| JPH0636929A (ja) | めっき磁性薄膜およびその製造方法 | |
| Raub et al. | The Influence of Acetylenic and Sulphur—Containing Organic Compounds on the Electrodeposition of Nickel | |
| JPH01316487A (ja) | 鉄−テルビウム合金めっき液 | |
| Fink et al. | Why Not a 50: 50 Cobalt‐Copper Solid Solution Alloy?: I. Codeposition of Cobalt and Copper | |
| Juzikis et al. | Ruthenium-Cobalt Alloy Electrodeposition | |
| JPS60218822A (ja) | 硬質磁性膜の製造方法 | |
| JPH06338432A (ja) | 磁性薄膜の製造方法 | |
| JPH0322473B2 (ja) | ||
| JPH01316488A (ja) | 鉄−テルビウム二元合金めっき液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |