JPH03243698A - 清浄剤として有用なフルフリルアルコール混合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、化学的清浄剤の分野に関する。特に、本発明
は、特定の活性剤を含有するテトラヒドロフルフリルア
ルコール混合物が、清浄工業においてクロロフルオロカ
ーボン（ＣＦＣｓ）の使用に代わり得ることに関する。

活性剤として、式（Ｉ）：［式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ
１は、独立して水素原子、０１〜Ｃ７アルキル、Ｃ６〜
Ｃ１ンクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ７アルキルで置換されて
いてもよいフラニル、Ｃ１〜Ｃアアルキルで置換されて
いてもよいテトラヒドロフラニル、ピロリル、ピロリジ
ニル、Ｃ１１〜Ｃ６アルキルで置換されていてもよいベ
ンジル、Ｃ１〜Ｃ７アルキルで置換されていてもよいフ
ェニル、Ｃ１〜Ｃ７アルケニル、Ｃｌ−Ｃ７アルキニル
、Ｃ１１〜Ｃ６アルキルで置換されていてもよいフルフ
リル、またはＣ１〜Ｃ７で置換されていてもよいテトラ
ヒドロフルフリルであり、該Ｒ１、Ｒ２およびＲ１は少
なくとも１つのヒドロキシ基で置換されていてもよい。

ただし、Ｒ，、Ｒ２およびＲ３は同時に水素原子ではな
い。１ または、式（■）： ［式中、Ｒ１は、水素原子、Ｃ１１〜Ｃ６アルキル、Ｃ
３〜Ｃ６シクロアルキル、ｃ、〜ｃ６アルキルで置換さ
れていてもよい７ラニル、ｃ、１〜Ｃ６ＣＩキルで置換
されていてもよいテトラヒドロフラニル、ピロリル、ピ
ロリジニル、またはｃＩ〜Ｃ６アルキルで置換されてい
てもよいベンジルであり、Ｒ６は、Ｃ＋　〜Ｃａ　７４
　キ４、Ｃ，−Ｃ。

ンクロアルキル、ＣＩ−Ｃ，アルキルで置換されていて
もよい７ラニル、Ｃ１１〜Ｃ６アルキルで置換されてい
□てもよいテトラヒドロフラニル、Ｃ１１〜Ｃ６フルキ
ルで置換されていてもよいフルフリル、Ｃ１〜Ｃ６アル
キルで置換されていてもよいテトラヒドロフルフリル、
ピロリル、ピロリジニル、Ｃ１１〜Ｃ６アルキルで置換
されていてもよいベンジル、または式： ％式％ （式中、ａは１〜３であり、ｂは１〜４である） で示される基である］ で示される化合物を使用することができる。

活性剤（Ｉ）または（Ｉ［）に加えて、本発明は、活性
剤として、環状または非環状ジアミン、Ｃ１〜Ｃ６アル
キルもしくはＣ１〜Ｃ６アルケニルで置換されていても
よいピロリドンまたはブチロラクトンを含むこともでき
る。

（従来の技術） ＴＨＦＡ８よび本発明の活性剤の使用は、近午、連合環
境保護局がＣＦＣｓの使用を厳しく制限するようになっ
た大気学学界による批判的な報告に対する回答を提供す
る。特に、ＣＦＣｓおよびハロン（ｈａｌｏｎ）由来の
塩素およびフッ素は、南極の「オゾンホール」として知
られている南極でのオゾンの季節的な消失における第１
要因であることが分かった。１９８７年だけで、南極上
空のオゾン層の５０％が９月および１０月の期間に破壊
された。全地球的な基準で、オゾン層は、過去１０手間
に平均的２．５％減少した。大気学学界における多くの
専門家は、北極では多量のオゾンの消失は観察されてい
ないが、この領域は、暗示的変化に関して非常に高い可
能性を示しているという意見を有している。［シー・ア
ンド・イー・エヌ（Ｃ＆ＥＮ）、１９８９年７月２４日
参照１゜したがって、化学工業は現在用いられているＣ
ＦＣｓに代わるものを発見することが特に重要である。

現在用いられている全ＣＦＣｓの約２３％は、化学清浄
工業において使用される化合物に関係している。該工業
において、フレオン（Ｆ　ｒｅｏｎ”）のようなりロロ
フルオロカーボン、１〜１〜１トリクロロエタン、トリ
クロロエチレン、塩化メチレンおよび水性苛性クリーナ
ーがよく使用されている。一般に、実際の清浄方法は、
蒸気ゾーンを得るためにサンプ（ｓｕＩＩｌｐ）中でク
ロロフルオロカーボンを沸騰させることを含む。清浄す
べき汚染された作業片（ｗｏｒｋｉｎｇ　ｐｅｒｃｅ）
をサンプ中に入れる。

作業片を、数分間、沸騰している清浄溶液中に浸潰した
後、蒸気ゾーンに引き上げる。該蒸気シンにおいて、濃
縮が生じ、これによって作業片から汚染物質が洗浄され
る。これら汚染物質は、通常、油、グリースまたはフラ
ックスのような望ましくない物質である。しはしは、こ
の方法は、さらに清浄するために２．３回繰り返すこと
ができる。連続基板上にこのような工程を配置すること
も知られている。例えは、コンベヤーペルトンステムを
使用することができる。

数回、清浄した後、清浄溶液は、消耗され、再生利用さ
れなけれはならなし・。再生利用は、通常、消耗した溶
液を、再循環すべきＣＦＣ部分を汚染しているフラック
ス残留物と分離する蒸留装置で行われる。ＣＦＣ部分は
、蒸留装置から高い所の生成物として回収され、高所受
は基中で濃縮され、溶媒清浄／ステムに戻され再循環さ
れる。

現在、ＣＦＣ溶媒清浄ノステムは、代表的には、蒸留装
置に連結した複数のす〉・ブ装置を用いる。

効果を最大にするために、真空蒸留／ステムを使用する
ことが知られている。しかし、このような装置の複数配
列は、大気中に逃げるＣＦＣｓの量を制限するために注
意深く設計されなければならない。これは、非常に難し
い設計事業であるだけではなく、建設するのに高価なシ
ステムである。

これらの欠点のために、溶媒清浄システムを建設するの
に多くの７ヨートカノトか為された。したがって、最終
操作システムは、過剰量のＣＦＣｓを大気中によく逃が
している。

できる限り早く、現在使用されているＣＦＣ化合物を代
えて、大気中のオゾン層の侵食を防止することが絶対に
必要である。さらに、作業人員に対する固有の危険性を
減少させるために、これらの化合物を、標準温度および
圧力条件下で高い清浄効果を与える物質に代えるのが非
常に望ましい。

清浄工業において使用されるＣＦＣ化合物の代替品とし
て、テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）の
使用が示唆されてきた。ＴＨＦＡは、水と完全に混和し
得る優れた溶媒であることが知られている。さらに、テ
トラヒドロフルフリルアルコールを含有する種々の製剤
は、織物からギアグリースを除去するための織物クリー
ナー、オゾンクリーナー、エポキンコーティング用溶媒
、電子工業における樹脂ツルターフラックス除去用製造
ラインクリーナー、溶融剤を適用したところのグラ／ク
リーナーおよび半導体素子を清浄する洗浄のような応用
に関する工業において使用される。

（発明か解決しようとする課題） 本発明は、ＴＨＦＡの清浄特性の長所を有するだけでは
なく、これら特性を改良する。すなわち、本発明は、化
学清浄工業においてＣＦＣｓに代わり得る能力を有する
ことによって環境に有利に作用し、公知の環境的に受は
入れられる清浄剤に有意な改良を施す。

クロロフルオロカーボン（ＣＦＣｓ）の使用は、地球の
オゾン層の減少に結び付いている。この減少が非常に速
いために、ＣＦＣｓに代わるものをできる限り速く見い
だすことは絶対に必要なことである。本発明は、清浄工
業において使用されているＣＦＣｓに代わるものを提供
するものである。

（課題を解決するための手段） 本発明は、テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦ
Ａ）および特定の活性剤の組み合わせを有する溶液を使
用する。

活性剤として、式（Ｉ）： Ｙ・ Ｒ＋　　Ｎ　　Ｒｓ　　　　　　　（Ｉ）［式中、Ｒ１
，Ｒ２およびＲ１は、独立して、水素原子、Ｃ，〜Ｃ７
アルキル、ｃ５１〜Ｃ６シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ７ア
ルキルで置換されていてもよいフラニル、Ｃ，−Ｃ，ア
ルキルで置換されていでもよいテトラヒドロフラニル、
ピロリル、ピロリジニル、Ｃ１〜ｃ７アルキルで置換さ
れていでもよいベンジル、Ｃ１〜Ｃ７アルキルで置換さ
れていてもよいフェニル、ｃ１１〜Ｃ６アルケニル、Ｃ
１〜Ｃ７アルキニル、Ｃ，−Ｃ，アルキルで置換されて
いてもよいフルフリル、または０１〜Ｃ。

アルキルで置換されていてもよいテトラヒドロフルフリ
ルであり、該ＲＩ−ＲｚおよびＲ１は、少なくとも１つ
のヒドロキシ基で置換されていでもよい。ただし、Ｒ，
、Ｒ２およびＲ１は、同時に水素原子ではない。］ または、式（■）： 〆 Ｒ’ａ−ｃ−ｏ−Ｒａ　　　　　　（ｎ　）［式中、Ｒ
４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ６１〜Ｃ６ン
クロアルキル、Ｃ１〜ｃ１アルキルで置換されていても
よい７ラニル、Ｃ１〜Ｃｓ　７　ルキルで置換されてい
てもよいテトラヒドロフラニル、ピロリル、ピロリジニ
ル、またはＣ３〜Ｃ６アルキルで置換されていてもよい
ベンジルであり、Ｒ５は、Ｃ，−Ｃ，アルキル、Ｃ，−
Ｃ。

ンクロアルキル、Ｃ１１〜Ｃ６アルキルで置換されてい
てもよいフラニル、Ｃ１〜Ｃ６アルキルで置換されてい
てもよいテトラヒドロフラニル、Ｃ５〜Ｃ６アルキルで
置換されていてもよいフルフリル、Ｃｌ−Ｃ６で置換さ
れていてもよいテトラヒドロフルフリル、ピロリル、ピ
ロリジニル、Ｃ，−Ｃ，フルキルで置換されていてもよ
いベンジル、または式： ％式％） （式中、ａは１〜３であり、ｂは１〜４である） で示される基である１ で示される化合物を使用することができる。

活性剤（１）または（ＩＩ）に加えて、本発明は、活性
剤として、環状または非環状ジアミン、Ｃ１１〜Ｃ６ア
ルキルもしくはＣ３〜Ｃ６アルケニルで置換されていて
もよいピロリドンまたはブチロラクトンを含むことがで
きる。

本発明の溶液は、溶液燃焼性をあまり与えず、電子部品
から汚染している有機残留物を清浄するために使用する
ことができる。好ましくは、本発明の溶液は、ハイブリ
ッドアルミナ回路およびプリント配線板から汚染してい
るフラックス残留物を除去するのに使用することができ
る。

清浄剤としての本発明の組成物の使用に加えて、本発明
は、消耗した溶液を再循環する方法を意図するものであ
る。ＴＣＡのような炭化水素を消耗した溶液と混合して
、作業片から除去したフラックス残留物を吸収させるこ
とができる。次いで、混合物の炭化水素−フラックス部
分を水相において分離し、その中でイオン汚染物質を捕
獲する。

残存しているＴＨＦＡ溶液を冷凍技術を使用して脱水す
る。吸収および脱水の代わりとして、再循環方法におい
て、分別蒸留を使用すこともできる。

本発明は、清浄溶液を洗浄するためのシステムを提供す
るものでもある。特に、洗浄システムを脱脂マシーン（
ｄｅｇｒｅａｓｉｎｇ　ｍａｃｈｉｎｅ）の使用と組み
合わせることができる。

本発明は、清浄剤として、テトラヒドロフルフリルアル
コールと活性剤の混合物の使用に関するものである。こ
のような清浄剤は、脱脂剤、プリント回路板からフラッ
クス残留物を除去するための薬物、または印刷工業１こ
おけるブランケット洗浄剤として使用することができる
。

好ましくは、本発明の清浄溶液は、電子部品上のフラッ
クス残留物を清浄および除去するために使用することが
できる。例えば、配線板をハンダ付けする前にフラック
スペーストを該配線板に塗布する。該フラックスペース
トの目的は、存在する全ての酸化剤を除去することであ
る。これによって、ハンダ付けの前に確実に優れた表面
とする。

しかしながら、ハンダ付けの後、フラックスペストの一
部分が該配線板上に残る。この残存部分をフラックス残
留物と記す。

配線板を製造する方法において、該配線板は、多くの工
程を経ており、ハンダ付けの前に、多くの処理工程を経
てきた。この方法は、フラックス残留物のほかに、他の
多くの汚染物質を該配線板に残す。本発明の組成物は、
該配線板からこれら他の汚染物質を清浄するために使用
することもできる。特に、粉塵、油およびグリースを除
去することができる。

電子部品の清浄において特に関係するものは、ハイブリ
ッドアルミナ回路およびプリント配線板からの残留物の
清浄である。ハイブリラッドアルミナ回路は、表面に印
刷した導電性金属ランナーを有するセラミック板または
基質である。これらのランナーは、金属粉末およびガラ
ス結合剤から成る厚膜インクを使用して基質上で燃焼さ
せる炉である。次いで、さらに炉の燃焼、フラックスの
ハイダ付け、粘着結合および配線結合技術を使用して、
これらランナーに成形容器一体化回路、抵抗器、蓄電器
、高圧点火チップ、サーミスターおよびフリップチップ
のような他の素子を取付ける。

本発明のテトラヒドロフルフリルアルコール混合物とは
、テトラヒドロフルフリルアルコールおよび式（Ｉ）： ［式中、Ｒ１，Ｒ２およびＲ１は、独立して、水素原子
、Ｃ１〜Ｃ７アルキル、Ｃ６〜Ｃ２／クロアルキル、Ｃ
ｌ−Ｃ７アルキルで置換されていてもよいフラニル、Ｃ
１〜Ｃ７アルキルで置換されていてもよいテトラヒドロ
フラニル、ピロリル、ピロリジニル、Ｃ１〜Ｃ７アルキ
ルで置換されていてもよ１７１ベンジル、Ｃ１〜Ｃ７ア
ルキルで置換されていてもよいフェニル、Ｃ１〜Ｃ７ア
ルケニル、Ｃ１〜Ｃ７アルキニル、Ｃ１〜Ｃ７アルキル
で置換されていてもよいフルフリル、またはＣ１〜Ｃ。

アルキルで置換されていてもよいテトラヒドロフルフリ
ルであり、該Ｒ，、Ｒ２およびＲ３は少なくとも１つの
ヒドロキン基で置換されていてもよい。ただし、Ｒ１、
Ｒ２およびＲ３は同時に水素原子ではない。１ または、式（■）： 庁 ＲｔＣ−○−Ｒ６（Ｉ［） ［式中、Ｒ４は、水素原子、ＣＩ−ｃ、アルキル、Ｃ５
１〜Ｃ６ンクロアルキル、ｃＩ１〜Ｃ６アルキルで置換
されていてもよいフラニル、０１〜ｃ６アルキルで置換
されていてもよいテトラヒドロフラニル、ピロリル、ピ
ロリジニル、またはＣ３〜（，７４キルで置換されてい
てもよいベンジルであり、Ｒ５は、Ｃ３〜Ｃ６アルキル
、Ｃｉ　−Ｃｓノクロアルキル、Ｃ１１〜Ｃ６アルキル
で置換されていてもよいフラニル、Ｃ１１〜Ｃ６アルキ
ルで置換されていてもよいテトラヒドロフラニル、Ｃ，
−Ｃ，アルキルで置換されていてもよいフルフリル、Ｃ
５〜Ｃ６アルキルで置換されていてもよいテトラヒドロ
フルフリル、ピロリル、ピロリジニル、ＣＩ−Ｃ，アル
キルで置換されていてもよいペン・ジル、まには式： ％式％ （式中、ａは１〜３であり、ｂは１〜４である） で示される基である１ で示される活性剤の混合物を示している。

アミンは、活性剤（１）または（Ｉ［）に含まれる。

該アミンとしては、例えば、テトラヒドロフルフリルア
ミン、ジエチルアミンおよびトリエチルアミンが好まし
い。

アルカノールアミンは、活性剤（１）または（ＩＩ）に
含まれる。該アルカノールアミンとしては、例エバ、エ
タノールアミン、ジェタノールアミン、トリエタノール
アミン、イソブタノールアミンおよびエチルプロパンジ
オールアミンが好ましい。

エステルは、活性剤（Ｉ）または（Ｉ［）に含まれる。

該エステルとしては、例えば、酢酸フェニル、酢酸モノ
メチルジプロピレングリフール、酢酸モノメチルプロピ
レングリコールおよび酢酸テトラヒドロフルフリルが好
ましい。

活性剤（Ｉ）または（ＩＩ）に加えて、本発明は、活性
剤として、■、３−ジアミノシクロヘキサン、１．４−
ジアミノシクロヘキサン、オルトフェニレンジアミン、
メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、２
−メチルペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジア
ミン、１．１２−ドデカンジアミンおよびビス−ヘキサ
メチレンジアミンのような環状または非環状ジアミンを
含むこともできる。

活性剤（１）、（Ｉ［）または環状もしくは非環状ジア
ミンに加えて、本発明は、活性剤として、０１〜Ｃ６ア
ルキルもしくはＣ１〜Ｃ６アルケニルで置換されていて
もよいピロリドンまたはブチロラクトンを含むこともで
きる。ピロリドンとしては、２−ピロリドン、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドンまた
はＮ−ビニル２−ピロリドンを使用することができる。

好ましくは、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが使用される
。

本発明のＴＨＦＡと活性剤の組み合わせは、ＴＨＦＡ単
独と比較して、清浄能力が顕著に改善されることが分か
った。ＴＨＦＡは少なくとも１％ｗ／ｗＴＨＦＡを有す
る水溶液中に含まれるのが好ましい。活性剤は最終濃度
が少なくとも０．０■％ｗ／ｗである水溶液中に含まれ
るのが好ましい。

本発明のテトラヒドロフルフリルアルコール混合物は、
非イオン界面活性剤を含むこともできる。

使用し得る非イオン界面活性剤は、１級線形一価アルコ
ールから製造される界面活性剤である。これらのアルコ
ールは、好ましくは、１６〜１８個の炭素原子を含んで
おり、エチレンオキシドを含むこともできる。非イオン
界面活性剤の例としては、マザー・ケミカルズ（Ｍａｚ
ｅｒ　Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ）［ピー・ビー・ジー・ケミ
カルズ（Ｐ　Ｐ　Ｇ　Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ）の分所、ガ
ーニー、イリノイ］によって製造されているアルキルエ
ステルを基礎とする界面活性剤であるメザウェソト　７
７　（Ｍｅｚａｗｅｔｔ　７７　”）　；ジー・ニー・
エフ・コーポレーション（ＧＡＦＣｏｒｐｏｒａｔ　１
ｏｎ）　［ニューヨーク、ニューヨーク］によって製造
されているノニルフェノキシポリ（エチレンオキシ）エ
タノール：スチーブン・ケミカル・カンパニー（Ｓｔｅ
ｐｈｅｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏ、）［ノースフィー
ルド、イリノイ１によって製造されているノニルフェノ
ールエトキシレート、マコンエヌ・エフ　５（Ｍａｋｏ
ｎ　ＮＦ　　５”）およびマコンエヌ・エフ　ｌ　２　
（Ｍａｋｏｎ　Ｎ　Ｆ　　ｌ　２　”）　；　ｆｔ　ラ
ヒニスリーーエム・カンパニー（３Ｍ　Ｃｏｍｐａｎｙ
）　ｆセント・ポール、ミルツタ］によって製造されて
いる非イオンフッ素化アルキルエステル界面活性剤が挙
げられる。

他の界面活性剤としては、４〜４０モルの範囲のエトキ
シレート（すなわち、エチレンオキシドまたはエチレン
オキシドの重合体）付加を有するノニルフェノールエト
キシレート、１〜１０モルの範囲のエトキシレート付加
を有するフェニルエトキシレート、フッ素化アルキルエ
ステル、フッ素化アルキルアルコキンレート、４〜４０
モルの範囲のエトキシレート付加を有するデシルフェノ
ールエトキンレート、および４〜４０モルの範囲のエト
キンレート付加を有するオクチルフェノールエトキシレ
ートが挙げられる。本発明の非イオン界面活性剤は少な
くとも０．００１％ｗ／ｗの濃度で溶液に添加するのが
好ましい。

本発明の溶液は、スプレィ、浸漬またはブラッシングに
よって作業片と接触させることができる。

次に、該作業片を、水、アルコールまたはフッ素化炭化
水素のような洗浄溶液で洗浄する。

フン素化炭化水素としては、フッ素化アルカンおよびポ
リエーテルが好ましい。フッ素化アルカンに関しては、
式： ％式％ （式中、ｎは１〜１６である） で示される化合物を使用することができる。好ましいフ
ッ素化アルカンは、完全に７ツ素化されたヘキサンであ
る。

本発明の洗浄溶液として使用し得るポリエーテルは、式
： （式中、ｎは０−１６、ｍは０〜１６である）で示され
る化合物である。

本発明の洗浄溶液は、アルコールとして、Ｃ４〜Ｃ６ア
ルキルアルコール、Ｃ６１〜Ｃ６シクロアルキルアルコ
ール、アミルアルコール、アリルアルコール、クロチル
アルコール、ベンジルアルコールまたはテトラヒドロフ
ルフリルアルコール混合物することができる。

清浄工程は、標準温度および圧力（Ｓ　Ｔ　Ｐ）条件下
で行うことができる。しかしながら、本発明の接触時間
、撹拌力または混合物の温度を増大することによって清
浄時間を減少することができる。

実用的な理由で、清浄システムは個々の洗浄溶液の沸点
以下の温度で操作するのが好ましい。該システムの温度
を約１５°Ｃ以上、洗浄溶液の沸点以下に維持するのが
特に好ましい。作業片は清浄されｔ；後、風乾または赤
外線ヒーターによる乾燥によって最終的に準備される。

本発明の他の重要な点は、清浄混合物の再循環である。

該混合物は、消耗された後、再循環される。該混合物は
、もはや充分に清浄されない場合に消耗されたと決定す
る。該混合物を消耗するのに要する時間は、変化し得、
主に、除去されるフラックス残留物の量に依存する。該
混合物を再循環するために、消耗された溶液を、１ｔ−
１トリクＯロエタン（ＴＣＡ）と混合し、作業片から清
浄されたフラックス残留物を吸収することができる。消
耗された混合物に水を添加して、水溶性成分および非水
溶性成分の２つの相を形成する。非水溶性相は、トリク
ロロエタンおよびフラックス残留物を含んでいる。水溶
性相は、ＴＨＦＡを含んでいる。水溶性相を分離し、冷
凍された回転ドラムに送る。該ドラムの表面上で溶液か
ら水を凍結させ、清浄タンクにＴＨＦＡをもとす。次に
、凍結した水をドラム表面から除去する。標準的な蒸留
方法によって非水溶性相からフラックス残留物を除去す
ることができる。トリクロロエタンの代わりｌこ、特性
が当業者の理解範囲内である他の溶媒を使用することが
できる。このような溶媒の例としては、トリクロロエチ
レン、トルエンオヨびキシレンが挙げられる。好ましく
は、吸収および脱水の代わりに分別蒸留を使用すること
ができる。

もちろん、本発明の混合物に他の成分を含ませることが
できる。このような成分は、代表的に、粘度、蒸発速度
、沸点、臭気、色、および一般に消耗者に望まれ得る他
の特徴のような種々の物理学的特性を変化させるために
使用する。本発明の多くの特徴は、以下の制限されない
実施例で説明する。実施例の多くは、オメガ・メーター
（○ｍｅｇａＭｅｔｅｒ）を用いて使用した溶液を測定
し、測定値を塩化ナトリウム当量、すなわちμｇ／ｃｍ
２に変換する。部品を清浄するために使用した後の溶液
の抵抗性の測定は、当技術分野において一般的な方法で
ある。低い値は、多量の残留物が除去されたことを示す
。

実施例１ ９０容量％ＴＨＦＡ、４％テトラヒドロフルフリルアミ
ンおよび２％メザウェント　７７（Ｍｅｚａｗｅｔｔ　
７７”）を含有する本発明の水溶液を調製した。溶液の
一部分をＡと表記した容器に入れ、該溶液の一部分をＢ
と表記した容器に入れた。

フラックスを含んでいるＵＴＤ回路板を容器Ａに浸漬し
、フラックスを含有して０）るＵＴＤ回路板を容器Ｂに
浸漬した。両回踏板を洗浄し、熱風乾燥した。いずれの
清浄化回路板からも残留物を有することは観察されなか
った。

実施例２ 実施例１．こむいて回路板を清浄するのに使用した容器
Ａ８よびＢの溶液を、オメガ・メータ（Ｏｍｅｇａ　Ｍ
ｅｔｅｒ）で試験し、値を塩化ナトリウム当量に変換し
た。溶液Ａは、０３８５μｇ／ｃｍ２であり、溶液Ｂは
０５１９μｇ／ｃｍ”であった。

実施例３ 実施例１で調製した溶液の一部分を水で希釈し、全体的
に８５％の希釈度を得た。該希釈溶液をＣと表記した容
器中に入れた。フラックスを含んでいるＬＪＴＤ回路板
を該容器中に浸漬した。該回路板を洗浄し、熱風乾燥し
た。残留物は観察されなかった。

実施例４ 実施例３で回路板を清浄するのに使用した容器Ｃの溶液
をオメガ・メーターで試験し、値を塩化ナトリウム当量
Ｉこ変換した。溶液Ｃは０．４９３μｇ／ｃｍ２である
ことがわかった。

実施例５ 実施例１で調製した溶液の一部分を水で希釈して、全体
的に７０％の希釈度を得た。該希釈溶液をＤと表記した
容器中に入れた。フラックスを含んでいるＵＴＤ回路板
を該容器中に浸漬した。該基板を洗浄し、熱風乾燥した
。残留物は観察されなかった。

実施例６ 実施例５で回路板を清浄するために用いた容器りの溶液
をオメガ・メーターで試験し、値を塩化ナトリウム当量
に変換した。溶液りは０．４５５μｇ／ｃｍ”であるこ
とがわかった。

実施例７ ８０％ｗ／ｗ　ＴＨＦＡ、１５％水および５％アミンを
使用して溶液を調製した。選択されたアミンは、テトラ
ヒドロフルフリルアミン、ジエチルアミンおよびトリエ
チルアミンであった。溶液を容器中に入れた。フラック
スを含んでいるＵＴＤ回路板を各容器中に浸漬した。該
回路板を水で洗浄し、熱風乾燥した。回路板の全てが清
浄され、約２分以内で残留物が観察されなくなった。

実施例８ ８０％ｗ／ｗ　ＴＨＦＡ、１５％水および５％アルカノ
ールアミンを用いて溶液を調製した。選択されたアルカ
ノールアミンは、モノエタノールアミン、ジェタノール
アミン、トリエタノールアミン、イソブタノールアミン
およびエチルプロパンジオールアミンであった。溶液を
容器中に入れた。

フラックスを含んでいるＵＴＤ回路板を各容器に浸漬し
た。該回路板を水で洗浄し、熱風乾燥した。

どの清浄化回路板も、残留物を有することが観察されな
かった。モノエタノールアミン、ジェタノールアミンお
よびイソブタノールアミンの溶液を約１分間回路板に作
用させ、残った溶液を約２分間作用させて回路板を清浄
した。

実施例９ ８０％ｗ／ｗ　ＴＨＦＡ、１５％水および５％エステル
を用いて、溶液を調製した。選択されたエステルは、酢
酸モノメチルジグロビレングリコール、酢酸モノメチル
グロビレングリコールおよび酢酸テトラヒドロフルフリ
ルであった。溶液全容器中に入れた。フラックスを含ん
でいるＵＴＤ回路板を各容器中に浸漬した。該回路板を
水で洗浄し、熱風乾燥した。約２分間の浸漬の後、どの
回路板からも残留物を有していることは観察されなかっ
た。

実施例１０ ４．５％ｗ／ｗ　ＴＨＦ　Ａ、　９０％水、２．５％モ
ノエタノールアミンおよび３．０％フェノールエトキシ
レートならびに１モルエチレンオキシドを用いて溶液を
調製した。該溶液を容器中に入れ、フラックスを含んで
いる５つのＵＴＤ回路板を容器中に浸漬した。該回路板
を水で洗浄し、熱風乾燥した。どの清浄化回路板からも
残留物を有していることは観察されなかった。該回路板
の多くは、４５秒以内で清浄された。物質を１４０°Ｆ
まで加熱することによって、該回路板をはとんと瞬間的
に清浄された。

実施例１１ １７．５％ｗ／ｗ　ＴＨＦＡ、７５％水、モノエタノー
ルアミン、２．０％イソブタノールアミン、１．２５％
フェノールエトキシレート、１モルエチレンオキシドお
よび３．７５％メザウエット　７７　（Ｍｅｚａｗｅｔ
ｔ　７７　”）を用いて溶液を調製した。

該溶液を容器中に入れ、フラックスを含んでいる５つの
ＵＴＤ回路板を容器中に浸漬した。該回路板を水で洗浄
し、熱風乾燥した。どの清浄化回路板からも残留物を有
していることは観察されなかった。該回路板の多くは、
３０秒以内に清浄された。

物質を１４０°Ｆまで加熱することによって、該回路板
はほとんど瞬間的に清浄された。

実施例１２ 実施例１１の溶液を完全にフッ素化したヘキサンで洗浄
した。物質は完全に洗浄され、残留物は観察されなかっ
た。

実施例１３ 実施例１１の溶液を過フッ素化ポリエーテルで洗浄した
。物質は完全に洗浄され、残留物は観察されなかった。

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. （１）有効量のテトラヒドロフルフリルアルコールおよ
   び式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３は、独立して、水
   素原子、Ｃ＿１〜Ｃ＿７アルキル、Ｃ＿５〜Ｃ＿６シク
   ロアルーキル、Ｃ＿１〜Ｃ＿７アルキルで置換されてい
   てもよいフラニル、Ｃ＿１〜Ｃ＿７アルキルで置換され
   ていてもよいテトラヒドロフラニル、ピロリル、ピロリ
   ジニル、Ｃ＿１〜Ｃ＿７アルキルで置換されていてもよ
   いベンジル、Ｃ＿１〜Ｃ＿７アルキルで置換されていて
   もよいフェニル、Ｃ＿１〜Ｃ＿７アルケニル、Ｃ＿１〜
   Ｃ＿７アルキニル、Ｃ＿１〜Ｃ＿７アルキルで置換され
   ていてもよいフルフリル、またはＣ＿１〜Ｃ＿７アルキ
   ルで置換されていてもよいテトラヒドロフルフリルであ
   り、該Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３は少なくとも１つの
   ヒドロキシ基で置換されていてもよい。ただし、Ｒ＿１
   、Ｒ＿２およびＲ＿３は、同時に水素原子ではない。］ または、式（II）： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ［式中、Ｒ＿４は、水素原子、Ｃ＿１〜Ｃ＿６アルキル
   、Ｃ＿５〜Ｃ＿６シクロアルキル、Ｃ＿１〜Ｃ＿６アル
   キルで置換されていてもよいフラニル、Ｃ＿１〜Ｃ＿６
   アルキルで置換されていてもよいテトラヒドロフラニル
   、ピロリル、ピロリジニル、またはＣ＿１〜Ｃ＿５アル
   キルで置換されていてもよいベンジルであり、Ｒ＿５は
   、Ｃ＿１〜Ｃ＿５アルキル、Ｃ＿５〜Ｃ＿６シクロアル
   キル、Ｃ＿１〜Ｃ＿６アルキルで置換されていてもよい
   フラニル、Ｃ＿１〜Ｃ＿６アルキルで置換されていても
   よいテトラヒドロフラニル、Ｃ＿１〜Ｃ＿６アルキルで
   置換されていてもよいフルフリル、Ｃ＿１〜Ｃ＿６アル
   キルで置換されていてもよいテトラヒドロフルフリル、
   ピロリル、ピロリジニル、Ｃ＿１〜Ｃ＿６アルキルで置
   換されていてもよいベンジルまたは式： −（ＣＨ＿２）＿ａ−Ｏ−（ＣＨ＿２）＿ｂ−Ｏ−（Ｃ
   Ｈ＿２）＿ｂ−ＯＨ（式中、ａは１〜３であり、ｂは１
   〜４である） で示される基である］ で示される活性剤を含有することを特徴とする清浄剤。
2. （２）活性剤がテトラヒドロフルフリルアミン、ジエチ
   ルアミンおよびトリエチルアミンからなる群から選択さ
   れる請求項（１）記載の清浄剤。
3. （３）活性剤がエタノールアミン、ジエタノールアミン
   、トリエタノールアミン、イソブタノールアミンおよび
   エチルプロパンジオールアミンからなる群から選択され
   る請求項（１）記載の清浄剤。
4. （４）活性剤が１，３−ジアミノシクロヘキサン、１，
   ４−ジアミノシクロヘキサン、オルトフェニレンジアミ
   ン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン
   、２−メチルペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレン
   ジアミン、１，１２−ドデカンジアミンおよびビスヘキ
   サメチレンジアミンである請求項（１）記載の清浄剤。
5. （５）活性剤がＣ＿１〜Ｃ＿６アルキルもしくはＣ＿１
   〜Ｃ＿６アルケニルで置換されたピロリドンまたはブチ
   ロラクトンである請求項（１）記載の清浄剤。
6. （６）活性剤が酢酸モノメチルジプロピレングリコール
   、酢酸モノメチルプロピレングリコールまたは酢酸テト
   ラヒドロフルフリルである請求項（１）記載の清浄剤。
7. （７）さらに非イオン界面活性剤を加えてなる請求項（
   １）、（２）、（３）、（４）、（５）または（６）記
   載の清浄剤。
8. （８）非イオン界面活性剤が１６〜１８個の炭素原子を
   有する１級線形一価アルコールから製造される請求項（
   ７）記載の清浄剤。
9. （９）活性剤がテトラヒドロフルフリルアミンである請
   求項（２）記載の清浄剤。
10. （１０）テトラヒドロフルフリルアルコールおよびテト
    ラヒドロフルフリルアミンの量が電子部品からフラック
    ス残留物を除去するのに有効な量である請求項（９）記
    載の清浄剤。
11. （１１）テトラヒドロフルフリルアルコールが少なくと
    も８容量％の濃度であり、テトラヒドロフルフリルアミ
    ンが少なくとも０．０１％ｗ／ｗの濃度である請求項（
    １０）記載の清浄剤。
12. （１２）電子部品をテトラヒドロフルフリルアルコール
    および請求項（１）、（２）、（３）、（４）、（５）
    または（６）記載の活性剤からなる溶液と接触させ、水
    、アルコールまたはフッ素化炭化水素の溶液で洗浄する
    ことを特徴とする電子部品からフラックス残留物を除去
    する方法。
13. （１３）洗浄液がフッ素化アルカンおよびポリエーテル
    からなる群から選択されるフッ素化炭化水素である請求
    項（１２）記載の方法。
14. （１４）洗浄液がＣ＿１〜Ｃ＿６アルキルアルコール、
    Ｃ＿５〜Ｃ＿６シクロアルキルアルコール、アミルアル
    コール、アリルアルコール、クロチルアルコール、ベン
    ジルアルコールまたはテトラヒドロフルフリルアルコー
    ルからなる群から選択されるアルコールである請求項（
    １２）記載の方法。
15. （１５）洗浄液が式： Ｃ＿ｎＦ＿２＿ｎ＋２ （式中、ｎは１〜１６である） で示される化合物である請求項（１２）記載の方法。
16. （１６）洗浄液が式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ｎは０〜１６、ｍは０〜１６である）で示され
    る化合物である請求項（１２）記載の方法。
17. （１７）フラックス残留物を標準温度および圧力条件下
    で除去する請求項（１２）記載の方法。
18. （１８）フラックス残留物を約１５℃以上、接触溶液の
    沸点以下の温度で除去する請求項（１２）記載の方法。
19. （１９）テトラヒドロフルフリルアルコールを、トリク
    ロロエタンを用いて吸収させるかまたは分別蒸留するこ
    とによって再循環させる請求項（１２）記載の方法。