JPH03243787A - 金型の製造方法 - Google Patents
金型の製造方法Info
- Publication number
- JPH03243787A JPH03243787A JP3828190A JP3828190A JPH03243787A JP H03243787 A JPH03243787 A JP H03243787A JP 3828190 A JP3828190 A JP 3828190A JP 3828190 A JP3828190 A JP 3828190A JP H03243787 A JPH03243787 A JP H03243787A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- plating layer
- dispersed
- master pattern
- dispersion plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、成形面が凹状をした金型の製造方法に関する
ものである。
ものである。
例えば合成樹脂射出成形用金型の成形面の表面に、Ｔｉ
ＣやＴｉＮ、Ｔ１ＣＮ などのセラミック皮膜やこれら
のセラミックが分散した分散めっき層などの硬化層をイ
オンブレーティング法などのＰＶＤ（物理蒸着）処理や
分散めっき処理で形成すると、これらの硬化層がきわめ
て硬度が高くてその表面が平滑であるので、摩擦力と離
型力が小さくなり、離型時の成形品の損傷率が低下し、
サイクルタイムも短縮できる。また、金型内のメルトか
ら遊離した付着物の発生も少なくなり、付着物の除去作
業が不要でダウンタイムも短縮される。
ＣやＴｉＮ、Ｔ１ＣＮ などのセラミック皮膜やこれら
のセラミックが分散した分散めっき層などの硬化層をイ
オンブレーティング法などのＰＶＤ（物理蒸着）処理や
分散めっき処理で形成すると、これらの硬化層がきわめ
て硬度が高くてその表面が平滑であるので、摩擦力と離
型力が小さくなり、離型時の成形品の損傷率が低下し、
サイクルタイムも短縮できる。また、金型内のメルトか
ら遊離した付着物の発生も少なくなり、付着物の除去作
業が不要でダウンタイムも短縮される。
更には、金型内のメルトフローが長くなるので、圧力損
失、温度分布の不均一、肉厚の不揃いなどが救済されて
成形不良が減少し、熱ガスに対する耐食性も大きく改善
される利点がある。
失、温度分布の不均一、肉厚の不揃いなどが救済されて
成形不良が減少し、熱ガスに対する耐食性も大きく改善
される利点がある。
プレス用金型に硬化層を形成した場合にも、冷間溶着が
減少し、粘着摩耗も減少するので、マイクロクラック発
生後の表面脱落が遅くなり、硬化層を形成することによ
り初めて加工が可能になった例も多い。
減少し、粘着摩耗も減少するので、マイクロクラック発
生後の表面脱落が遅くなり、硬化層を形成することによ
り初めて加工が可能になった例も多い。
ところで、イオンブレーティング法などのＰｖＤ処理は
、処理品の深い溝や孔内面ないしその孔底面などには磁
場が十分に形成されないので、イオンがこれらの部位に
到達しにくく、所要膜厚の確保が困難であり、＠着性も
十分でない不具合がある。また、分散めっき処理、こと
に電解めっきによる処理は、同じく処理品の深い溝や孔
内面ないしその孔底面などにはセラミックを均一に分散
させるのが困難である。従って、成形面が凹状をした金
型（母型）の成形面に分散めっき層などの硬化層を形成
するとき、深い構や孔内面などに十分にコーティングで
きず、前記の利点を十分に得ることができない、このた
め、金型を割り型にし、深い溝や孔などを解消して形成
したり、ＣＶＤ（化学蒸着）処理で蒸着しているが１割
り型にすると金型コストが高くなり、またＣＶＤ処理は
処理品を高温に加熱する必要があり、特殊な場合しか行
われていない。
、処理品の深い溝や孔内面ないしその孔底面などには磁
場が十分に形成されないので、イオンがこれらの部位に
到達しにくく、所要膜厚の確保が困難であり、＠着性も
十分でない不具合がある。また、分散めっき処理、こと
に電解めっきによる処理は、同じく処理品の深い溝や孔
内面ないしその孔底面などにはセラミックを均一に分散
させるのが困難である。従って、成形面が凹状をした金
型（母型）の成形面に分散めっき層などの硬化層を形成
するとき、深い構や孔内面などに十分にコーティングで
きず、前記の利点を十分に得ることができない、このた
め、金型を割り型にし、深い溝や孔などを解消して形成
したり、ＣＶＤ（化学蒸着）処理で蒸着しているが１割
り型にすると金型コストが高くなり、またＣＶＤ処理は
処理品を高温に加熱する必要があり、特殊な場合しか行
われていない。
そこで本発明は、成形面が凹状をした金型の深い溝や孔
内面などにもセラミックが均一に分散した分散めっき層
を形成することができる金型の製造方法を提供すること
を目的とする。
内面などにもセラミックが均一に分散した分散めっき層
を形成することができる金型の製造方法を提供すること
を目的とする。
本発明の金型の製造方法は、凸状のマスターパターンの
表面にセラミック粒子が分散した分散めっき層を形成す
る工程と、分散めっき層の上に電鋳法などでバックアッ
プシェルを形成する工程と、バックアップシェルが密着
した分散めっき層からマスターパターンを除去する工程
と、バックアップシェルを金型本体の凹部に組み込む工
程を含むことを特徴とするものである。
表面にセラミック粒子が分散した分散めっき層を形成す
る工程と、分散めっき層の上に電鋳法などでバックアッ
プシェルを形成する工程と、バックアップシェルが密着
した分散めっき層からマスターパターンを除去する工程
と、バックアップシェルを金型本体の凹部に組み込む工
程を含むことを特徴とするものである。
すなわち、成形面が凹状をした金型用のマスターパター
ンは凸状であり、金型の深い溝や孔に対応する部位は突
条や突起になる。このため、電解めっきによる分散めっ
き処理でセラミックが均一に分散した分散めっき層を深
い溝や孔に対応する部位は突条や突起にもコーティング
できる。そして、この分散めっき層にバックアップシェ
ルを密着させ、マスターパターンを除去した後、バック
アップシェルを金型本体の凹部に組み込むので、完成し
た金型の深い溝や孔内面などにもセラミックが均一に分
散した分散めっき層がコーティングされている。
ンは凸状であり、金型の深い溝や孔に対応する部位は突
条や突起になる。このため、電解めっきによる分散めっ
き処理でセラミックが均一に分散した分散めっき層を深
い溝や孔に対応する部位は突条や突起にもコーティング
できる。そして、この分散めっき層にバックアップシェ
ルを密着させ、マスターパターンを除去した後、バック
アップシェルを金型本体の凹部に組み込むので、完成し
た金型の深い溝や孔内面などにもセラミックが均一に分
散した分散めっき層がコーティングされている。
以下に図面に示す実施例に基いて本発明を具体的に説明
する。
する。
（１）マスターパターン
アルミからなるマスターパターンｌは、第１図（Ａ）に
示すように、成形面が凹状をした金型の深い孔に対応す
る突起１１と金型の溝に対応する環状突起１２が形成さ
れており、全体的に凸状をしている。
示すように、成形面が凹状をした金型の深い孔に対応す
る突起１１と金型の溝に対応する環状突起１２が形成さ
れており、全体的に凸状をしている。
（２）分散めっき層の形成
このマスターパターンｌの表面に、第１図ＣＢ）に示す
ように１次の条件で分散めっき層２を形成した。
ように１次の条件で分散めっき層２を形成した。
スラリー
スルファミン酸ニッケル
３００ ｇ ／ Ｑ
塩化ニッケル １０ ｇ ／ Ｑ
ホウ酸 ４０ ｇ ／ Ｑ
エチレングリコール １００ｗ１Ｑ／ｆｆ１ＳｉＣ（１
〜３μｍ） １ｇＩＱ 浴条件 スラリー １００ ｇ ／ Ｑ ｐ Ｈ４，０ 温度 ５０℃ かかる条件下で２０園ｉｎ、処理すると、膜厚が約２０
μ璽の分散めっき層２が形成され、マスターパターンｌ
の全表面にＳｉＣが均一に分散している。セラミックは
ＳｉＣに限られず、ＴｉＣ，ＴｉＮ、ＷＣ，Ｂ４Ｃ，Ｍ
ｏ、Ｃ，Ｃｒ５Ｃｘなどいろいろのものを使用できる。
〜３μｍ） １ｇＩＱ 浴条件 スラリー １００ ｇ ／ Ｑ ｐ Ｈ４，０ 温度 ５０℃ かかる条件下で２０園ｉｎ、処理すると、膜厚が約２０
μ璽の分散めっき層２が形成され、マスターパターンｌ
の全表面にＳｉＣが均一に分散している。セラミックは
ＳｉＣに限られず、ＴｉＣ，ＴｉＮ、ＷＣ，Ｂ４Ｃ，Ｍ
ｏ、Ｃ，Ｃｒ５Ｃｘなどいろいろのものを使用できる。
（３）バックアップシェルの形成
次の条件で２４０時間電鋳すると、第１図（Ｃ）に示す
ように、膜厚が約１２園園のＮｉからなるバックアップ
シェル３が形成され、分散めっき層２に密着する。
ように、膜厚が約１２園園のＮｉからなるバックアップ
シェル３が形成され、分散めっき層２に密着する。
スルファミン酸ニッケル
３００ ｇ ／ Ｑ
塩酸ニッケル ３０ ｇ ／ Ｑ
ホウ酸 ４０ ｇ ／ Ｑ
ｐＨ４，０
浴温度 ５０℃
電流密度 ８Ａ／ｄボ
バックアップシェル３を形成するのは、電鋳法に限られ
ず、溶射法、ＨＩＰやＳＩＰなどのプレス法、硬質樹脂
などで行うことができる。
ず、溶射法、ＨＩＰやＳＩＰなどのプレス法、硬質樹脂
などで行うことができる。
（４）マスターパターンの除去と組立
水に、水酸化ナトリウム（３０ｇ／Ｑ）に浸漬すると、
アルミからなるマスターパターンｌが溶解して除去され
、分散めっき層２が密着したバックアップシェル３が残
る。そして、その外周を所定の寸法に削除して第１図Ｃ
Ｄ）に示す状態にし、これを、第１図（Ｅ）に示すよう
に、金型本体４の凹部に組み込むと金型が完成する。な
お、バックアップシェル３の外周を所定の寸法に削除し
てからマスターパターン１を除去し、しかる後、金型本
体４の凹部に組み込んでもよい。
アルミからなるマスターパターンｌが溶解して除去され
、分散めっき層２が密着したバックアップシェル３が残
る。そして、その外周を所定の寸法に削除して第１図Ｃ
Ｄ）に示す状態にし、これを、第１図（Ｅ）に示すよう
に、金型本体４の凹部に組み込むと金型が完成する。な
お、バックアップシェル３の外周を所定の寸法に削除し
てからマスターパターン１を除去し、しかる後、金型本
体４の凹部に組み込んでもよい。
このように、セラミックが均一に分散した分散めっき層
２がマスターパターン１上に形成されるので、完成した
金型の深い孔５１や溝５２の表面にもセラミックが均一
に分散した分散めっき層２が形成され、成形面の硬度が
きわめて大きい金型にすることができる。
２がマスターパターン１上に形成されるので、完成した
金型の深い孔５１や溝５２の表面にもセラミックが均一
に分散した分散めっき層２が形成され、成形面の硬度が
きわめて大きい金型にすることができる。
以上説明したように１本発明の金型の製造方法は、凸状
のマスターパターンの表面にセラミックが分散した分散
めっき層を形成し、この分散めっき層にバックアップシ
ェルを密着させ、マスターパターンを除去した後、バッ
クアップシェルを金型本体の凹部に組み込むようにした
ので、成形面が凹状をした金型の深い溝や孔内面などに
もセラミックが均一に分散した分散めっき層を形成する
ことができる。
のマスターパターンの表面にセラミックが分散した分散
めっき層を形成し、この分散めっき層にバックアップシ
ェルを密着させ、マスターパターンを除去した後、バッ
クアップシェルを金型本体の凹部に組み込むようにした
ので、成形面が凹状をした金型の深い溝や孔内面などに
もセラミックが均一に分散した分散めっき層を形成する
ことができる。
第１図（Ａ）〜（Ｅ）は本発明実施例の工程説明図であ
る。
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 凸状のマスターパターンの表面にセラミック粒子が分
散した分散めっき層を形成する工程と、分散めっき層の
上に電鋳法などでバックアップシェルを形成する工程と
、 バックアップシェルが密着したセラミック皮膜からマス
ターパターンを除去する工程と、バックアップシェルを
金型本体の凹部に組み込む工程と、 を含むことを特徴とする金型の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3828190A JPH03243787A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 金型の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3828190A JPH03243787A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 金型の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03243787A true JPH03243787A (ja) | 1991-10-30 |
Family
ID=12520934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3828190A Pending JPH03243787A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 金型の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03243787A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001020055A1 (en) * | 1999-09-10 | 2001-03-22 | Åmic AB | A method for the manufacturing of a matrix and a matrix manufactured according to the method |
-
1990
- 1990-02-21 JP JP3828190A patent/JPH03243787A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001020055A1 (en) * | 1999-09-10 | 2001-03-22 | Åmic AB | A method for the manufacturing of a matrix and a matrix manufactured according to the method |
| US6733682B1 (en) | 1999-09-10 | 2004-05-11 | Amic Ab | Method for the manufacturing of a matrix and a matrix manufactured according to the method |
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