JPH03245130A - 導波路型非線形光学デバイス - Google Patents
導波路型非線形光学デバイスInfo
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- JPH03245130A JPH03245130A JP4284190A JP4284190A JPH03245130A JP H03245130 A JPH03245130 A JP H03245130A JP 4284190 A JP4284190 A JP 4284190A JP 4284190 A JP4284190 A JP 4284190A JP H03245130 A JPH03245130 A JP H03245130A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はベータバリウムボレイト（以下、ＢＢＯと略記
する）を用いた導波路型非線形光学デバイスに関する。
する）を用いた導波路型非線形光学デバイスに関する。
［従来の技術］
ＢＢＯは近年注目を集めている非線形光学結晶である。
バルクの高調波発生素子として性能、使いかつてに非常
に優れた材ｆ＋である。しかし、この結晶に導波路を作
成した非線形光学デバイスに関する研究はまた行われて
いなかった、 ［発明か解決しようとする課題］ ＢＢＯを用いた導波路型非線形光学デバイスを形成する
ためにはＢＢＯの屈折率をＬ昇させた薄膜結晶をＢＢＯ
基板上にエピタキシャル成長させる必要があった。
に優れた材ｆ＋である。しかし、この結晶に導波路を作
成した非線形光学デバイスに関する研究はまた行われて
いなかった、 ［発明か解決しようとする課題］ ＢＢＯを用いた導波路型非線形光学デバイスを形成する
ためにはＢＢＯの屈折率をＬ昇させた薄膜結晶をＢＢＯ
基板上にエピタキシャル成長させる必要があった。
本発明の目的は前記課題を解決した導波路型非線形光学
デバイスを提供することにある。
デバイスを提供することにある。
１課題を解決するための手段］
前記目的を達成するため、本発明に係る導波路型非線形
光学デバイスにおいては、ベータバリウムボレイト（β
−ＢａＢ、Ｏｊ単結晶を用いた導波路型非線形光学デバ
イスであって、 べ一タバリウムボレイト結晶中のバリウムの一部を２価
の金属（町で置換して屈折率を上昇させた薄膜（β−（
Ｂａ、Ｍ）Ｂ２Ｏ４）をベータバリウムボレイト上にエ
ピタキシャル成長させて導波路を形成しているものであ
る。
光学デバイスにおいては、ベータバリウムボレイト（β
−ＢａＢ、Ｏｊ単結晶を用いた導波路型非線形光学デバ
イスであって、 べ一タバリウムボレイト結晶中のバリウムの一部を２価
の金属（町で置換して屈折率を上昇させた薄膜（β−（
Ｂａ、Ｍ）Ｂ２Ｏ４）をベータバリウムボレイト上にエ
ピタキシャル成長させて導波路を形成しているものであ
る。
ＢＢＯの非線形光学的性能を向上させる目的でＢＢＯの
結晶中のバリウムを２価の金属で一部置換した結晶、例
えばストロンチウムで置換した（β−（Ｂａ。
結晶中のバリウムを２価の金属で一部置換した結晶、例
えばストロンチウムで置換した（β−（Ｂａ。
５ｒ）Ｂ、Ｏ，、以下ＢＳＢＯと略記する）の育成が試
みられていた。育成原料に化学沈澱により得られたＢＳ
ＢＯ水和物（（Ｂａ、５ｒ）Ｂ、０． ・４Ｈ，０）を
焼成したものを用いることにより、フラックスを用いな
い直接引き上げ法でβ相構造を持つＢＳＢＯ単結晶が育
成できることがわかった。（Ｂａｓ、 ｓａ ｌ ＳＦ
６． ｓｉ）”ｔｏ、の組成を持つＢＳＢＯの屈折率を
測定したところ、波長１．０６ｐｍの常光線に対して１
．７７５０の屈折率を示し、ＢＢＯの波長１，０６μｍ
の常光線に対する屈折率の１．６５７０より０゜１１８
だけ屈折率が上昇していた。つまり、ＢＢＯ基板上にＢ
ＳＢＯをエピタキシャル成長させて薄膜を形成すること
により、光導波路を作製することができる。
みられていた。育成原料に化学沈澱により得られたＢＳ
ＢＯ水和物（（Ｂａ、５ｒ）Ｂ、０． ・４Ｈ，０）を
焼成したものを用いることにより、フラックスを用いな
い直接引き上げ法でβ相構造を持つＢＳＢＯ単結晶が育
成できることがわかった。（Ｂａｓ、 ｓａ ｌ ＳＦ
６． ｓｉ）”ｔｏ、の組成を持つＢＳＢＯの屈折率を
測定したところ、波長１．０６ｐｍの常光線に対して１
．７７５０の屈折率を示し、ＢＢＯの波長１，０６μｍ
の常光線に対する屈折率の１．６５７０より０゜１１８
だけ屈折率が上昇していた。つまり、ＢＢＯ基板上にＢ
ＳＢＯをエピタキシャル成長させて薄膜を形成すること
により、光導波路を作製することができる。
〔実施例］
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。
光を導波路中に閉じ込めて伝搬させるためには、導波路
中の屈折率をその回りの物質の屈折率より上昇させなけ
ればならない。ＢＢＯ単結晶中のバリウム位置を一部２
価の金属で置き換えることにより結晶中の支棒状態が変
化し、屈折率が上昇することがわかった。第１図に示す
ように、例えば、ＢＢＯのＺ基板１上にＢＢＯよりも屈
折率の高いＢＳＢＯ薄膜２をエピタキシャル成長させて
平面導波路を形成した。この薄膜２にＹＡＧレーザ装置
３からの光を導入することにより光は導波路中に閉じ込
められることになり、ＢＢＯを用いた導波路型非線形光
学デバイスが実現できる。４はＹＡＧレーザ光である。
中の屈折率をその回りの物質の屈折率より上昇させなけ
ればならない。ＢＢＯ単結晶中のバリウム位置を一部２
価の金属で置き換えることにより結晶中の支棒状態が変
化し、屈折率が上昇することがわかった。第１図に示す
ように、例えば、ＢＢＯのＺ基板１上にＢＢＯよりも屈
折率の高いＢＳＢＯ薄膜２をエピタキシャル成長させて
平面導波路を形成した。この薄膜２にＹＡＧレーザ装置
３からの光を導入することにより光は導波路中に閉じ込
められることになり、ＢＢＯを用いた導波路型非線形光
学デバイスが実現できる。４はＹＡＧレーザ光である。
次に本発明に係る光学デバイスの具体例を示す。
塩化バリウム（ＢａＣ＆、 −２）（、Ｏ）０．９５＋
ｎ ｏ Ｉと塩化ストロンチウム５ｒＣＱ、） ０．０
５ｍｏｌとほう酸２ｍｏｌを２．０の水に融解し、ｐＨ
を１２に調整して（Ｂａ、 ５ｒ）Ｂ、 Ｏｌ・４Ｈ，
０を沈澱させた。これを８００℃で３時間焼成してβ構
造を持つ（Ｂａ、 ５ｒ）Ｂ、０．を得た。この原料０
．８ｍｏｌにＮａ、 Ｏを０．２ｍｏｌ加えて混合して
液相エピタキシャル成長用原料とし、基板にＺ板のＢＢ
Ｏ単結晶を用いて膜厚的１ｐｍのＢＳＢＯ薄膜を育成し
た。この薄膜平面導波路の端面からＹＡＧレーザ１，０
６ｐｍの光を入射したところ、光は導波路内を伝搬し、
反対側の導波路端面から１．０６ｐｍの光が出射され、
先導波路として動作することが確認できた。
ｎ ｏ Ｉと塩化ストロンチウム５ｒＣＱ、） ０．０
５ｍｏｌとほう酸２ｍｏｌを２．０の水に融解し、ｐＨ
を１２に調整して（Ｂａ、 ５ｒ）Ｂ、 Ｏｌ・４Ｈ，
０を沈澱させた。これを８００℃で３時間焼成してβ構
造を持つ（Ｂａ、 ５ｒ）Ｂ、０．を得た。この原料０
．８ｍｏｌにＮａ、 Ｏを０．２ｍｏｌ加えて混合して
液相エピタキシャル成長用原料とし、基板にＺ板のＢＢ
Ｏ単結晶を用いて膜厚的１ｐｍのＢＳＢＯ薄膜を育成し
た。この薄膜平面導波路の端面からＹＡＧレーザ１，０
６ｐｍの光を入射したところ、光は導波路内を伝搬し、
反対側の導波路端面から１．０６ｐｍの光が出射され、
先導波路として動作することが確認できた。
〔発明の効果］
以上のように本発明によれば、ＢＢＯを用いた導波路型
非線形光学デバイスが容易に実現できる効果を有する。
非線形光学デバイスが容易に実現できる効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。
１・・・ＢＢＯのＺ基板 ２・・・ＢＳＢＯの
薄膜３・・・ＹＡＧレーザ装置 ４・・・ＹＡＧ
レーザ光第１図
薄膜３・・・ＹＡＧレーザ装置 ４・・・ＹＡＧ
レーザ光第１図
Claims (1)
- （１）ベータバリウムボレイト（β−ＢａＢ＿２Ｏ＿４
）単結晶を用いた導波路型非線形光学デバイスであって
、ベータバリウムボレイト結晶中のバリウムの一部を２
価の金属（Ｍ）で置換して屈折率を上昇させた薄膜（β
−（Ｂａ、Ｍ）Ｂ＿２Ｏ＿４）をベータバリウムボレイ
ト上にエピタキシャル成長させて導波路を形成している
ことを特徴とする導波路型非線形光学デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4284190A JPH03245130A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 導波路型非線形光学デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4284190A JPH03245130A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 導波路型非線形光学デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03245130A true JPH03245130A (ja) | 1991-10-31 |
Family
ID=12647217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4284190A Pending JPH03245130A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 導波路型非線形光学デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03245130A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0545689A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-02-26 | Nec Corp | 導波路型非線形光学デバイス |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP4284190A patent/JPH03245130A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0545689A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-02-26 | Nec Corp | 導波路型非線形光学デバイス |
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