JPH0545689A - 導波路型非線形光学デバイス - Google Patents
導波路型非線形光学デバイスInfo
- Publication number
- JPH0545689A JPH0545689A JP3207696A JP20769691A JPH0545689A JP H0545689 A JPH0545689 A JP H0545689A JP 3207696 A JP3207696 A JP 3207696A JP 20769691 A JP20769691 A JP 20769691A JP H0545689 A JPH0545689 A JP H0545689A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beta
- waveguide
- xsrxb2o4
- optical device
- nonlinear optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高効率なβ−Ba1 - x Srx B2 O4 によ
る導波路型非線形光学デバイスを得る。 【構成】 β−BaB2 O4 上にβ−Ba1 - xSrx
B2 O4 (0<x≦0.03)をエピタキシャル成長さ
せて導波路を形成することにより、光路内のエネルギー
密度の上昇が図れ、導波路型波長変換素子を形成するこ
とができた。
る導波路型非線形光学デバイスを得る。 【構成】 β−BaB2 O4 上にβ−Ba1 - xSrx
B2 O4 (0<x≦0.03)をエピタキシャル成長さ
せて導波路を形成することにより、光路内のエネルギー
密度の上昇が図れ、導波路型波長変換素子を形成するこ
とができた。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はβ−Ba1 - x Srx
B2 O4 を用いた導波路型非線形光学デバイスに関す
る。
B2 O4 を用いた導波路型非線形光学デバイスに関す
る。
【0002】
【従来の技術】β−BaB2 O4 は非線形光学定数が比
較的大きく、紫外域まで透明な優れた高調波発生材料で
あるが、従来はバルク単結晶としてしか使用されていな
かった。この使用方法では、入力パワーを大きくするこ
とだけが、エネルギー密度の上昇を図れる手段であっ
た。
較的大きく、紫外域まで透明な優れた高調波発生材料で
あるが、従来はバルク単結晶としてしか使用されていな
かった。この使用方法では、入力パワーを大きくするこ
とだけが、エネルギー密度の上昇を図れる手段であっ
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】β−BaB2 O4 を使
用した非線形光学素子で、入力パワーを上げずにエネル
ギー密度を上げるためには、光学導波路が必要であっ
た。
用した非線形光学素子で、入力パワーを上げずにエネル
ギー密度を上げるためには、光学導波路が必要であっ
た。
【0004】
【課題を解決するための手段】β−BaB2 O4 基板上
にβ−Ba1 - x Srx B2 O4 (但し、0<x≦0.
03)をエピタキシャル成長させて導波路を形成したこ
とを特徴とする。
にβ−Ba1 - x Srx B2 O4 (但し、0<x≦0.
03)をエピタキシャル成長させて導波路を形成したこ
とを特徴とする。
【0005】
【作用】以下、本発明の導波路型非線形光学デバイスに
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
【0006】β−BaB2 O4 のBa位置をSrで一部
置換したβ−Ba1 - x Srx B2 O4 (0<x≦0.
03)は、表1のように、β−BaB2 O4 と比較して
屈折率が高いことが、本発明者の実験により初めて明ら
かになった。従って、β−BaB2 O4 基板上にβ−B
a1 - x Srx B2 O4 (0<x≦0.03)をエピタ
キシャル成長させて薄膜を形成すれば、両者の屈折率差
により光導波路を形成することができる。
置換したβ−Ba1 - x Srx B2 O4 (0<x≦0.
03)は、表1のように、β−BaB2 O4 と比較して
屈折率が高いことが、本発明者の実験により初めて明ら
かになった。従って、β−BaB2 O4 基板上にβ−B
a1 - x Srx B2 O4 (0<x≦0.03)をエピタ
キシャル成長させて薄膜を形成すれば、両者の屈折率差
により光導波路を形成することができる。
【0007】
【表1】
【0008】β−Ba1 - x Srx B2 O4 はβ−Ba
B2 O4 と同様に紫外域まで透明で、非線形光学性を有
するので、薄膜導波路構造にすることにより、光の伝搬
は薄い膜内に制御され、入力パワーが小さくても容易に
エネルギー密度を高くすることができる。従って、小出
力光源の使用が可能な、短波長高効率レーザ光が得られ
る。なお、xが0.04になるとα相の比率が大きくな
り、屈折率が低下する。したがってxの値は0.03ま
でが適当である。
B2 O4 と同様に紫外域まで透明で、非線形光学性を有
するので、薄膜導波路構造にすることにより、光の伝搬
は薄い膜内に制御され、入力パワーが小さくても容易に
エネルギー密度を高くすることができる。従って、小出
力光源の使用が可能な、短波長高効率レーザ光が得られ
る。なお、xが0.04になるとα相の比率が大きくな
り、屈折率が低下する。したがってxの値は0.03ま
でが適当である。
【0009】
【実施例】BaCl2 ・2H2 O1molとH3 BO3
2molとを2リットルの水に融解し、pHを12に調
整して、BaB2 O4 粉末を沈澱させた。この粉末を8
00℃で10時間焼成し、β−BaB2 O4 を得た。こ
の粉末を白金るつぼに充填して、通常の高周波引上げ炉
でβ−BaB2 O4 単結晶を育成した。引上げは、シー
ド回転数20rpm、引上げ速度3mm/h、空気中雰
囲気、育成方位はc軸で行なった。育成結晶をc面に切
断し、基板用に加工した。
2molとを2リットルの水に融解し、pHを12に調
整して、BaB2 O4 粉末を沈澱させた。この粉末を8
00℃で10時間焼成し、β−BaB2 O4 を得た。こ
の粉末を白金るつぼに充填して、通常の高周波引上げ炉
でβ−BaB2 O4 単結晶を育成した。引上げは、シー
ド回転数20rpm、引上げ速度3mm/h、空気中雰
囲気、育成方位はc軸で行なった。育成結晶をc面に切
断し、基板用に加工した。
【0010】β−Ba0 . 9 7 Sr0 . 0 3 B2 O4 粉
末は、0.97molのBaCl2 ・2H2 Oと0.0
3molのSrCl2 ・6H2 Oと2molのH3 BO
3 とを2リットルの水に融解し、pHを12に調整し、
沈澱を800℃10時間焼成して、作製した。
末は、0.97molのBaCl2 ・2H2 Oと0.0
3molのSrCl2 ・6H2 Oと2molのH3 BO
3 とを2リットルの水に融解し、pHを12に調整し、
沈澱を800℃10時間焼成して、作製した。
【0011】β−Ba0 . 9 7 Sr0 . 0 3 B2 O4 粉
末を液相エピタキシャル成長用融体原料とし、z板のβ
−BaB2 O4 を基板として、膜厚1μmのβ−BaB
2 O4 薄膜を作製した。
末を液相エピタキシャル成長用融体原料とし、z板のβ
−BaB2 O4 を基板として、膜厚1μmのβ−BaB
2 O4 薄膜を作製した。
【0012】この薄膜平面導波路の端面から入射させた
LD励起YAGレーザの1.064μm光は、導波路内
を伝搬し、β−BaB2 O4 の持つ非線形性によって、
出射端面から、0.532μmのSHG光を得た。
LD励起YAGレーザの1.064μm光は、導波路内
を伝搬し、β−BaB2 O4 の持つ非線形性によって、
出射端面から、0.532μmのSHG光を得た。
【0013】
【発明の効果】小さな入射パワーで高エネルギー密度を
得ることが可能となり、本発明により、β−Ba1 - x
Srx B2 O4 を利用した導波路型非線形光学デバイス
を作製できる。
得ることが可能となり、本発明により、β−Ba1 - x
Srx B2 O4 を利用した導波路型非線形光学デバイス
を作製できる。
Claims (1)
- 【請求項1】 β−BaB2 O4 基板上にβ−Ba
1- x Srx B2 O4 (但し、0<x≦0.03)がエ
ピタキシャル成長し導波路を形成していることを特徴と
する導波路型非線形光学デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3207696A JPH0545689A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 導波路型非線形光学デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3207696A JPH0545689A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 導波路型非線形光学デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0545689A true JPH0545689A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16544060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3207696A Pending JPH0545689A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 導波路型非線形光学デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0545689A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06265949A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 非線形光学材料組成物およびその製造方法 |
| US7593159B2 (en) | 2003-09-30 | 2009-09-22 | Panasonic Corporation | Display device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03245130A (ja) * | 1990-02-23 | 1991-10-31 | Nec Corp | 導波路型非線形光学デバイス |
-
1991
- 1991-08-20 JP JP3207696A patent/JPH0545689A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03245130A (ja) * | 1990-02-23 | 1991-10-31 | Nec Corp | 導波路型非線形光学デバイス |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06265949A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 非線形光学材料組成物およびその製造方法 |
| US7593159B2 (en) | 2003-09-30 | 2009-09-22 | Panasonic Corporation | Display device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980210 |