JPH0324722A - ＡｌＧａＡｓ半導体のＩｎ合金形成方法及びＩｎ合金電極 - Google Patents
ＡｌＧａＡｓ半導体のＩｎ合金形成方法及びＩｎ合金電極Info
- Publication number
- JPH0324722A JPH0324722A JP1159329A JP15932989A JPH0324722A JP H0324722 A JPH0324722 A JP H0324722A JP 1159329 A JP1159329 A JP 1159329A JP 15932989 A JP15932989 A JP 15932989A JP H0324722 A JPH0324722 A JP H0324722A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- alloy
- ohmic
- semiconductor
- contact resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＡＩＧａＡｓ基板における接触抵抗の低いオー
ミック性電極の形成方法及び形成した電極に関する。
ミック性電極の形成方法及び形成した電極に関する。
従来、高輝度発光用ＬＥＤとしてホモ接合構造ＬＥＤに
比べて、キャリアの注入効率が高く、高出力、高応答速
度が得られるシングルへテロ接合構造ＬＥＤ，あるいは
ダブルへテロ接合構造ＬＥＤが用いられている。
比べて、キャリアの注入効率が高く、高出力、高応答速
度が得られるシングルへテロ接合構造ＬＥＤ，あるいは
ダブルへテロ接合構造ＬＥＤが用いられている。
これらへテロ接合構造ＬＥＤに特徴的なことは、光取り
出し側にＡｊ！Ａｓ混晶比Ｘの大きいＡ１イＧａｐ−，
Ａｓが用いられている点である。例えば、赤色発光高輝
度ＬＥＤ用基板のエビタキシャル或長の例を示すと、ｐ
型ＧａＡｓ基板Ｃ（１００）面〕上にｐクラッド層とし
て液相或長法等によりＺｎドーブＡ ＩｌＧ． ７５Ｇ
ａ ＠． ２ＳＡ ｓ層を２００μｍ（ｐ型）形成し
た後、ｐアクティブ層としてＺｎドープＡ ｌ ｏ．
＊ｓＧ ａ ｏ． ｓｓＡ Ｓ層を１〜３μｍ（ｐ型）
形成し、次いでｎクラッド層としてＴｅドーブＡ Ｒ
０． ７５Ｇ ａ ｏ． ２ＳＡ Ｓ層を５０μｍ程度
形或している。モしてＧａＡｓ基板選択性エッチャント
を用いて光吸収性ＧａＡｓ基板を除去して高輝度ＬＥＤ
チップを得ており、チップの表面の混晶比Ｘは０．７５
と高い。
出し側にＡｊ！Ａｓ混晶比Ｘの大きいＡ１イＧａｐ−，
Ａｓが用いられている点である。例えば、赤色発光高輝
度ＬＥＤ用基板のエビタキシャル或長の例を示すと、ｐ
型ＧａＡｓ基板Ｃ（１００）面〕上にｐクラッド層とし
て液相或長法等によりＺｎドーブＡ ＩｌＧ． ７５Ｇ
ａ ＠． ２ＳＡ ｓ層を２００μｍ（ｐ型）形成し
た後、ｐアクティブ層としてＺｎドープＡ ｌ ｏ．
＊ｓＧ ａ ｏ． ｓｓＡ Ｓ層を１〜３μｍ（ｐ型）
形成し、次いでｎクラッド層としてＴｅドーブＡ Ｒ
０． ７５Ｇ ａ ｏ． ２ＳＡ Ｓ層を５０μｍ程度
形或している。モしてＧａＡｓ基板選択性エッチャント
を用いて光吸収性ＧａＡｓ基板を除去して高輝度ＬＥＤ
チップを得ており、チップの表面の混晶比Ｘは０．７５
と高い。
しかしながら、このようなＡｆＡｓ混晶比Ｘの大きなＡ
１ ｍ Ｇ ａ ｌ−ｗ＋ Ａ ｓ基板は大気中で酸
化されやすく、その酸化物は電流の流れづらい絶縁物で
あることから、その上に電極を形成するとＶｆ値（２０
ｍＡ流すのに必要な順方向電圧）が高くなり、低電圧で
は駆動不可能となる。
１ ｍ Ｇ ａ ｌ−ｗ＋ Ａ ｓ基板は大気中で酸
化されやすく、その酸化物は電流の流れづらい絶縁物で
あることから、その上に電極を形成するとＶｆ値（２０
ｍＡ流すのに必要な順方向電圧）が高くなり、低電圧で
は駆動不可能となる。
この場合表面の酸化物を完全に除去することが必要であ
るが、ＡＩｌＧａΔＳをエッチングすることができない
場合（例えば、Ａｊ！ＧａＡｓ薄膜等に電極を形或する
必要がある場合）には有効な手段がなかった。
るが、ＡＩｌＧａΔＳをエッチングすることができない
場合（例えば、Ａｊ！ＧａＡｓ薄膜等に電極を形或する
必要がある場合）には有効な手段がなかった。
本発明は上記課題を解決するためのもので、酸化物の形
成された表面でもエッチング処理を施すことなく、低接
触抵抗のオーミツク電極が形或できる電極形戒方法及び
電極を提供することを目的とする。
成された表面でもエッチング処理を施すことなく、低接
触抵抗のオーミツク電極が形或できる電極形戒方法及び
電極を提供することを目的とする。
本発明は、Ａｊ７ＧａＡｓ基板のＡＪ！Ａｓ混晶比が０
≦ＡＪ！Ａｓ＜ ｌであり、Ｉｎに少なくともＰｔとＡ
ｕの両方を含んだ合金電極を形成することを特徴とする
。
≦ＡＪ！Ａｓ＜ ｌであり、Ｉｎに少なくともＰｔとＡ
ｕの両方を含んだ合金電極を形成することを特徴とする
。
本発明は、第１図に示すようにＡＩｌＧａＡｓ半導体ｌ
の表面に、Ｉｎ２ａ，Ａｕ２ｂ，Ｐｔ２ｃをそれぞれ蒸
着する。この場合蒸着の順序はどのようであってもよく
、また、必要に応じてドーバントとしてｎ型のＡｌＧａ
Ａｓの場合にはＴｅ、Ｓｎ，ＳｂＳＳｉを最大で５％、
通常１〜３％添加し、ｐ型の場合にはＺｎ，Ｂｅをｌ〜
８％添加する。蒸着後、３８０℃〜６１０℃で１０分以
上加熱処理すると、第２図に示すようにＩｎ２ａが半導
体との界面に入り込んで合金化が生じ、低接触抵抗のオ
ーミックコンタクト３が形成される。
の表面に、Ｉｎ２ａ，Ａｕ２ｂ，Ｐｔ２ｃをそれぞれ蒸
着する。この場合蒸着の順序はどのようであってもよく
、また、必要に応じてドーバントとしてｎ型のＡｌＧａ
Ａｓの場合にはＴｅ、Ｓｎ，ＳｂＳＳｉを最大で５％、
通常１〜３％添加し、ｐ型の場合にはＺｎ，Ｂｅをｌ〜
８％添加する。蒸着後、３８０℃〜６１０℃で１０分以
上加熱処理すると、第２図に示すようにＩｎ２ａが半導
体との界面に入り込んで合金化が生じ、低接触抵抗のオ
ーミックコンタクト３が形成される。
この場合、ＩｎはＰｔとＡｕの存在によって酸化ＡＩが
存在していても低接触抵抗が得られる。この、ＰｔとＡ
ｕは合金化した界面において、それぞれ５重量％以上で
あることが望ましい。また、ドーパントを添加すると、
これが拡散されることで表面のキャリア濃度を高め、オ
ーミック接触を得やすくすることができる。ただし、ド
ーバント単体ではＡｌＧａＡｓ中に拡敗せず、Ａｕおよ
びＰｔが存在することによってはじめて効果的に作用す
る。
存在していても低接触抵抗が得られる。この、ＰｔとＡ
ｕは合金化した界面において、それぞれ５重量％以上で
あることが望ましい。また、ドーパントを添加すると、
これが拡散されることで表面のキャリア濃度を高め、オ
ーミック接触を得やすくすることができる。ただし、ド
ーバント単体ではＡｌＧａＡｓ中に拡敗せず、Ａｕおよ
びＰｔが存在することによってはじめて効果的に作用す
る。
なお、電極のアロイ温度は３８０℃〜６１０℃の温度範
囲で可能であるが、通常は表面の平坦性と再現性とから
５１０℃付近で行うのが望ましい。
囲で可能であるが、通常は表面の平坦性と再現性とから
５１０℃付近で行うのが望ましい。
本発明は、混晶比が０≦Ａｊ！Ａｓ＜ １であるＡＩｌ
ＧａＡＳ基板に電極を形或する場合、ＩｎにＰｔとＡｕ
の両方を含ませて加熱することにより、良好な合金電極
を形成することができ、またドーパントを添加すること
によりキャリア濃度を高めて、より良好なオーミック接
触を得ることができ、Ａｊ！Ａｓ混晶比が高く、表面層
が酸化されていてもエッチング処理を施すことなく低接
触抵抗のオーミック電極を形成することができる。勿論
、本発明はＡｊ！Ａｓ混晶比が低い場合にも適用できる
ことは言うまでもない。
ＧａＡＳ基板に電極を形或する場合、ＩｎにＰｔとＡｕ
の両方を含ませて加熱することにより、良好な合金電極
を形成することができ、またドーパントを添加すること
によりキャリア濃度を高めて、より良好なオーミック接
触を得ることができ、Ａｊ！Ａｓ混晶比が高く、表面層
が酸化されていてもエッチング処理を施すことなく低接
触抵抗のオーミック電極を形成することができる。勿論
、本発明はＡｊ！Ａｓ混晶比が低い場合にも適用できる
ことは言うまでもない。
〔実施例１］
Ａｊ！Ａｓ混晶比が０．７０、キャリア濃度１×ＩＱｌ
ｆｆＣ『３のｎ型ＡＩＧａＡｓ基板上にＴｅを添加して
Ｉｎ％Ｐｔ％Ａｕを蒸着し、窒素雰囲気中で５１０℃、
１５分間加熱処理し、 Ｉｎ： ５４重量％ Ｔｅ： １重量％ Ｐｔ： 約７重量％ Ａｕ： ３８・重量％ の組戊の合金を１１０μｍφの大きさで５００μｍ間隔
で形或し、オーミック性および接触抵抗を測定した。
ｆｆＣ『３のｎ型ＡＩＧａＡｓ基板上にＴｅを添加して
Ｉｎ％Ｐｔ％Ａｕを蒸着し、窒素雰囲気中で５１０℃、
１５分間加熱処理し、 Ｉｎ： ５４重量％ Ｔｅ： １重量％ Ｐｔ： 約７重量％ Ａｕ： ３８・重量％ の組戊の合金を１１０μｍφの大きさで５００μｍ間隔
で形或し、オーミック性および接触抵抗を測定した。
測定総数９６０中、非才一ミック性のものは０、才一ミ
ック性のものは９６０で１００％の才−ミック性が達成
され、平均の接触抵抗は２．６３Ｘ１０−４Ωｃｄであ
った。
ック性のものは９６０で１００％の才−ミック性が達成
され、平均の接触抵抗は２．６３Ｘ１０−４Ωｃｄであ
った。
〔比較例１〕
実施例１と同様の条件で、
Ｉｎ： ９７重量％
Ｔｅ： ３重量％
の組或の合金を形成し、オーミック性および接触抵抗を
測定した。
測定した。
測定総数２４５中非オーミック性のものは２４５、オー
ミック性のものは０で、オーミック性は０％、平均の接
触抵抗は３．４４Ｘ１０−’ΩｃｒＩ以上であった。
ミック性のものは０で、オーミック性は０％、平均の接
触抵抗は３．４４Ｘ１０−’ΩｃｒＩ以上であった。
〔比較例２〕
実施例１と同様の条件で、
Ｉｎ： ９７重量％
Ｔｅ： ３重量％
の組或の合金を形威し、才−ミック性および接触抵抗を
測定した。
測定した。
測定総数７６７中非オーミック性のものは４６６、才一
ミック性のものは３０１で、オーミック性は３９．２％
、平均の接触抵抗は１．５３Ｘ１０−ｌΩｄであった。
ミック性のものは３０１で、オーミック性は３９．２％
、平均の接触抵抗は１．５３Ｘ１０−ｌΩｄであった。
以上のように本発明によれば、ＡＩＧａＡｓ半導体上に
Ｉｎに少なくともＰｔ，Ａｕを蒸着して合金化処理する
ことにより、Ａｊ！Ａｓ混晶比が高く、酸化ＡＩの形成
された表面でも低接触抵抗の合金電極を形成することが
でき、エッチング処理を施すことなく、低接触抵抗のオ
ーミック電極が得られる。
Ｉｎに少なくともＰｔ，Ａｕを蒸着して合金化処理する
ことにより、Ａｊ！Ａｓ混晶比が高く、酸化ＡＩの形成
された表面でも低接触抵抗の合金電極を形成することが
でき、エッチング処理を施すことなく、低接触抵抗のオ
ーミック電極が得られる。
第１図、第２図は本発明のＩｎ電極形或を説明するため
の図である。 ｌ・・・ＡｌＧａＡｓ半導体、２・・・電極、３・・・
才一ミックコンタクト。 出 願 人 三菱モンサント化成株式会社（外ｌ名
）
の図である。 ｌ・・・ＡｌＧａＡｓ半導体、２・・・電極、３・・・
才一ミックコンタクト。 出 願 人 三菱モンサント化成株式会社（外ｌ名
）
Claims (3)
- （１）ＡｌＡｓ混晶比が０≦ＡｌＡｓ＜１のＡｌＧａＡ
ｓ半導体上にＩｎ及び少なくともＰｔ、Ａｕを蒸着し、
合金化処理することを特徴とするＡｌＧａＡｓ半導体の
Ｉｎ合金形成方法。 - （２）ＡｌＧａＡｓ半導体のＡｌＡｓ混晶比が０≦Ａｌ
Ａｓ＜１であり、該半導体上に形成され、Ｉｎに少なく
ともＰｔとＡｕの両方を含んだ合金からなるＡｌＧａＡ
ｓ半導体のＩｎ合金電極。 - （３）Ｐｔ及びＡｕの含有量は、それぞれ０．１ｐｐｍ
以上である請求項２記載のＩｎ合金電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15932989A JP2792674B2 (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | Ａ▲ｌ▼ＧａＡｓの半導体のＩｎ合金形成方法及びＩｎ合金電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15932989A JP2792674B2 (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | Ａ▲ｌ▼ＧａＡｓの半導体のＩｎ合金形成方法及びＩｎ合金電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0324722A true JPH0324722A (ja) | 1991-02-01 |
| JP2792674B2 JP2792674B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=15691439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15932989A Expired - Fee Related JP2792674B2 (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | Ａ▲ｌ▼ＧａＡｓの半導体のＩｎ合金形成方法及びＩｎ合金電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2792674B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001068729A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Kyocera Corp | Ｌｅｄアレイ |
-
1989
- 1989-06-21 JP JP15932989A patent/JP2792674B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001068729A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Kyocera Corp | Ｌｅｄアレイ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2792674B2 (ja) | 1998-09-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3739951B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2953468B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法 | |
| JP2803741B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法 | |
| JP4023121B2 (ja) | ｎ型電極、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子、ｎ型電極の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
| JP2001015811A (ja) | 透光性電極用膜及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 | |
| CN1241820A (zh) | 使化合物半导体层激活成为p－型化合物半导体层的方法 | |
| JPH1022494A (ja) | オーミック電極およびその形成方法 | |
| JPS5932055B2 (ja) | 接点を有する半導体装置の製造方法 | |
| JP2907452B2 (ja) | 化合物半導体用電極 | |
| JP4281569B2 (ja) | 半導体発光素子用エピタキシャルウェハの製造方法 | |
| JPH0324722A (ja) | ＡｌＧａＡｓ半導体のＩｎ合金形成方法及びＩｎ合金電極 | |
| JP2005340860A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3060931B2 (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
| JPS6143846B2 (ja) | ||
| JP3309745B2 (ja) | ＧａＮ系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH03184377A (ja) | 化合物半導体用電極 | |
| JP3410166B2 (ja) | 赤色発光ダイオード素子 | |
| JP2000101134A (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法および窒化物半導体素子 | |
| JP3267480B2 (ja) | 化合物半導体の製造方法及び化合物半導体のオーム性電極の形成方法 | |
| JPS6220383A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| KR100453017B1 (ko) | 화합물반도체용전극재료 | |
| JP4572430B2 (ja) | オーミック電極の形成方法 | |
| JPH10256184A (ja) | ｐ型窒化物半導体の電極および前記電極を有する半導体素子およびその製造方法 | |
| JP4142958B2 (ja) | 金属酸化物の成膜方法 | |
| JP2827862B2 (ja) | 化合物半導体のオーム性電極及びその形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |