JPS6143846B2 - - Google Patents
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- JPS6143846B2 JPS6143846B2 JP52105770A JP10577077A JPS6143846B2 JP S6143846 B2 JPS6143846 B2 JP S6143846B2 JP 52105770 A JP52105770 A JP 52105770A JP 10577077 A JP10577077 A JP 10577077A JP S6143846 B2 JPS6143846 B2 JP S6143846B2
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- Japan
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- film
- compound semiconductor
- germanium
- gold
- gap
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/832—Electrodes characterised by their material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
- H10D64/0116—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor to Group III-V semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
- H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/85—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
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- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
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- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置に係り、特に燐化ガリウ
ム（GaP）などの化合物半導体への電極を改良し
た化合物半導体装置に関する。
ム（GaP）などの化合物半導体への電極を改良し
た化合物半導体装置に関する。
一般に化合物半導体を用いた装置として、発光
ダイオード、半導体レーザ、或いはカンダイオー
ドなどのマイクロ波素子などがある。このうち最
近最も使用されつつあるものとしてGaP結晶或い
はGaAsP結晶を用いた発光ダイオードがあり、
自動車或いは工業計測器などの表示、時計の表示
などに用いられている。
ダイオード、半導体レーザ、或いはカンダイオー
ドなどのマイクロ波素子などがある。このうち最
近最も使用されつつあるものとしてGaP結晶或い
はGaAsP結晶を用いた発光ダイオードがあり、
自動車或いは工業計測器などの表示、時計の表示
などに用いられている。
ところで単結晶だけでは何ら有効な作用は行な
えず、必らず単結晶のある面に電極膜を形成し、
その電極へ駆動エネルギーを与えて、初めて化合
物半導体特有の装置として評価される。例えば
GaP発光ダイオードの場合、ｎ型GaP単結晶基板
上にｎ層とｐ層をエピタキシヤル成長させ、ｎ型
GaP基板ｐ層面に夫々の電極膜を形成し、その両
電極膜に電流を流して、ｐ−ｎ接合面で発光させ
るのが通例である。そしてこれらの電極の材質に
は、次のような制限がある。即ち、化合物半導
体（GaP）結晶の特有な面とオーミツク接触する
事、ボンデイング性が良い事、微細パターニ
ングが出来る事、500℃以上の耐熱性がある
事、耐薬品性特に耐酸性がある事、容易に膜
として形成でき且つ量産性がある事等の条件を満
足しなければならない。そしてGaP発光素子の電
極の場合、ｎ型GaP基板の電極として２％Si−98
％Auの合金膜が一般的に使用されている。これ
らの膜は上記条件をほゞ満足するが、量産性、公
害性、発光の効率等で十分ではない。
えず、必らず単結晶のある面に電極膜を形成し、
その電極へ駆動エネルギーを与えて、初めて化合
物半導体特有の装置として評価される。例えば
GaP発光ダイオードの場合、ｎ型GaP単結晶基板
上にｎ層とｐ層をエピタキシヤル成長させ、ｎ型
GaP基板ｐ層面に夫々の電極膜を形成し、その両
電極膜に電流を流して、ｐ−ｎ接合面で発光させ
るのが通例である。そしてこれらの電極の材質に
は、次のような制限がある。即ち、化合物半導
体（GaP）結晶の特有な面とオーミツク接触する
事、ボンデイング性が良い事、微細パターニ
ングが出来る事、500℃以上の耐熱性がある
事、耐薬品性特に耐酸性がある事、容易に膜
として形成でき且つ量産性がある事等の条件を満
足しなければならない。そしてGaP発光素子の電
極の場合、ｎ型GaP基板の電極として２％Si−98
％Auの合金膜が一般的に使用されている。これ
らの膜は上記条件をほゞ満足するが、量産性、公
害性、発光の効率等で十分ではない。
そこで本発明者等はまず、ｎ型GaP基板電極膜
の検討を行つた結果Si−Au合金膜よりもGe−Au
合金膜の方が発光素子として数段優れている事を
見出した。
の検討を行つた結果Si−Au合金膜よりもGe−Au
合金膜の方が発光素子として数段優れている事を
見出した。
なおこのGe−Au合金膜はGaAs結晶を用いた
ガンダイオード等の電極膜として知られている。
ところがGe−Au合金膜一層のみでは、オーミツ
ク接触となさせる450℃以上の加熱工程で、膜が
変形し不連続な小塊もしくは球体となるといわれ
ている。これを防止するために、12％Ge−Au膜
を形成し、その上にNi等のGe並びにAuの溶解度
が低い膜を積層させて、加熱処理する手段が知ら
れている。この手段は特公昭42−24852号公報に
詳述されている。ところがこの公告公報はGaAs
結晶に限定されているので、本発明者等はGaP結
晶にも適用可能か否かを検討を行つた。その結果
オーミツク性については多少異なる点はあるが、
上記Ge−Au合金膜組成では小塊状となり、Ni等
の膜が必要である点で同等であつた。
ガンダイオード等の電極膜として知られている。
ところがGe−Au合金膜一層のみでは、オーミツ
ク接触となさせる450℃以上の加熱工程で、膜が
変形し不連続な小塊もしくは球体となるといわれ
ている。これを防止するために、12％Ge−Au膜
を形成し、その上にNi等のGe並びにAuの溶解度
が低い膜を積層させて、加熱処理する手段が知ら
れている。この手段は特公昭42−24852号公報に
詳述されている。ところがこの公告公報はGaAs
結晶に限定されているので、本発明者等はGaP結
晶にも適用可能か否かを検討を行つた。その結果
オーミツク性については多少異なる点はあるが、
上記Ge−Au合金膜組成では小塊状となり、Ni等
の膜が必要である点で同等であつた。
しかしながらGe−Au合金膜上にNi等の膜を積
層すると、膜の形成が複雑となり、また微細加工
等が困難となり、量産性、再現性、歩留りが著し
く低下する。
層すると、膜の形成が複雑となり、また微細加工
等が困難となり、量産性、再現性、歩留りが著し
く低下する。
そこで本発明者等は、Ge−Au合金膜一層のみ
で例えばｎ型GaP結晶とオーミツク接触するか否
かの検討を重ねた。その結果、Geの重量比がオ
ーミツク接触及び膜の変形に多大に寄与し、Ge
の重量比をある範囲内に規定すれば膜の変形を防
ぎ且つオーミツク接触をなすことを見出した。
で例えばｎ型GaP結晶とオーミツク接触するか否
かの検討を重ねた。その結果、Geの重量比がオ
ーミツク接触及び膜の変形に多大に寄与し、Ge
の重量比をある範囲内に規定すれば膜の変形を防
ぎ且つオーミツク接触をなすことを見出した。
本発明は上記実験事実に基づいてなされたもの
で、ｎ型化合物半導体にGe−Au合金膜一層のみ
でオーミツク接触をなすようにした化合物半導体
装置を提供するものである。
で、ｎ型化合物半導体にGe−Au合金膜一層のみ
でオーミツク接触をなすようにした化合物半導体
装置を提供するものである。
以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。
まず、上記の実験結果を第１図に示す。この図
で横軸はGe−Au合金膜でのGeの重量％、縦軸は
接触抵抗値で、図中〇印はオーミツク接触、×印
は整流性接触、△印はその中間である。図から明
らかな如く、Geの重量％が約0.07から約1.2の範
囲でのGeを含んだAu膜でのみオーミツク接触と
なる。なお、この実験は、２〜３×1017cm-3のド
ナー濃度をもつたｎ型GaPを基板とし、真空蒸着
法にてAu−Ge膜を形成したものである。Geの重
量比変化は抵抗加熱するタングステンボート蒸発
源へチヤージするAuとGeの量を変えて、蒸発さ
せた。膜を形成後500℃10分間熱処理を行ない、
電極パターンを微細加工し、プローパにて、接触
抵抗値を測定した。AuGe膜厚は0.3〜0.5μｍで
ある。第１図に図示した如く、1.2％以上のGeを
含んだ膜では、500℃の熱処理後、膜は小塊状に
変形し、Geの量が多い程その塊は大きくなる。
又オーミツク性もGe量が多くなるにつれ悪くな
り、1.5％以上では完全に整流性となる。一方1.2
％以下のGeを含んだ膜では500℃の熱処理後で
も、膜の形態を保つており、なんら変形しない。
これらの膜のオーミツク接触性を評価した所、
Ge量が0.07％〜1.2％の範囲で直流接触となり、
0.07％を下回れば整流接触となることが判明し
た。この原因を第２図に示したAu−Geの合金状
態図を基にして推察してみると次のようになつ
た。
で横軸はGe−Au合金膜でのGeの重量％、縦軸は
接触抵抗値で、図中〇印はオーミツク接触、×印
は整流性接触、△印はその中間である。図から明
らかな如く、Geの重量％が約0.07から約1.2の範
囲でのGeを含んだAu膜でのみオーミツク接触と
なる。なお、この実験は、２〜３×1017cm-3のド
ナー濃度をもつたｎ型GaPを基板とし、真空蒸着
法にてAu−Ge膜を形成したものである。Geの重
量比変化は抵抗加熱するタングステンボート蒸発
源へチヤージするAuとGeの量を変えて、蒸発さ
せた。膜を形成後500℃10分間熱処理を行ない、
電極パターンを微細加工し、プローパにて、接触
抵抗値を測定した。AuGe膜厚は0.3〜0.5μｍで
ある。第１図に図示した如く、1.2％以上のGeを
含んだ膜では、500℃の熱処理後、膜は小塊状に
変形し、Geの量が多い程その塊は大きくなる。
又オーミツク性もGe量が多くなるにつれ悪くな
り、1.5％以上では完全に整流性となる。一方1.2
％以下のGeを含んだ膜では500℃の熱処理後で
も、膜の形態を保つており、なんら変形しない。
これらの膜のオーミツク接触性を評価した所、
Ge量が0.07％〜1.2％の範囲で直流接触となり、
0.07％を下回れば整流接触となることが判明し
た。この原因を第２図に示したAu−Geの合金状
態図を基にして推察してみると次のようになつ
た。
この状態図より356℃の共晶温度では1.2％Ge
の最大固溶限があり、室温では0.07％Geの固溶
限がある事が判明した。これらの数値は奇しくも
本発明者等のオーミツク接触するGe量の範囲の
数値と一致する。又、状態図は次の事項を示して
いる。０〜0.07％Geを含むAuGe合金は熱処理に
も固溶体を保つているが、0.07％〜1.2％Geを含
むAuGe合金は熱処理中最大1.2％のGeを含む固
溶体となり、通常の冷却では100％Geが少し混在
した0.07％Geの固溶体となり、共晶組織をもつ
ていない。また1.2％Ge以上を含むAuGe合金
は、熱処理中1.2％Geの固溶体と100％Ge、及び
それらの共晶組織の３者が混在し、冷却後共晶組
織の中に100％Geが混在した0.07％Geの固溶体が
点在している状態となる。
の最大固溶限があり、室温では0.07％Geの固溶
限がある事が判明した。これらの数値は奇しくも
本発明者等のオーミツク接触するGe量の範囲の
数値と一致する。又、状態図は次の事項を示して
いる。０〜0.07％Geを含むAuGe合金は熱処理に
も固溶体を保つているが、0.07％〜1.2％Geを含
むAuGe合金は熱処理中最大1.2％のGeを含む固
溶体となり、通常の冷却では100％Geが少し混在
した0.07％Geの固溶体となり、共晶組織をもつ
ていない。また1.2％Ge以上を含むAuGe合金
は、熱処理中1.2％Geの固溶体と100％Ge、及び
それらの共晶組織の３者が混在し、冷却後共晶組
織の中に100％Geが混在した0.07％Geの固溶体が
点在している状態となる。
一方、本発明者等の薄膜としたGe−Au合金膜
の結果と対応させると、熱処理による小塊状への
変形は、膜内に共晶組織が存在した場合と一致
し、しかも前述の特許の内容と一致する。これら
から膜が共晶状態になつた時、GeとAuとの相互
拡散がGaPへの拡散よりも極めて早い速度で発生
し膜が小塊状になると推定できる。
の結果と対応させると、熱処理による小塊状への
変形は、膜内に共晶組織が存在した場合と一致
し、しかも前述の特許の内容と一致する。これら
から膜が共晶状態になつた時、GeとAuとの相互
拡散がGaPへの拡散よりも極めて早い速度で発生
し膜が小塊状になると推定できる。
このため、オーミツク接触するのに必要なGe
又はGe−AuのGaPへの拡散反応量が不足とな
り、オーミツク接触は不可能となるのであろう。
また共晶組織とならない1.2％Ge以下のGe−Au
膜は、小塊状に変形せず、膜状態を保つている。
しかしオーミツク接触となるためには、Ge又は
Ge−Au量がある量以上は必要であり、その最低
限が0.07％Geであるとみなせる。又は0.07〜1.2
％Ge以上の特有な固溶体内に混在する100％Ge
が、オーミツク接触に重要な因子となつているの
かも知れない。これらの微量なGe量の検知は分
析機器の分解能を超えているため不可能である。
化合物半導体と電極膜とのオーミツク接触機構
は、材質からだけでも４要素あり、複雑なため解
明されていない。従つて本発明者等の実験結果か
ら得られた固溶体内に混在する100％Geが、主要
な因子となるとすると、現象解析が一段階簡便に
なる可能性も含まれている。
又はGe−AuのGaPへの拡散反応量が不足とな
り、オーミツク接触は不可能となるのであろう。
また共晶組織とならない1.2％Ge以下のGe−Au
膜は、小塊状に変形せず、膜状態を保つている。
しかしオーミツク接触となるためには、Ge又は
Ge−Au量がある量以上は必要であり、その最低
限が0.07％Geであるとみなせる。又は0.07〜1.2
％Ge以上の特有な固溶体内に混在する100％Ge
が、オーミツク接触に重要な因子となつているの
かも知れない。これらの微量なGe量の検知は分
析機器の分解能を超えているため不可能である。
化合物半導体と電極膜とのオーミツク接触機構
は、材質からだけでも４要素あり、複雑なため解
明されていない。従つて本発明者等の実験結果か
ら得られた固溶体内に混在する100％Geが、主要
な因子となるとすると、現象解析が一段階簡便に
なる可能性も含まれている。
以上の実験結果と推察よりGe量の範囲を限定
すれば、AuGe膜一層で電極膜を形成できる様に
なつた。このため従来の如く、Ni等の膜を積層
する手間が省け、特殊な蒸着装置が必要なくな
り、かつ微細加工が容易となり、膜形成の効率向
上、量産性の向上が飛躍的に達成できる。又、従
来のAu−Si膜に比べても膜の形成法は容易であ
り、量産性も極めて優れている。この理由はAu
とSiの場合、両者の蒸気圧が異なる点と、Siと蒸
発源とが反応する点とから、蒸着するには熟練を
要し、蒸発源例えばタングステンボートは１回し
か使用できない。これに対し、AuとGeの場合に
は、両者の蒸気圧は近接しており、かつ蒸発源例
えばタングステンボートとGeとは全く反応、合
金化しない。従つてボートは何回も使用でき、蒸
着は極めて簡単にできる。
すれば、AuGe膜一層で電極膜を形成できる様に
なつた。このため従来の如く、Ni等の膜を積層
する手間が省け、特殊な蒸着装置が必要なくな
り、かつ微細加工が容易となり、膜形成の効率向
上、量産性の向上が飛躍的に達成できる。又、従
来のAu−Si膜に比べても膜の形成法は容易であ
り、量産性も極めて優れている。この理由はAu
とSiの場合、両者の蒸気圧が異なる点と、Siと蒸
発源とが反応する点とから、蒸着するには熟練を
要し、蒸発源例えばタングステンボートは１回し
か使用できない。これに対し、AuとGeの場合に
は、両者の蒸気圧は近接しており、かつ蒸発源例
えばタングステンボートとGeとは全く反応、合
金化しない。従つてボートは何回も使用でき、蒸
着は極めて簡単にできる。
さらに発光ダイオードではその発光効率が大き
い程明るい表示が得られ、かつ駆動エネルギーも
減少できる。発光効率はｐ−ｎ接合の特性で決ま
るが、その発光センターに最近接している電極膜
の対向面が黒色であると、そこで光の吸収が発生
し、発光効率は低下する。なおAuSi膜ではSiに
よる黒色化があり、AuGe膜では黒色化は発生せ
ず、金色をしている。このため、発光ダイオード
としても、AuSi膜よりもGe−Au膜を使用するの
が望ましい。
い程明るい表示が得られ、かつ駆動エネルギーも
減少できる。発光効率はｐ−ｎ接合の特性で決ま
るが、その発光センターに最近接している電極膜
の対向面が黒色であると、そこで光の吸収が発生
し、発光効率は低下する。なおAuSi膜ではSiに
よる黒色化があり、AuGe膜では黒色化は発生せ
ず、金色をしている。このため、発光ダイオード
としても、AuSi膜よりもGe−Au膜を使用するの
が望ましい。
なお、上記説明ではGaP発光ダイオードについ
て説明したが、GaAs結晶若しくはGaAsP結晶を
用いた発光ダイオード、GaAs結晶を用いたマイ
クロ波素子、GaAsなどを用いた半導体レーザに
も用いることが可能である。
て説明したが、GaAs結晶若しくはGaAsP結晶を
用いた発光ダイオード、GaAs結晶を用いたマイ
クロ波素子、GaAsなどを用いた半導体レーザに
も用いることが可能である。
第１図は本発明に至る実験結果を示す曲線図、
第２図はGe−Au合金の状態図である。
第２図はGe−Au合金の状態図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ｎ型化合物半導体に、金に対するゲルマニウ
ムの重量パーセントが室温でのゲルマニウムの固
溶限濃度の重量パーセントから共晶温度でのゲル
マニウムの固溶限濃度の重量パーセントまでの範
囲にあるゲルマニウム−金の合金膜を設けたこと
を特徴とする化合物半導体装置。 ２ ｎ型化合物半導体に、金に対するゲルマニウ
ムの重量パーセントが0.07重量パーセントから
1.2重量パーセントまでの範囲にあるゲルマニウ
ム−金の合金膜を設けたことを特徴とする前記特
許請求の範囲第１項記載の化合物半導体装置。 ３ 前記ｎ型化合物半導体として燐化ガリウム結
晶を用いたことを特徴とする前記特許請求の範囲
第１項記載の化合物半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10577077A JPS5439573A (en) | 1977-09-05 | 1977-09-05 | Compound semiconductor device |
| US05/937,786 US4228455A (en) | 1977-09-05 | 1978-08-29 | Gallium phosphide semiconductor device having improved electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10577077A JPS5439573A (en) | 1977-09-05 | 1977-09-05 | Compound semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5439573A JPS5439573A (en) | 1979-03-27 |
| JPS6143846B2 true JPS6143846B2 (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=14416394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10577077A Granted JPS5439573A (en) | 1977-09-05 | 1977-09-05 | Compound semiconductor device |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4228455A (ja) |
| JP (1) | JPS5439573A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL186354C (nl) * | 1981-01-13 | 1990-11-01 | Sharp Kk | Halfgeleiderinrichting die uit iii-v verbindingen bestaat, met een samengestelde elektrode. |
| EP0105324A4 (en) * | 1982-04-12 | 1986-07-24 | Motorola Inc | OHMIC CONTACT FOR TYPE N. GaAs |
| JPS5922376A (ja) * | 1982-07-28 | 1984-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 純緑色発光ダイオ−ドおよびその製造方法 |
| US4495431A (en) * | 1983-08-22 | 1985-01-22 | United Technologies Corporation | Low reflectivity surface-mounted electrodes on semiconductive saw devices |
| DE3517132A1 (de) * | 1985-05-11 | 1986-11-13 | Jürgen 6074 Rödermark Wisotzki | Halbleiterelement mit einem elektrisch leitend mit ihm verbundenen mikroelement sowie verfahren zur herstellung der verbindung |
| DE59308636D1 (de) * | 1992-08-28 | 1998-07-09 | Siemens Ag | Leuchtdiode |
| JP3216354B2 (ja) * | 1993-08-11 | 2001-10-09 | ソニー株式会社 | オーミック電極およびその形成方法ならびに半導体装置 |
| JP2004235649A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 電気コンタクト領域を備えたモジュールの製造方法および半導体層列および活性ゾーンを有するモジュール |
| DE10308322B4 (de) * | 2003-01-31 | 2014-11-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbereiches auf einer Halbleiterschicht und Bauelement mit derartigem Kontaktbereich |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3532562A (en) * | 1968-10-28 | 1970-10-06 | Us Navy | Ohmic low resistance contact to gallium arsenide |
| GB1374626A (en) * | 1970-10-30 | 1974-11-20 | Matsushita Electronics Corp | Method of making a semiconductor device |
| USRE27879E (en) | 1970-12-28 | 1974-01-08 | Ohmic contact for group iii-v p-type semiconductors | |
| US3728785A (en) * | 1971-04-15 | 1973-04-24 | Monsanto Co | Fabrication of semiconductor devices |
| JPS5644564B2 (ja) * | 1972-12-14 | 1981-10-20 | ||
| JPS5522938B2 (ja) * | 1973-03-09 | 1980-06-19 | ||
| US3871016A (en) * | 1973-12-26 | 1975-03-11 | Gen Electric | Reflective coated contact for semiconductor light conversion elements |
| JPS5194765A (en) * | 1975-02-19 | 1976-08-19 | Kagobutsuhandotaino oomuseidenkyoku | |
| FR2324123A1 (fr) * | 1975-09-11 | 1977-04-08 | Radiotechnique Compelec | Procede de realisation d'un reseau de bandelettes metalliques sur un materiau semiconducteur, notamment sur un compose iii-v |
-
1977
- 1977-09-05 JP JP10577077A patent/JPS5439573A/ja active Granted
-
1978
- 1978-08-29 US US05/937,786 patent/US4228455A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4228455A (en) | 1980-10-14 |
| JPS5439573A (en) | 1979-03-27 |
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