JPH0324736A - 半導体薄膜の形成方法 - Google Patents
半導体薄膜の形成方法Info
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- JPH0324736A JPH0324736A JP16048089A JP16048089A JPH0324736A JP H0324736 A JPH0324736 A JP H0324736A JP 16048089 A JP16048089 A JP 16048089A JP 16048089 A JP16048089 A JP 16048089A JP H0324736 A JPH0324736 A JP H0324736A
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- conductivity type
- amorphous semiconductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体薄膜の形成方法に関し、特に半導体接合
部を有する単結晶半導体薄膜の形成方法に関する． （従来の技術及びその問題点） 従来から非晶質半導体層にレーザー光を照射して非晶質
半導体層を溶融一固化させて単結晶化するレーザービー
ム結晶化法がある．このレーザービーム結晶化法を応用
して三次元ＩＣ等を製造する方法も種々提案されている
が、三次元ＩＣを製造する場合基板は必ず単結晶シリコ
ン基板に限られてしまい、大面積化は到底望めないと共
に、半導体層に不純物イオンを拡散する場合イオン注入
法や熱拡散法で行うことから、不純物イオンを広い領域
にわたって均一に拡散させることができなかったり、高
温加熱に耐えられる基板を用いなければならない等技術
上不可、避の問題がある．そこで、このような問題を解
決する方法として例えば特開昭６２−２１４６６８号公
報では一第３図に示すように、基板１１として大面積化
が可能で安価なガラス基板を用い、このガラス基板上に
ＳｉＯ２膜１２等を形成し、このＳｉＯ２膜の所定部分
に後にトランジスタのチャンネル領域を形成する不純物
となるホウ素１２ａとリン１２ｂをイオン注入法等で注
入し、このＳ ｚ ０２ 膜１ ２上にシリコン薄膜１
３を堆積させてシリコン薄膜１３にレーザー光を照射し
て加熱することによりＳ ｉ Ｏ２膜１２中の不純物を
シリコン薄膜１３に熱拡散させてチャンネル領域を形成
して、ガラス基板１１上に逆チャンネル型の薄膜トラン
ジスタ１８、２３等を形成することも提案されている．
ところが、この従来の薄膜トランジスタの製造方法では
、Ｓ ｉ Ｏ２膜１２に予めトランジスタのチャンネル
領域を形成する不純物をイオン注入法等で注入して置か
なければならず、製造工程が煩雑で装置も大掛かりなも
のを用意しなければならないという問題が依然としてあ
る． （発明の目的〉 本発明はこのような従来方法の問題点に鑑み案出された
ものであり、イオン注入法等の煩雑な工程や大掛かりな
装置を用いずに簡単に形成することができる半導体薄膜
単結晶の形成方法を提供することを目的とするものであ
る． （発明の構成） 本発明によれば、絶縁基板上に一導電型の非晶質半導体
層を被着形戒して所定部分を工・ソチング除去し、前記
絶縁基板上の一導電型非晶質半導体層を除去した部分に
前記一導電型とは反対の導電型の非晶質半導体層を前記
一導電型非晶質半導体層と接触した状態に被着形成し、
これら非晶質半導体層にレーザー光を照射して溶融・固
化させることにより半導体層を単結晶化すると同時に一
導電型半導体単結晶と他の導電型半導体単結晶とで構成
される半導体接合部を形成する半導体薄膜の形成方法が
提供される． 《実施例） 以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する． 第１図（ａ）（Ｗ （ｃ）（イ）は、本発明に係る半導
体薄膜の形成方法を説明するための図である． 本発明に係る方法に用いられる絶縁基板１は、ナトリウ
ムイオンをほとんど含有しないガラスや石英等からなり
、非晶質半導体層とのｇＢ張率の差や価格を考慮すると
＃７０５９基板等が好適に用いられる．基板１として＃
７０５９基板を用いる場合は、基板の表面に例えば酸化
シリコン膜（Ｓｉ０２）等を０．０１〜２．０１ｔｍ程
度の厚みに被着させて置くとよい．なぜなら、後述する
非晶質半導体層の結晶化工程で基板１からの不純物の混
入を阻止したり熱衝撃を緩和させることができるからで
ある． 次に、同図（ａ）に示すように、絶縁基ｖｉｌ上に一導
電型非晶質半導体層２を形成する．この非晶質半導体層
２は、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、或いは光ＣＶＤ
法等で形成される．プラズマＣｖＤ法で形成する場合、
プラズマ反応炉を２ＴＯｒｒ程度に減圧して、反応炉内
にモノシラン（ＳｉＨ．）等の水素化シリコンガスに不
純物用ガスをｌｐｐｍ〜１％程度混入させて絶縁基板１
を２００〜３００℃に加熱しながらグロー放電分解する
ことにより絶縁基板１上に堆積する．不純物用ガスとし
ては、ｎ型半導体層（例えば一導電型非晶質半導体層）
を形成する場合はフ才スフィン（ＰＨ３）等が用いられ
、ｐ型半導体層（例えば一導電型非晶質半導体層とは反
対の導電型非晶質半導体層〉を形戒する場合はジボラン
（８２ Ｈｓ ）等が用いられる．この不純物ガスの濃
度を調整することによって、最終的に形成される半導体
単結晶内の不純物濃度を１ ０ １２ｃ ｍ−’〜１
０２２ｃ ｍ−’の範囲内等で任意に調整することがで
きる．この非晶質半導体層２は、５００〜２００００人
程度の厚みに形成される． 次に、同図（日に示すように、一導電型非晶質半導体層
２の所定部分に有機材料等から成るフォトレジスト膜を
塗布して１〜１０％のフッ硝酸溶液（ Ｈ Ｎ ０３
＋ Ｈ Ｆ ）中に２〜６０分程度浸漬してフォトレジ
スト膜が塗布された部分以外の一導電型非晶質半導体層
２をエッチング除去する．次に、同図（ｃ）に示すよう
に、一導電型非晶質半導体層２がエッチング除去された
部分に一導電型非晶質半導体層とは反対の導電型非晶質
半導体層３をプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、或いは光
ＣＶＤ法により形成する．この一導電型非晶質半導体層
がエッチング除去された部分に反対の導電型非晶質半導
体層を形成するにあたっては、例えばメタルマスクで一
導電型非晶質半導体層を被覆してエッチング除去された
部分だけに反対の導電型の非晶質半導体層を堆積しても
よいし、全面に反対の導電型非晶質半導体層を堆積して
重複部分の反対の導電型の非晶質半導体層を除去して形
成してもよい．また、一導電型非晶質半導体層と反対の
導電型非晶質半導体層との間に間隙を生じないように接
触して形成する．尚、一導電型非晶質半導体層と反対の
導電型非晶質とは一部が重複するように形成してもよい
． 次に、絶縁基板１を５００〜６００℃に２時間程度加熱
して、非晶質半導体層２、３内の水素を排出する．即ち
、非晶質半導体層２、３を絶縁基板１に均質に堆積する
ためにはシリコンの結合手を飽和させるための水素を含
有させなければならない．例えば絶縁基板１を２００〜
３００℃に加熱して非晶質半導体膜２、３を堆積すると
非晶質半導体膜２、３中に１０２１個ｃｍ””程度の水
素が含有されてしまう．ところが、水素を含有した状態
で非晶質半導体膜２、３を単結晶化すると、レーザーを
照射して加熱した際に水素が突沸して非晶質半導体膜が
絶縁基板から剥離する．そこで、絶縁基板１を５００〜
６００℃に加熱して非晶質半導体層２、３中の水素を１
０′！個ｃ ｍ−’程度まで低減させる．なお、加熱処
理温度が５００℃未満の場合は含有水素量を所望値まで
低減させ難く、また６００℃以上の場合は非晶質半導体
層２、３が多結晶化して単結晶化工程で膜中にクラック
（亀裂）を生じ易くなる．従って、この加熱処理温度は
５００〜６００℃の範囲で行うことが望ましい． 次に、同図（イ）に示すように、非晶質半導体層２、３
にレーザー光を照射して単結晶化させると同時に一導電
型半導体単結晶２と反対の導電型半導体単結晶３とで構
成される半導体接合部を形成する．レーザーとしては、
．例えばビームスポットが２０〜１００μｍでパワー０
．５〜２０Ｗの連続発振アルゴンレーザー等が好適に用
いられ、走査速度は１〜２０ｃｍ／ｓｅｃ程度である．
レーザー光を照射すると非晶質半導体膜２、３は１４０
０℃以上に加熱されて瞬間的に溶融しレーザー光が通り
過ぎると瞬時に固化して単結晶化する．半導体接合部の
不純物拡散領域の境界を明瞭にしていわゆる逆方向特性
やリーク電流等の素子特性を向上させるためにレーザー
の走査速度は単結晶化できる範囲でできるだけ速くする
ことが望ましく、また溶融した非晶質半導体層２、３を
瞬時に固化させるために非晶質半導体層２、３上等に放
熱を促進するポリエチレングリコール等の粘性物質を塗
布してレーザー光を照射するとよい．また、非晶質半導
体層２、３上に酸化シリコンｌｉ （ Ｓ ｚ ０２
）等を０．５μｍ程度の厚みに例えばプラズマＣＶＤ法
等で被着して置くとよい．なぜなら、非晶質半導体層２
、３がレーザーで加熱された際の熱をいち早く吸収して
瞬時に固化させることができ、また大気中から非晶質半
導体層２、３内への汚染を防止でき、さらに非晶質半導
体層２、３の表面の波打ち等を防止できるからである．
なお、一導電型半導体単結晶２及び反対の導電型半導体
単結晶３の不純物濃度は非晶質半導体層２、３を形成す
る際の不純物ガスの濃度にそのまま依存している． 上記実施例では一導電型非晶質半導体層と他の導電型非
晶質半導体層とでｐ−ｎ接合を形成することについて述
べたが、全く同様の方法によって第２図（一〜（イ）に
示すようなれ４″−ｐ ｎ １″接合も形成すること
ができる． このように形成した半導体接合部を有する半導体薄膜２
、３上に例えば酸化シリコンや窒化シリコン等からなる
フィールド酸化膜やゲート絶縁膜を形成し、さらにアル
ミニュウムやニッケル等から成るソース電極、ゲート電
極、及びドレイン電極を所定部分に形成することにより
、異なるチャンネルのトランジスタで構成されるＣ−Ｍ
ＯＳ．｝−ランジスタを極めて容易に形成することがで
きる．（発明の効果〉 以上のように、本発明に係る半導体薄膜の形成方法によ
れば、絶縁基板上に７導電型の非晶質半導体層を被着形
成して所定部分をエッチング除去し、前記絶縁基板上の
一導電型非晶質半導体層を除去した部分に前記一導電型
とは反対の導電型の非晶質半導体層を前記一導電型非晶
質半導体層と接触した状態に被着形成し、これら非晶質
半導体層にレーザー光を照射して溶融・固化させること
により半導体層を単結晶化すると同時に一導電型半導体
単結晶と他の導電型半導体単結晶とで構成される半導体
接合部を形戒することから、例えばイオン注入装置のよ
うな大掛かりな装置を用いずに簡単な工程で大面積にわ
たって均質な半導体薄膜を高温処理工程を経ずに形成す
ることができ、もって基板としてガラス等の安価で大面
積の基板にＣ−ＭＯＳ等の異なるチャンネルのトランジ
スタを簡単に形成できる．
部を有する単結晶半導体薄膜の形成方法に関する． （従来の技術及びその問題点） 従来から非晶質半導体層にレーザー光を照射して非晶質
半導体層を溶融一固化させて単結晶化するレーザービー
ム結晶化法がある．このレーザービーム結晶化法を応用
して三次元ＩＣ等を製造する方法も種々提案されている
が、三次元ＩＣを製造する場合基板は必ず単結晶シリコ
ン基板に限られてしまい、大面積化は到底望めないと共
に、半導体層に不純物イオンを拡散する場合イオン注入
法や熱拡散法で行うことから、不純物イオンを広い領域
にわたって均一に拡散させることができなかったり、高
温加熱に耐えられる基板を用いなければならない等技術
上不可、避の問題がある．そこで、このような問題を解
決する方法として例えば特開昭６２−２１４６６８号公
報では一第３図に示すように、基板１１として大面積化
が可能で安価なガラス基板を用い、このガラス基板上に
ＳｉＯ２膜１２等を形成し、このＳｉＯ２膜の所定部分
に後にトランジスタのチャンネル領域を形成する不純物
となるホウ素１２ａとリン１２ｂをイオン注入法等で注
入し、このＳ ｚ ０２ 膜１ ２上にシリコン薄膜１
３を堆積させてシリコン薄膜１３にレーザー光を照射し
て加熱することによりＳ ｉ Ｏ２膜１２中の不純物を
シリコン薄膜１３に熱拡散させてチャンネル領域を形成
して、ガラス基板１１上に逆チャンネル型の薄膜トラン
ジスタ１８、２３等を形成することも提案されている．
ところが、この従来の薄膜トランジスタの製造方法では
、Ｓ ｉ Ｏ２膜１２に予めトランジスタのチャンネル
領域を形成する不純物をイオン注入法等で注入して置か
なければならず、製造工程が煩雑で装置も大掛かりなも
のを用意しなければならないという問題が依然としてあ
る． （発明の目的〉 本発明はこのような従来方法の問題点に鑑み案出された
ものであり、イオン注入法等の煩雑な工程や大掛かりな
装置を用いずに簡単に形成することができる半導体薄膜
単結晶の形成方法を提供することを目的とするものであ
る． （発明の構成） 本発明によれば、絶縁基板上に一導電型の非晶質半導体
層を被着形戒して所定部分を工・ソチング除去し、前記
絶縁基板上の一導電型非晶質半導体層を除去した部分に
前記一導電型とは反対の導電型の非晶質半導体層を前記
一導電型非晶質半導体層と接触した状態に被着形成し、
これら非晶質半導体層にレーザー光を照射して溶融・固
化させることにより半導体層を単結晶化すると同時に一
導電型半導体単結晶と他の導電型半導体単結晶とで構成
される半導体接合部を形成する半導体薄膜の形成方法が
提供される． 《実施例） 以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する． 第１図（ａ）（Ｗ （ｃ）（イ）は、本発明に係る半導
体薄膜の形成方法を説明するための図である． 本発明に係る方法に用いられる絶縁基板１は、ナトリウ
ムイオンをほとんど含有しないガラスや石英等からなり
、非晶質半導体層とのｇＢ張率の差や価格を考慮すると
＃７０５９基板等が好適に用いられる．基板１として＃
７０５９基板を用いる場合は、基板の表面に例えば酸化
シリコン膜（Ｓｉ０２）等を０．０１〜２．０１ｔｍ程
度の厚みに被着させて置くとよい．なぜなら、後述する
非晶質半導体層の結晶化工程で基板１からの不純物の混
入を阻止したり熱衝撃を緩和させることができるからで
ある． 次に、同図（ａ）に示すように、絶縁基ｖｉｌ上に一導
電型非晶質半導体層２を形成する．この非晶質半導体層
２は、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、或いは光ＣＶＤ
法等で形成される．プラズマＣｖＤ法で形成する場合、
プラズマ反応炉を２ＴＯｒｒ程度に減圧して、反応炉内
にモノシラン（ＳｉＨ．）等の水素化シリコンガスに不
純物用ガスをｌｐｐｍ〜１％程度混入させて絶縁基板１
を２００〜３００℃に加熱しながらグロー放電分解する
ことにより絶縁基板１上に堆積する．不純物用ガスとし
ては、ｎ型半導体層（例えば一導電型非晶質半導体層）
を形成する場合はフ才スフィン（ＰＨ３）等が用いられ
、ｐ型半導体層（例えば一導電型非晶質半導体層とは反
対の導電型非晶質半導体層〉を形戒する場合はジボラン
（８２ Ｈｓ ）等が用いられる．この不純物ガスの濃
度を調整することによって、最終的に形成される半導体
単結晶内の不純物濃度を１ ０ １２ｃ ｍ−’〜１
０２２ｃ ｍ−’の範囲内等で任意に調整することがで
きる．この非晶質半導体層２は、５００〜２００００人
程度の厚みに形成される． 次に、同図（日に示すように、一導電型非晶質半導体層
２の所定部分に有機材料等から成るフォトレジスト膜を
塗布して１〜１０％のフッ硝酸溶液（ Ｈ Ｎ ０３
＋ Ｈ Ｆ ）中に２〜６０分程度浸漬してフォトレジ
スト膜が塗布された部分以外の一導電型非晶質半導体層
２をエッチング除去する．次に、同図（ｃ）に示すよう
に、一導電型非晶質半導体層２がエッチング除去された
部分に一導電型非晶質半導体層とは反対の導電型非晶質
半導体層３をプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、或いは光
ＣＶＤ法により形成する．この一導電型非晶質半導体層
がエッチング除去された部分に反対の導電型非晶質半導
体層を形成するにあたっては、例えばメタルマスクで一
導電型非晶質半導体層を被覆してエッチング除去された
部分だけに反対の導電型の非晶質半導体層を堆積しても
よいし、全面に反対の導電型非晶質半導体層を堆積して
重複部分の反対の導電型の非晶質半導体層を除去して形
成してもよい．また、一導電型非晶質半導体層と反対の
導電型非晶質半導体層との間に間隙を生じないように接
触して形成する．尚、一導電型非晶質半導体層と反対の
導電型非晶質とは一部が重複するように形成してもよい
． 次に、絶縁基板１を５００〜６００℃に２時間程度加熱
して、非晶質半導体層２、３内の水素を排出する．即ち
、非晶質半導体層２、３を絶縁基板１に均質に堆積する
ためにはシリコンの結合手を飽和させるための水素を含
有させなければならない．例えば絶縁基板１を２００〜
３００℃に加熱して非晶質半導体膜２、３を堆積すると
非晶質半導体膜２、３中に１０２１個ｃｍ””程度の水
素が含有されてしまう．ところが、水素を含有した状態
で非晶質半導体膜２、３を単結晶化すると、レーザーを
照射して加熱した際に水素が突沸して非晶質半導体膜が
絶縁基板から剥離する．そこで、絶縁基板１を５００〜
６００℃に加熱して非晶質半導体層２、３中の水素を１
０′！個ｃ ｍ−’程度まで低減させる．なお、加熱処
理温度が５００℃未満の場合は含有水素量を所望値まで
低減させ難く、また６００℃以上の場合は非晶質半導体
層２、３が多結晶化して単結晶化工程で膜中にクラック
（亀裂）を生じ易くなる．従って、この加熱処理温度は
５００〜６００℃の範囲で行うことが望ましい． 次に、同図（イ）に示すように、非晶質半導体層２、３
にレーザー光を照射して単結晶化させると同時に一導電
型半導体単結晶２と反対の導電型半導体単結晶３とで構
成される半導体接合部を形成する．レーザーとしては、
．例えばビームスポットが２０〜１００μｍでパワー０
．５〜２０Ｗの連続発振アルゴンレーザー等が好適に用
いられ、走査速度は１〜２０ｃｍ／ｓｅｃ程度である．
レーザー光を照射すると非晶質半導体膜２、３は１４０
０℃以上に加熱されて瞬間的に溶融しレーザー光が通り
過ぎると瞬時に固化して単結晶化する．半導体接合部の
不純物拡散領域の境界を明瞭にしていわゆる逆方向特性
やリーク電流等の素子特性を向上させるためにレーザー
の走査速度は単結晶化できる範囲でできるだけ速くする
ことが望ましく、また溶融した非晶質半導体層２、３を
瞬時に固化させるために非晶質半導体層２、３上等に放
熱を促進するポリエチレングリコール等の粘性物質を塗
布してレーザー光を照射するとよい．また、非晶質半導
体層２、３上に酸化シリコンｌｉ （ Ｓ ｚ ０２
）等を０．５μｍ程度の厚みに例えばプラズマＣＶＤ法
等で被着して置くとよい．なぜなら、非晶質半導体層２
、３がレーザーで加熱された際の熱をいち早く吸収して
瞬時に固化させることができ、また大気中から非晶質半
導体層２、３内への汚染を防止でき、さらに非晶質半導
体層２、３の表面の波打ち等を防止できるからである．
なお、一導電型半導体単結晶２及び反対の導電型半導体
単結晶３の不純物濃度は非晶質半導体層２、３を形成す
る際の不純物ガスの濃度にそのまま依存している． 上記実施例では一導電型非晶質半導体層と他の導電型非
晶質半導体層とでｐ−ｎ接合を形成することについて述
べたが、全く同様の方法によって第２図（一〜（イ）に
示すようなれ４″−ｐ ｎ １″接合も形成すること
ができる． このように形成した半導体接合部を有する半導体薄膜２
、３上に例えば酸化シリコンや窒化シリコン等からなる
フィールド酸化膜やゲート絶縁膜を形成し、さらにアル
ミニュウムやニッケル等から成るソース電極、ゲート電
極、及びドレイン電極を所定部分に形成することにより
、異なるチャンネルのトランジスタで構成されるＣ−Ｍ
ＯＳ．｝−ランジスタを極めて容易に形成することがで
きる．（発明の効果〉 以上のように、本発明に係る半導体薄膜の形成方法によ
れば、絶縁基板上に７導電型の非晶質半導体層を被着形
成して所定部分をエッチング除去し、前記絶縁基板上の
一導電型非晶質半導体層を除去した部分に前記一導電型
とは反対の導電型の非晶質半導体層を前記一導電型非晶
質半導体層と接触した状態に被着形成し、これら非晶質
半導体層にレーザー光を照射して溶融・固化させること
により半導体層を単結晶化すると同時に一導電型半導体
単結晶と他の導電型半導体単結晶とで構成される半導体
接合部を形戒することから、例えばイオン注入装置のよ
うな大掛かりな装置を用いずに簡単な工程で大面積にわ
たって均質な半導体薄膜を高温処理工程を経ずに形成す
ることができ、もって基板としてガラス等の安価で大面
積の基板にＣ−ＭＯＳ等の異なるチャンネルのトランジ
スタを簡単に形成できる．
第１図（３）（ｉｊ （ｃ）（イ）はそれぞれ本発明に
係る薄膜半導体の製造方法を説明するための図、第２図
（ａ）（ｂｌ（ｃ）（イ）はそれぞれ他の実施例を説明
するための図、第３図は従来の半導体薄膜の製造方法を
説明するための図である． １、絶縁基板 ２、一導電型非晶質半導体層 ３、反対の導電型非晶質半導体層
係る薄膜半導体の製造方法を説明するための図、第２図
（ａ）（ｂｌ（ｃ）（イ）はそれぞれ他の実施例を説明
するための図、第３図は従来の半導体薄膜の製造方法を
説明するための図である． １、絶縁基板 ２、一導電型非晶質半導体層 ３、反対の導電型非晶質半導体層
Claims (1)
- 絶縁基板上に一導電型の非晶質半導体層を被着形成して
所定部分をエッチング除去し、前記絶縁基板上の一導電
型非晶質半導体層を除去した部分に前記一導電型とは反
対の導電型の非晶質半導体層を前記一導電型非晶質半導
体層と接触した状態に被着形成し、これら非晶質半導体
層にレーザー光を照射して溶融・固化させることにより
半導体層を単結晶化すると同時に一導電型半導体単結晶
と他の導電型半導体単結晶とで構成される半導体接合部
を形成する半導体薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16048089A JPH0324736A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 半導体薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16048089A JPH0324736A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 半導体薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0324736A true JPH0324736A (ja) | 1991-02-01 |
Family
ID=15715863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16048089A Pending JPH0324736A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 半導体薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0324736A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534832B2 (en) | 1993-09-07 | 2003-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and glass member and substrate member having film comprising aluminum, nitrogen and oxygen |
| US7038302B2 (en) | 1993-10-12 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Glass substrate assembly, semiconductor device and method of heat-treating glass substrate |
-
1989
- 1989-06-22 JP JP16048089A patent/JPH0324736A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534832B2 (en) | 1993-09-07 | 2003-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and glass member and substrate member having film comprising aluminum, nitrogen and oxygen |
| US7038302B2 (en) | 1993-10-12 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Glass substrate assembly, semiconductor device and method of heat-treating glass substrate |
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