JPH03284831A - 半導体薄膜の形成方法 - Google Patents
半導体薄膜の形成方法Info
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- JPH03284831A JPH03284831A JP8598690A JP8598690A JPH03284831A JP H03284831 A JPH03284831 A JP H03284831A JP 8598690 A JP8598690 A JP 8598690A JP 8598690 A JP8598690 A JP 8598690A JP H03284831 A JPH03284831 A JP H03284831A
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- Japan
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- semiconductor thin
- film
- thin film
- laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体薄膜の形成方法に関し、特に半導体薄膜
を結晶化させた後に、再びレーザ光を照射して半導体薄
膜を加熱する半導体薄膜の形成方法に関する。
を結晶化させた後に、再びレーザ光を照射して半導体薄
膜を加熱する半導体薄膜の形成方法に関する。
（従来の技術）
従来から、ガラスなどの絶縁基板上に酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ２）などから成る熱！！衝膜と非晶質若しくは多結
晶の半導体薄膜とを形成して、この半導体薄膜に連続発
振アルゴンレーザなどを照射して、半導体薄膜を溶融・
固化させることにより半導体薄膜を結晶化させる半導体
薄膜の結晶化法があった。
ｉＯ２）などから成る熱！！衝膜と非晶質若しくは多結
晶の半導体薄膜とを形成して、この半導体薄膜に連続発
振アルゴンレーザなどを照射して、半導体薄膜を溶融・
固化させることにより半導体薄膜を結晶化させる半導体
薄膜の結晶化法があった。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、この従来の半導体薄膜の結晶化法では、半導
体薄膜にレーザ光を照射して半導体薄膜を溶融させた際
に、酸化シリコンなどから成る熱緩衝膜も加熱され、結
晶化した後の半導体薄膜に酸素原子が多数取り込まれて
しまうという問題があった０例えば、通常の単結晶シリ
コン基板では酸素原子は１０１′１個／ｃｍ’程度しか
存在しないのに対して、上述のような構成を有する半導
体薄膜をレーザ光で結晶化した場合、シリコン膜中には
、１０１９〜１０２０個／ｃｍ’程度酸素原子が存在し
ている。このような半導体薄膜でトランジスタを形成す
ると、過飽和の酸素原子が数個集合してクラスターとな
り、これがドナーを形成してしまう、イオン化したドナ
ーは、キャリアの散乱中心となるため、半導体膜中での
電子および正孔の移動度に悪影響を与える。したがって
、半導体特性を改善するには、上述のようなサーマルド
ナーを消滅させることが有効である。
体薄膜にレーザ光を照射して半導体薄膜を溶融させた際
に、酸化シリコンなどから成る熱緩衝膜も加熱され、結
晶化した後の半導体薄膜に酸素原子が多数取り込まれて
しまうという問題があった０例えば、通常の単結晶シリ
コン基板では酸素原子は１０１′１個／ｃｍ’程度しか
存在しないのに対して、上述のような構成を有する半導
体薄膜をレーザ光で結晶化した場合、シリコン膜中には
、１０１９〜１０２０個／ｃｍ’程度酸素原子が存在し
ている。このような半導体薄膜でトランジスタを形成す
ると、過飽和の酸素原子が数個集合してクラスターとな
り、これがドナーを形成してしまう、イオン化したドナ
ーは、キャリアの散乱中心となるため、半導体膜中での
電子および正孔の移動度に悪影響を与える。したがって
、半導体特性を改善するには、上述のようなサーマルド
ナーを消滅させることが有効である。
単結晶のシリコン基板を用いた半導体製造プロセスでは
、酸化膜の形成工程や不純物の拡散工程など１０００℃
以上の高温工程があるため、サーマルドナーは分解して
しまうが、ガラス基板上に薄膜トランジスタを形成する
場合、高温プロセスがないため、最後までサーマルドナ
ーが残ってしまい、応答速度の速いトランジスタを得る
ことができないという問題があった。また、８００℃で
１０秒程度のＲＴＰ （ランプアニール法によるラビッ
ドサーマルプロセス）も有効であるが、ガラス基板をこ
のような高温の炉の中に入れることはできない。
、酸化膜の形成工程や不純物の拡散工程など１０００℃
以上の高温工程があるため、サーマルドナーは分解して
しまうが、ガラス基板上に薄膜トランジスタを形成する
場合、高温プロセスがないため、最後までサーマルドナ
ーが残ってしまい、応答速度の速いトランジスタを得る
ことができないという問題があった。また、８００℃で
１０秒程度のＲＴＰ （ランプアニール法によるラビッ
ドサーマルプロセス）も有効であるが、ガラス基板をこ
のような高温の炉の中に入れることはできない。
本発明は、このような問題点に鑑みて案出されたもので
あり、結晶化した半導体薄膜中のサーマルドナーを分解
して消滅させることにより、電子および正孔の移動度の
速いトランジスタを得ることができる半導体薄膜を形成
することを目的とするものである。
あり、結晶化した半導体薄膜中のサーマルドナーを分解
して消滅させることにより、電子および正孔の移動度の
速いトランジスタを得ることができる半導体薄膜を形成
することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、基板上に第１の絶縁膜と非晶質若し゛
くは多結晶の半導体薄膜とを形成してレーザ光を照射す
ることにより半導体薄膜を溶融・固化させて結晶化させ
る半導体薄膜の形成方法において、前記半導体薄膜を結
晶化させた後、さらに前記レーザ光よりも小エネルギー
のレーザ光を前記半導体薄膜に照射することを特徴とす
る半導体薄膜の形成方法が提供され、そのことにより上
記目的が達成される。
くは多結晶の半導体薄膜とを形成してレーザ光を照射す
ることにより半導体薄膜を溶融・固化させて結晶化させ
る半導体薄膜の形成方法において、前記半導体薄膜を結
晶化させた後、さらに前記レーザ光よりも小エネルギー
のレーザ光を前記半導体薄膜に照射することを特徴とす
る半導体薄膜の形成方法が提供され、そのことにより上
記目的が達成される。
（作用）
上記のように構成することにより、結晶化した半導体薄
膜中のサーマルドナーは著しく減少する。
膜中のサーマルドナーは著しく減少する。
（実施例）
以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図は、本発明をスタガー型の薄膜トランジスタに適
用した例を示す断面図であり、■は＃７０５９基板など
から成るガラス基板、２は酸化シリコン（ＳｉＯ２）な
どから成る絶縁膜である。
用した例を示す断面図であり、■は＃７０５９基板など
から成るガラス基板、２は酸化シリコン（ＳｉＯ２）な
どから成る絶縁膜である。
この絶縁膜２は、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法などで厚み５０００人程度に形成される。この絶
縁膜２は、ガラス基板１と後述する半導体薄膜３とのｐ
！！、膨張の相違を吸収する緩衝膜として、また基板１
から半導体薄膜３に不純物が混入するのを防止するため
に設けられる。
ＶＤ法などで厚み５０００人程度に形成される。この絶
縁膜２は、ガラス基板１と後述する半導体薄膜３とのｐ
！！、膨張の相違を吸収する緩衝膜として、また基板１
から半導体薄膜３に不純物が混入するのを防止するため
に設けられる。
前記絶縁膜２上には、第１の半導体薄膜３が設けられる
。この第１の半導体薄膜３は、非晶質若しくは多結晶の
半導体薄膜で構成され、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法
、光ＣＶＤ法などで厚み５０００λ程度に形成される。
。この第１の半導体薄膜３は、非晶質若しくは多結晶の
半導体薄膜で構成され、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法
、光ＣＶＤ法などで厚み５０００λ程度に形成される。
この第１の半導体薄膜３を形成する際に、同時にボロン
やリンなどの不純物原子を１０′５〜１０１８個／ ｃ
ｍ ’程度あらかじめ含有させて置く。
やリンなどの不純物原子を１０′５〜１０１８個／ ｃ
ｍ ’程度あらかじめ含有させて置く。
前記第１の半導体膜Ｍ３に基板１側から若しくは半導体
薄膜３側からレーザ光を照射して結晶化させる。レーザ
光としては、例えば０．１〜２゜Ｗの出力でスポット径
が１００μｍ程度の連続波アルゴンレーザなどが好適に
用いられ、走査速度０５〜２０ｃｍ／ｓｅｃ程度で走査
される。このようにして結晶化させた第１の半導体薄膜
には、サーマルドナーとなる酸素原子を１０１９〜１０
２０個／ｃｍ’程度含有している。
薄膜３側からレーザ光を照射して結晶化させる。レーザ
光としては、例えば０．１〜２゜Ｗの出力でスポット径
が１００μｍ程度の連続波アルゴンレーザなどが好適に
用いられ、走査速度０５〜２０ｃｍ／ｓｅｃ程度で走査
される。このようにして結晶化させた第１の半導体薄膜
には、サーマルドナーとなる酸素原子を１０１９〜１０
２０個／ｃｍ’程度含有している。
次に、第１の半導体薄膜３上に、逆導電型となる不純物
原子を含有する非晶質若しくは多結晶の第２の半導体薄
膜４ａ、４ｂを形成する。この第２の半導体膜Ｍ４ａ、
４ｂ部分は、ソース領域とドレイン領域となり、プラズ
マＣＶＤ法、熱ｃＶＤ法、或いは光ＣＶＤ法などで厚み
５００人程度に形成される。
原子を含有する非晶質若しくは多結晶の第２の半導体薄
膜４ａ、４ｂを形成する。この第２の半導体膜Ｍ４ａ、
４ｂ部分は、ソース領域とドレイン領域となり、プラズ
マＣＶＤ法、熱ｃＶＤ法、或いは光ＣＶＤ法などで厚み
５００人程度に形成される。
前記第１の半導体薄膜３上の第２の半導体薄膜４ａと４
ｂとの間には、酸化シリコン（ＳｉＯ２）などから成る
ゲート絶縁Ｍ５が厚み１０００人程度に形成される。
ｂとの間には、酸化シリコン（ＳｉＯ２）などから成る
ゲート絶縁Ｍ５が厚み１０００人程度に形成される。
次に、基板１側がらレーザ光を照射して、第１の半導体
薄膜３を加熱する。このレーザ光としては、１〜２Ｊ／
ｃｍ２程度のエキシマレーザが好適に用いられる。すな
わち、エキシマレーザは短波長光であるため、半導体薄
膜３の極表面層のみで吸収される程度となるが、サーマ
ルドナーは分解され、電子および正孔の移動度は向上す
る。また、第２の半導体層４ａ、４ｂの第１の半導体層
３との接合部近傍が熱アニールされることによって接合
特性が改善されるとともに、ゲート絶縁膜５と第１の半
導体層３との界面準位も低下する。
薄膜３を加熱する。このレーザ光としては、１〜２Ｊ／
ｃｍ２程度のエキシマレーザが好適に用いられる。すな
わち、エキシマレーザは短波長光であるため、半導体薄
膜３の極表面層のみで吸収される程度となるが、サーマ
ルドナーは分解され、電子および正孔の移動度は向上す
る。また、第２の半導体層４ａ、４ｂの第１の半導体層
３との接合部近傍が熱アニールされることによって接合
特性が改善されるとともに、ゲート絶縁膜５と第１の半
導体層３との界面準位も低下する。
また、半導体層４側からエキシマレーザを導入すれば、
サーマルドナーの解消とともに接合部近傍が溶融・結晶
化し、ホモのｐ−ｎ接合となって接合特性がさらに改善
されるという副次的効果もある。なお、エキシマレーザ
の代わりに、低パワーのアルゴンレーザなどを用いても
よい。
サーマルドナーの解消とともに接合部近傍が溶融・結晶
化し、ホモのｐ−ｎ接合となって接合特性がさらに改善
されるという副次的効果もある。なお、エキシマレーザ
の代わりに、低パワーのアルゴンレーザなどを用いても
よい。
最後に、ゲート絶縁膜５上、ソース領域４ａ上、および
ドレイン領域４ｂ上にそれぞれＡＩ＝Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、
Ｎｉ＝ Ｍｏ、Ｃｒなどから成る電極６ａ、６ｂ、６ｃ
を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成してスタガ
ー型の薄膜トランジスタが完成する。
ドレイン領域４ｂ上にそれぞれＡＩ＝Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、
Ｎｉ＝ Ｍｏ、Ｃｒなどから成る電極６ａ、６ｂ、６ｃ
を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成してスタガ
ー型の薄膜トランジスタが完成する。
第２図は、本発明を逆スタガー型の薄膜トランジスタに
適用した例を示す断面図であり、１１は＃７０５９基板
などから成るガラス基板、１２は酸化シリコン（Ｓ ｌ
０２ ）などから成る第１の絶縁膜である。
適用した例を示す断面図であり、１１は＃７０５９基板
などから成るガラス基板、１２は酸化シリコン（Ｓ ｌ
０２ ）などから成る第１の絶縁膜である。
この第１の絶縁膜１２は、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法などで厚み５０００人程度ロス成される
。この第１の絶縁膜１２は、ガラス基板１１と後述する
半導体薄膜１３との熱膨張の相違を吸収する緩衝膜とし
て、また基板１１がら半導体薄膜１３に不純物が混入す
るのを防止するために設けられる。
法、光ＣＶＤ法などで厚み５０００人程度ロス成される
。この第１の絶縁膜１２は、ガラス基板１１と後述する
半導体薄膜１３との熱膨張の相違を吸収する緩衝膜とし
て、また基板１１がら半導体薄膜１３に不純物が混入す
るのを防止するために設けられる。
前記第１の絶縁膜１２上には、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｉ、
Ｍｏ−Ｃｒなどから成るゲート電極１６ｃが厚み３００
０人程度ロスパッタリング法や真空蒸着法により形成さ
れる。
Ｍｏ−Ｃｒなどから成るゲート電極１６ｃが厚み３００
０人程度ロスパッタリング法や真空蒸着法により形成さ
れる。
前記ゲート電極１６ｃと第１の絶縁膜１２上には、ゲー
ト絶縁膜１５が形成される。このゲート絶縁膜１５は、
酸化シリコン（ＳｉＯｚ）などがち成り、プラズマＣＶ
Ｄ法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法などで厚み１０００人程
度１形成される。
ト絶縁膜１５が形成される。このゲート絶縁膜１５は、
酸化シリコン（ＳｉＯｚ）などがち成り、プラズマＣＶ
Ｄ法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法などで厚み１０００人程
度１形成される。
前記ゲート絶縁膜１５上には、第１の半導体薄膜１３が
設けられる。この第１の半導体薄膜１３は、非晶質若し
くは多結晶の半導体薄膜で構成され、ブラズ？ＣＶＤ法
、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法などで厚み５０００人程度ロ
ス成される。この第１の半導体薄膜１３を形成する際に
、同時にボロンやリンなどの不純物原子を１０１５〜１
０１８個／ｃｒｎ’程度あらかじめ含有させて置く。
設けられる。この第１の半導体薄膜１３は、非晶質若し
くは多結晶の半導体薄膜で構成され、ブラズ？ＣＶＤ法
、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法などで厚み５０００人程度ロ
ス成される。この第１の半導体薄膜１３を形成する際に
、同時にボロンやリンなどの不純物原子を１０１５〜１
０１８個／ｃｒｎ’程度あらかじめ含有させて置く。
前記第１の半導体薄膜１３に基板１１側から若しくは半
導体薄膜１３（！ｌからレーザ光を照射して結晶化させ
る。レーザ光としては、例えば０．１〜２０Ｗの出力で
スポット径が１００μｍ程度の連続波アルゴンレーザな
どが好適に用いられ、走査速度０−５〜２０ｃｍ／ｓｅ
ｃ程度で走査される。このようにして結晶化させた第１
の半導体薄膜１３には、サーマルドナーとなる酸素原子
を１０１ｇ〜１０２０個／Ｃｍ３程度含有している。
導体薄膜１３（！ｌからレーザ光を照射して結晶化させ
る。レーザ光としては、例えば０．１〜２０Ｗの出力で
スポット径が１００μｍ程度の連続波アルゴンレーザな
どが好適に用いられ、走査速度０−５〜２０ｃｍ／ｓｅ
ｃ程度で走査される。このようにして結晶化させた第１
の半導体薄膜１３には、サーマルドナーとなる酸素原子
を１０１ｇ〜１０２０個／Ｃｍ３程度含有している。
前記第１の半導体薄膜１３上の全面に、酸化シリコン膜
を成膜して、ゲート電極１６ｃをマスクにして酸化シリ
コン膜をエツチング除去し、第１の半導体薄膜１３上の
ゲート電極１６ｃに対応する位置に酸化シリコン膜１７
を形成する。
を成膜して、ゲート電極１６ｃをマスクにして酸化シリ
コン膜をエツチング除去し、第１の半導体薄膜１３上の
ゲート電極１６ｃに対応する位置に酸化シリコン膜１７
を形成する。
次に、第１の半導体薄膜１３および酸化シリコン膜１７
上に、逆導電型となる不純物原子を含有する非晶質若し
くは多結晶の第２の半導体薄膜１４をプラズマＣＶＤ法
、熱ＣＶＤ法、或いは光ＣＶＤ法などで厚み５００人程
ロス形成する。この第２の半導体薄膜１４は、後に分割
されてソース領域とドレイン領域となる。
上に、逆導電型となる不純物原子を含有する非晶質若し
くは多結晶の第２の半導体薄膜１４をプラズマＣＶＤ法
、熱ＣＶＤ法、或いは光ＣＶＤ法などで厚み５００人程
ロス形成する。この第２の半導体薄膜１４は、後に分割
されてソース領域とドレイン領域となる。
次に、第２の半導体薄膜１４上からレーザ光を照射して
、第１の半導体薄膜１３を加熱する。このレニザ光とし
ては、１〜２Ｊ／ｃｍ２程度のエキシマレーザが好適に
用いられる。すなわち、エキシマレーザは短波長光であ
るため、第１の半導体薄膜１３の極表面層のみで吸収さ
れる。このため、レーザ結晶化した第１の半導体薄膜１
３と接触している第２の半導体薄膜１４は溶融して結晶
化し、ホモのｐ−ｎ接合となり、接合特性が改善される
。一方、セルファラインされた酸化シリコン膜１７上の
第２の半導体層１４は溶融して結晶化するが、酸化シリ
コン膜１７で遮蔽されて、レーザ結晶化シリコン１３と
は分離されるものの、熱は伝播する。下部のレーザ結晶
化シリコン１３は溶融には至らないが、熱処理を受ける
ことになり、サーマルドナーを分離消滅させることとな
る。
、第１の半導体薄膜１３を加熱する。このレニザ光とし
ては、１〜２Ｊ／ｃｍ２程度のエキシマレーザが好適に
用いられる。すなわち、エキシマレーザは短波長光であ
るため、第１の半導体薄膜１３の極表面層のみで吸収さ
れる。このため、レーザ結晶化した第１の半導体薄膜１
３と接触している第２の半導体薄膜１４は溶融して結晶
化し、ホモのｐ−ｎ接合となり、接合特性が改善される
。一方、セルファラインされた酸化シリコン膜１７上の
第２の半導体層１４は溶融して結晶化するが、酸化シリ
コン膜１７で遮蔽されて、レーザ結晶化シリコン１３と
は分離されるものの、熱は伝播する。下部のレーザ結晶
化シリコン１３は溶融には至らないが、熱処理を受ける
ことになり、サーマルドナーを分離消滅させることとな
る。
最後に、第２の半導体層１４上に、アルミニウムなどを
蒸着して、このアルミニウムの所定部分と酸化シリコン
膜１７上の第２の半導体層１４をエツチング除去してソ
ース電極１６ａとドレイン電極１６ｂを形成して完成す
る。
蒸着して、このアルミニウムの所定部分と酸化シリコン
膜１７上の第２の半導体層１４をエツチング除去してソ
ース電極１６ａとドレイン電極１６ｂを形成して完成す
る。
従来のように、レーザ光で加熱処理をしなかった場合は
、電子の移動度の平均は６０Ｖ−Ｃ／ｃｍ２であったが
、上記実施例のようにパワー１〜２Ｊ／ｃｍ２のエキシ
マレーザを照射して半導体薄膜を加熱処理したところ、
電子の移動度は１００Ｖ−０７ｃｍ２以上になることを
確認した。
、電子の移動度の平均は６０Ｖ−Ｃ／ｃｍ２であったが
、上記実施例のようにパワー１〜２Ｊ／ｃｍ２のエキシ
マレーザを照射して半導体薄膜を加熱処理したところ、
電子の移動度は１００Ｖ−０７ｃｍ２以上になることを
確認した。
（発明の効果）
以上のように、本発明に係る半導体薄膜の形成方法によ
れば、半導体薄膜を結晶化させた後、さらにレーザ光を
照射して半導体薄膜を加熱することから、半導体薄膜中
のサーマルドナーを分解して消滅させることができ、応
答速度の速い薄膜トランジスタを形成できる。
れば、半導体薄膜を結晶化させた後、さらにレーザ光を
照射して半導体薄膜を加熱することから、半導体薄膜中
のサーマルドナーを分解して消滅させることができ、応
答速度の速い薄膜トランジスタを形成できる。
また、レーザ光を照射することによって瞬時的に加熱す
ることから、薄膜半導体を形成する基板としてガラスの
ような比較的低融点の基板を用いることができる。
ることから、薄膜半導体を形成する基板としてガラスの
ような比較的低融点の基板を用いることができる。
第１図は本発明に係る半導体薄膜の形成方法をスタガー
型の薄膜トランジスタに適用した例を示す断面図、第２
図は同じく逆スタガー型の薄膜トランジスタに適用した
例を示す断面図である。 １．１１：基板 ２．１２：絶縁膜３．１３ニ一導
電型半導体層 ４．１４：逆導電型半導体層 ５．１５：ゲート絶縁膜
型の薄膜トランジスタに適用した例を示す断面図、第２
図は同じく逆スタガー型の薄膜トランジスタに適用した
例を示す断面図である。 １．１１：基板 ２．１２：絶縁膜３．１３ニ一導
電型半導体層 ４．１４：逆導電型半導体層 ５．１５：ゲート絶縁膜
Claims (1)
- 基板上に第１の絶縁膜と非晶質若しくは多結晶の半導
体薄膜とを形成してレーザ光を照射することにより半導
体薄膜を溶融・固化させて結晶化させる半導体薄膜の形
成方法において、前記半導体薄膜を結晶化させた後、さ
らに前記レーザ光よりも小エネルギーのレーザ光を前記
半導体薄膜に照射することを特徴とする半導体薄膜の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8598690A JPH03284831A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8598690A JPH03284831A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03284831A true JPH03284831A (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=13874011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8598690A Pending JPH03284831A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03284831A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786304A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-03-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US6319761B1 (en) | 1993-06-22 | 2001-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a thin film transistor |
| US6713330B1 (en) | 1993-06-22 | 2004-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a thin film transistor |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP8598690A patent/JPH03284831A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6319761B1 (en) | 1993-06-22 | 2001-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a thin film transistor |
| US6713330B1 (en) | 1993-06-22 | 2004-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a thin film transistor |
| JPH0786304A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-03-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
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