JPH03248251A - 情報処理装置 - Google Patents
情報処理装置Info
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- JPH03248251A JPH03248251A JP2046084A JP4608490A JPH03248251A JP H03248251 A JPH03248251 A JP H03248251A JP 2046084 A JP2046084 A JP 2046084A JP 4608490 A JP4608490 A JP 4608490A JP H03248251 A JPH03248251 A JP H03248251A
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- Japan
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- data
- address
- error
- syndrome
- circuit
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1076—Parity data used in redundant arrays of independent storages, e.g. in RAID systems
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Detection And Correction Of Errors (AREA)
- Hardware Redundancy (AREA)
- Memory System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は情報処理装置に関し、特に誤り検出訂正(F
CC)回路を具備した電気的に消去可能なプログラマブ
ルロム(EEFROM)を有する情報処理装置に関する
。
CC)回路を具備した電気的に消去可能なプログラマブ
ルロム(EEFROM)を有する情報処理装置に関する
。
口従来の技術〕
一般に、情報処理装置に搭載されるEEPROMは消去
・書込を繰り返すことによりメモリセルが破壊されて、
データが失われるという欠点を有している。これに対す
る対策としてFCC回路を有するEEPROMが作られ
ている。このFCC回路は、例えば、8ビツトのデータ
に4ビツトの冗長データを付加したハミングコードを取
扱う。この例では、本来の8ビツトのデータと4ビツト
の冗長データとの合計12ビツトのうち1ビツトに対応
するメモリセルが破壊されても元の8ビツトデータを復
元できる。この様にしてECC回路をもつEEPROM
を搭載する情報処理装置は高い信頼性を得ている。
・書込を繰り返すことによりメモリセルが破壊されて、
データが失われるという欠点を有している。これに対す
る対策としてFCC回路を有するEEPROMが作られ
ている。このFCC回路は、例えば、8ビツトのデータ
に4ビツトの冗長データを付加したハミングコードを取
扱う。この例では、本来の8ビツトのデータと4ビツト
の冗長データとの合計12ビツトのうち1ビツトに対応
するメモリセルが破壊されても元の8ビツトデータを復
元できる。この様にしてECC回路をもつEEPROM
を搭載する情報処理装置は高い信頼性を得ている。
しかしながら上述したECC回路を有するEEPROM
を搭載した情報処理装置でもECC回路が訂正し得るビ
ット数以上のセルが破壊された場合には正しいデータを
復元できない。例えば、8ビツトのデータに4ビツトの
冗長データを付加したハミングコードの場合、合計12
ビツトのうちの2ビツトが破壊されると正しいデータは
復元されない。
を搭載した情報処理装置でもECC回路が訂正し得るビ
ット数以上のセルが破壊された場合には正しいデータを
復元できない。例えば、8ビツトのデータに4ビツトの
冗長データを付加したハミングコードの場合、合計12
ビツトのうちの2ビツトが破壊されると正しいデータは
復元されない。
このメモリビットの破壊はデータの消去・書込の繰り返
しにともなって徐々に進行するものである。
しにともなって徐々に進行するものである。
従来のECC回路を有するEEFROMを搭載した情報
処理装置では仮に1ビツトの破壊が生じ、ECC回路に
より正しいデータが得られている時でも、メモリセルの
一部にすでに破壊が生じていることを検知できないので
、更に破壊が進行し、正しいデータが得られなくなって
初めてEEFROMの異常が知れ、情報処理装置全体の
誤動作につながるという問題点が有る。
処理装置では仮に1ビツトの破壊が生じ、ECC回路に
より正しいデータが得られている時でも、メモリセルの
一部にすでに破壊が生じていることを検知できないので
、更に破壊が進行し、正しいデータが得られなくなって
初めてEEFROMの異常が知れ、情報処理装置全体の
誤動作につながるという問題点が有る。
これは非常に多い回数、データの消去・書込が行なわれ
る場合に特に問題となる。
る場合に特に問題となる。
本発明の要旨は電気的に消去可能なプログラマブルセル
のアンイと、該プログラマブルセルのアレイから読み出
されたデータに基づき該データを構成するビットの誤り
を検出する誤り検出訂正回路とを有する情報処理装置に
おいて、該誤り検出訂正回路がビットの誤りを検出し訂
正を行なった場合に、訂正が行なわれたことを示す信号
を出力する論理回路を備えたことである。
のアンイと、該プログラマブルセルのアレイから読み出
されたデータに基づき該データを構成するビットの誤り
を検出する誤り検出訂正回路とを有する情報処理装置に
おいて、該誤り検出訂正回路がビットの誤りを検出し訂
正を行なった場合に、訂正が行なわれたことを示す信号
を出力する論理回路を備えたことである。
したがって、本発明ではECC回路により正しいデータ
が復元できる場合であっても、メモリセルの全ビットが
正常であるか否かを知ることができる。
が復元できる場合であっても、メモリセルの全ビットが
正常であるか否かを知ることができる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1実施例を示すブロック図である。
図中、1が本実施例に特有の論理和回路を示し、2はE
EFROMセルアレイ、3はセレクタ、5はシンドロー
ム発生回路、7は誤りベクトル発生回路、9はエラー訂
正回路である。
EFROMセルアレイ、3はセレクタ、5はシンドロー
ム発生回路、7は誤りベクトル発生回路、9はエラー訂
正回路である。
この第1実施例の動作は次の通′りである。EEPRO
Mからデータを読み出すには、まずセレクタ3によりE
EFROMセルアレイ2中の読み出すべきアドレスに対
応するセルが選択され、本来のデータの同じビット数を
もつ主データ14及び冗長データ4が出力される。これ
ら出力されたデータはシンドローム発生回路5に入力さ
れる。
Mからデータを読み出すには、まずセレクタ3によりE
EFROMセルアレイ2中の読み出すべきアドレスに対
応するセルが選択され、本来のデータの同じビット数を
もつ主データ14及び冗長データ4が出力される。これ
ら出力されたデータはシンドローム発生回路5に入力さ
れる。
シンドローム発生回路5は入力された主データ14及び
冗長データ4に基づき、シンドローム6を発生する。こ
のとき選択されたセルがすべて正常で、主データ14及
び冗長データ4が全く損なわれていなければ、シンドロ
ーム6は全て「0」となる。
冗長データ4に基づき、シンドローム6を発生する。こ
のとき選択されたセルがすべて正常で、主データ14及
び冗長データ4が全く損なわれていなければ、シンドロ
ーム6は全て「0」となる。
このシンドローム6は誤りベクトル発生回路7へ入力さ
れ、誤りベクトル発生回路7でシンドローム6が解読さ
れ主データ14及び冗長データ4のどのビットに誤りが
有るかを示す誤りベクトル8が生成される。この時主デ
ータ14中に誤りが存在する場合にはエラー訂正回路9
で主データ14の誤りを訂正して正しいデータ10が出
力される。
れ、誤りベクトル発生回路7でシンドローム6が解読さ
れ主データ14及び冗長データ4のどのビットに誤りが
有るかを示す誤りベクトル8が生成される。この時主デ
ータ14中に誤りが存在する場合にはエラー訂正回路9
で主データ14の誤りを訂正して正しいデータ10が出
力される。
これらの動作と同時にシンドローム6は論理和回路工に
入力−される。この時主データ14または冗長データ4
に誤りが有る場合はシンドローム6は少なくとも1ビツ
トが「1」となるので論理和回路1の出力すなわち誤り
訂正実行信号11は「1」となる。
入力−される。この時主データ14または冗長データ4
に誤りが有る場合はシンドローム6は少なくとも1ビツ
トが「1」となるので論理和回路1の出力すなわち誤り
訂正実行信号11は「1」となる。
第1実施例のEEPROMを搭載した情報処理装置では
、非常に多い回数、データの消去書込が行なわれる装置
でも、以下の様にして高い信頼性を得ることができる。
、非常に多い回数、データの消去書込が行なわれる装置
でも、以下の様にして高い信頼性を得ることができる。
第2図〜第4図は、情報処理装置のソフトウェアのフロ
ーチャートの例、第5図、第6図はその時のEEFRO
Mのメモリマツピングの例を示したものである。
ーチャートの例、第5図、第6図はその時のEEFRO
Mのメモリマツピングの例を示したものである。
はじめに、装置を使用し始める時の動作を説明する。こ
の時はまだEEPROMに損傷は無いものとし、高い信
頼性を要するデータA、データBがあるとする。
の時はまだEEPROMに損傷は無いものとし、高い信
頼性を要するデータA、データBがあるとする。
まず、第5図の様にEEP’ROM上にデータA。
データBの記憶領域を予備領域も含めて確保する。
第5図の例ではEEFROM上のアドレス100がデー
タAの初期アドレス、101〜103がデータAの予備
領域であり、アドレス104がデータBの初期アドレス
、105〜107がデータBの予備領域である。さらに
、同じ<EEFROM上にデータA、データBが記憶さ
れるEEFROM上のアドレスを記憶するテーブルを作
る。第5図の例ではデータAのアドレスをアドレス20
0に、データBのアドレスをアドレス201に記憶する
。
タAの初期アドレス、101〜103がデータAの予備
領域であり、アドレス104がデータBの初期アドレス
、105〜107がデータBの予備領域である。さらに
、同じ<EEFROM上にデータA、データBが記憶さ
れるEEFROM上のアドレスを記憶するテーブルを作
る。第5図の例ではデータAのアドレスをアドレス20
0に、データBのアドレスをアドレス201に記憶する
。
装置を使用し始める時の手順を第2図に示しである。ま
ずデータAの初期アドレス100をテーブル200に書
き込、む。その上でアドレス100にデータAの値を書
き込む。データBについても同様である。
ずデータAの初期アドレス100をテーブル200に書
き込、む。その上でアドレス100にデータAの値を書
き込む。データBについても同様である。
データの書込は以下の手順で行なう。
第3図が書込手順のフローチャートを示したものである
。データAの書込を行なうには、まず、EEFROM上
のテーブル200を参照し、データAが記憶されている
アドレスを知り、そのアドレスから以前のデータAを読
み出す6次にこの読み出し時に誤り訂正が行なわれたか
どうかを調べ、誤り訂正が行なわれていたら、そのアド
レスにはこわれたビーットが存在するということである
から、テーブル200に記憶されているアドレスを+1
する。その後、テーブル200に記憶されているアドレ
スに新しいデータAの値を書き込む。
。データAの書込を行なうには、まず、EEFROM上
のテーブル200を参照し、データAが記憶されている
アドレスを知り、そのアドレスから以前のデータAを読
み出す6次にこの読み出し時に誤り訂正が行なわれたか
どうかを調べ、誤り訂正が行なわれていたら、そのアド
レスにはこわれたビーットが存在するということである
から、テーブル200に記憶されているアドレスを+1
する。その後、テーブル200に記憶されているアドレ
スに新しいデータAの値を書き込む。
現在の技術ではEEPROMの同一アドレスに対して数
十ガロの書換えが可能である。仮に、テーブル200に
データAのアドレスの値100が記憶されていて、EE
FROMのアドレス100に対して数十ガロの書換えを
行ない、1つのビットに故障が生じた時、以上の書込手
順を行なえば次の様になる。
十ガロの書換えが可能である。仮に、テーブル200に
データAのアドレスの値100が記憶されていて、EE
FROMのアドレス100に対して数十ガロの書換えを
行ない、1つのビットに故障が生じた時、以上の書込手
順を行なえば次の様になる。
まず、EEFROM上のテーブル200を読むとデータ
Aのアドレスの値100が読まれる。続いてアドレス1
00から以前のデータAの値を読み出す。そうするとア
ドレス10001つのビットはこわれている為、後り訂
正信号が出力され、テーブル200に記憶されているア
ドレスの値は+1されて101となる。この後、テーブ
ルに記憶されているアドレス101に新しいデータAが
書き込まれる。この時のEEFROM上の記憶領域の様
子を第6図に示す。アドレスが100から101に変更
された時点ではアドレス101はまだデータの書換えが
行なわれていないから、データAはさらに数十ガロの書
換えが可能である。
Aのアドレスの値100が読まれる。続いてアドレス1
00から以前のデータAの値を読み出す。そうするとア
ドレス10001つのビットはこわれている為、後り訂
正信号が出力され、テーブル200に記憶されているア
ドレスの値は+1されて101となる。この後、テーブ
ルに記憶されているアドレス101に新しいデータAが
書き込まれる。この時のEEFROM上の記憶領域の様
子を第6図に示す。アドレスが100から101に変更
された時点ではアドレス101はまだデータの書換えが
行なわれていないから、データAはさらに数十ガロの書
換えが可能である。
データの読み出しは以下の手順で行なう。ここでは例と
してEEPROMからデータを読みだし、表示器で表示
する場合を説明する。
してEEPROMからデータを読みだし、表示器で表示
する場合を説明する。
第4図が読み出し手順のフローチャートを示したもので
ある。データAの読み出しを行なうには、まず、EEF
ROM上のテーブル200を参照し、データAが記憶さ
れているアドレスを知り、そのアドレスからデータAを
読み圧す。次にこの読み出し時に誤り訂正が行なわれた
かどうかを調べ、誤り訂正が行なわれていたら、テーブ
ル200に記憶されているアドレスを+1する。その後
、+1されたアドレスに今読み出されたデータAの値を
書き込む。第3図、第4図の手順では一つのアドレスに
1ビツトの故障が発生した時点でそのアドレスの使用を
やめており、かつ同一のアドレスに同時に2ビツトの故
障が発生する可能性は極めて小さく無檄できる為、読み
出されたデータが誤り訂正を行なわれたものであっても
データは正しく、+1されたアドレスに書き込まれたデ
ータは有効である。
ある。データAの読み出しを行なうには、まず、EEF
ROM上のテーブル200を参照し、データAが記憶さ
れているアドレスを知り、そのアドレスからデータAを
読み圧す。次にこの読み出し時に誤り訂正が行なわれた
かどうかを調べ、誤り訂正が行なわれていたら、テーブ
ル200に記憶されているアドレスを+1する。その後
、+1されたアドレスに今読み出されたデータAの値を
書き込む。第3図、第4図の手順では一つのアドレスに
1ビツトの故障が発生した時点でそのアドレスの使用を
やめており、かつ同一のアドレスに同時に2ビツトの故
障が発生する可能性は極めて小さく無檄できる為、読み
出されたデータが誤り訂正を行なわれたものであっても
データは正しく、+1されたアドレスに書き込まれたデ
ータは有効である。
仮に、テーブル200にデータAのアドレスの値100
が記憶されていて、アドレス10001ビツトが故障し
ていた時に読み出しを行なえば次の様になる。
が記憶されていて、アドレス10001ビツトが故障し
ていた時に読み出しを行なえば次の様になる。
まず、EEFROM上のテーブル200を読むとデータ
Aのアドレスの値100が読まれる。続いてアドレス1
00からデータAの値を読み出す。
Aのアドレスの値100が読まれる。続いてアドレス1
00からデータAの値を読み出す。
そうするとアドレス10001つのビットはこわれてい
る為、誤り訂正信号が出力され、テーブル200に記憶
されているアドレスの値は+1されて101となる。こ
の後、+1されたアドレス101に今読み出されたデー
タAが書き込まれる。
る為、誤り訂正信号が出力され、テーブル200に記憶
されているアドレスの値は+1されて101となる。こ
の後、+1されたアドレス101に今読み出されたデー
タAが書き込まれる。
読み出されたデータAの値は表示器へ転送され、表示さ
れる。
れる。
第7図に第3図、第4図の手順をハードウェアで処理す
る様にした実施例のブロック図の例を示す。第7図中の
21が本発明にかかわるデータ記憶用のEEPROM、
22がデータ用EEPROM21に記憶されているデー
タのアドレスを記憶するテーブル用のEEFROMであ
る。
る様にした実施例のブロック図の例を示す。第7図中の
21が本発明にかかわるデータ記憶用のEEPROM、
22がデータ用EEPROM21に記憶されているデー
タのアドレスを記憶するテーブル用のEEFROMであ
る。
以下、第5図の様にデータ用EEFROM21゜テーブ
ル用EEPROM22が設定されているとしてデータA
の読み出し、書込時の動作を説明する。
ル用EEPROM22が設定されているとしてデータA
の読み出し、書込時の動作を説明する。
データの書込は次の様に行なわれる。
データAの書込を行なうには、まず、データAが記憶さ
れているアドレスを記憶しているテーブルのアドレス2
00をアドレスラッチ23に与え、書き込むべき新しい
データAの値をデータラッチ26に与え、制御回路27
に書込であることを指示する。すると制御回路27は、
ラッチ28をクリアし、テーブル読み出し信号31を有
効にする。
れているアドレスを記憶しているテーブルのアドレス2
00をアドレスラッチ23に与え、書き込むべき新しい
データAの値をデータラッチ26に与え、制御回路27
に書込であることを指示する。すると制御回路27は、
ラッチ28をクリアし、テーブル読み出し信号31を有
効にする。
また書込/読み出し信号35を書込を示すように有効に
する。テーブル読み出し信号31が有効になることによ
って、テーブル用EEPROM22からデータAが記憶
されているアドレス100が出力され、アドレスラッチ
24に取込まれる。アドレスラッチ24に取込まれたア
ドレス100は、ラッチ28がクリアされているから、
加算されずにそのままデータ用EEPROM21にアド
レスとして与えられる。次に制御回路27はデータ読み
出し信号36を有効する。データ読み出し信号36が有
効になることによって、データ用EEFROM21のア
ドレス100からデータが読み出される。この時誤り訂
正が行なわれていれば誤り訂正実行信号30は有効であ
り、ラッチ28がセットされる。誤り訂正が行なわれて
いなければ誤り訂正実行信号30は有効でなく、ラッチ
28はセットされない。この後に制御回路27は書込タ
イミング信号34を有効する。この時、データラッチ2
6の内容はデータ用EEPROM21に書き込むデータ
として与えられ、加算器25の出力はテーブル用EEF
ROM22に書き込むデータとして与えられる。
する。テーブル読み出し信号31が有効になることによ
って、テーブル用EEPROM22からデータAが記憶
されているアドレス100が出力され、アドレスラッチ
24に取込まれる。アドレスラッチ24に取込まれたア
ドレス100は、ラッチ28がクリアされているから、
加算されずにそのままデータ用EEPROM21にアド
レスとして与えられる。次に制御回路27はデータ読み
出し信号36を有効する。データ読み出し信号36が有
効になることによって、データ用EEFROM21のア
ドレス100からデータが読み出される。この時誤り訂
正が行なわれていれば誤り訂正実行信号30は有効であ
り、ラッチ28がセットされる。誤り訂正が行なわれて
いなければ誤り訂正実行信号30は有効でなく、ラッチ
28はセットされない。この後に制御回路27は書込タ
イミング信号34を有効する。この時、データラッチ2
6の内容はデータ用EEPROM21に書き込むデータ
として与えられ、加算器25の出力はテーブル用EEF
ROM22に書き込むデータとして与えられる。
データ用EEPROM21のアドレス100から読み出
されたデータの誤り訂正が行なわれたか否かで、ここで
の動作は異なる。
されたデータの誤り訂正が行なわれたか否かで、ここで
の動作は異なる。
誤り訂正が行なわれていれば、ラッチ28がセットされ
ているから、加算器25はアドレスラッチ24に取込ま
れているアドレスに+1した値を出力する。また書込信
号32.33が有効になる。よってデータ用EEFRO
M21にはアドレス100に+1されたアドレス101
に、データラッチ26に取込まれていたデータが書き込
まれ、テーブル用EEFROM22のアドレス200に
は新しいデータAのアドレス101が書き込まれる。誤
り訂正が行なわれていなければ、ラッチ28がセットさ
れていないから、加算器25はアドレスラッチ24に取
込まれているアドレスをそのまま出力する。そして書込
信号33は書込/読み出し信号35が有効であるため有
効になるが、書込信号32は有効にはならない。よって
データEEPROM21ではアドレス100にデータラ
ッチ26に取込まれていたデータが書き込まれ、テーブ
ル用EEFROM22ではデータAを記憶するアドレス
の書換えは行なわれない。
ているから、加算器25はアドレスラッチ24に取込ま
れているアドレスに+1した値を出力する。また書込信
号32.33が有効になる。よってデータ用EEFRO
M21にはアドレス100に+1されたアドレス101
に、データラッチ26に取込まれていたデータが書き込
まれ、テーブル用EEFROM22のアドレス200に
は新しいデータAのアドレス101が書き込まれる。誤
り訂正が行なわれていなければ、ラッチ28がセットさ
れていないから、加算器25はアドレスラッチ24に取
込まれているアドレスをそのまま出力する。そして書込
信号33は書込/読み出し信号35が有効であるため有
効になるが、書込信号32は有効にはならない。よって
データEEPROM21ではアドレス100にデータラ
ッチ26に取込まれていたデータが書き込まれ、テーブ
ル用EEFROM22ではデータAを記憶するアドレス
の書換えは行なわれない。
データq読み出しは次の様に行なわれる。ここでは例と
してEEFROMからデータを読み出し、表示器で表示
する場合を説明する。
してEEFROMからデータを読み出し、表示器で表示
する場合を説明する。
データAの読み出しを行なうには、まず、データAが記
憶されているアドレスを記憶しているテーブルのアドレ
ス200をアドレスラッチ23に与え、制御回路27に
読み出しであることを指示する。すると制御回路27は
、ラッチ28をクリアし、テーブル読み出し信号31を
有効にする。
憶されているアドレスを記憶しているテーブルのアドレ
ス200をアドレスラッチ23に与え、制御回路27に
読み出しであることを指示する。すると制御回路27は
、ラッチ28をクリアし、テーブル読み出し信号31を
有効にする。
また書込/読み出し信号35が読み出しを示すように無
効にする。テーブル読み出し信号31が有効になること
によって、テーブル用EEFROM22からデータ上が
記憶されているアドレス100が出力され、アドレスチ
ッチ24に取込まれる。
効にする。テーブル読み出し信号31が有効になること
によって、テーブル用EEFROM22からデータ上が
記憶されているアドレス100が出力され、アドレスチ
ッチ24に取込まれる。
アドレスラッチ24に取込まれたアドレス100は、ラ
ッチ28がクリアされているから、加算されずにそのま
まデータ用EEPROM21にアドレスとして与えられ
る。次に制御回路27はデータ読み出し信号36を有効
する。データ読み出し信号36が有効になることによっ
て、データ用EEFROM21のアドレス100からデ
ータが読み出され、データラッチ26に取込まれる。こ
の時誤り訂正が行なわれていれば誤り訂正実行信号30
は有効であり、ラッチ28がセットされる。誤り訂正が
行なわれていなければ誤り訂正実行信号30は有効でな
く、ラッチ28はセットされない。この後に制御回路2
7は書込タイミング信号34を有効する。この時、デー
タラッチ26の内容はデータ用EEFROM21に書き
込むデータとして与えられ、加算器25の出力はテーブ
ル用EEPROM22に書き込むデータとして与えられ
る。
ッチ28がクリアされているから、加算されずにそのま
まデータ用EEPROM21にアドレスとして与えられ
る。次に制御回路27はデータ読み出し信号36を有効
する。データ読み出し信号36が有効になることによっ
て、データ用EEFROM21のアドレス100からデ
ータが読み出され、データラッチ26に取込まれる。こ
の時誤り訂正が行なわれていれば誤り訂正実行信号30
は有効であり、ラッチ28がセットされる。誤り訂正が
行なわれていなければ誤り訂正実行信号30は有効でな
く、ラッチ28はセットされない。この後に制御回路2
7は書込タイミング信号34を有効する。この時、デー
タラッチ26の内容はデータ用EEFROM21に書き
込むデータとして与えられ、加算器25の出力はテーブ
ル用EEPROM22に書き込むデータとして与えられ
る。
データ用EEPROM21のアドレス100から読み出
されたデータの誤り訂正が行なわれたか否かで、ここで
の動作は異なる。
されたデータの誤り訂正が行なわれたか否かで、ここで
の動作は異なる。
誤り訂正が行なわれていれば、ラッチ28がセットされ
ているから、加算器25はアドレスラッチ24に取込ま
れているアドレスに+1した値を出力する。また書込信
号32.33が有効になる。よってデータ用EEPRO
M21にはアドレス100に+1されたアドレス101
に、データラッチ26に取込まれているデータが書き込
まれ、テーブル用EEPROM22の7ドレス200に
は新しいデータAのアドレス101が書き込まれる。デ
ータラッチ26に取込まれているデータは誤り訂正が完
了したデータであり正しいものである。
ているから、加算器25はアドレスラッチ24に取込ま
れているアドレスに+1した値を出力する。また書込信
号32.33が有効になる。よってデータ用EEPRO
M21にはアドレス100に+1されたアドレス101
に、データラッチ26に取込まれているデータが書き込
まれ、テーブル用EEPROM22の7ドレス200に
は新しいデータAのアドレス101が書き込まれる。デ
ータラッチ26に取込まれているデータは誤り訂正が完
了したデータであり正しいものである。
誤り訂正が行なわれていなければ、ラッチ28がセット
されていないから、書込信号32.33は有効にはなら
ない。よってテーブル用EEPROM22ではデータA
を記憶するアドレスの書換えは行なわれず、データ用E
EPROM21でのデータの再書込も行なわれない。
されていないから、書込信号32.33は有効にはなら
ない。よってテーブル用EEPROM22ではデータA
を記憶するアドレスの書換えは行なわれず、データ用E
EPROM21でのデータの再書込も行なわれない。
読み出されたデータAの値は表示器へ転送され表示され
る。
る。
以上説明したように本発明はEEPROMからデータを
読み出す時に、誤り検出訂正回路が誤りを検出し訂正を
行なった場合に、訂正が行なわれたことを示す信号を出
力する論理回路を有することにより、EEPROMは正
しいデータを出力するが、セルの一部には異常があると
いう状態を知ることができ、EEPROMを搭載した情
報処理装置が、EEPROMセルの破壊により誤動作に
至る前に、使用するEEFROMのアドレスの変更、あ
るいはEEPROMの交換などの保守を可能ならしめる
効果がある。
読み出す時に、誤り検出訂正回路が誤りを検出し訂正を
行なった場合に、訂正が行なわれたことを示す信号を出
力する論理回路を有することにより、EEPROMは正
しいデータを出力するが、セルの一部には異常があると
いう状態を知ることができ、EEPROMを搭載した情
報処理装置が、EEPROMセルの破壊により誤動作に
至る前に、使用するEEFROMのアドレスの変更、あ
るいはEEPROMの交換などの保守を可能ならしめる
効果がある。
第1図は本発明の第1実施例を示すブロック図、第2図
〜第4図は第1実施例を使用した装置のソフトウェアの
フローチャートの例、第5図、第6図は第2図〜第4図
のフローチャートで示されるソフトウェアでのメモリマ
ツピングの例を示す図、第7図は第2実施例を示すブロ
ック図である。 1・・・・・・論理和回路、2・・・・・・EEPRO
Mセルアレイ、3・・・・・・セレクタ、4・・・・・
・冗長データ、5・・・・・・シンドローム発生回路、
6・・・・・・シンドローム、7・・・・・・誤りベク
トル発生回路、8・・・・・・誤りベクトル、9・・・
・・・エラー訂正回路、10・・・・・・データ、11
・・・・・・誤り訂正実行信号、14・・・・・・主デ
ータ、21・・・・・・データ用EEPROM、22・
・・・・・テーブル用EEFROM、23.24・・・
・・・アドレスラッチ、25・・・・・・加算器、26
・・・・・・データラッチ、27・・・・・・制御回路
、28・・・・・・ラッチ、30・・・・・・誤り訂正
実行信号、31・・・・・・テーブル読み出し信号、3
2.33・・・・・・書込信号、34・・・・・・書込
タイミング信号、35・・・・・・書込/読み出し信号
、36・・・・・・データ読み出し信号。
〜第4図は第1実施例を使用した装置のソフトウェアの
フローチャートの例、第5図、第6図は第2図〜第4図
のフローチャートで示されるソフトウェアでのメモリマ
ツピングの例を示す図、第7図は第2実施例を示すブロ
ック図である。 1・・・・・・論理和回路、2・・・・・・EEPRO
Mセルアレイ、3・・・・・・セレクタ、4・・・・・
・冗長データ、5・・・・・・シンドローム発生回路、
6・・・・・・シンドローム、7・・・・・・誤りベク
トル発生回路、8・・・・・・誤りベクトル、9・・・
・・・エラー訂正回路、10・・・・・・データ、11
・・・・・・誤り訂正実行信号、14・・・・・・主デ
ータ、21・・・・・・データ用EEPROM、22・
・・・・・テーブル用EEFROM、23.24・・・
・・・アドレスラッチ、25・・・・・・加算器、26
・・・・・・データラッチ、27・・・・・・制御回路
、28・・・・・・ラッチ、30・・・・・・誤り訂正
実行信号、31・・・・・・テーブル読み出し信号、3
2.33・・・・・・書込信号、34・・・・・・書込
タイミング信号、35・・・・・・書込/読み出し信号
、36・・・・・・データ読み出し信号。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)電気的に消去可能なプログラマブルセルのアレイと
、該プログラマブルセルのアレイから読み出されたデー
タに基づき該データを構成するビットの誤りを検出する
誤り検出訂正回路とを有する情報処理装置において、該
誤り検出訂正回路がビットの誤りを検出し訂正を行なっ
た場合に、訂正が行なわれたことを示す信号を出力する
論理回路を備えたことを特徴とする情報処理装置。 2)電気的に消去可能なプログラマブルセルのアレイと
、該プログラマブルセルのアレイから読み出されたデー
タに基づき該データを構成するビットの誤りを検出する
誤り検出訂正回路とを有する情報処理装置において、該
誤り検出訂正回路がビットの誤りを検出し訂正を行なっ
た場合に、訂正が行なわれたことを示す信号に基づいて
、該プログラマブルセルのアレイの中の該データを記憶
するアドレスを変更する手段を有する情報処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2046084A JP2830308B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 情報処理装置 |
| EP91102812A EP0448970B1 (en) | 1990-02-26 | 1991-02-26 | An information processing device having an error check and correction circuit |
| DE69126057T DE69126057T2 (de) | 1990-02-26 | 1991-02-26 | Ein Informationsverarbeitungsgerät mit einer Fehlerprüf- und Korrekturschaltung |
| US08/123,693 US5432802A (en) | 1990-02-26 | 1993-09-17 | Information processing device having electrically erasable programmable read only memory with error check and correction circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2046084A JP2830308B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 情報処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03248251A true JPH03248251A (ja) | 1991-11-06 |
| JP2830308B2 JP2830308B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=12737123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2046084A Expired - Lifetime JP2830308B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 情報処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5432802A (ja) |
| EP (1) | EP0448970B1 (ja) |
| JP (1) | JP2830308B2 (ja) |
| DE (1) | DE69126057T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6088261A (en) * | 1997-08-12 | 2000-07-11 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor storage device |
| JP2016212864A (ja) * | 2015-05-06 | 2016-12-15 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | メモリ管理システム、方法、およびコンピュータ・プログラム |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2710445B1 (fr) * | 1993-09-20 | 1995-11-03 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit de redondance dynamique pour mémoire en circuit intégré. |
| US5488691A (en) * | 1993-11-17 | 1996-01-30 | International Business Machines Corporation | Memory card, computer system and method of operation for differentiating the use of read-modify-write cycles in operating and initializaiton modes |
| EP0797147B1 (en) * | 1996-03-21 | 2002-07-03 | STMicroelectronics S.r.l. | Method for recovering failed memory devices |
| US6449735B1 (en) * | 1996-07-01 | 2002-09-10 | Intel Corporation | Method and apparatus for providing improved diagnostic functions in a computer system |
| WO2000070459A1 (en) * | 1999-05-18 | 2000-11-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Error correction circuit and method for a memory device |
| US6360347B1 (en) | 1999-05-18 | 2002-03-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Error correction method for a memory device |
| WO2001076075A1 (en) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Error correcting integrated circuit and method |
| FR2810152A1 (fr) * | 2000-06-13 | 2001-12-14 | St Microelectronics Sa | Memoire eeprom securisee comprenant un circuit de correction d'erreur |
| US7496822B2 (en) * | 2003-05-15 | 2009-02-24 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for responding to data retention loss in a non-volatile memory unit using error checking and correction techniques |
| US7089447B2 (en) * | 2003-08-13 | 2006-08-08 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for compression based error correction procedure in a data processing system |
| US7099221B2 (en) * | 2004-05-06 | 2006-08-29 | Micron Technology, Inc. | Memory controller method and system compensating for memory cell data losses |
| US20060010339A1 (en) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Klein Dean A | Memory system and method having selective ECC during low power refresh |
| US7340668B2 (en) * | 2004-06-25 | 2008-03-04 | Micron Technology, Inc. | Low power cost-effective ECC memory system and method |
| US7116602B2 (en) * | 2004-07-15 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Method and system for controlling refresh to avoid memory cell data losses |
| US6965537B1 (en) * | 2004-08-31 | 2005-11-15 | Micron Technology, Inc. | Memory system and method using ECC to achieve low power refresh |
| DE102005040916A1 (de) * | 2005-08-30 | 2007-03-08 | Robert Bosch Gmbh | Speicheranordnung und Betriebsverfahren dafür |
| US7471562B2 (en) * | 2006-05-08 | 2008-12-30 | Macronix International Co., Ltd. | Method and apparatus for accessing nonvolatile memory with read error by changing read reference |
| US8077516B2 (en) * | 2006-05-08 | 2011-12-13 | Macronix International Co., Ltd. | Method and apparatus for accessing memory with read error by changing comparison |
| US7773421B2 (en) * | 2006-05-08 | 2010-08-10 | Macronix International Co., Ltd. | Method and apparatus for accessing memory with read error by changing comparison |
| US7894289B2 (en) | 2006-10-11 | 2011-02-22 | Micron Technology, Inc. | Memory system and method using partial ECC to achieve low power refresh and fast access to data |
| US7900120B2 (en) | 2006-10-18 | 2011-03-01 | Micron Technology, Inc. | Memory system and method using ECC with flag bit to identify modified data |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5671897A (en) * | 1979-11-13 | 1981-06-15 | Sanyo Electric Co Ltd | Nonvolatile storage device |
| JPS5871897A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-28 | Riko Kagaku Kenkyusho:Kk | アミラ−ゼ活性の新規な測定法 |
| JPS60239999A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-28 | Seiko Epson Corp | 半導体記憶装置 |
| JPS6180342A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-23 | Nec Corp | メモリ制御装置 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4244019A (en) * | 1978-06-29 | 1981-01-06 | Amdahl Corporation | Data processing system including a program-executing secondary system controlling a program-executing primary system |
| US4612640A (en) * | 1984-02-21 | 1986-09-16 | Seeq Technology, Inc. | Error checking and correction circuitry for use with an electrically-programmable and electrically-erasable memory array |
| JPS6150293A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-12 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
| JPS6151695A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| US4654847A (en) * | 1984-12-28 | 1987-03-31 | International Business Machines | Apparatus for automatically correcting erroneous data and for storing the corrected data in a common pool alternate memory array |
| JPS61264599A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-22 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
| JP2605271B2 (ja) * | 1987-02-10 | 1997-04-30 | ソニー株式会社 | エラー訂正及びチエツク装置 |
| US4817095A (en) * | 1987-05-15 | 1989-03-28 | Digital Equipment Corporation | Byte write error code method and apparatus |
| JPH0194599A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
| DE3734137A1 (de) * | 1987-10-09 | 1989-04-20 | Pfaff Ind Masch | Luftfuehrungsvorrichtung fuer eine schweissmaschine zum verarbeiten von kunststoffolien |
| JPH0642301B2 (ja) * | 1987-12-15 | 1994-06-01 | シャープ株式会社 | 記憶媒体の欠陥管理方式 |
| JPH01201736A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロコンピュータ |
| US4926426A (en) * | 1988-08-30 | 1990-05-15 | Unisys Corporation | Error correction check during write cycles |
| JPH02166700A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-27 | Samsung Electron Co Ltd | エラー検査及び訂正装置を内蔵した不揮発性半導体メモリ装置 |
| JP2664236B2 (ja) * | 1989-02-01 | 1997-10-15 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
| US5233614A (en) * | 1991-01-07 | 1993-08-03 | International Business Machines Corporation | Fault mapping apparatus for memory |
-
1990
- 1990-02-26 JP JP2046084A patent/JP2830308B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-02-26 DE DE69126057T patent/DE69126057T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-26 EP EP91102812A patent/EP0448970B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-09-17 US US08/123,693 patent/US5432802A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5671897A (en) * | 1979-11-13 | 1981-06-15 | Sanyo Electric Co Ltd | Nonvolatile storage device |
| JPS5871897A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-28 | Riko Kagaku Kenkyusho:Kk | アミラ−ゼ活性の新規な測定法 |
| JPS60239999A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-28 | Seiko Epson Corp | 半導体記憶装置 |
| JPS6180342A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-23 | Nec Corp | メモリ制御装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6088261A (en) * | 1997-08-12 | 2000-07-11 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor storage device |
| JP2016212864A (ja) * | 2015-05-06 | 2016-12-15 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | メモリ管理システム、方法、およびコンピュータ・プログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69126057D1 (de) | 1997-06-19 |
| US5432802A (en) | 1995-07-11 |
| EP0448970B1 (en) | 1997-05-14 |
| DE69126057T2 (de) | 1997-12-11 |
| JP2830308B2 (ja) | 1998-12-02 |
| EP0448970A2 (en) | 1991-10-02 |
| EP0448970A3 (en) | 1992-09-30 |
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