JPH03248577A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
- Publication number
- JPH03248577A JPH03248577A JP4772890A JP4772890A JPH03248577A JP H03248577 A JPH03248577 A JP H03248577A JP 4772890 A JP4772890 A JP 4772890A JP 4772890 A JP4772890 A JP 4772890A JP H03248577 A JPH03248577 A JP H03248577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- strain
- type
- layer
- resistance
- diaphragm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 16
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ダイヤフラムを用いた圧力センサの製造
方法に関する。
方法に関する。
従来のこの種の圧力センサは、特開平１−１９９４７６
号公報などで開示されているように、ダイヤフラムの受
圧部となる膜部分の面に歪抵抗パターンをブリッジ接続
にて形成し、圧力に応じたダイヤフラムの変形をピエゾ
抵抗効果によって歪抵抗の抵抗変化に変換して圧力を検
出するようになっている。これは、例えば第５図に示す
ようにダイヤフラムｌの膜部分２の面に歪抵抗となるポ
リシリコン層３をパターン状に形成し、かつポリシリコ
ン層３をブリ・７ジ接続するとともに給電用となる電極
４をパターン状に形成し、この電極４に出力取出用の導
電ワイヤー（図示せず）を接続するとともにポリシリコ
ン層３および電極４を覆う保護膜５を形成して構成され
ており、その製造方法の一例を第６図により説明する。
号公報などで開示されているように、ダイヤフラムの受
圧部となる膜部分の面に歪抵抗パターンをブリッジ接続
にて形成し、圧力に応じたダイヤフラムの変形をピエゾ
抵抗効果によって歪抵抗の抵抗変化に変換して圧力を検
出するようになっている。これは、例えば第５図に示す
ようにダイヤフラムｌの膜部分２の面に歪抵抗となるポ
リシリコン層３をパターン状に形成し、かつポリシリコ
ン層３をブリ・７ジ接続するとともに給電用となる電極
４をパターン状に形成し、この電極４に出力取出用の導
電ワイヤー（図示せず）を接続するとともにポリシリコ
ン層３および電極４を覆う保護膜５を形成して構成され
ており、その製造方法の一例を第６図により説明する。
先ず、第６図（Ａ）に示すようにダイヤフラム１の表面
に必要に応じ窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（
ＳｉＯｚ）などの絶縁膜（図示せず）を形成するととも
に、プラズマＣＶＤ法にてアモルファスシリコン膜３ａ
を形成し、次に第６図（Ｂ）に示すようにアモルファス
シリコン膜３ａの表面にレーザーアニールを施し結晶化
させてポリシリコン膜３ｂを形成し、次に第６図（Ｃ）
に示すようにエツチングにてポリシリコン膜３ｂのバタ
ーニングを施して歪抵抗となるポリシリコン層３のパタ
ーンを形成し、次に第６図（Ｄ）に示すように真空蒸着
法にてアルミニウム膜４ａまたはアルミニウム合金膜を
蒸着し、かつ第６図（Ｅ）のようにエツチングにてアル
ミニウム膜４ａのパターニングを施してアルミニウム膜
パターンからなる電極４を形成し、この後第６図（Ｆ）
のように図示しない導電ワイヤーの接続および窒化シリ
コン（ＳｉＮ）などからなる保護膜５の形成を行うもの
である。この場合、複数のポリシリコン層３は第７図の
ブリッジ回路に示す抵抗Ｒ＋、 Ｒｚ、 Ｒｘ、 Ｒ４
を構成しており、これらは電極パターンにてブリッジ接
続されている。
に必要に応じ窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（
ＳｉＯｚ）などの絶縁膜（図示せず）を形成するととも
に、プラズマＣＶＤ法にてアモルファスシリコン膜３ａ
を形成し、次に第６図（Ｂ）に示すようにアモルファス
シリコン膜３ａの表面にレーザーアニールを施し結晶化
させてポリシリコン膜３ｂを形成し、次に第６図（Ｃ）
に示すようにエツチングにてポリシリコン膜３ｂのバタ
ーニングを施して歪抵抗となるポリシリコン層３のパタ
ーンを形成し、次に第６図（Ｄ）に示すように真空蒸着
法にてアルミニウム膜４ａまたはアルミニウム合金膜を
蒸着し、かつ第６図（Ｅ）のようにエツチングにてアル
ミニウム膜４ａのパターニングを施してアルミニウム膜
パターンからなる電極４を形成し、この後第６図（Ｆ）
のように図示しない導電ワイヤーの接続および窒化シリ
コン（ＳｉＮ）などからなる保護膜５の形成を行うもの
である。この場合、複数のポリシリコン層３は第７図の
ブリッジ回路に示す抵抗Ｒ＋、 Ｒｚ、 Ｒｘ、 Ｒ４
を構成しており、これらは電極パターンにてブリッジ接
続されている。
上記従来技術においては、Ｒ１−Ｒ４の各歪抵抗を形成
するポリシリコン層３の抵抗変化特性が同一で伸びに対
し抵抗が増加するものであるため、第８図の概略図に示
すように受圧部となる膜部分２の歪み方向の異なる部分
にポリシリコン層３を形成することにより検出出力を得
るようにしている。つまり、受圧時に引張歪みを発生す
る部分２ａに抵抗Ｒ，，Ｒ，を構成するポリシリコン層
３を形成し縮歪みを発生する部分２ｂに抵抗Ｒ２，Ｒ４
を構成するポリシリコン層３を形成して受圧時の不平衡
を得るようにしている。
するポリシリコン層３の抵抗変化特性が同一で伸びに対
し抵抗が増加するものであるため、第８図の概略図に示
すように受圧部となる膜部分２の歪み方向の異なる部分
にポリシリコン層３を形成することにより検出出力を得
るようにしている。つまり、受圧時に引張歪みを発生す
る部分２ａに抵抗Ｒ，，Ｒ，を構成するポリシリコン層
３を形成し縮歪みを発生する部分２ｂに抵抗Ｒ２，Ｒ４
を構成するポリシリコン層３を形成して受圧時の不平衡
を得るようにしている。
しかし、このように歪み方向の異なる膜部分に歪抵抗と
なる複数のポリシリコン層３を形成することは圧力セン
サのセンサ部分に大きなスペースを必要とし小型化を妨
げるとともに異なる方向の歪み量を大きくすることは難
しいためゲージ率も低くなるという問題があった。
なる複数のポリシリコン層３を形成することは圧力セン
サのセンサ部分に大きなスペースを必要とし小型化を妨
げるとともに異なる方向の歪み量を大きくすることは難
しいためゲージ率も低くなるという問題があった。
そこで本発明は小型化およびゲージ率の向上を図ること
のできる圧力センサを提供することを目的とする。
のできる圧力センサを提供することを目的とする。
本発明は、ダイヤフラムの受圧部の面に複数の歪抵抗を
ブリッジ接続にて形成し、圧力に応じたダイヤフラムの
変形を歪抵抗の抵抗変化に変換して圧力を検出する圧力
センサにおいて、前記複数の歪抵抗を同一方向の歪み特
性を有する面に形成するとともにこれらの歪抵抗をｎ型
抵抗層とＰ型抵抗層とで形成したものである。
ブリッジ接続にて形成し、圧力に応じたダイヤフラムの
変形を歪抵抗の抵抗変化に変換して圧力を検出する圧力
センサにおいて、前記複数の歪抵抗を同一方向の歪み特
性を有する面に形成するとともにこれらの歪抵抗をｎ型
抵抗層とＰ型抵抗層とで形成したものである。
本発明はダイヤフラムの受圧部の同方向の歪みに対し、
ブリッジ接続されたｎ型抵抗層の抵抗とＰ型抵抗層の抵
抗の一方が増加し他方が減少することにより高いゲージ
率が得られる。
ブリッジ接続されたｎ型抵抗層の抵抗とＰ型抵抗層の抵
抗の一方が増加し他方が減少することにより高いゲージ
率が得られる。
以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して説明する
。
。
第１図に示すように、ダイヤフラム１１の膜部分１２に
おける同一方向の歪み特性を有する面１３に第５図の歪
抵抗Ｒｚ（Ｒｓ）を構成するｎ型９９３７層１４と歪抵
抗Ｒ，（Ｒ，）を構成するＰ型シリコン層１５とを形成
し、かつこれらシリコン層１４．１５をブリッジ接続す
るとともに給電用となる電極１６をパターン状に形成し
、この電極１６に出力取出用の導電ワイヤー（図示せず
）を接続するとともにシリコン層１４．１５および電極
１６を覆う保護膜１７を形成して構成している。第２図
は同一方向の歪み特性を有する面１３にＲｔ、Ｒｘを構
成する２つのｎ型９９３７層１４とＲＩ、Ｒａを構成す
る２つのＰ型シリコン層１５を形成し、電極１６にてブ
リッジ接続した状態を概略的に示している。この場合、
ｎ型９９３７層１４はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ
）またはポリシリコン（Ｐ−Ｓｔ）またはマイクロクリ
スタルシリコン（μｃ−Ｓｉ）などに対し不純物として
リンをドーピングしたものであり、引張歪みが生じた時
に抵抗が減少する特性を有している。またＰ型シリコン
層１５はアモルファスシリコン（ａ−５ｉ）またはポリ
シリコン（Ｐ−Ｓｉ）またはマイクロクリスタルシリコ
ン（μｃ−Ｓｉ）などに対し不純物としてポロンをドー
ピングしたものであり、引張歪みが生じた時に抵抗が増
加する特性を有している。
おける同一方向の歪み特性を有する面１３に第５図の歪
抵抗Ｒｚ（Ｒｓ）を構成するｎ型９９３７層１４と歪抵
抗Ｒ，（Ｒ，）を構成するＰ型シリコン層１５とを形成
し、かつこれらシリコン層１４．１５をブリッジ接続す
るとともに給電用となる電極１６をパターン状に形成し
、この電極１６に出力取出用の導電ワイヤー（図示せず
）を接続するとともにシリコン層１４．１５および電極
１６を覆う保護膜１７を形成して構成している。第２図
は同一方向の歪み特性を有する面１３にＲｔ、Ｒｘを構
成する２つのｎ型９９３７層１４とＲＩ、Ｒａを構成す
る２つのＰ型シリコン層１５を形成し、電極１６にてブ
リッジ接続した状態を概略的に示している。この場合、
ｎ型９９３７層１４はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ
）またはポリシリコン（Ｐ−Ｓｔ）またはマイクロクリ
スタルシリコン（μｃ−Ｓｉ）などに対し不純物として
リンをドーピングしたものであり、引張歪みが生じた時
に抵抗が減少する特性を有している。またＰ型シリコン
層１５はアモルファスシリコン（ａ−５ｉ）またはポリ
シリコン（Ｐ−Ｓｉ）またはマイクロクリスタルシリコ
ン（μｃ−Ｓｉ）などに対し不純物としてポロンをドー
ピングしたものであり、引張歪みが生じた時に抵抗が増
加する特性を有している。
第３図は製造方法の一例を示し、先ず第３図（Ａ）に示
すようにダイヤフラム１１の表面にプラズマＣＶＤ法に
てアモルファスシリコン１Ｉ１１８ヲ形成し、次に第３
図（Ｂ）に示すようにｎ型９９３７層１４が形成される
部分を残してアモルファスシリコン膜１８の表面にレジ
スト層１９を形成し、次に第３図（Ｃ）に示すようにリ
ン化水素ガス（ＰＨ３）を原料ガスとするイオン注入法
にてレジスト層１９を有しない部分のアモルファスシリ
コン層１８にリンイオンを拡散させてｎ型９９３７層１
４を形成し、次に第３図（Ｄ）のようにレジスト層１９
を除去するとともにＰ型シリコン層１５が形成される部
分を残してレジスト層２０を形成し、次に第３図（Ｅ）
のようにレジスト層２０を有しない部分のアモルファス
シリコン層１８に、ジボラン（Ｂ、Ｈ，）などのポラン
ガスを原料ガスとするイオン注入法にてボロンイオンを
拡散させてＰ型シリコン層１５を形成し、次にレジスト
層２０を除去するとともに必要に応じアモルファスシリ
コン層１８を除去し、適宜方法により電極１６および保
護膜１７などの形成を行うものである。
すようにダイヤフラム１１の表面にプラズマＣＶＤ法に
てアモルファスシリコン１Ｉ１１８ヲ形成し、次に第３
図（Ｂ）に示すようにｎ型９９３７層１４が形成される
部分を残してアモルファスシリコン膜１８の表面にレジ
スト層１９を形成し、次に第３図（Ｃ）に示すようにリ
ン化水素ガス（ＰＨ３）を原料ガスとするイオン注入法
にてレジスト層１９を有しない部分のアモルファスシリ
コン層１８にリンイオンを拡散させてｎ型９９３７層１
４を形成し、次に第３図（Ｄ）のようにレジスト層１９
を除去するとともにＰ型シリコン層１５が形成される部
分を残してレジスト層２０を形成し、次に第３図（Ｅ）
のようにレジスト層２０を有しない部分のアモルファス
シリコン層１８に、ジボラン（Ｂ、Ｈ，）などのポラン
ガスを原料ガスとするイオン注入法にてボロンイオンを
拡散させてＰ型シリコン層１５を形成し、次にレジスト
層２０を除去するとともに必要に応じアモルファスシリ
コン層１８を除去し、適宜方法により電極１６および保
護膜１７などの形成を行うものである。
この場合、アモルファスシリコン膜１８に対し不純物を
ドーピングしたが、ポリシリコン膜あるいはマイクロク
リスタルシリコン膜を形成し、これに対し同様な工程で
不純物をドーピングしてｎ型。
ドーピングしたが、ポリシリコン膜あるいはマイクロク
リスタルシリコン膜を形成し、これに対し同様な工程で
不純物をドーピングしてｎ型。
Ｐ型のシリコン層１４．１５を形成してもよい。
そして、第３図の概略説明図に示すように、同一方向の
歪み特性を有する面１３に歪抵抗Ｒ，，Ｒ。
歪み特性を有する面１３に歪抵抗Ｒ，，Ｒ。
を構成するｎ型９９３７層１４と、Ｒ１，Ｒ４を構成す
るＰ型シリコン層１５とを形成するものであるため、面
１３に引張歪みが生じるとｎ型９９３７層１４の抵抗は
増加し逆にＰ型シリコン層１５の抵抗が減少するため、
ブリッジ回路の不平衡状態が良好に得られ高いゲージ率
を得ることができる。
るＰ型シリコン層１５とを形成するものであるため、面
１３に引張歪みが生じるとｎ型９９３７層１４の抵抗は
増加し逆にＰ型シリコン層１５の抵抗が減少するため、
ブリッジ回路の不平衡状態が良好に得られ高いゲージ率
を得ることができる。
このように上記実施例においては、同一方向の歪み特性
を有する面１３にＲ２−Ｒ４を構成するシリコン層１４
．１５を形成できるためセンサ部は小スペースとなり圧
力センサの小型化を図ることができる。また、膜部分１
２の同一方向の歪みに対し、ブリフジ回路を構成する歪
抵抗Ｒｌ−Ｒａのうちの一部の抵抗が増加し、逆に他の
抵抗が減少するためこれらの抵抗差が大きくなり、これ
に伴いゲージ率が高くなり圧力センサの精度が向上する
。
を有する面１３にＲ２−Ｒ４を構成するシリコン層１４
．１５を形成できるためセンサ部は小スペースとなり圧
力センサの小型化を図ることができる。また、膜部分１
２の同一方向の歪みに対し、ブリフジ回路を構成する歪
抵抗Ｒｌ−Ｒａのうちの一部の抵抗が増加し、逆に他の
抵抗が減少するためこれらの抵抗差が大きくなり、これ
に伴いゲージ率が高くなり圧力センサの精度が向上する
。
なお本発明は上記実施例に限定されるものではなく本発
明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である
。例えばブリフジ回路は適宜タイプに適用可能であり、
また第５図においてＲ＋、Ｒａをｎ型抵抗層、ＲＬＲ３
をＰ型抵抗層に形成するなど適宜変更可能であり、要は
少なくとも１つの抵抗をｎ型にした場合は他をＰ型にし
、逆に少なくとも１つの抵抗をＰ型にした場合は他をｎ
型にすればよい。
明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である
。例えばブリフジ回路は適宜タイプに適用可能であり、
また第５図においてＲ＋、Ｒａをｎ型抵抗層、ＲＬＲ３
をＰ型抵抗層に形成するなど適宜変更可能であり、要は
少なくとも１つの抵抗をｎ型にした場合は他をＰ型にし
、逆に少なくとも１つの抵抗をＰ型にした場合は他をｎ
型にすればよい。
本発明は、ダイヤフラムの受圧部の面に複数の歪抵抗を
ブリッジ接続にて形成し、圧力に応じたダイヤフラムの
変形を歪抵抗の抵抗変化に変換して圧力を検出する圧力
センサにおいて、前記複数の歪抵抗を同一方向の歪み特
性を有する面に形成するとともにこれらの歪抵抗をｎ型
抵抗層とＰ型抵抗層とで形成したものであり、小型化お
よびゲージ率の向上を図ることのできる圧力センサを提
供できる。
ブリッジ接続にて形成し、圧力に応じたダイヤフラムの
変形を歪抵抗の抵抗変化に変換して圧力を検出する圧力
センサにおいて、前記複数の歪抵抗を同一方向の歪み特
性を有する面に形成するとともにこれらの歪抵抗をｎ型
抵抗層とＰ型抵抗層とで形成したものであり、小型化お
よびゲージ率の向上を図ることのできる圧力センサを提
供できる。
第１図〜第４図は本発明の一実施例を示し、第１図は圧
力センサを示す概略説明図、第２図はブリッジ接続され
た抵抗層パターンを示す概略説明図、第３図（Ａ）〜（
Ｅ）は製造工程を示す概略説明図、第４図は受圧状態を
示す概略説明図、第５図は従来の圧力センサを示す概略
説明図、第６図（Ａ）〜（Ｆ）は従来の製造工程を示す
概略説明図、第７図は一般的なブリッジ回路図、第８図
は従来の受圧状態を示す概略説明図である。 １１・−・ダイヤフラム １３−・−面 １４−ｎ型シリコン層（ｎ型抵抗層）
力センサを示す概略説明図、第２図はブリッジ接続され
た抵抗層パターンを示す概略説明図、第３図（Ａ）〜（
Ｅ）は製造工程を示す概略説明図、第４図は受圧状態を
示す概略説明図、第５図は従来の圧力センサを示す概略
説明図、第６図（Ａ）〜（Ｆ）は従来の製造工程を示す
概略説明図、第７図は一般的なブリッジ回路図、第８図
は従来の受圧状態を示す概略説明図である。 １１・−・ダイヤフラム １３−・−面 １４−ｎ型シリコン層（ｎ型抵抗層）
Claims (1)
- （１）ダイヤフラムの受圧部の面に複数の歪抵抗をブリ
ッジ接続にて形成し、圧力に応じたダイヤフラムの変形
を歪抵抗の抵抗変化に変換して圧力を検出する圧力セン
サにおいて、前記複数の歪抵抗を同一方向の歪み特性を
有する面に形成するとともにこれらの歪抵抗をｎ型抵抗
層とＰ型抵抗層とで形成したことを特徴とする圧力セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4772890A JPH03248577A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4772890A JPH03248577A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03248577A true JPH03248577A (ja) | 1991-11-06 |
Family
ID=12783399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4772890A Pending JPH03248577A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03248577A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0587649A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体応力検出装置 |
-
1990
- 1990-02-27 JP JP4772890A patent/JPH03248577A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0587649A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体応力検出装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3858150A (en) | Polycrystalline silicon pressure sensor | |
| US6167761B1 (en) | Capacitance type pressure sensor with capacitive elements actuated by a diaphragm | |
| US7633131B1 (en) | MEMS semiconductor sensor device | |
| WO2012080811A1 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2012127793A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| Obermeier et al. | Characteristics of polysilicon layers and their application in sensors | |
| US6647795B2 (en) | Capacitive physical load sensor and detection system | |
| JP3359871B2 (ja) | 容量型圧力センサ及びその製造方法 | |
| JPH03248577A (ja) | 圧力センサ | |
| JP4035519B2 (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| JPH1114482A (ja) | 静電容量式圧力センサ及びその製造方法 | |
| JPS63308390A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| KR20050075225A (ko) | 단일칩으로 집적되는 ｍｅｍｓ 멀티 센서 및 그 제조방법 | |
| JP3546151B2 (ja) | 歪み検出素子及び歪み検出素子製造方法 | |
| JPH01302867A (ja) | 半導体センサ | |
| JPH0486505A (ja) | 歪抵抗装置 | |
| JP2007324566A (ja) | 半導体歪みゲージ及びその製造方法 | |
| JP2004069596A (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| JP2748077B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JPH0412236A (ja) | 歪抵抗装置 | |
| JPH06163939A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JPH07176765A (ja) | 半導体歪変換素子 | |
| JPH0262928A (ja) | 薄膜圧力センサ | |
| KR19990081452A (ko) | 다결정 실리콘을 이용한 차량용 반도체 센서의 제조방법 | |
| JPS62268166A (ja) | 薄膜圧力センサ |