JPH0325032B2 - - Google Patents

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JPH0325032B2
JPH0325032B2 JP58195529A JP19552983A JPH0325032B2 JP H0325032 B2 JPH0325032 B2 JP H0325032B2 JP 58195529 A JP58195529 A JP 58195529A JP 19552983 A JP19552983 A JP 19552983A JP H0325032 B2 JPH0325032 B2 JP H0325032B2
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JP
Japan
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layer
active layer
inp
light emitting
doped
Prior art date
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JP58195529A
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English (en)
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JPS6086879A (ja
Inventor
Hiroshi Okuda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
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Priority to CA000465572A priority patent/CA1234421A/en
Priority to EP84307115A priority patent/EP0140645B1/en
Priority to DE84307115T priority patent/DE3486185T2/de
Priority to US06/662,043 priority patent/US4623907A/en
Priority to KR1019840006521A priority patent/KR890003385B1/ko
Publication of JPS6086879A publication Critical patent/JPS6086879A/ja
Publication of JPH0325032B2 publication Critical patent/JPH0325032B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/8215—Bodies characterised by crystalline imperfections, e.g. dislocations; characterised by the distribution of dopants, e.g. delta-doping
    • H—ELECTRICITY
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    • H10H20/80—Constructional details
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP

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  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 発明の利用分野 この発明は、半導体発光素子の製造方法に関す
る。
(ロ) 先行技術 従来、高速応答用のIn1-xGaxAs1-yPy／InPの
ダブルヘテロ型の発光ダイオードにおいて、応答
速度を上げるためにｐ−In1-xGaxAs1-yPy活性層
にｐ型不純物であるZnを３〜10×1018cm-3の密度
でドープし、ｎ型のｎ−InPクラツド層上にエピ
タキシヤル成長させていた。
(ハ) 問題点 前記ｐ−In1-xGaxAs1-yPy活性層へのｐ型不純
物であるZn（亜鉛）のドープは高密度であるた
め、前記エピタキシヤル成長時にはｎ−InPクラ
ツド層へZnが拡散し、その一部がｐ型のｐ−InP
となり、このためｐ−ｎ接合が所定のｐ−In1-x
GaxAs1-yPy活性層とｎ−InPクラツド層の界面か
ら外れ、ｎ−InPクラツド層内にｐ−ｎ接合が移
動するリモートジヤクシヨンが生じる。ところ
で、発光はｐ−ｎ接合近傍に生じるため、ｎ−
InPクラツド層内に接合が移動すると、発光領域
であるｐ−In1-xGaxAs1-yPy活性層における発光
出力が減少し、しかも応答速度を上げるためにｐ
型不純物Znをドープしたにもかかわらず応答速
度の低下をまねく問題があつた。
(ニ) 目的 この発明は前記事情に基づいてなされたもの
で、その目的とするところは、応答速度を高める
と共に、発光出力も高くできる半導体発光素子の
製造方法を提供することである。
(ホ) 実施例 以下、この発明の一実施例につき第１図ないし
第３図を参照して説明する。第１図は半導体発光
素子の構成図を示す、同図１はTe（テルル）が２
×1018cm-3の密度でドープされたｎ−InP基板１
である。このｎ−InP基板１上には、Teが２×
1018cm-3の密度でドープされたｎ−InP層２がエ
ピタキシヤル成長法により5μｍの厚さに形成さ
れている。このｎ−InP層２上には、ドープされ
て無い（nondope）In1-xGaxAs1-yPy活性層３が
エピタキシヤル成長法により0.5μｍの厚さに形成
されている。このIn1-xGaxAs1-yPy活性層３上に
はZnを３〜10×1018cm-3の密度でドープしたｐ−
In1-xGaxAs1-yPy活性層４がエピタキシヤル成長
法により1μｍの厚さに形成されている。このｐ
−In1-xGaxAs1-yPy活性層４上にはZnを２×1018
cm-3の密度でドープしたｐ−InPクラツド層５が
エピタキシヤル成長法により1μｍの厚さに形成
されている。このｐ−InPクラツド層５上にはZn
を２×1018cm-3の密度でドープしたｐ−In1-WGaW
As1-ZPZコンタクト層６がエピタキシヤル成長法
により1μｍの厚さに形成されている。このよう
に各層２，３，４，５，６が順次エピタキシヤル
成長法によつて形成される。
前述のようにドープされていないIn1-xGax
As1-yPy活性層３を0.5μｍの厚さにエピタキシヤ
ル成長の後、Znがドープされたｐ−In1-xGax
As1-yPy活性層４及びｎ−InPクラツド層５を順
次エピタキシヤル成長させると、Znドープのｐ
−In1-xGaxAs1-yPy活性層４中のZnが、ドープさ
れて無いIn1-xGaxAs1-yPy活性層３中に0.5μｍほ
ど拡散する。この結果、InGaxAs1-yPy活性層３
とｎ−InPクラツド層２との界面近傍にｐ−ｎ接
合が形成される。このため、このｐ−ｎ近傍で発
光すると、発光領域であるIn1-xGaxAs1-yPy活性
層３，４中において発光が生じ、第２図の破線に
よつて示す従来の半導体発光素子の発光出力に比
較し、同図実線によつて示す本半導体発光素子の
発光出力が増加する。また、第３図の実線によつ
て示す本半導体発光素子の発光する周波数応答速
度も従来の破線によつて示す半導体発光素子に比
較して速くなることが示される。
なお、前記実施例においてはnondope In1-x
GaxAs1-yPy活性層３及びｐ−In1-xGaxAs1-yPy活
性層４につきIn1-xGaxAs1-yPy系について説明し
たが、これに限らずIn1-xGaxAs1-yPyにかえて
In1-xGaxAs1-ySby系又はGa1-xAlxAs1-ySby系に
ついても液相エピタキシヤル成長法、分子線エピ
タキシヤル成長法等を用いて同様に実施すること
ができる。
(ヘ) 効果 以上説明したようにこの発明は、ｎ−InP層と
トープされて無いIn1-xGaxAs1-yPy活性層又はｎ
−InSb層とドープされて無いIn1-xGaxAs1-ySby
活性層又はｎ−GaSb層とドープされて無い
Ga1-xAlxAs1-ySby活性層の界面又はその近傍に
ｐ−ｎ接合位置が形成されるから、応答速度及び
発光出力が増加し、高速応答用の半導体発光素子
として好適に利用される。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図、第
２図は半導体発光素子の電流・発光出力特性図、
第３図は半導体発光素子の電流・応答速度特性図
である。 １……ｎ−InP基板、２……ｎ−InPクラツド
層、３……nondope In1-xGaxAs1-yPy活性層、４
……In1-xGaxAs1-yPy活性層、５……ｐ−InPク
ラツド層、６……ｐ−In1-WGaWAs1-ZPZコンタク
ト層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ｎ−InPクラツド層の上に、ドープされて無
    いIn1-xGaxAs1-yPy活性層、Ｐ型にドープされた
    ｐ−In1-xGaxAs1-yPy活性層、Ｐ型にドープされ
    たｐ−InPクラツド層を順次エピタキシヤル成長
    させ、 もつてエピタキシヤル成長後に前記ｎ−InP層
    と前記In1-xGaxAs1-yPy活性層の界面又はその近
    傍にｐ−ｎ接合位置を形成することを特徴とする
    半導体発光素子の製造方法。
JP58195529A 1983-10-19 1983-10-19 半導体発光素子の製造方法 Granted JPS6086879A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58195529A JPS6086879A (ja) 1983-10-19 1983-10-19 半導体発光素子の製造方法
CA000465572A CA1234421A (en) 1983-10-19 1984-10-16 Semiconductor light-emitting device
EP84307115A EP0140645B1 (en) 1983-10-19 1984-10-17 Semiconductor light-emitting device
DE84307115T DE3486185T2 (de) 1983-10-19 1984-10-17 Lichtemittierende halbleitervorrichtung.
US06/662,043 US4623907A (en) 1983-10-19 1984-10-18 Semiconductor light-emitting device
KR1019840006521A KR890003385B1 (ko) 1983-10-19 1984-10-19 반도체 발광 소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58195529A JPS6086879A (ja) 1983-10-19 1983-10-19 半導体発光素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6086879A JPS6086879A (ja) 1985-05-16
JPH0325032B2 true JPH0325032B2 (ja) 1991-04-04

Family

ID=16342600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58195529A Granted JPS6086879A (ja) 1983-10-19 1983-10-19 半導体発光素子の製造方法

Country Status (4)

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US (1) US4623907A (ja)
EP (1) EP0140645B1 (ja)
JP (1) JPS6086879A (ja)
DE (1) DE3486185T2 (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
EP0140645B1 (en) 1993-07-28
JPS6086879A (ja) 1985-05-16
EP0140645A3 (en) 1987-09-16
US4623907A (en) 1986-11-18
DE3486185D1 (de) 1993-09-02
EP0140645A2 (en) 1985-05-08
DE3486185T2 (de) 1993-11-04

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