JPH03250604A - サーミスタ - Google Patents
サーミスタInfo
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- JPH03250604A JPH03250604A JP34366289A JP34366289A JPH03250604A JP H03250604 A JPH03250604 A JP H03250604A JP 34366289 A JP34366289 A JP 34366289A JP 34366289 A JP34366289 A JP 34366289A JP H03250604 A JPH03250604 A JP H03250604A
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
抵抗値が減少するサーミスタに関する。
電子機器の温度補償、表面温度測定センサその他に利用
される。
て抵抗値が減少するサーミスタにおいて、電極と接触す
る部分以外のサーミスタ素体の表面をガラスと無機結晶
物との無機複合材料で被覆し、電極をメッキにより形成
することにより、ハンダ付着性およびハンダ耐熱性に優
れ、かつ抵抗値のバラツキが小さいサーミスタ素子を提
供するものである。
範囲内における温度上昇にともなって抵抗値が減少する
。この特性を利用して、例えば通信機器では、発振周波
数の温度補償を行っている5プリント基板あるいはアル
ミナ基板などに表面実装される従来のサーミスタは、サ
ーミスタ素体の両端に銀−パラジウムを主成分とする電
極が形成された構造をもつ。電極に銀−パラジウムを用
いる理由は、プリント基板にサーミスタをハンダ付けす
る際に、電極がハンダ中に溶出して消失することを防止
すること、すなわちハンダ耐熱性を得るためである。
ペーストにサーミスタ素体の一部を浸漬するなどの方法
が用いられる。
り、高温かつ長時間のハンダ付けはできないなど、ハン
ダ付は条件のうえで制約があった。
加させるとよい。しかし、パラジウム量が増加すると、
ハンダ付着性が低下し、サーミスタ電極へのハンダ付着
量が少なくなってしまう。
なったり、サーミスタと回路上の配線との間の電気的接
続が不完全となるなどの問題が生じていた。
、電極の表面に金属メッキを施す方法が考えられる。し
かし、メッキ処理時にサーミスタ素体が浸食されたり、
素体表面へのメッキ付着が発生する。
タ断面の顕微鏡写真を第4図、第5図に示す。第4図に
示した例では、サーミスタ素体が浸食されている。また
、第5図に示した例では、サーミスタ素体表面にメッキ
が付着している。
極とサーミスタ素体との界面や素体表面の一部が浸食さ
れ、耐湿性などの信頼性が低下してしまうことがある。
では、個々の素子に対する銀−パラジウムの付着量にバ
ラツキが生じ、電極の間隔にバラツキが生じてしまう。
ト内および製造ロフト間のバラツキが大きくなるなどの
問題があった。
ハンダ耐熱性に優れ、かつ抵抗値のバラツキを減らすこ
とのできる構造のサーミスタを提供することを目的とす
る。
部分を除いてガラスと無機結晶物とを含む無機複合材料
で被覆され、電極はメッキ層を含むことを特徴とする。
サーミスタとしては、それぞれ実開昭6367201号
公報、特開昭63−177402号公報に開示されたも
のがある。これらの公知技術は、サーミスタ素体が露出
していることによる使用中の特性劣化を防止するために
ガラス層または無機物を用いているものであり、メッキ
処理については考慮されていない。
よるハンダ付着性およびハンダ耐熱性の改善を目的とす
るものであり、これに付随する問題を解決するために無
機複合材料を使用するものである。
物としてアルミナが例示されているが、ガラスと無機結
晶物とを含む無機複合材料を用いることは公知ではない
。
表面に、電極を形成しようとする部分を除いて無機複合
材料の被膜を形成する。この後に、無機複合材料で被覆
されていない部分に銀を生成分とする電極を形成し、そ
の上にニッケノペスズなどの金属メッキを施す。
は、ガラスが50〜98%、無機結晶物が2〜50%の
範囲であることが望ましい。ガラスの体積比が50%未
満の場合には被膜の緻密化が困難となり、メッキ処理を
施したときにサーミスタ素体の抵抗値が変化するなどの
問題が生じる。ガラスの体積比が98%を越えると、素
子どうしの付着や焼成治具への貼り付きなどが発生する
問題が生じ、無機複合材料を使用する効果が失われてし
まう。
0〜1000℃の範囲の材料が望ましい。さらには、軟
化点が低めの材料を多く、高めの材料を少なくすること
が望ましい。軟化点の範囲は実際には電極焼成温度との
兼ね合いで決定される。電極に焼付銀を用いるときの焼
成温度は600〜850℃であり、その温度よりガラス
の軟化点が大幅に低い場合には、電極焼成時にガラスが
電極表面に浮き上がり、素子同士または素子と焼成治具
との貼り付きが生じて歩留りが低下することがある。
度が実質的に1000℃付近となり、サーミスタ素体が
変質するなどの弊害が発生する。
O系のものが好ましいが、この他に、Lllに、Na5
Mg、Sr、Zn5CdSPb、ARなどのイオンを含
むものでも良く、本発明はこれらの材料に限定されるも
のではない。
あればどのようなものでも良いが、特に、アルミナ、ジ
ルコニア、ジルコン、チタニア、ムライト、マグネシア
、フォルステライト、コージライト、シリカ、チタン酸
バリウム、酸化亜鉛その他の安価なものを利用できる。
膨張係数の40%以上100%以下であることが望まし
い。この範囲の場合には、無機複合材料の被覆のない場
合に比較してサーミスタの抗折強度が増加する。特に5
0〜90%のときには、抗折強度が20〜70%増加す
る。これに対して40〜100%の範囲外では、被覆を
設けない場合に比較して抗折強度が低下してしまう。
の両端を置き、素子の中央部に加重したときの破壊強度
をいう。これは、素子を表面実装基板に取り付けるとき
のハンダ等による熱や取り付は後の熱サイクルによって
生じる応力歪にどれだけ耐えることができるかの目安と
なる。
に圧縮応力が残留するためと考えられる。
膜とが冷えると、熱膨張係数の大きなサーミスタ素体の
方が縮み方が大きく、被膜が圧縮された状態となる。こ
の状態のサーミスタに折り曲げ力を加えると、折り曲げ
の内側には圧縮応力が生じ、外側には引張応力が生じる
。サーミスタ素体のセラミック材料と被膜とは、共に圧
縮応力には強いが引張応力には弱く、ある程度以上の折
り曲げ力を加えるとその曲げの外側にクラックが生じる
。このとき、外側の被膜に元から圧縮応力が加わってい
るため、被膜がない場合に比較して抗折強度が増加する
。
ニッケノペアルミニウム、銅がら選択される一以上の金
属の酸化物焼結体を利用できるが、本発明はこれらの材
料に限定されるものではない。
が好ましいが、本発明はこれらの形状に限定されるもの
ではない。
金に比較して電気伝導度が良く、耐熱に優れ、かつ低価
格の、銀を主成分とする銀ペーストの焼付電極を利用で
きる。しかし、これに限定されることなく、例えば銅や
ニッケルなどを使用することもでき、溶射法により下地
の層を形成することもできる。
メッキ時のサーミスタ素体部への浸食、素体へのメッキ
付着、および電極と素体との異色の浸食を防止でき、電
′極表面のみをメッキ処理Jることが可能となる。した
がって、ハンダ付着性およびハンダ耐熱性の双方を改善
できる。
同一構造の素子であれば電極付着面積力1実質的に一定
となり、製造後の抵抗値のバラツキが少なくなる。
れる。しかし、被膜形成時あるいは電極形成時にガラス
が溶融することから、素子同士の付着や焼成治具への貼
り付きなどの問題が発生しその結果、歩留が低下するこ
とがある。
質から、被膜形成に要する温度が1000℃を越える温
度となる。このため、サーミスタ素体との過度の反応な
どの弊害が発生したり、緻密な被膜が得られずにメッキ
液が侵入する問題が発生する。
成治具への貼り付きなどを防止して高い歩留で製造でき
、比較的低温での被膜形成が可能で被膜とサーミスタ素
体との過度の反応が生じることなく、緻密な被膜が得ら
れる。
数を自由に選択でき、抗折強度の高いサーミスタが得ら
れる。
2図は長さ方向に沿った断面図を示す。
素子を例に説明する。
ともなって電気抵抗が低下するサーミスタ素体1と、こ
のサーミスタ素体1の表面に設けられた二つの電極とを
備える。ここで本実施例の特徴とするところは、サーミ
スタ素体lの表面が二つの電極の部分を除いてガラスと
無機結晶物とを含む無機複合材料層4で被覆され、二つ
の電極はそれぞれ、焼付電極2とメッキ層3とを含むこ
とにある。
トを出発原料とし、MnQ2 :NiO:CoOに換算
して金属原子比3:1:2の割合で秤量し、ボールミル
で16時間混合した後に脱水乾燥した。次に、この混合
物を900℃で2時間仮焼し、再びボールミルで混合し
て脱水乾燥した。その仮焼後の原料に対し、ポリビニル
ブチラール6重量%、エタノール30重量%およびブタ
ノール30重量%を加え、混合スラリーを作製した。こ
のスラリーを用いて、ドクターブレード法により厚さ0
、80mmのシートを作製した。このシートから2゜3
4mm X 1.48mmの大きさのチップを打ち抜き
、1200℃で4時間焼成し、長さ1.9mm、幅1.
2mm、厚さ0.65tnmの焼成体を得た。
合材料H4を形成した。無機複合材料層4の原料として
は、Sl 02 、B2O3およびBa0を主成分とす
る軟化点720℃のガラス粉末70%と、アルミナ粉末
30%との混合粉末を用いた。この混合粉末に有機バイ
ンダと溶剤とを加えてペーストとし、このペーストをサ
ーミスタ素体lの端面(1,2mm Xo、65mmの
面)を除く表面に印刷し、850 ℃で焼成した。これ
により、厚さ15±5μ■の無機複合材料層4が得られ
た。
一部表面とに銀ペーストを塗布し、800℃で焼付して
焼付電極2を形成した。この段階における素子の寸法は
、長さ約2.Omm、幅約1.25mm、厚さ約0.7
mmであった。
た。メッキ処理方法としては電解メッキ法を用い、焼付
電極2の表面に厚さ2〜3μmのニッケル層を形成し、
続けてその上に、同様に厚さ4〜5即のスズ層を形成し
た。
着性右よびハンダ耐熱性の試験を行った。
電極を850℃で焼き付けたものについても試験を行っ
た。ハンダ付着性については、230℃のハンダ浴に4
秒間浸漬し、そのハンダ付着面積を観察した。その結果
を第1表に示す。ノ1ンダ耐熱性については、350℃
のハンダ浴に30秒間浸漬し、電極の消失状態を観察し
た。その結果を第2表に示す。
付着性およびハンダ耐熱性が非常に優れていた。
ーミスタを製造し、25℃における各ロフトの平均抵抗
値およびバラツキを測定した。比較例についても40ツ
ト製造し、同様に平均抵抗値およびバラツキを測定した
。この結果を第3表に示す。ロフト番号1〜4は実施例
であり、ロット番号5〜8は比較例を示す。
実施例の素子は、ロフト内の抵抗値のバラツキが小さく
、ロット間の平均値のバラツキも小さかった。
ッケルに替え、MnO2:Ni○に換算して金属原子比
を80:20として、実施例1と同様の方法によりサー
ミスタを作製した。このサーミスタをプリント基板にハ
ンダ付けし、85℃、85RH%、1000時間の混生
放置における25℃の抵抗値の経時変化を測定した。ま
た、比較例として、サーミスタ素体に銀−パラジウム電
極を焼き付けたもの、およびそれにメッキ処理を施した
ものについても同じ測定を行った。この結果を第4表に
示す。
れたもの、ロフト番号3はメッキ処理を施していない比
較例、ロフト番号4はメッキ処理を施した比較例をそれ
ぞれ示す。各ロフトの素子数は300個である。
が施された比較例は、経時変化が大きく、メッキ処理に
より耐湿性が低下している。これに対して実施例の素子
は、メッキ処理を施しても、従来技術により製造された
メッキ処理を施していない素子と同等、もしくはそれ以
上に経時変化が小さく、信頼性に優れている。
点720℃のガラス粉末と、種々の無機結晶粉末とを用
い、その体積比を変えて実施例1と同等のサーミスタを
作製した。このときの無機結晶粉末の材料、ガラスとの
体積比、歩留、メッキ工程前後での抵抗値のロフト内平
均値の変化率を第5表および第6表に示す。歩留につい
ては、無機複合材料層4の形成時と電極形成時とに発生
した素子同士の付着や焼成治具への貼り付きなどで生じ
た不良品を除いた良品の割合で示す。各ロフトの試料数
は2000個である。なお、ロット番号1.9.10.
11.12の試料は、ガラスと無機結晶物との体積比が
、ガラス50〜98%、無機結晶物2〜50%という範
囲から外れている。
物との体積比がガラス50〜98%、無機結晶物2〜5
0%の範囲では、素子同士の付着や焼成治具への貼り付
きなどの問題も少なく、メッキ処理での抵抗値変化も実
質的に発生しない。ガラス55〜80%、無機結晶物2
0〜45%であればさらに望ましい。
ガラス粉末を70体積%と、アルミナ粉末を30体積%
との混合粉末を用い、実施例1と同様にしてサーミスタ
を作製した。得られたサーミスタについて、用いたガラ
スの軟化点、歩留、ロット内の抵抗値の平均値、および
その平均値のメッキ工程前後での変化率を第7表に示す
。歩留については、無機複合材料層4の形成時と電極形
成時とに発生した素子同士の付着や焼成治具への貼り付
きなどで生じた不良品を除いた良品の割合で示す。各ロ
フトの試料数は2000個である。なお、ロフト番号1
.2.14および15の試料は、ガラスの軟化点が、4
00 ℃〜1000℃という範囲から外れて いる。
ラスの軟化点が400〜1000℃の範囲であれば、素
子同士の付着や焼成治具への貼り付きなどの問題も少な
く、被膜形成時のサーミスタ素体の変質による抵抗値変
化も実質的に発生しない。
り好ましい。
度を測定するため、サーミスタ素体としてMn5CoS
Ni、Cu5Af等の酸化物を混合して焼成した種々の
線熱膨張係数のものを用い、無機複合材料層として、 ■ ガラスのみ、 線熱膨張係数αニーh =65 Xl0−7/ t■
■のガラスにジルコミア(線熱膨張係数が105 Xl
0−’/l)を20体積%添加したもの、線熱膨張係数
α3−ト=73X10−’/l■ ■のガラスにジルコ
ニアを30体積%添加したもの、 線熱膨張係数α:+−h =77 Xl0−7/ t■
■のガラスにアルミナ(線熱膨張係数が83XIO−
7/l)を20体積%添加したもの、線熱膨張係数α:
l−トー101 Xl0−7/ ’C■ ■のガラスに
アルミナを40体積%添加したもの、 線熱膨張係数αつ−h−106XIP7/ t■ ガラ
スのみ、 線熱膨張係数αニー) = 110xlO−’/℃を用
い、電極を形成する前の状態で長さβ=約約20mm幅
W−約1.25mmのサーミスタを形成した。また、無
機複合材料層を設けないサーミスタも作った。これらの
サーミスタの長さ方向の両端を間隔1.2++onで配
置された二つの台にそれぞれ載置し、二つの台の中間の
位置に押し下げ速度20mm/m1nで力を加え、破壊
時に加えられた加重を測定した。
、同じサーミスタ素体材料と無機複合材料との組み合わ
せに対して、それぞれ20個の平均値を測定し、無機複
合材料層がない場合の抗折強度f:、−□2.と、無機
複合材料層がある場合の抗折強度f=+−トありとの比
を百分率で表したものである。
強度の比を示す。無機複合材料層に線熱膨張係数αヨー
ドがサーミスタ素体の線熱膨張係数αヶ−58,の40
〜100%の材料を用いた場合には、その層がない場合
に比較して抵折強度が増加した。
加した。これに対して線熱膨張係数αっ−、が上述の範
囲外のときには、無機複合材料層がない場合に比較して
抗折強度が低下してしまった。
メッキ電極を用いているので、ハンダ付着性とハンダ耐
熱性との双方を向上させることができる効果がある。
の面積があらかじめ設定されいるため、目標抵抗値の再
現性がよく、そのバラツキが少ない。すなわち、製品の
歩留りを向上させることができる効果がある。
付きなどによる不良品の発生が少なく、被覆形成時のサ
ーミスタ抵抗値の変化が少なく、メッキ工程の前後にお
けるロット内の平均抵抗値の変化も少ない。したがって
、高品質かつ高信頼性のサーミスタを製造できる効果が
ある。
銅その他を使用でき、低コストのサーミスタを製造でき
る効果がある。
することにより、サーミスタの抗折強度を高めることが
できる効果がある。
示す図。 第4図は従来例サーミスタのメッキ処理後の電極部分の
断面結晶構造を示す顕微鏡写真。 第5図は従来例サーミスタのメッキ処理後の電極部骨の
断面結晶構造を示す顕微鏡写真。 1・・・サーミスタ素体、2・・・焼付電極、3・・・
メッキ層、4・・・無機複合材料層。
Claims (4)
- 1.使用温度範囲内における温度上昇にともなって電気
抵抗が低下するサーミスタ素体と、このサーミスタ素体
の表面に設けられた二つの電極とを備えたサーミスタに
おいて、上記二つの電極がそれぞれ電気的に接触する部
分を除いて上記サーミスタ素体の表面がガラスと無機結
晶物とを含む無機複合材料で被覆され、上記二つの電極
はメッキ層を含むことを特徴とするサーミスタ。 - 2.無機複合材料に含まれるガラスと無機結晶物との体
積比は、ガラスが50〜98%、無機結晶物が2〜50
%の範囲である請求項1記載のサーミスタ。 - 3.無機複合材料に含まれるガラスはその軟化点が40
0〜1000℃の範囲である請求項1記載のサーミスタ
。 - 4.無機複合材料はその線熱膨張係数がサーミスタ素体
の線熱膨張係数の40%以上100%以下である請求項
1記載のサーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1343662A JP2591206B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1343662A JP2591206B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250604A true JPH03250604A (ja) | 1991-11-08 |
| JP2591206B2 JP2591206B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=18363271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1343662A Expired - Lifetime JP2591206B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2591206B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100771501B1 (ko) * | 2006-04-07 | 2007-10-30 | 주식회사 쎄라텍 | 적층형 칩 타입 전자 부품의 표면 코팅용 조성물, 이를이용한 적층형 칩 타입 전자 부품 및 그 제조방법 |
| JP2011204778A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60701A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-01-05 | ティーディーケイ株式会社 | オ−ム性電極 |
| JPS62287601A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-14 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜サ−ミスタ |
| JPS6367201U (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-06 |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1343662A patent/JP2591206B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60701A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-01-05 | ティーディーケイ株式会社 | オ−ム性電極 |
| JPS62287601A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-14 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜サ−ミスタ |
| JPS6367201U (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-06 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100771501B1 (ko) * | 2006-04-07 | 2007-10-30 | 주식회사 쎄라텍 | 적층형 칩 타입 전자 부품의 표면 코팅용 조성물, 이를이용한 적층형 칩 타입 전자 부품 및 그 제조방법 |
| JP2011204778A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2591206B2 (ja) | 1997-03-19 |
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