JPH03250604A - Thermistor - Google Patents

Thermistor

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JPH03250604A
JPH03250604A JP34366289A JP34366289A JPH03250604A JP H03250604 A JPH03250604 A JP H03250604A JP 34366289 A JP34366289 A JP 34366289A JP 34366289 A JP34366289 A JP 34366289A JP H03250604 A JPH03250604 A JP H03250604A
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thermistor
composite material
glass
inorganic composite
electrodes
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古川 雅啓
Yoshinori Fujimoto
義典 藤本
Masahiro Hirama
平間 昌弘
Yoshihiko Ishikawa
石川 良彦
Moriyasu Asami
浅見 守康
Hidenao Matsushima
秀直 松島
Masami Koshimura
正己 越村
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Abstract

PURPOSE:To obtain a thermistor element excellent in solderability and solder heat resistance and little in the variation of a resistance value by coating the surface of a thermistor element assembly except the area which comes into contact with electrodes, with the inorganic composite material of glass and inorganic crystal, and by forming the electrodes through plating. CONSTITUTION:A thermistor is equipped with a thermistor element assembly 1, which lowers its electric resistance as the temperature rises in the operating temperature range, and with two electrodes provided on the surface of this thermistor element assembly 1. In this case, the surface of the thermistor element assembly 1 is covered with an inorganic composite material layer 4 including a glass and inorganic crystal excepting the part of two electrodes, and the two electrodes respectively consist of a baked electrodes 2 and plated layer 3. Therefore, it is possible to plate only the electrode surface and to improve both solderability and solder heat resistance. Also, the inorganic composite material becomes a mask at the time of forming the electrode so that the area of electrode adhesion becomes substantially constant in the case of elements of the same manufacture and the variation of a resistance value is reduced after manufacture.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は使用温度範囲内における温度上昇にともなって
抵抗値が減少するサーミスタに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a thermistor whose resistance value decreases as the temperature rises within the operating temperature range.

特に、サーミスタの素子構造に関する。サーミスタは、
電子機器の温度補償、表面温度測定センサその他に利用
される。
In particular, it relates to the element structure of a thermistor. The thermistor is
Used for temperature compensation of electronic equipment, surface temperature measurement sensors, etc.

〔概 要〕〔overview〕

本発明は、使用温度範囲内における温度上昇にともなっ
て抵抗値が減少するサーミスタにおいて、電極と接触す
る部分以外のサーミスタ素体の表面をガラスと無機結晶
物との無機複合材料で被覆し、電極をメッキにより形成
することにより、ハンダ付着性およびハンダ耐熱性に優
れ、かつ抵抗値のバラツキが小さいサーミスタ素子を提
供するものである。
The present invention provides a thermistor whose resistance value decreases as the temperature rises within the operating temperature range. By forming this by plating, it is possible to provide a thermistor element that has excellent solder adhesion and solder heat resistance, and has small variations in resistance value.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

サーミスタは、負の大きな抵抗温度係数をもち使用温度
範囲内における温度上昇にともなって抵抗値が減少する
。この特性を利用して、例えば通信機器では、発振周波
数の温度補償を行っている5プリント基板あるいはアル
ミナ基板などに表面実装される従来のサーミスタは、サ
ーミスタ素体の両端に銀−パラジウムを主成分とする電
極が形成された構造をもつ。電極に銀−パラジウムを用
いる理由は、プリント基板にサーミスタをハンダ付けす
る際に、電極がハンダ中に溶出して消失することを防止
すること、すなわちハンダ耐熱性を得るためである。
A thermistor has a large negative temperature coefficient of resistance, and its resistance value decreases as the temperature rises within the operating temperature range. Utilizing this characteristic, for example, in communication equipment, the oscillation frequency is temperature-compensated.5 Conventional thermistors that are surface-mounted on printed circuit boards or alumina substrates have silver-palladium as a main component on both ends of the thermistor body. It has a structure in which electrodes are formed. The reason why silver-palladium is used for the electrode is to prevent the electrode from being eluted into the solder and disappear when the thermistor is soldered to a printed circuit board, that is, to obtain solder heat resistance.

銀−パラジウム電極を形成するには、銀−パラジウム・
ペーストにサーミスタ素体の一部を浸漬するなどの方法
が用いられる。
To form a silver-palladium electrode, silver-palladium.
A method such as immersing a part of the thermistor element in paste is used.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかし従来のサーミスタは、ハンダ耐熱性が不十分であ
り、高温かつ長時間のハンダ付けはできないなど、ハン
ダ付は条件のうえで制約があった。
However, conventional thermistors have insufficient soldering heat resistance and cannot be soldered for long periods of time at high temperatures, so there are restrictions on soldering.

ハンダ耐熱性を向上させるた約には、パラジウム量を増
加させるとよい。しかし、パラジウム量が増加すると、
ハンダ付着性が低下し、サーミスタ電極へのハンダ付着
量が少なくなってしまう。
In order to improve solder heat resistance, it is recommended to increase the amount of palladium. However, as the amount of palladium increases,
Solder adhesion deteriorates, and the amount of solder adhering to the thermistor electrode decreases.

このため、プリント基板へのサーミスタの固着力が弱く
なったり、サーミスタと回路上の配線との間の電気的接
続が不完全となるなどの問題が生じていた。
This has caused problems, such as weakening of the thermistor's adhesion to the printed circuit board and incomplete electrical connection between the thermistor and the wiring on the circuit.

ハンダ付着性およびハンダ耐熱性の双方を改善するには
、電極の表面に金属メッキを施す方法が考えられる。し
かし、メッキ処理時にサーミスタ素体が浸食されたり、
素体表面へのメッキ付着が発生する。
A possible method for improving both solder adhesion and solder heat resistance is to apply metal plating to the surface of the electrode. However, the thermistor element may be eroded during the plating process, or
Plating adheres to the surface of the element.

従来のサーミスタにメッキ処理を施した場合のサーミス
タ断面の顕微鏡写真を第4図、第5図に示す。第4図に
示した例では、サーミスタ素体が浸食されている。また
、第5図に示した例では、サーミスタ素体表面にメッキ
が付着している。
FIGS. 4 and 5 show microscopic photographs of cross sections of conventional thermistors subjected to plating treatment. In the example shown in FIG. 4, the thermistor element body has been eroded. Furthermore, in the example shown in FIG. 5, plating is attached to the surface of the thermistor body.

また、第4図に示すほど浸食が顕著でない場合でも、電
極とサーミスタ素体との界面や素体表面の一部が浸食さ
れ、耐湿性などの信頼性が低下してしまうことがある。
Further, even if the erosion is not as pronounced as shown in FIG. 4, the interface between the electrode and the thermistor element or a part of the element surface may be eroded, resulting in a decrease in reliability such as moisture resistance.

また、サーミスタ素体を銀−パラジウムに浸漬する方法
では、個々の素子に対する銀−パラジウムの付着量にバ
ラツキが生じ、電極の間隔にバラツキが生じてしまう。
Further, in the method of immersing the thermistor body in silver-palladium, variations occur in the amount of silver-palladium deposited on each element, and variations occur in the spacing between electrodes.

この結果、サーミスタの抵抗値分布が広がり、製造ロフ
ト内および製造ロフト間のバラツキが大きくなるなどの
問題があった。
As a result, the resistance value distribution of the thermistor becomes wider, causing problems such as greater variation within and between manufacturing lofts.

本発明は、以上の問題点を解決し、ハンダ付着性および
ハンダ耐熱性に優れ、かつ抵抗値のバラツキを減らすこ
とのできる構造のサーミスタを提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above problems and provide a thermistor having a structure that has excellent solder adhesion and solder heat resistance, and can reduce variations in resistance value.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明のサーミスタは、サーミスタ素体の表面が電極の
部分を除いてガラスと無機結晶物とを含む無機複合材料
で被覆され、電極はメッキ層を含むことを特徴とする。
The thermistor of the present invention is characterized in that the surface of the thermistor body except for the electrode portion is coated with an inorganic composite material containing glass and an inorganic crystal, and the electrode includes a plating layer.

サーミスタ素体の表面をガラスまたは無機物で被覆した
サーミスタとしては、それぞれ実開昭6367201号
公報、特開昭63−177402号公報に開示されたも
のがある。これらの公知技術は、サーミスタ素体が露出
していることによる使用中の特性劣化を防止するために
ガラス層または無機物を用いているものであり、メッキ
処理については考慮されていない。
Examples of thermistors in which the surface of the thermistor body is coated with glass or an inorganic substance are disclosed in Japanese Utility Model Application Publication No. 1983-177201 and Japanese Patent Application Publication No. 63-177402, respectively. These known techniques use a glass layer or an inorganic material in order to prevent characteristic deterioration during use due to the exposed thermistor body, and do not take plating treatment into consideration.

これに対して本発明は、電極表面にメッキを施すことに
よるハンダ付着性およびハンダ耐熱性の改善を目的とす
るものであり、これに付随する問題を解決するために無
機複合材料を使用するものである。
In contrast, the present invention aims to improve solder adhesion and solder heat resistance by plating the electrode surface, and uses an inorganic composite material to solve the problems associated with this. It is.

また、上述の特開昭63−177402号公報には無機
物としてアルミナが例示されているが、ガラスと無機結
晶物とを含む無機複合材料を用いることは公知ではない
Further, although alumina is exemplified as an inorganic material in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-177402, it is not known to use an inorganic composite material containing glass and an inorganic crystalline material.

本発明のサーミスタを製造するには、サーミスタ素体の
表面に、電極を形成しようとする部分を除いて無機複合
材料の被膜を形成する。この後に、無機複合材料で被覆
されていない部分に銀を生成分とする電極を形成し、そ
の上にニッケノペスズなどの金属メッキを施す。
To manufacture the thermistor of the present invention, a coating of an inorganic composite material is formed on the surface of the thermistor body except for the portion where electrodes are to be formed. After this, an electrode containing silver as a generating component is formed on the part not covered with the inorganic composite material, and metal plating such as nickel tin is applied thereon.

無機複合材料に含まれるガラスと無機結晶物との体積比
は、ガラスが50〜98%、無機結晶物が2〜50%の
範囲であることが望ましい。ガラスの体積比が50%未
満の場合には被膜の緻密化が困難となり、メッキ処理を
施したときにサーミスタ素体の抵抗値が変化するなどの
問題が生じる。ガラスの体積比が98%を越えると、素
子どうしの付着や焼成治具への貼り付きなどが発生する
問題が生じ、無機複合材料を使用する効果が失われてし
まう。
The volume ratio of glass and inorganic crystalline material contained in the inorganic composite material is preferably in the range of 50 to 98% for glass and 2 to 50% for inorganic crystalline material. When the volume ratio of glass is less than 50%, it becomes difficult to make the coating dense, and problems such as a change in the resistance value of the thermistor element arise when plating is performed. If the volume ratio of glass exceeds 98%, problems such as adhesion of elements to each other or sticking to a firing jig will occur, and the effect of using the inorganic composite material will be lost.

無機複合材料に含まれるガラスとしては、軟化点が40
0〜1000℃の範囲の材料が望ましい。さらには、軟
化点が低めの材料を多く、高めの材料を少なくすること
が望ましい。軟化点の範囲は実際には電極焼成温度との
兼ね合いで決定される。電極に焼付銀を用いるときの焼
成温度は600〜850℃であり、その温度よりガラス
の軟化点が大幅に低い場合には、電極焼成時にガラスが
電極表面に浮き上がり、素子同士または素子と焼成治具
との貼り付きが生じて歩留りが低下することがある。
The glass included in the inorganic composite material has a softening point of 40
Materials with a temperature range of 0 to 1000°C are desirable. Furthermore, it is desirable to use more materials with a lower softening point and less materials with a higher softening point. The range of the softening point is actually determined in consideration of the electrode firing temperature. The firing temperature when using baked silver for electrodes is 600 to 850°C, and if the softening point of the glass is significantly lower than that temperature, the glass will float to the electrode surface during electrode firing, causing damage to the elements or to the firing process. The yield may decrease due to sticking to the ingredients.

また、軟化点が1000℃より高いと、被覆形成時の温
度が実質的に1000℃付近となり、サーミスタ素体が
変質するなどの弊害が発生する。
Furthermore, if the softening point is higher than 1000°C, the temperature during coating formation will be substantially around 1000°C, causing problems such as deterioration of the thermistor element.

具体的なガラス材料としてはSiO□、B2O3、Ba
O系のものが好ましいが、この他に、Lllに、Na5
Mg、Sr、Zn5CdSPb、ARなどのイオンを含
むものでも良く、本発明はこれらの材料に限定されるも
のではない。
Specific glass materials include SiO□, B2O3, Ba
O-based ones are preferable, but in addition to these, Na5
The material may contain ions such as Mg, Sr, Zn5CdSPb, AR, etc., and the present invention is not limited to these materials.

無機複合材料に含まれる無機結晶物としては、絶縁物で
あればどのようなものでも良いが、特に、アルミナ、ジ
ルコニア、ジルコン、チタニア、ムライト、マグネシア
、フォルステライト、コージライト、シリカ、チタン酸
バリウム、酸化亜鉛その他の安価なものを利用できる。
The inorganic crystalline substance contained in the inorganic composite material may be any insulating material, but in particular, alumina, zirconia, zircon, titania, mullite, magnesia, forsterite, cordierite, silica, and barium titanate. , zinc oxide and other inexpensive materials can be used.

無機複合材料の線熱膨張係数は、サーミスタ素体の線熱
膨張係数の40%以上100%以下であることが望まし
い。この範囲の場合には、無機複合材料の被覆のない場
合に比較してサーミスタの抗折強度が増加する。特に5
0〜90%のときには、抗折強度が20〜70%増加す
る。これに対して40〜100%の範囲外では、被覆を
設けない場合に比較して抗折強度が低下してしまう。
The linear thermal expansion coefficient of the inorganic composite material is preferably 40% or more and 100% or less of the linear thermal expansion coefficient of the thermistor element. In this range, the flexural strength of the thermistor increases compared to the case without the inorganic composite material coating. Especially 5
When it is 0 to 90%, the bending strength increases by 20 to 70%. On the other hand, outside the range of 40 to 100%, the flexural strength will be lower than when no coating is provided.

抗折強度とは、間隔を設けて配置された二つの台に素子
の両端を置き、素子の中央部に加重したときの破壊強度
をいう。これは、素子を表面実装基板に取り付けるとき
のハンダ等による熱や取り付は後の熱サイクルによって
生じる応力歪にどれだけ耐えることができるかの目安と
なる。
The bending strength refers to the breaking strength when a load is applied to the center of the element with both ends of the element placed on two stands spaced apart. This is a measure of how well the device can withstand the heat caused by soldering or the like when attaching the device to the surface mounting board, and the stress and strain caused by subsequent thermal cycles.

抗折強度が増加するのは、素子表面の無機複合材料被膜
に圧縮応力が残留するためと考えられる。
The reason for the increase in bending strength is thought to be that compressive stress remains in the inorganic composite material coating on the surface of the element.

すなわち、製造時に熱膨張していたサーミスタ素体と被
膜とが冷えると、熱膨張係数の大きなサーミスタ素体の
方が縮み方が大きく、被膜が圧縮された状態となる。こ
の状態のサーミスタに折り曲げ力を加えると、折り曲げ
の内側には圧縮応力が生じ、外側には引張応力が生じる
。サーミスタ素体のセラミック材料と被膜とは、共に圧
縮応力には強いが引張応力には弱く、ある程度以上の折
り曲げ力を加えるとその曲げの外側にクラックが生じる
。このとき、外側の被膜に元から圧縮応力が加わってい
るため、被膜がない場合に比較して抗折強度が増加する
That is, when the thermistor element and the coating, which were thermally expanded during manufacture, cool down, the thermistor element with a larger coefficient of thermal expansion will shrink more, and the coating will be in a compressed state. When a bending force is applied to the thermistor in this state, compressive stress is generated on the inside of the bend, and tensile stress is generated on the outside. Both the ceramic material and coating of the thermistor body are strong against compressive stress but weak against tensile stress, and if a bending force exceeding a certain level is applied, cracks will occur on the outside of the bend. At this time, since compressive stress is originally applied to the outer coating, the bending strength increases compared to the case where there is no coating.

サーミスタ素体の材料としては、マンガン、コバルト、
ニッケノペアルミニウム、銅がら選択される一以上の金
属の酸化物焼結体を利用できるが、本発明はこれらの材
料に限定されるものではない。
Materials for the thermistor body include manganese, cobalt,
A sintered body of oxide of one or more metals selected from Nikkenope aluminum and copper can be used, but the present invention is not limited to these materials.

サーミスタ素体の形状としては、角柱状や円筒状のもの
が好ましいが、本発明はこれらの形状に限定されるもの
ではない。
The thermistor body preferably has a prismatic or cylindrical shape, but the present invention is not limited to these shapes.

メッキ層の下地となる材料としては、銀−パラジウム合
金に比較して電気伝導度が良く、耐熱に優れ、かつ低価
格の、銀を主成分とする銀ペーストの焼付電極を利用で
きる。しかし、これに限定されることなく、例えば銅や
ニッケルなどを使用することもでき、溶射法により下地
の層を形成することもできる。
As the material for the base of the plating layer, a baked electrode made of silver paste containing silver as a main component can be used, which has better electrical conductivity than a silver-palladium alloy, has excellent heat resistance, and is inexpensive. However, without being limited thereto, for example, copper or nickel can be used, and the base layer can also be formed by thermal spraying.

〔作 用〕[For production]

電極以外の部分を無機複合材料で被覆することにより、
メッキ時のサーミスタ素体部への浸食、素体へのメッキ
付着、および電極と素体との異色の浸食を防止でき、電
′極表面のみをメッキ処理Jることが可能となる。した
がって、ハンダ付着性およびハンダ耐熱性の双方を改善
できる。
By covering the parts other than the electrodes with an inorganic composite material,
It is possible to prevent erosion of the thermistor element during plating, adhesion of plating to the element, and erosion of a different color between the electrode and the element, and it is possible to plate only the electrode surface. Therefore, both solder adhesion and solder heat resistance can be improved.

また、無機複合材料が電極形成時のマスクとなるため、
同一構造の素子であれば電極付着面積力1実質的に一定
となり、製造後の抵抗値のバラツキが少なくなる。
In addition, since the inorganic composite material serves as a mask during electrode formation,
If the elements have the same structure, the electrode adhesion area force 1 will be substantially constant, and the variation in resistance value after manufacturing will be reduced.

ガラス単独の被膜を用いた場合でも、以上の効果は得ら
れる。しかし、被膜形成時あるいは電極形成時にガラス
が溶融することから、素子同士の付着や焼成治具への貼
り付きなどの問題が発生しその結果、歩留が低下するこ
とがある。
Even when a film made of glass alone is used, the above effects can be obtained. However, since the glass is melted during film formation or electrode formation, problems such as adhesion of elements to each other and sticking to a firing jig may occur, resulting in a decrease in yield.

また、無機結晶物単独被膜の場合には、その構成物の性
質から、被膜形成に要する温度が1000℃を越える温
度となる。このため、サーミスタ素体との過度の反応な
どの弊害が発生したり、緻密な被膜が得られずにメッキ
液が侵入する問題が発生する。
Further, in the case of a coating made of an inorganic crystalline substance alone, the temperature required for coating formation exceeds 1000° C. due to the properties of its constituents. For this reason, problems such as excessive reaction with the thermistor element occur, and problems arise in which a dense coating cannot be obtained and the plating solution penetrates.

これに対して複合被膜の場合には、素子同士の付着や焼
成治具への貼り付きなどを防止して高い歩留で製造でき
、比較的低温での被膜形成が可能で被膜とサーミスタ素
体との過度の反応が生じることなく、緻密な被膜が得ら
れる。
On the other hand, in the case of a composite film, it can be manufactured at a high yield by preventing elements from adhering to each other or sticking to the firing jig, and the film can be formed at a relatively low temperature, allowing the film and thermistor element to A dense coating can be obtained without excessive reaction with

さらに、ガラスと無機結晶物との組合せにより熱膨張係
数を自由に選択でき、抗折強度の高いサーミスタが得ら
れる。
Furthermore, the thermal expansion coefficient can be freely selected by combining glass and inorganic crystalline material, and a thermistor with high bending strength can be obtained.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明実施例のサーミスタの斜視図を示し、第
2図は長さ方向に沿った断面図を示す。
FIG. 1 shows a perspective view of a thermistor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a cross-sectional view along the length direction.

ここでは、角柱状でその両端に電極が設けられた構造の
素子を例に説明する。
Here, an element having a prismatic structure with electrodes provided at both ends will be explained as an example.

このサーミスタは、使用温度範囲内における温度上昇に
ともなって電気抵抗が低下するサーミスタ素体1と、こ
のサーミスタ素体1の表面に設けられた二つの電極とを
備える。ここで本実施例の特徴とするところは、サーミ
スタ素体lの表面が二つの電極の部分を除いてガラスと
無機結晶物とを含む無機複合材料層4で被覆され、二つ
の電極はそれぞれ、焼付電極2とメッキ層3とを含むこ
とにある。
This thermistor includes a thermistor element 1 whose electrical resistance decreases as the temperature rises within the operating temperature range, and two electrodes provided on the surface of the thermistor element 1. Here, the feature of this embodiment is that the surface of the thermistor element l is coated with an inorganic composite material layer 4 containing glass and an inorganic crystal material except for the two electrodes, and the two electrodes are It includes a baked electrode 2 and a plating layer 3.

具体的な実施例について以下に説明する。Specific examples will be described below.

(実施例1) まず、市販の炭酸マンガン、炭酸ニッケル、炭酸コバル
トを出発原料とし、MnQ2 :NiO:CoOに換算
して金属原子比3:1:2の割合で秤量し、ボールミル
で16時間混合した後に脱水乾燥した。次に、この混合
物を900℃で2時間仮焼し、再びボールミルで混合し
て脱水乾燥した。その仮焼後の原料に対し、ポリビニル
ブチラール6重量%、エタノール30重量%およびブタ
ノール30重量%を加え、混合スラリーを作製した。こ
のスラリーを用いて、ドクターブレード法により厚さ0
、80mmのシートを作製した。このシートから2゜3
4mm X 1.48mmの大きさのチップを打ち抜き
、1200℃で4時間焼成し、長さ1.9mm、幅1.
2mm、厚さ0.65tnmの焼成体を得た。
(Example 1) First, commercially available manganese carbonate, nickel carbonate, and cobalt carbonate were used as starting materials, weighed at a metal atomic ratio of 3:1:2 in terms of MnQ2:NiO:CoO, and mixed in a ball mill for 16 hours. After that, it was dehydrated and dried. Next, this mixture was calcined at 900° C. for 2 hours, mixed again in a ball mill, and dehydrated and dried. To the calcined raw material, 6% by weight of polyvinyl butyral, 30% by weight of ethanol, and 30% by weight of butanol were added to prepare a mixed slurry. Using this slurry, a thickness of 0 was obtained using the doctor blade method.
, an 80 mm sheet was produced. 2゜3 from this sheet
A chip with a size of 4 mm x 1.48 mm was punched out and baked at 1200°C for 4 hours to form a chip with a length of 1.9 mm and a width of 1.
A fired body having a thickness of 2 mm and a thickness of 0.65 tnm was obtained.

この焼成体をサーミスタ素体lとし、その表面に無機複
合材料H4を形成した。無機複合材料層4の原料として
は、Sl 02 、B2O3およびBa0を主成分とす
る軟化点720℃のガラス粉末70%と、アルミナ粉末
30%との混合粉末を用いた。この混合粉末に有機バイ
ンダと溶剤とを加えてペーストとし、このペーストをサ
ーミスタ素体lの端面(1,2mm Xo、65mmの
面)を除く表面に印刷し、850 ℃で焼成した。これ
により、厚さ15±5μ■の無機複合材料層4が得られ
た。
This fired body was used as a thermistor body 1, and an inorganic composite material H4 was formed on the surface thereof. As a raw material for the inorganic composite material layer 4, a mixed powder of 70% glass powder with a softening point of 720° C. whose main components are Sl 02 , B2O3 and Ba0 and 30% alumina powder was used. An organic binder and a solvent were added to this mixed powder to form a paste, and this paste was printed on the surface of the thermistor body 1 except for the end face (1.2 mm Xo, 65 mm face), and fired at 850°C. As a result, an inorganic composite material layer 4 having a thickness of 15±5 μm was obtained.

次に、サーミスタ素体1の露出面と無機複合材料層4の
一部表面とに銀ペーストを塗布し、800℃で焼付して
焼付電極2を形成した。この段階における素子の寸法は
、長さ約2.Omm、幅約1.25mm、厚さ約0.7
mmであった。
Next, silver paste was applied to the exposed surface of the thermistor body 1 and a part of the surface of the inorganic composite material layer 4, and baked at 800° C. to form a baked electrode 2. The dimensions of the element at this stage are approximately 2.5 mm in length. Omm, width approx. 1.25mm, thickness approx. 0.7
It was mm.

これに続いて、焼付電極2の表面にメッキ層3を形成し
た。メッキ処理方法としては電解メッキ法を用い、焼付
電極2の表面に厚さ2〜3μmのニッケル層を形成し、
続けてその上に、同様に厚さ4〜5即のスズ層を形成し
た。
Following this, a plating layer 3 was formed on the surface of the baked electrode 2. As the plating method, an electrolytic plating method is used to form a nickel layer with a thickness of 2 to 3 μm on the surface of the baked electrode 2,
Subsequently, a tin layer having a thickness of 4 to 5 mm was similarly formed thereon.

このようにして得られたサーミスタについて、ハンダ付
着性右よびハンダ耐熱性の試験を行った。
The thermistor thus obtained was tested for solder adhesion and solder heat resistance.

また、比較例として、サーミスタ素体に銀−パラジウム
電極を850℃で焼き付けたものについても試験を行っ
た。ハンダ付着性については、230℃のハンダ浴に4
秒間浸漬し、そのハンダ付着面積を観察した。その結果
を第1表に示す。ノ1ンダ耐熱性については、350℃
のハンダ浴に30秒間浸漬し、電極の消失状態を観察し
た。その結果を第2表に示す。
As a comparative example, a thermistor body with a silver-palladium electrode baked at 850°C was also tested. Regarding solder adhesion, 4
It was immersed for a second and the solder adhesion area was observed. The results are shown in Table 1. Regarding heat resistance, 350℃
The electrode was immersed in a solder bath for 30 seconds, and the state of disappearance of the electrode was observed. The results are shown in Table 2.

第1表 ハンダ付着性試験の結果 第2表 ハンダ耐熱性試験の結果 このように、実施例1で得られたサーミスタは、ハンダ
付着性およびハンダ耐熱性が非常に優れていた。
Table 1 Results of solder adhesion test Table 2 Results of solder heat resistance test As described above, the thermistor obtained in Example 1 had excellent solder adhesion and solder heat resistance.

また、同じ製造方法で10ット300個、40ツトのサ
ーミスタを製造し、25℃における各ロフトの平均抵抗
値およびバラツキを測定した。比較例についても40ツ
ト製造し、同様に平均抵抗値およびバラツキを測定した
。この結果を第3表に示す。ロフト番号1〜4は実施例
であり、ロット番号5〜8は比較例を示す。
Further, 300 and 40 thermistors of 10 t were manufactured using the same manufacturing method, and the average resistance value and variation of each loft at 25° C. were measured. Forty pieces of Comparative Example were also manufactured, and the average resistance value and variation were similarly measured. The results are shown in Table 3. Loft numbers 1 to 4 are examples, and lot numbers 5 to 8 are comparative examples.

第3表 製造ロットの平均抵抗値とバラツキこのように
実施例の素子は、ロフト内の抵抗値のバラツキが小さく
、ロット間の平均値のバラツキも小さかった。
Table 3: Average resistance value and variation among manufacturing lots As described above, the elements of the example had small variation in resistance value within a loft, and variation in average value between lots was also small.

(実施例2) 実施例1における出発原料を炭酸マンガンおよび炭酸ニ
ッケルに替え、MnO2:Ni○に換算して金属原子比
を80:20として、実施例1と同様の方法によりサー
ミスタを作製した。このサーミスタをプリント基板にハ
ンダ付けし、85℃、85RH%、1000時間の混生
放置における25℃の抵抗値の経時変化を測定した。ま
た、比較例として、サーミスタ素体に銀−パラジウム電
極を焼き付けたもの、およびそれにメッキ処理を施した
ものについても同じ測定を行った。この結果を第4表に
示す。
(Example 2) A thermistor was produced in the same manner as in Example 1, except that the starting materials in Example 1 were replaced with manganese carbonate and nickel carbonate, and the metal atomic ratio was 80:20 in terms of MnO2:Ni○. This thermistor was soldered to a printed circuit board, and the change in resistance value at 25° C. over time was measured when the thermistor was left in a mixed state for 1000 hours at 85° C. and 85 RH%. Furthermore, as comparative examples, the same measurements were performed on a thermistor body with a silver-palladium electrode baked on it and a thermistor body with a plating treatment applied thereto. The results are shown in Table 4.

この表において、ロフト番号1.2は実施例により得ら
れたもの、ロフト番号3はメッキ処理を施していない比
較例、ロフト番号4はメッキ処理を施した比較例をそれ
ぞれ示す。各ロフトの素子数は300個である。
In this table, loft number 1.2 indicates the sample obtained in the example, loft number 3 indicates a comparative example without plating, and loft number 4 indicates a comparative example with plating. The number of elements in each loft is 300.

第4表 耐湿性1000時間の抵抗値経時変化 (%) 表から明らかなように、従来技術で製造されメッキ処理
が施された比較例は、経時変化が大きく、メッキ処理に
より耐湿性が低下している。これに対して実施例の素子
は、メッキ処理を施しても、従来技術により製造された
メッキ処理を施していない素子と同等、もしくはそれ以
上に経時変化が小さく、信頼性に優れている。
Table 4 Moisture resistance Change in resistance value over time (%) after 1000 hours As is clear from the table, the comparative example manufactured using the conventional technology and subjected to plating treatment showed a large change over time, and the plating treatment caused a decrease in moisture resistance. ing. On the other hand, even if the element of the example is subjected to plating treatment, the change over time is equal to or greater than that of an element manufactured by the prior art that is not subjected to plating treatment, and the element is excellent in reliability.

(実施例3) 無機複合材料層4の原料として、実施例1で用いた軟化
点720℃のガラス粉末と、種々の無機結晶粉末とを用
い、その体積比を変えて実施例1と同等のサーミスタを
作製した。このときの無機結晶粉末の材料、ガラスとの
体積比、歩留、メッキ工程前後での抵抗値のロフト内平
均値の変化率を第5表および第6表に示す。歩留につい
ては、無機複合材料層4の形成時と電極形成時とに発生
した素子同士の付着や焼成治具への貼り付きなどで生じ
た不良品を除いた良品の割合で示す。各ロフトの試料数
は2000個である。なお、ロット番号1.9.10.
11.12の試料は、ガラスと無機結晶物との体積比が
、ガラス50〜98%、無機結晶物2〜50%という範
囲から外れている。
(Example 3) As raw materials for the inorganic composite material layer 4, the glass powder with a softening point of 720°C used in Example 1 and various inorganic crystal powders were used, and the volume ratio was changed to produce the same material as in Example 1. I made a thermistor. Tables 5 and 6 show the material of the inorganic crystal powder, the volume ratio to glass, the yield, and the rate of change in the loft average value of resistance before and after the plating process. The yield is expressed as the percentage of non-defective products excluding defective products caused by adhesion of elements to each other or sticking to the firing jig during the formation of the inorganic composite material layer 4 and the electrode formation. The number of samples in each loft is 2000. In addition, lot number 1.9.10.
In sample No. 11.12, the volume ratio of glass to inorganic crystalline material is outside the range of 50 to 98% glass and 2 to 50% inorganic crystalline material.

(以下本頁余白) 第5表および第6表に示したように、ガラスと無機結晶
物との体積比がガラス50〜98%、無機結晶物2〜5
0%の範囲では、素子同士の付着や焼成治具への貼り付
きなどの問題も少なく、メッキ処理での抵抗値変化も実
質的に発生しない。ガラス55〜80%、無機結晶物2
0〜45%であればさらに望ましい。
(Hereinafter, this page margin) As shown in Tables 5 and 6, the volume ratio of glass to inorganic crystals is 50 to 98% glass and 2 to 5% inorganic crystals.
In the range of 0%, there are few problems such as adhesion of elements to each other or sticking to a baking jig, and virtually no change in resistance value occurs during plating. 55-80% glass, 2 inorganic crystals
It is more desirable if it is 0 to 45%.

(実施例4) 無機複合材料層4の原料として、軟化点の異なる種々の
ガラス粉末を70体積%と、アルミナ粉末を30体積%
との混合粉末を用い、実施例1と同様にしてサーミスタ
を作製した。得られたサーミスタについて、用いたガラ
スの軟化点、歩留、ロット内の抵抗値の平均値、および
その平均値のメッキ工程前後での変化率を第7表に示す
。歩留については、無機複合材料層4の形成時と電極形
成時とに発生した素子同士の付着や焼成治具への貼り付
きなどで生じた不良品を除いた良品の割合で示す。各ロ
フトの試料数は2000個である。なお、ロフト番号1
.2.14および15の試料は、ガラスの軟化点が、4
00 ℃〜1000℃という範囲から外れて いる。
(Example 4) As raw materials for the inorganic composite material layer 4, 70% by volume of various glass powders with different softening points and 30% by volume of alumina powder were used.
A thermistor was produced in the same manner as in Example 1 using a mixed powder of Table 7 shows the softening point of the glass used, the yield, the average resistance value within the lot, and the rate of change in the average value before and after the plating process for the obtained thermistors. The yield is expressed as the percentage of non-defective products excluding defective products caused by adhesion of elements to each other or sticking to the firing jig during the formation of the inorganic composite material layer 4 and the electrode formation. The number of samples in each loft is 2000. In addition, loft number 1
.. 2. Samples 14 and 15 have glass softening points of 4
It is outside the range of 00°C to 1000°C.

(以下本頁余白) 第7表に示したように、無機複合材料層4を構成するガ
ラスの軟化点が400〜1000℃の範囲であれば、素
子同士の付着や焼成治具への貼り付きなどの問題も少な
く、被膜形成時のサーミスタ素体の変質による抵抗値変
化も実質的に発生しない。
(Hereinafter, this page margin) As shown in Table 7, if the softening point of the glass constituting the inorganic composite material layer 4 is in the range of 400 to 1000°C, the elements will not stick to each other or to the firing jig. There are few problems such as these, and there is virtually no change in resistance value due to deterioration of the thermistor element during film formation.

ガラスの軟化点の範囲としては、540〜860℃がよ
り好ましい。
The range of the softening point of the glass is more preferably 540 to 860°C.

(実施例5) 無機複合材料層の熱膨張係数によるサーミスタの抗折強
度を測定するため、サーミスタ素体としてMn5CoS
Ni、Cu5Af等の酸化物を混合して焼成した種々の
線熱膨張係数のものを用い、無機複合材料層として、 ■ ガラスのみ、 線熱膨張係数αニーh =65 Xl0−7/ t■ 
■のガラスにジルコミア(線熱膨張係数が105 Xl
0−’/l)を20体積%添加したもの、線熱膨張係数
α3−ト=73X10−’/l■ ■のガラスにジルコ
ニアを30体積%添加したもの、 線熱膨張係数α:+−h =77 Xl0−7/ t■
 ■のガラスにアルミナ(線熱膨張係数が83XIO−
7/l)を20体積%添加したもの、線熱膨張係数α:
l−トー101 Xl0−7/ ’C■ ■のガラスに
アルミナを40体積%添加したもの、 線熱膨張係数αつ−h−106XIP7/ t■ ガラ
スのみ、 線熱膨張係数αニー) = 110xlO−’/℃を用
い、電極を形成する前の状態で長さβ=約約20mm幅
W−約1.25mmのサーミスタを形成した。また、無
機複合材料層を設けないサーミスタも作った。これらの
サーミスタの長さ方向の両端を間隔1.2++onで配
置された二つの台にそれぞれ載置し、二つの台の中間の
位置に押し下げ速度20mm/m1nで力を加え、破壊
時に加えられた加重を測定した。
(Example 5) In order to measure the bending strength of the thermistor based on the thermal expansion coefficient of the inorganic composite material layer, Mn5CoS was used as the thermistor element.
Using materials with various linear thermal expansion coefficients obtained by mixing and firing oxides such as Ni and Cu5Af, as an inorganic composite material layer, ■ Glass only, linear thermal expansion coefficient α nee h = 65 Xl0-7/t ■
■Glass with zirconia (linear thermal expansion coefficient 105Xl)
0-'/l) added to 20% by volume, linear thermal expansion coefficient α3-t = 73X10-'/l ■■ Glass with 30% zirconia added, linear thermal expansion coefficient α: +-h =77 Xl0-7/t■
■ Glass with alumina (linear thermal expansion coefficient 83XIO-
7/l) added at 20% by volume, linear thermal expansion coefficient α:
106 A thermistor having a length β of about 20 mm and a width W of about 1.25 mm was formed before electrodes were formed by using a temperature of 1.25 mm. We also created a thermistor without an inorganic composite material layer. Both ends of these thermistors in the length direction were placed on two tables arranged at an interval of 1.2++ on, and a downward force was applied at a downward speed of 20 mm/m1n to the middle position between the two tables. The weight was measured.

この結果を第8表と第3図に示す。これらに示した値は
、同じサーミスタ素体材料と無機複合材料との組み合わ
せに対して、それぞれ20個の平均値を測定し、無機複
合材料層がない場合の抗折強度f:、−□2.と、無機
複合材料層がある場合の抗折強度f=+−トありとの比
を百分率で表したものである。
The results are shown in Table 8 and FIG. The values shown above are obtained by measuring the average value of 20 pieces of each combination of the same thermistor body material and inorganic composite material, and the bending strength f when there is no inorganic composite material layer is:, -□2 .. The ratio of the bending strength f=+-t when there is an inorganic composite material layer is expressed as a percentage.

(以下本頁余白) 第3図は、横軸に線熱膨張係数の比をとり、縦軸に抗折
強度の比を示す。無機複合材料層に線熱膨張係数αヨー
ドがサーミスタ素体の線熱膨張係数αヶ−58,の40
〜100%の材料を用いた場合には、その層がない場合
に比較して抵折強度が増加した。
(Hereinafter, this page margin) In FIG. 3, the horizontal axis shows the ratio of linear thermal expansion coefficients, and the vertical axis shows the ratio of bending strength. The linear thermal expansion coefficient α iodine in the inorganic composite material layer is 40, which is the linear thermal expansion coefficient α −58 of the thermistor element.
When ~100% of the material was used, the refraction strength increased compared to the absence of that layer.

特に、50〜90%の場合には、強度が20〜70%増
加した。これに対して線熱膨張係数αっ−、が上述の範
囲外のときには、無機複合材料層がない場合に比較して
抗折強度が低下してしまった。
In particular, in the case of 50-90%, the strength increased by 20-70%. On the other hand, when the coefficient of linear thermal expansion α was outside the above-mentioned range, the bending strength decreased compared to the case where there was no inorganic composite material layer.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明のサーミスタは、第一に、
メッキ電極を用いているので、ハンダ付着性とハンダ耐
熱性との双方を向上させることができる効果がある。
As explained above, the thermistor of the present invention has, firstly,
Since plated electrodes are used, both solder adhesion and solder heat resistance can be improved.

第二に、抵抗値を決定するサーミスタ素体と接する電極
の面積があらかじめ設定されいるため、目標抵抗値の再
現性がよく、そのバラツキが少ない。すなわち、製品の
歩留りを向上させることができる効果がある。
Second, since the area of the electrode in contact with the thermistor element that determines the resistance value is set in advance, the reproducibility of the target resistance value is good and there is little variation. That is, there is an effect that the yield of products can be improved.

第三に、製造過程で素子同士の付着や焼成治具への貼り
付きなどによる不良品の発生が少なく、被覆形成時のサ
ーミスタ抵抗値の変化が少なく、メッキ工程の前後にお
けるロット内の平均抵抗値の変化も少ない。したがって
、高品質かつ高信頼性のサーミスタを製造できる効果が
ある。
Thirdly, there are fewer defective products due to elements adhering to each other or sticking to firing jigs during the manufacturing process, there is less change in thermistor resistance value during coating formation, and the average resistance within a lot is lower before and after the plating process. There is also little change in value. Therefore, there is an effect that a high quality and highly reliable thermistor can be manufactured.

第四に、電極材料として銀−パラジウムより安価な銀や
銅その他を使用でき、低コストのサーミスタを製造でき
る効果がある。
Fourthly, it is possible to use silver, copper, or the like, which is cheaper than silver-palladium, as an electrode material, and there is an effect that a thermistor can be manufactured at a low cost.

第五に、サーミスタ素体に対する被覆の熱膨張率を選択
することにより、サーミスタの抗折強度を高めることが
できる効果がある。
Fifth, by selecting the coefficient of thermal expansion of the coating for the thermistor body, there is an effect that the bending strength of the thermistor can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明実施例サーミスタの斜視図。 第2図は断面図。 第3図は線熱膨張係数の比に対する抗折強度比の変化を
示す図。 第4図は従来例サーミスタのメッキ処理後の電極部分の
断面結晶構造を示す顕微鏡写真。 第5図は従来例サーミスタのメッキ処理後の電極部骨の
断面結晶構造を示す顕微鏡写真。 1・・・サーミスタ素体、2・・・焼付電極、3・・・
メッキ層、4・・・無機複合材料層。
FIG. 1 is a perspective view of a thermistor according to an embodiment of the present invention. Figure 2 is a sectional view. FIG. 3 is a diagram showing changes in the transverse strength ratio with respect to the ratio of linear thermal expansion coefficients. FIG. 4 is a micrograph showing the cross-sectional crystal structure of the electrode portion of a conventional thermistor after plating. FIG. 5 is a micrograph showing the cross-sectional crystal structure of the bone of the electrode part of the conventional thermistor after plating. 1... Thermistor element body, 2... Baked electrode, 3...
Plating layer, 4... inorganic composite material layer.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 1.使用温度範囲内における温度上昇にともなって電気
抵抗が低下するサーミスタ素体と、このサーミスタ素体
の表面に設けられた二つの電極とを備えたサーミスタに
おいて、上記二つの電極がそれぞれ電気的に接触する部
分を除いて上記サーミスタ素体の表面がガラスと無機結
晶物とを含む無機複合材料で被覆され、上記二つの電極
はメッキ層を含むことを特徴とするサーミスタ。
1. In a thermistor comprising a thermistor element whose electrical resistance decreases as the temperature rises within the operating temperature range, and two electrodes provided on the surface of this thermistor element, the two electrodes are in electrical contact with each other. 2. A thermistor, wherein the surface of the thermistor body except for a portion where the thermistor body is covered with an inorganic composite material containing glass and an inorganic crystal, and wherein the two electrodes include a plating layer.
2.無機複合材料に含まれるガラスと無機結晶物との体
積比は、ガラスが50〜98%、無機結晶物が2〜50
%の範囲である請求項1記載のサーミスタ。
2. The volume ratio of glass and inorganic crystalline material contained in the inorganic composite material is 50 to 98% for glass and 2 to 50% for inorganic crystalline material.
%.
3.無機複合材料に含まれるガラスはその軟化点が40
0〜1000℃の範囲である請求項1記載のサーミスタ
3. The glass included in the inorganic composite material has a softening point of 40
The thermistor according to claim 1, wherein the temperature is in the range of 0 to 1000C.
4.無機複合材料はその線熱膨張係数がサーミスタ素体
の線熱膨張係数の40%以上100%以下である請求項
1記載のサーミスタ。
4. 2. The thermistor according to claim 1, wherein the inorganic composite material has a linear thermal expansion coefficient of 40% or more and 100% or less of the linear thermal expansion coefficient of the thermistor element.
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