JPH03250771A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、複数の光起電力素子を電気的に直列接続した
集積型の光起電力装置の製造方法に関する。
集積型の光起電力装置の製造方法に関する。
（ロ）従来の技術
集積型光起電力装置は、所定の光起電力を得るため、複
数の光起電力素子を電気的に直列接続した状態で絶縁基
板上に形成している。この光起電力装置においては、電
気的に直列接続している部分に生じる発を無効領域をで
きるだけ小さくすること、及び製造工程を容易にするこ
と等を目的として、光起電力素子の直列接続及び基板上
への分割配置のために、レーザビーム等のエネルギービ
ームを用いる方法が提案されている。
数の光起電力素子を電気的に直列接続した状態で絶縁基
板上に形成している。この光起電力装置においては、電
気的に直列接続している部分に生じる発を無効領域をで
きるだけ小さくすること、及び製造工程を容易にするこ
と等を目的として、光起電力素子の直列接続及び基板上
への分割配置のために、レーザビーム等のエネルギービ
ームを用いる方法が提案されている。
エネルギービームを用いた光起電力装置の製造方法の一
方法が、７機能材料」の１９８５年３月号に「太陽電池
とレーザ加工」として示されている。
方法が、７機能材料」の１９８５年３月号に「太陽電池
とレーザ加工」として示されている。
第３図はこの方法により製造される光起電力装置の断面
図を示し、この装置の製造方法は、まず、ガラス、耐熱
プラスチック等の透明基板２０のほぼ全面に、一連状の
透明電極膜２１ａ、２１ｂを形成した後、これにレーザ
ビーム等のエネルギービームを照射することにより、第
１分割溝２１ａｂを隔てて分割配置された複数の透明電
極膜２１ａ、２１ｂを形成する。
図を示し、この装置の製造方法は、まず、ガラス、耐熱
プラスチック等の透明基板２０のほぼ全面に、一連状の
透明電極膜２１ａ、２１ｂを形成した後、これにレーザ
ビーム等のエネルギービームを照射することにより、第
１分割溝２１ａｂを隔てて分割配置された複数の透明電
極膜２１ａ、２１ｂを形成する。
次に、透明電極膜２１ａ、２１ｂを含んで基板２０のほ
ぼ全面に、非晶質シリコン等の非晶質半導体からなる一
連状の半導体光活性層２２ａ、２２Ｂ）を形成し、透明
電極膜２１ａ、２１ｂの第１分割溝２１ａｂの一方の側
（図においては右側）に沿って、エネルギービームを照
射して第２分割溝２２ａｂを隔てて半導体光活性層２２
ａ、２２ｂを形成する。
ぼ全面に、非晶質シリコン等の非晶質半導体からなる一
連状の半導体光活性層２２ａ、２２Ｂ）を形成し、透明
電極膜２１ａ、２１ｂの第１分割溝２１ａｂの一方の側
（図においては右側）に沿って、エネルギービームを照
射して第２分割溝２２ａｂを隔てて半導体光活性層２２
ａ、２２ｂを形成する。
最後に、半導体光活性層２２ａ、２２１）の第２分割溝
２２ａｂを含んで、これらの−トに一連状の裏面電極膜
２３ａ、２３ｂを形成し、半導体光活性層２２ａ、２２
ｂの一方の側に（図において右側）に沿ってエネルギー
ビームを照射することにより、第３分割溝２３ａｂによ
り隔てられた複数の裏面電極膜２３ａ、２３ｂが形成さ
れる。
２２ａｂを含んで、これらの−トに一連状の裏面電極膜
２３ａ、２３ｂを形成し、半導体光活性層２２ａ、２２
ｂの一方の側に（図において右側）に沿ってエネルギー
ビームを照射することにより、第３分割溝２３ａｂによ
り隔てられた複数の裏面電極膜２３ａ、２３ｂが形成さ
れる。
以上によって、裏面電極膜２３ａと透明電極膜２ ］、
ｂとが電気的に接続され、電気的に直列接続された光
起電力素子２４ａ、２４ｂが形成される。
ｂとが電気的に接続され、電気的に直列接続された光
起電力素子２４ａ、２４ｂが形成される。
（ハ）発明が解決しようとする課題
ところで、上述の方法によれば、発電に寄与しない無効
領域、即ち、各光起電力素子２４ａ、２４ｂの隣接間隔
部２４ａｂは、エネルギービームの使用によりある程度
小さくなるものの、各分割溝２１ａｂ、２２ａｂ、２３
ａｂの幅をｄ及び各間隔間の距離をａとすると、隣接間
隔部２４ａｂの幅は、３ｄ＋２ｔとなり、まだ十分に小
さくなっているとは言い難い。
領域、即ち、各光起電力素子２４ａ、２４ｂの隣接間隔
部２４ａｂは、エネルギービームの使用によりある程度
小さくなるものの、各分割溝２１ａｂ、２２ａｂ、２３
ａｂの幅をｄ及び各間隔間の距離をａとすると、隣接間
隔部２４ａｂの幅は、３ｄ＋２ｔとなり、まだ十分に小
さくなっているとは言い難い。
そこで、本発明は、この隣接間隔部の幅をさらに小さく
して、有効受光面積を拡大し光起電力装置の出力を向上
させることにある。
して、有効受光面積を拡大し光起電力装置の出力を向上
させることにある。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明は、基板の絶縁表面上に、第１′１４極膜、半導
体光活性層及び第２電極膜をこの順序に積層してなる光
起電力素子を、複数個電気的に直列接続して配した光起
電力装置の製造方法において、上記基板の絶縁表面上に
一連状の第１電極膜、半導体光活性層及び第２電極膜を
順次積層形成する］二程と、 上記一連状の第電極膜、半導体光活性層及び第２電極膜
に第１分割溝を形成して上記光起電力素子毎の第１ｉ電
極膜、半導体光活性層及び第２電極膜に分割すると共に
、上記第１分割溝の一方に隣接して上記第２電極膜に第
２分割溝を形成する工程と、 上記第１分割溝及び第２分割溝を含む上記第２電極膜上
に、上記第１分割溝の他方に隣接する第３分割溝を有し
た絶縁膜を形成する工程と、上記第１分割溝と上記第２
分割溝との間に、少なくとら第２電極膜及び半導体光活
性層まで延びる第４分割溝を形成する工程と、 −１−記絶縁膜十に、隣接する上記第３分割溝及び第１
分割溝の夫々から露出する第２電極膜及び第１電極膜を
、電気的に接続する接続電極膜を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする。
体光活性層及び第２電極膜をこの順序に積層してなる光
起電力素子を、複数個電気的に直列接続して配した光起
電力装置の製造方法において、上記基板の絶縁表面上に
一連状の第１電極膜、半導体光活性層及び第２電極膜を
順次積層形成する］二程と、 上記一連状の第電極膜、半導体光活性層及び第２電極膜
に第１分割溝を形成して上記光起電力素子毎の第１ｉ電
極膜、半導体光活性層及び第２電極膜に分割すると共に
、上記第１分割溝の一方に隣接して上記第２電極膜に第
２分割溝を形成する工程と、 上記第１分割溝及び第２分割溝を含む上記第２電極膜上
に、上記第１分割溝の他方に隣接する第３分割溝を有し
た絶縁膜を形成する工程と、上記第１分割溝と上記第２
分割溝との間に、少なくとら第２電極膜及び半導体光活
性層まで延びる第４分割溝を形成する工程と、 −１−記絶縁膜十に、隣接する上記第３分割溝及び第１
分割溝の夫々から露出する第２電極膜及び第１電極膜を
、電気的に接続する接続電極膜を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする。
（ホ）作用
本発明によれば、各光起電力素子は第１分割溝により分
離され、そして隣接する光起電力素子は第３分割溝及び
第４分割溝に拡がる接続電極膜により、電気的に直列接
続される。
離され、そして隣接する光起電力素子は第３分割溝及び
第４分割溝に拡がる接続電極膜により、電気的に直列接
続される。
（へ）実施例
第１図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の製造方法を工程順に
示す断面図である。
示す断面図である。
同図（ａ）において、ガラス、耐熱性プラスチック等の
透明基板１上に、ＩＴＯ，ＳｎＯ＋等の透光性導電酸化
物からなる透明電極膜２、非晶質シリコン等の非晶質半
導体からなる半導体光活性層３及びＡｇ、ＡＩ等の金属
からなる裏面電極膜４がこの順に積層形成される。
透明基板１上に、ＩＴＯ，ＳｎＯ＋等の透光性導電酸化
物からなる透明電極膜２、非晶質シリコン等の非晶質半
導体からなる半導体光活性層３及びＡｇ、ＡＩ等の金属
からなる裏面電極膜４がこの順に積層形成される。
同図（ｂ）において、裏面ｔ＄ｉ膜４上からレーザビー
ム等のエネルギービームを照射することにより、幅ｄ（
約２００ｐｍ）の第１分割溝５が形成され、複数に分割
された透明電極膜２ａ、２ｂ、半導体光活性層３ａ、３
ｂ及び裏面電極膜４ａ、４ｂが形成される。
ム等のエネルギービームを照射することにより、幅ｄ（
約２００ｐｍ）の第１分割溝５が形成され、複数に分割
された透明電極膜２ａ、２ｂ、半導体光活性層３ａ、３
ｂ及び裏面電極膜４ａ、４ｂが形成される。
また、裏面電極膜４ｂには、第１分割溝５に隣接し、こ
の溝５から幅α（約５０ｐｍ ）を隔てて、幅ｄ（約２
００μｍ）の第２分割溝６が形成される。
の溝５から幅α（約５０ｐｍ ）を隔てて、幅ｄ（約２
００μｍ）の第２分割溝６が形成される。
同図（ｃ）において、第１分割溝５及び第２分割溝６を
含む裏面電極膜４ａ、４ｂ上に、第１分割溝５の左隣に
隣接する第３分割溝７を有した絶縁膜８が形成される。
含む裏面電極膜４ａ、４ｂ上に、第１分割溝５の左隣に
隣接する第３分割溝７を有した絶縁膜８が形成される。
この絶縁膜８は、Ｓ＋Ｏｔ、 Ａｌ＊０＊またはＴｉｅ
ｓ等の無機系薄膜やポリイミド等の樹脂系薄膜からなる
。
ｓ等の無機系薄膜やポリイミド等の樹脂系薄膜からなる
。
同図（ｄ）において、第１分割溝５と第２分割溝６との
間に、絶縁膜８上からレーザビーム等のエネルギービー
ムな照射することにより、第２電極膜２ａ、２ｂ、半導
体光活性層３ａ、３ｂ及び裏面電極膜４ａ１．ｌｂを分
割する輻ｄ（約２００ｕ＋＋）の第４分割溝９が形成さ
ｌ仁る。
間に、絶縁膜８上からレーザビーム等のエネルギービー
ムな照射することにより、第２電極膜２ａ、２ｂ、半導
体光活性層３ａ、３ｂ及び裏面電極膜４ａ１．ｌｂを分
割する輻ｄ（約２００ｕ＋＋）の第４分割溝９が形成さ
ｌ仁る。
最後に、同図（ｅ）において、絶縁膜８上に、第３分割
溝７及び第４分割溝９の夫々から露出する裏面電極膜４
ａ及び透明電極膜２ｂを電気的に接続するべ（、Ａｇ、
ＡＩ、Ｔ１や導電ペースト等の接Ｍｌ極膜１０が、蒸着
法やスクリーン印刷手法等により形成される。
溝７及び第４分割溝９の夫々から露出する裏面電極膜４
ａ及び透明電極膜２ｂを電気的に接続するべ（、Ａｇ、
ＡＩ、Ｔ１や導電ペースト等の接Ｍｌ極膜１０が、蒸着
法やスクリーン印刷手法等により形成される。
これにより、裏面電極膜４ａと透明電極膜２ｂとは、第
３分割溝７から第４分割溝９まで延びる接続電極膜１０
により電気的に接続され、直列接続された複数の光起電
力素子１１ａ、 ｌｌｂが形成される。
３分割溝７から第４分割溝９まで延びる接続電極膜１０
により電気的に接続され、直列接続された複数の光起電
力素子１１ａ、 ｌｌｂが形成される。
以上の方法によれば、光起電力素子１１ａ、ｌｌｂの隣
接間隔部１１ａｂの幅は、第１分割溝５、第２分割溝６
及びこれら分割溝の間の距離の合計２ｄ十区となり、従
来の３ｄ＋２ｇに比してｄ＋を分小さくなる。
接間隔部１１ａｂの幅は、第１分割溝５、第２分割溝６
及びこれら分割溝の間の距離の合計２ｄ十区となり、従
来の３ｄ＋２ｇに比してｄ＋を分小さくなる。
これにより、５インチ角の基板上に１５個の光起電力素
子を配した装置において、従来の構造での有効面積が８
８％であったものが、本発明では９３％に向上し、その
結果、出力は従来と比べて約５％向上した。
子を配した装置において、従来の構造での有効面積が８
８％であったものが、本発明では９３％に向上し、その
結果、出力は従来と比べて約５％向上した。
ところで、上記実施例において、接続電極膜］０と透明
電極膜２ｂとは、高々膜厚０．２ａｍ程度の透明電極膜
２ｂの側面にて電気的に接続されているだけである。従
って、この部分での接続抵抗が高くなってしまう可能性
がある。
電極膜２ｂとは、高々膜厚０．２ａｍ程度の透明電極膜
２ｂの側面にて電気的に接続されているだけである。従
って、この部分での接続抵抗が高くなってしまう可能性
がある。
そこで、第１図（ｄ）の工程において、第４分離溝９を
形成した後、この溝９内にドライエツチング処理を施し
、透明電極膜２ｂの側面をクリーンな状態とすることが
望ましい。
形成した後、この溝９内にドライエツチング処理を施し
、透明電極膜２ｂの側面をクリーンな状態とすることが
望ましい。
あるいは、第２図に示すように、第１図（ｄ）の工程に
おいて、第４分離溝９を、絶縁膜８、裏面電極膜４ｂ及
び半導体光活性層３ｂまで延び、透明電極膜４ｈの上面
を幅約１００μｍにわたって露出させるように形成する
のが好ましい。この構成によって、接続電極膜１１は透
明電極膜４ｂと十分に接触するようにしても良い。
おいて、第４分離溝９を、絶縁膜８、裏面電極膜４ｂ及
び半導体光活性層３ｂまで延び、透明電極膜４ｈの上面
を幅約１００μｍにわたって露出させるように形成する
のが好ましい。この構成によって、接続電極膜１１は透
明電極膜４ｂと十分に接触するようにしても良い。
（ト）発明の効果
本発明方法によれば、光起電力装置の発電無効領域であ
る光起電力素子の隣接間隔部の大きさを小さくして有効
受光面積を拡大することができ、光起電力装置の出力を
向−ヒさせることができる。
る光起電力素子の隣接間隔部の大きさを小さくして有効
受光面積を拡大することができ、光起電力装置の出力を
向−ヒさせることができる。
第１図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の製造方法を工程順に
示す断面図、第２図は本発明の異なる製造方法の一部を
示す断面図、第３図は従来の方法によ）製造された光起
電力装置を示す断面図である。
示す断面図、第２図は本発明の異なる製造方法の一部を
示す断面図、第３図は従来の方法によ）製造された光起
電力装置を示す断面図である。
Claims (1)
- （１）基板の絶縁表面上に、第１電極膜、半導体光活性
層及び第２電極膜をこの順序に積層してなる光起電力素
子を、複数個電気的に直列接続して配した光起電力装置
の製造方法において、上記基板の絶縁表面上に一連状の
第１電極膜、半導体光活性層及び第２電極膜を順次積層
形成する工程と、 上記一連状の第１電極膜、半導体光活性層及び第２電極
膜に第１分割溝を形成して上記光起電力素子毎の第１電
極膜、半導体光活性層及び第２電極膜に分割すると共に
、上記第１分割溝の一方に隣接して上記第２電極膜に第
２分割溝を形成する工程と、 上記第１分割溝及び第２分割溝を含む上記第２電極膜上
に、上記第１分割溝の他方に隣接する第３分割溝を有し
た絶縁膜を形成する工程と、上記第１分割溝と上記第２
分割溝との間に、少なくとも第２電極膜及び半導体光活
性層まで延びる第４分割溝を形成する工程と、 上記絶縁膜上に、隣接する上記第３分割溝及び第４分割
溝の夫々から露出する第２電極膜及び第１電極膜を、電
気的に接続する接続電極膜を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2047938A JP2798772B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2047938A JP2798772B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250771A true JPH03250771A (ja) | 1991-11-08 |
| JP2798772B2 JP2798772B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=12789317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2047938A Expired - Fee Related JP2798772B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2798772B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665607A (en) * | 1993-06-11 | 1997-09-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing thin film solar cell |
| JP2009512197A (ja) * | 2005-10-07 | 2009-03-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 改良された薄膜ソーラーセル相互接続を形成するシステム及び方法 |
| JP2010502002A (ja) * | 2006-08-22 | 2010-01-21 | ティモシー マイケル ウォルシュ | 薄膜太陽モジュール |
| WO2010113880A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 太陽電池の製造方法、太陽電池の製造装置及び太陽電池 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2047938A patent/JP2798772B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665607A (en) * | 1993-06-11 | 1997-09-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing thin film solar cell |
| JP2009512197A (ja) * | 2005-10-07 | 2009-03-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 改良された薄膜ソーラーセル相互接続を形成するシステム及び方法 |
| JP2010502002A (ja) * | 2006-08-22 | 2010-01-21 | ティモシー マイケル ウォルシュ | 薄膜太陽モジュール |
| WO2010113880A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 太陽電池の製造方法、太陽電池の製造装置及び太陽電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2798772B2 (ja) | 1998-09-17 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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