JPH03151673A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPH03151673A JPH03151673A JP1290225A JP29022589A JPH03151673A JP H03151673 A JPH03151673 A JP H03151673A JP 1290225 A JP1290225 A JP 1290225A JP 29022589 A JP29022589 A JP 29022589A JP H03151673 A JPH03151673 A JP H03151673A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、複数の光起電力素子を電気的に直列接続した
集積型の光起電力装置の製造方法に関する。
集積型の光起電力装置の製造方法に関する。
（ロ）従来の技術
集積型光起電力装置は、所定の光起電力を得るため、複
数の光起電力素子を電気的に直列接続した状態で絶縁基
板上に形成される。この光起電力装置においては、電気
的に直列接続している部分に生じる発電無効領域をでき
るだけ小さくすること、及び製造工程を容易にすること
等を目的として、光起電力素子の直列接続及び分割のた
めに、レーザビーム等のエネルギービームを用いる方法
が提案されている。
数の光起電力素子を電気的に直列接続した状態で絶縁基
板上に形成される。この光起電力装置においては、電気
的に直列接続している部分に生じる発電無効領域をでき
るだけ小さくすること、及び製造工程を容易にすること
等を目的として、光起電力素子の直列接続及び分割のた
めに、レーザビーム等のエネルギービームを用いる方法
が提案されている。
エネルギービームを用いた光起電力装置の製造方法の一
つの方法が、機能材料の１９８５年３月号［太陽電池と
レーザｆｌｕ 、１ ｊに示されている。
つの方法が、機能材料の１９８５年３月号［太陽電池と
レーザｆｌｕ 、１ ｊに示されている。
第２図はこの方法により製造される光起電力装置の断面
図を示し、この装置の製造方法は、まず、ガラス、耐熱
プラスチック等の透明基板２ｏのほぼ全面に、一連成の
透明電極膜２１ａ、２１ｂを形成した後、これにレーザ
ビーム等のエネルギービームを照射することにより、所
定の隣接間隔部を隔てて分割配置された複数の透明電極
膜２１ａ、２１ｂを形成する。
図を示し、この装置の製造方法は、まず、ガラス、耐熱
プラスチック等の透明基板２ｏのほぼ全面に、一連成の
透明電極膜２１ａ、２１ｂを形成した後、これにレーザ
ビーム等のエネルギービームを照射することにより、所
定の隣接間隔部を隔てて分割配置された複数の透明電極
膜２１ａ、２１ｂを形成する。
次に、透明電極膜２１ａ、２１ｂを含んで基板２ｏのほ
ぼ全面に、非晶質シリコン等の非晶質半導体からなる一
連状の半導体光活性層２４ａ、２４ｂを形成し、透明電
極膜２１ａ、２１ｂの隣接間隔部の一方の側（図におい
ては右側）に沿って、エネルギービームを照射して半導
体光活性層２４ａ、２４ｂを形成する。
ぼ全面に、非晶質シリコン等の非晶質半導体からなる一
連状の半導体光活性層２４ａ、２４ｂを形成し、透明電
極膜２１ａ、２１ｂの隣接間隔部の一方の側（図におい
ては右側）に沿って、エネルギービームを照射して半導
体光活性層２４ａ、２４ｂを形成する。
最後に、半導体光活性層２４ａ、２４ｂの隣接間隔部を
含んでこれらの上に一連状の金属電極膜２５ａ、２５ｂ
が形成する。そして、半導体光活性層２４ａ、２４ｂの
一方の側に（図において右側）に沿ってエネルギービー
ムを照射することにより、複数の金属電極ｔｌ＠２５ａ
、２５ｂが形成される。
含んでこれらの上に一連状の金属電極膜２５ａ、２５ｂ
が形成する。そして、半導体光活性層２４ａ、２４ｂの
一方の側に（図において右側）に沿ってエネルギービー
ムを照射することにより、複数の金属電極ｔｌ＠２５ａ
、２５ｂが形成される。
以上によって、金属電極膜２５ａと透明電極膜２１ｂと
が電気的に接続さ７１ 、電気的に直列接続された光起
電力素子２８ａ、２８ｂが形成される。
が電気的に接続さ７１ 、電気的に直列接続された光起
電力素子２８ａ、２８ｂが形成される。
一方、第３図は特開昭６２−３３４７７号公報に見られ
るエネルギービームを用いた他の従来方法により製造さ
れる光起電力装置を示す断面図である。
るエネルギービームを用いた他の従来方法により製造さ
れる光起電力装置を示す断面図である。
この装置の製造方法は、まず、ガラス、耐熱プラスチッ
ク等の透明基板３０上に、複数の透明電極膜３１ａ、３
１ｂを所定の隣接間隔部を隔てて分割配置する。そして
、透明電極ｌｌｉ ３１ ａ、３１ｂの一側縁近傍に沿
って隣接間隔部と平行に、隣接間隔部に近い側から幅が
０．２〜０．５ｍｍの帯状の導電ペースト３２及び絶縁
ペースト３３が、スクリーン印刷により並んで形成さノ
する。
ク等の透明基板３０上に、複数の透明電極膜３１ａ、３
１ｂを所定の隣接間隔部を隔てて分割配置する。そして
、透明電極ｌｌｉ ３１ ａ、３１ｂの一側縁近傍に沿
って隣接間隔部と平行に、隣接間隔部に近い側から幅が
０．２〜０．５ｍｍの帯状の導電ペースト３２及び絶縁
ペースト３３が、スクリーン印刷により並んで形成さノ
する。
次に、透明電極膜３１ａ、３１ｂ、導電ペースト３２及
び絶縁ペースと３３の表面を含んで基板３０のほぼ全面
に、非晶質シリコン等の非晶質半導体からなる−・連成
の半導体光活性層３４ａ、３４ｂが、続いて、連成の金
属電極膜３５ａ、３５ｂが形成される。その後、導電ペ
ースト３２及び絶縁ペースト３３と対向する各位置にて
、金属電極膜３５ａ、３５ｂ状から導電ペースト３２及
び絶縁ペースト３３に達するように０゜０５〜（１，１
ｍｍの幅でレーザビーム等のエネルギービームを照射す
ることにより、接続部３６及び分離溝３７が形成さ１す
る。
び絶縁ペースと３３の表面を含んで基板３０のほぼ全面
に、非晶質シリコン等の非晶質半導体からなる−・連成
の半導体光活性層３４ａ、３４ｂが、続いて、連成の金
属電極膜３５ａ、３５ｂが形成される。その後、導電ペ
ースト３２及び絶縁ペースト３３と対向する各位置にて
、金属電極膜３５ａ、３５ｂ状から導電ペースト３２及
び絶縁ペースト３３に達するように０゜０５〜（１，１
ｍｍの幅でレーザビーム等のエネルギービームを照射す
ることにより、接続部３６及び分離溝３７が形成さ１す
る。
以上によって、金属電極膜３５ａと透明電極膜３１ｂと
が電気的に接続されると共に、半導体光活性層３４ａ、
３４ｂ及び金属電極膜３５ａ、３５ｂの分割が行われ
、電気的に直列接続された光起電力素子３８ａ、３８ｂ
が形成される。
が電気的に接続されると共に、半導体光活性層３４ａ、
３４ｂ及び金属電極膜３５ａ、３５ｂの分割が行われ
、電気的に直列接続された光起電力素子３８ａ、３８ｂ
が形成される。
（ハ）発明が解決しようとする課題
ところで、上述の前者方法によれば、半導体光活性層２
４ａ、２４ｂの形成時及び金属電極膜２５ａ、２５ｂの
形成時に照射するエネルギービームは、半導体光活性層
２４ａ、２４ｂ及び金属電極膜２５ａ、２５ｂの下に存
在する透明電極膜２１ａ、２１ｂ及び半導体光活性層２
４ａ、２．１ｂにダメージを与えないように、その強度
を厳密に調整する必要がある。更に、調整したとしても
、少なからず透明電極膜２１ａ、２１ｂ及び半導体光活
性層２４ａ、２４ｂにダメージを与えてしまい、製造歩
留まりが低下する。
４ａ、２４ｂの形成時及び金属電極膜２５ａ、２５ｂの
形成時に照射するエネルギービームは、半導体光活性層
２４ａ、２４ｂ及び金属電極膜２５ａ、２５ｂの下に存
在する透明電極膜２１ａ、２１ｂ及び半導体光活性層２
４ａ、２．１ｂにダメージを与えないように、その強度
を厳密に調整する必要がある。更に、調整したとしても
、少なからず透明電極膜２１ａ、２１ｂ及び半導体光活
性層２４ａ、２４ｂにダメージを与えてしまい、製造歩
留まりが低下する。
一方、後者方法によれば、エネルギービームの強度調整
を余り厳密に行う必要はないが、導電ペースト３２及び
絶縁ペースト３３を別工程で形成する必要性から、多く
の作業工程を要する。更に、導電ペースト３２及び絶縁
ペースト３３は、共に透明電極膜３１ａ、３１ｂ上に形
成されているため、有効受光面積が減少する。
を余り厳密に行う必要はないが、導電ペースト３２及び
絶縁ペースト３３を別工程で形成する必要性から、多く
の作業工程を要する。更に、導電ペースト３２及び絶縁
ペースト３３は、共に透明電極膜３１ａ、３１ｂ上に形
成されているため、有効受光面積が減少する。
そこで、本発明の目的は、エネルギービームの強度の厳
密な調整の必要性をなくすと共に、作業工程をできるだ
け削減することにある。
密な調整の必要性をなくすと共に、作業工程をできるだ
け削減することにある。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明の光起電力装置の製造方法は、基板の絶縁表面上
に第１電極膜、半導体光活性層及び第２電極膜をこの順
序に積層してなる光起電力素子を複数個電気的に直列接
続して配置した光起電力装置の製造方法において、 一１〕記基板の絶縁表面上に一連状の第１電極膜及び半
導体光活性層を順次積層形成する工程と、エネルギービ
ームの照射によって上記一連状の＠１電極膜及び半導体
光活性層に第１分割溝を形成し、上記光起電力素子毎の
第１電極膜及び半導体光活性層を形成する工程と、 上記第１分割溝に沿って、隣り合う光起電力素子の一方
の素子の半導体光活性層上の上記第１分割溝に近接する
位置と、他方の素子の第１電極膜及び半導体光活性層の
端部を覆う上記第１分割溝内の位置に帯状の絶縁部材を
形成する工程と、上記分割溝内を含んで、分割された上
記半導体光活性層上に一連状の第２電極膜を形成する工
程と、 エネルギービームの照射によって上記一連状の第２電極
膜の上記絶縁部材と対向する位置に第２分割溝を形成し
、隣の光起電力素子の第１電極膜に電気的に連なってい
る上記光起電力素子毎の第２電極膜を形成する工程と、 を備えてことを特徴とする。
に第１電極膜、半導体光活性層及び第２電極膜をこの順
序に積層してなる光起電力素子を複数個電気的に直列接
続して配置した光起電力装置の製造方法において、 一１〕記基板の絶縁表面上に一連状の第１電極膜及び半
導体光活性層を順次積層形成する工程と、エネルギービ
ームの照射によって上記一連状の＠１電極膜及び半導体
光活性層に第１分割溝を形成し、上記光起電力素子毎の
第１電極膜及び半導体光活性層を形成する工程と、 上記第１分割溝に沿って、隣り合う光起電力素子の一方
の素子の半導体光活性層上の上記第１分割溝に近接する
位置と、他方の素子の第１電極膜及び半導体光活性層の
端部を覆う上記第１分割溝内の位置に帯状の絶縁部材を
形成する工程と、上記分割溝内を含んで、分割された上
記半導体光活性層上に一連状の第２電極膜を形成する工
程と、 エネルギービームの照射によって上記一連状の第２電極
膜の上記絶縁部材と対向する位置に第２分割溝を形成し
、隣の光起電力素子の第１電極膜に電気的に連なってい
る上記光起電力素子毎の第２電極膜を形成する工程と、 を備えてことを特徴とする。
（ホ）作用
本発明によれば、第１電極膜を形成する工程、半導体光
活性層を形成する工程、エネルギービームを照射する工
程、絶縁部材を形成する工程、第２電極膜を形成する工
程及びエネルギービームを照射する−［程の６エ程によ
って、基板上において、複数の光起電力素子が直列接続
された光起電力装置が製造される。
活性層を形成する工程、エネルギービームを照射する工
程、絶縁部材を形成する工程、第２電極膜を形成する工
程及びエネルギービームを照射する−［程の６エ程によ
って、基板上において、複数の光起電力素子が直列接続
された光起電力装置が製造される。
（へ）実施例
第１図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の製造方法を工程順に
示す断面図である。
示す断面図である。
同図（ａ）において、ガラス、耐熱性プラスチ・ツク等
の透明基板１上に、透明電極膜２及び半導体光活性層３
がこの順に積層形成される。
の透明基板１上に、透明電極膜２及び半導体光活性層３
がこの順に積層形成される。
半導体光活性層３は周知のプラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ
法等により形成された非晶質シリコン、非晶質シリコン
カーバイド、非晶質シリコンゲルマニウム等の非晶質半
導体からなる。更に、半導棒先活性層３は、その膜面と
並行にｐｎ接合やｐｉｎ接合等の半導体接合を有する。
法等により形成された非晶質シリコン、非晶質シリコン
カーバイド、非晶質シリコンゲルマニウム等の非晶質半
導体からなる。更に、半導棒先活性層３は、その膜面と
並行にｐｎ接合やｐｉｎ接合等の半導体接合を有する。
同図（ｂ）において、半導体光活性層３上からレーザビ
ーム等のエネルギービームＥＢを照射することにより、
紙面と垂直方向に、幅約０．２ｍｍの分割溝４が形成さ
れ、複数に分割された透明電極膜２ａ、２ｂ及び半導体
光活性層３ａ、３ｂが形成される。
ーム等のエネルギービームＥＢを照射することにより、
紙面と垂直方向に、幅約０．２ｍｍの分割溝４が形成さ
れ、複数に分割された透明電極膜２ａ、２ｂ及び半導体
光活性層３ａ、３ｂが形成される。
同図（Ｃ）において、分割溝４に沿って、第１電極膜２
ａ及び半導体光活性層３ａの端部を覆う分割溝４内の位
置と半導体光活性層３ｂ上の分割溝４に近接する位置と
に、帯状の絶縁部材５ａ、５ｂが形成される。各絶縁部
材５ａ、５ｂの幅は、約０．１ｍｍ及び０．３ｍｍであ
る。
ａ及び半導体光活性層３ａの端部を覆う分割溝４内の位
置と半導体光活性層３ｂ上の分割溝４に近接する位置と
に、帯状の絶縁部材５ａ、５ｂが形成される。各絶縁部
材５ａ、５ｂの幅は、約０．１ｍｍ及び０．３ｍｍであ
る。
同図（ｄ）において、分割溝４内を含んで、半導体光活
性層３ａ、３ｂ上に金属電極膜６が形成される。
性層３ａ、３ｂ上に金属電極膜６が形成される。
最後に、同図（ｅ）において、エネルギービームＥＢの
照射によって、金属電極膜６の絶縁部材５ｂと対向する
位置に分割溝７が形成され、複数に分割された金属電極
膜６ａ、６ｂが形成される。
照射によって、金属電極膜６の絶縁部材５ｂと対向する
位置に分割溝７が形成され、複数に分割された金属電極
膜６ａ、６ｂが形成される。
これにより、金属電極膜６ａは分割溝４内において隣の
透明電極膜２ｂの側面と電気的に接触し、その結果、電
気的に直列接続された複数の光起電力素子８ａ、８ｂが
形成される。
透明電極膜２ｂの側面と電気的に接触し、その結果、電
気的に直列接続された複数の光起電力素子８ａ、８ｂが
形成される。
（トン発明の効果
本発明方法によれば、半導体光活性層及び透明電極膜は
、エネルギービーム照射により同時に分割されるので、
その下に存在する膜をエネルギービームの照射によるダ
メージから守るということを全く心配することがない。
、エネルギービーム照射により同時に分割されるので、
その下に存在する膜をエネルギービームの照射によるダ
メージから守るということを全く心配することがない。
また、金属電極膜の分割に際しては、絶縁部材により、
半導体光活性層がエネルギービーム照射によりダメージ
を受けることがない。従って、製造歩留まりを低下させ
ることがない。
半導体光活性層がエネルギービーム照射によりダメージ
を受けることがない。従って、製造歩留まりを低下させ
ることがない。
更に、絶縁部材は分割溝内に設けられているため、この
絶縁部材５ａが有効受光面積を減少させることはなく、
有効受光面積の減少を最低限に押さえることができる。
絶縁部材５ａが有効受光面積を減少させることはなく、
有効受光面積の減少を最低限に押さえることができる。
更には、絶縁部材は同時に形成されるため、不所望に製
造工程数が増大することがない。
造工程数が増大することがない。
０
第１図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の製造方法を工程順に
示す断面図、第２図及び第３図は夫々従来の方法により
製造された光起電力装置を示す断面図である。
示す断面図、第２図及び第３図は夫々従来の方法により
製造された光起電力装置を示す断面図である。
Claims (1)
- （１）基板の絶縁表面上に、第１電極膜、半導体光活性
層及び第２電極膜をこの順序に積層してなる光起電力素
子を複数個電気的に直列接続して配置した光起電力装置
の製造方法において、上記基板の絶縁表面上に一連状の
第１電極膜及び半導体光活性層を順次積層形成する工程
と、エネルギービームの照射によって上記一連状の第１
電極膜及び半導体光活性層に第１分割溝を形成し、上記
光起電力素子毎の第１電極膜及び半導体光活性層を形成
する工程と、 上記第１分割溝に沿って、隣り合う光起電力素子の一方
の素子の半導体光活性層上の上記第１分割溝に近接する
位置と、他方の素子の第１電極膜及び半導体光活性層の
端部を覆う上記第１分割溝内の位置に帯状の絶縁部材を
形成する工程と、上記分割溝内を含んで、分割された上
記半導体光活性層上に一連状の第２電極膜を形成する工
程と、 エネルギービームの照射によって上記一連状の第２電極
膜の上記絶縁部材と対向する位置に第２分割溝を形成し
、隣の光起電力素子の第１電極膜に電気的に連なってい
る上記光起電力素子毎の第２電極膜を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1290225A JPH03151673A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1290225A JPH03151673A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03151673A true JPH03151673A (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=17753377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1290225A Pending JPH03151673A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03151673A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5348589A (en) * | 1991-12-27 | 1994-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solar cell and method of forming the same |
| WO2000007249A1 (fr) * | 1998-07-27 | 2000-02-10 | Citizen Watch Co., Ltd. | Cellule solaire, procede de production et masque de photolithographie permettant de fabriquer ladite cellule solaire |
-
1989
- 1989-11-08 JP JP1290225A patent/JPH03151673A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5348589A (en) * | 1991-12-27 | 1994-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solar cell and method of forming the same |
| US5453134A (en) * | 1991-12-27 | 1995-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solar cell |
| WO2000007249A1 (fr) * | 1998-07-27 | 2000-02-10 | Citizen Watch Co., Ltd. | Cellule solaire, procede de production et masque de photolithographie permettant de fabriquer ladite cellule solaire |
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