JPH0325227U - - Google Patents

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JPH0325227U
JPH0325227U JP8506389U JP8506389U JPH0325227U JP H0325227 U JPH0325227 U JP H0325227U JP 8506389 U JP8506389 U JP 8506389U JP 8506389 U JP8506389 U JP 8506389U JP H0325227 U JPH0325227 U JP H0325227U
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reticle
reduction projection
projection exposure
chip
exposure apparatus
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JP8506389U
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【図面の簡単な説明】
第1図は本案の一実施例のステツパーの概略図
、第2図は第1図で露光した後のレジスト概略図
、第3図は本案の一実施例のステツパーの概略図
、第4図は本案の一実施例のステツパーの概略図
、第5図は従来例のステツパーの概略図、第6図
は従来の第5図のステツパーで露光したレジスト
概略図、第7図はレジストの感度曲線を示す図で
ある。 1……半導体基板、2……感光性レジスト、3
……第1レチクル、4……縮小レンズ、5……第
2レチクル。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 1 半導体基板上にフオトレジストを形成し、パ
    ターニングする縮小投影露光装置において、半導
    体基板の露光を、まず、第1レチクルを用いて半
    導体基板上のチツプの1部分を露光し、しかる後
    正規のプロセスパターンの第2レチクルを用いて
    半導体基板上のチツプ全域を露光するレチクルを
    具備したことを特徴とする縮小投影露光装置。 2 前記第1レチクルは、チツプ中心部分を除い
    た外側の露光することを特徴とする縮小投影露光
    装置。 3 前記第2レチクルを用いて、チツプを露光す
    る露光量は、前記第1レチクルを用いて、チツプ
    中心部分を除いた外側を露光する露光量より、多
    い露光量で露光することを特徴とする縮小投影露
    光装置。 4 前記、第1レチクルの中心部分は、光を透過
    させるパターンが形成されてないことを特徴とす
    る縮小投影露光装置。 5 前記、第1レチクルが上位と第2レチクルは
    下位にあり、露光後第1レチクルを除き、第2レ
    チクルで再露光することを特徴とする縮小投影露
    光装置。 6 前記、第1、第2レチクルとも、レチクル搬
    送ケースからの搬入、搬出ができる機構であるこ
    とを特徴とする縮小投影露光装置。
JP8506389U 1989-07-21 1989-07-21 Pending JPH0325227U (ja)

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