JPS6370425A - 微細パタ−ン形成方法 - Google Patents
微細パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6370425A JPS6370425A JP61212672A JP21267286A JPS6370425A JP S6370425 A JPS6370425 A JP S6370425A JP 61212672 A JP61212672 A JP 61212672A JP 21267286 A JP21267286 A JP 21267286A JP S6370425 A JPS6370425 A JP S6370425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- resist material
- mask
- material layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は微細加工技術に関し、より詳しくは下地基板と
加工するための微細パターン形成方法に関する。
加工するための微細パターン形成方法に関する。
（従来の技術）
微細加工技術は例えば半導体集９回路素子製造工程にお
ける状況の如く微細化により得られるメリットは、大き
く微細化に対して清力的にｆｊｆｌ々の研究開発がなさ
れている。
ける状況の如く微細化により得られるメリットは、大き
く微細化に対して清力的にｆｊｆｌ々の研究開発がなさ
れている。
下地基板上の被加工物ｇをドライエツチング加工する際
等に用いられるレジストマスクパターンの９．細化は下
地段差等に起因する解像力の低下によジ著しく回器にな
っている。その為に多層レジスト法が広く検討され下地
段差に影響されないパターン形成技術が１例えばＭ 、
Ｈａｔｚａｋｉｓ ５ｏｌｉｄ８土ａｔｏ Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ ／ Ａｕｇｕｓｔ １９８１ 第７４頁
以降に示されている。
等に用いられるレジストマスクパターンの９．細化は下
地段差等に起因する解像力の低下によジ著しく回器にな
っている。その為に多層レジスト法が広く検討され下地
段差に影響されないパターン形成技術が１例えばＭ 、
Ｈａｔｚａｋｉｓ ５ｏｌｉｄ８土ａｔｏ Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ ／ Ａｕｇｕｓｔ １９８１ 第７４頁
以降に示されている。
多層レジスト法の中でもＰＣＭ法（Ｂ、Ｊ、Ｌｉｎ５Ｐ
ＩＢ Ｐｒｏｃ、１７４．１９７９）は、下層レジス
トのパターン形成を通常の現像処理により行なえるメリ
ットがある。しかしながら従来のＰＣＭ法においては最
上層に形成するパターンに対してポジーポジ■パターン
形成分下層レジストに対し施こす為に上層マスクパター
ンエッヂ下の下層レジスト層に露光光のまわりごみが生
じ上層のマスクパターンに対しアンダーカットが生じた
り逆にテーパーを生じパターンサイズが縮少する不都合
が生じている。ｔた露光領域においてレジスト層におけ
る露光光の吸収の為にレジスト層下部においては上層に
比べて感光が十分に成されない為に現像残りが生じた９
する不都合もある。
ＩＢ Ｐｒｏｃ、１７４．１９７９）は、下層レジス
トのパターン形成を通常の現像処理により行なえるメリ
ットがある。しかしながら従来のＰＣＭ法においては最
上層に形成するパターンに対してポジーポジ■パターン
形成分下層レジストに対し施こす為に上層マスクパター
ンエッヂ下の下層レジスト層に露光光のまわりごみが生
じ上層のマスクパターンに対しアンダーカットが生じた
り逆にテーパーを生じパターンサイズが縮少する不都合
が生じている。ｔた露光領域においてレジスト層におけ
る露光光の吸収の為にレジスト層下部においては上層に
比べて感光が十分に成されない為に現像残りが生じた９
する不都合もある。
またＰＣＭ法においては下層レジスト層上に混合層が生
じることなく上層レジスト層を設けることが・４″！し
いが、従来広においては限定され九材料の組合せの中で
特性の優れたパターン形成を行うことは困難を伴なって
いた。ま之下層レジストに耐ドライエツチング性の不足
等のプロセス適応性が欠けて−る等０間１点もある。
じることなく上層レジスト層を設けることが・４″！し
いが、従来広においては限定され九材料の組合せの中で
特性の優れたパターン形成を行うことは困難を伴なって
いた。ま之下層レジストに耐ドライエツチング性の不足
等のプロセス適応性が欠けて−る等０間１点もある。
（発明が解決しようとする間嘔点）
本発明は上記問題点に鑑み成きれたもので、その目的は
より解像性に優れ下地段差の影響を受けない多層レジス
トプロセスを提供することにより。
より解像性に優れ下地段差の影響を受けない多層レジス
トプロセスを提供することにより。
現状のＰ ＣＭブ契セスの問題点ｅ解決することにある
。
。
（問題点と解決するための手段）
本発明は基板上１ｃ第１のレジスト材層を設け。
次いで直接あるいは中間層を介して第２のレジスト材層
を設け、第２のレジスト材層にパターン形成を行匹形成
されたパターン、あるいは形成されたパターン分マスク
に中間１２エツチング加工したパターンをマスクに所望
パターンを４１のレジスト材層に焼き付け、ネガ型パタ
ーンすなわち茗１のレジスト層の露光領域が残されるパ
イプのパターン形成分行うことを主旨とする。
を設け、第２のレジスト材層にパターン形成を行匹形成
されたパターン、あるいは形成されたパターン分マスク
に中間１２エツチング加工したパターンをマスクに所望
パターンを４１のレジスト材層に焼き付け、ネガ型パタ
ーンすなわち茗１のレジスト層の露光領域が残されるパ
イプのパターン形成分行うことを主旨とする。
ネガ型パターンの形成は露光領域に形成された潜像を熱
処理あるいに化学反応処理等により不溶化したのち現像
処理を行なってもおるいは未露光領域の現像性の向上を
成す処理を施こしても良い。
処理あるいに化学反応処理等により不溶化したのち現像
処理を行なってもおるいは未露光領域の現像性の向上を
成す処理を施こしても良い。
（作用）
本発明のパターン形成によジ下地基板段差形状に影響さ
れにく＾高解像パターンの形成がルされる。
れにく＾高解像パターンの形成がルされる。
（実施例）
第１図〜第２図は本発明の一実施例ｅ説明するだめの断
面図である。
面図である。
先ず第１図のように半導体素子製造工程にかかる処理が
一部なされた下地パターンを有する基板上に第１のレジ
ストをスピンコード去によす約１．５μｍの厚さに塗布
した０次いで９０℃２４０秒ポットプレートベーキング
処理後、クロルベンゼン溶液に室温で３分のディグ処理
を行っ九。
一部なされた下地パターンを有する基板上に第１のレジ
ストをスピンコード去によす約１．５μｍの厚さに塗布
した０次いで９０℃２４０秒ポットプレートベーキング
処理後、クロルベンゼン溶液に室温で３分のディグ処理
を行っ九。
次いで第２のレジストとしてＡｚ １３１８ＳＦＤ（ヘ
キスト社製ホトレジスト）に波長３６５ｎｍ付近に吸収
ピークを有するクマリン色素を２％（固形分）添加した
溶液を用いて約１．２μｍの厚さの塗布膜を形成した。
キスト社製ホトレジスト）に波長３６５ｎｍ付近に吸収
ピークを有するクマリン色素を２％（固形分）添加した
溶液を用いて約１．２μｍの厚さの塗布膜を形成した。
９０℃３００秒のホットプレートベーキング後縮少投影
型露光装置２用いパターン露光を行った。露光１’ｊ１
．４３６ｎｍのＨｇの輝線２用いた屯色光によりなされ
た０次いで室温でディプ現像処理によりレジストパター
ンの形成を行った。
型露光装置２用いパターン露光を行った。露光１’ｊ１
．４３６ｎｍのＨｇの輝線２用いた屯色光によりなされ
た０次いで室温でディプ現像処理によりレジストパター
ンの形成を行った。
次いで全面に約３６５ｎｍの単色光を用いた全面一括露
光処理を行った（嘉２図）。
光処理を行った（嘉２図）。
この時最上層に設けられたレジストパターンは３６５ｎ
ｍの露光光ｅ十分に吸収していた。
ｍの露光光ｅ十分に吸収していた。
次いで１１５℃９０秒のホットプレートベーキングを行
なｒ Ａ ｚ ５２１４レジスト層の４光領域の不溶化
を行った。
なｒ Ａ ｚ ５２１４レジスト層の４光領域の不溶化
を行った。
次いで全面に４３６ｎｍの光を照射しＡｚ ５２１４の
現潅液に対する溶解性を向上させた０次いで現ｒ象液を
室温で用い６０秒のディプ現像処理を行った。その結果
第３図のように、最上１ルジストパターンの反転パター
ンが得られた。最上Ｉ−レジストパターンも最上層レジ
ストパターンに覆われた領域も現像除去されていた、（
嘉３図）。
現潅液に対する溶解性を向上させた０次いで現ｒ象液を
室温で用い６０秒のディプ現像処理を行った。その結果
第３図のように、最上１ルジストパターンの反転パター
ンが得られた。最上Ｉ−レジストパターンも最上層レジ
ストパターンに覆われた領域も現像除去されていた、（
嘉３図）。
得られたレジストパターンは下地膜の段差形状に依存し
にくい高ｈ１度なパターンであった。
にくい高ｈ１度なパターンであった。
上述した実施例においては最上層レジストパターンの形
成をＩ−線（Ｈｇの輝線）を用いた露光装置により行い
、最上層レジストパターンの下層への転写をｉ−線（Ｈ
ｇＯ暉線）光により行った。
成をＩ−線（Ｈｇの輝線）を用いた露光装置により行い
、最上層レジストパターンの下層への転写をｉ−線（Ｈ
ｇＯ暉線）光により行った。
本発明により下地段差形′犬の影響を受けにくｈ解像力
に優れたレジストパターンの形成が成される。
に優れたレジストパターンの形成が成される。
灯１図乃至術３図は本発明の一実施例を示す工程断面図
である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・ＳｉＯ，＆３・・・ＳｉＯ
，，４・・・不純物添加多結晶シリコン、５・・・ホト
レジスト、６・・・ホトレジスト。 代理人 弁理士 則 近 憲 右 同 竹 花 喜久男 第１図 番目↓↓（↓↓１０ 第２図 第３図
である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・ＳｉＯ，＆３・・・ＳｉＯ
，，４・・・不純物添加多結晶シリコン、５・・・ホト
レジスト、６・・・ホトレジスト。 代理人 弁理士 則 近 憲 右 同 竹 花 喜久男 第１図 番目↓↓（↓↓１０ 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）基板上に設けられた第１のレジスト材層上に直接
あるいは中間層を介して第２のレジストパターンを形成
し、上記レジストパターンあるいは該レジストパターン
をマスクに中間層をエッチングし形成したパターンをマ
スクとして全面上記マスクパターンによりマスキングさ
れるとともに少くとも第１のレジスト材の感光が生じる
波長域の露光を施こし所望パターンを第１のレジスト材
層に焼きつけ、次いでネガ型のパターン現像を行うこと
を特徴とする微細パターン形成方法。 - （２）ネガ型のパターン現像を第１のレジスト材に施こ
すに際し、露光領域を熱処理あるいは化学反応処理によ
り不溶化し、次いで全面あるいは少なくとも未露光領域
に対し、溶解性向上させる第２の露光処理を施こし、第
１のレジスト材にネガ型パターン形成をなすことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の微細パターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212672A JPS6370425A (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 微細パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212672A JPS6370425A (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 微細パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370425A true JPS6370425A (ja) | 1988-03-30 |
Family
ID=16626485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61212672A Pending JPS6370425A (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 微細パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6370425A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6489424A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Matsushita Electronics Corp | Resist-pattern forming method |
| KR100823020B1 (ko) | 2007-07-05 | 2008-04-17 | 현대중공업 주식회사 | 원형 파이프 내부에의 미세패턴 제조방법 |
-
1986
- 1986-09-11 JP JP61212672A patent/JPS6370425A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6489424A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Matsushita Electronics Corp | Resist-pattern forming method |
| KR100823020B1 (ko) | 2007-07-05 | 2008-04-17 | 현대중공업 주식회사 | 원형 파이프 내부에의 미세패턴 제조방법 |
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