JPH03253858A - パターン形成材料及びパターン形成方法 - Google Patents
パターン形成材料及びパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH03253858A JPH03253858A JP2051712A JP5171290A JPH03253858A JP H03253858 A JPH03253858 A JP H03253858A JP 2051712 A JP2051712 A JP 2051712A JP 5171290 A JP5171290 A JP 5171290A JP H03253858 A JPH03253858 A JP H03253858A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- alkali
- resin composition
- pattern
- resist resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子、光学部品の製造に用いられる化
学増感系レジスト材料に関する。
学増感系レジスト材料に関する。
近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、加工寸法は０
．５μｍ以下に達している。リソグラフィとしては従来
の紫外線を光源とする、フォトリソグラフィが主流であ
ったが、０．５μｍ以下のパターン形成には遠紫外線、
電子線、Ｘ線などの高エネルギ線を光源とするりソグラ
フィの適用が必要になってきた。それに用いられるレジ
スト材料は高感度、高解像性の点からベースポリマーと
してのノボラック樹脂などの水酸基を有するポリマー、
架橋剤であるメラミン化合物、高エネルギ線照射により
架橋反応の触媒となる酸を発生する酸発生剤を含む３元
系化学増感レジストが提案されている［：Ｗ、Ｅ、
フィ！Ｊ （Ｆｅｅｌｙ） ラ、ポリマー エンジ
ニアリング アンド サイエンス（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｂ
ｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇａｎｄ ５ｃｉｅｎｃｅ）第２６
巻、第１１０１頁（１９８６年）〕。
．５μｍ以下に達している。リソグラフィとしては従来
の紫外線を光源とする、フォトリソグラフィが主流であ
ったが、０．５μｍ以下のパターン形成には遠紫外線、
電子線、Ｘ線などの高エネルギ線を光源とするりソグラ
フィの適用が必要になってきた。それに用いられるレジ
スト材料は高感度、高解像性の点からベースポリマーと
してのノボラック樹脂などの水酸基を有するポリマー、
架橋剤であるメラミン化合物、高エネルギ線照射により
架橋反応の触媒となる酸を発生する酸発生剤を含む３元
系化学増感レジストが提案されている［：Ｗ、Ｅ、
フィ！Ｊ （Ｆｅｅｌｙ） ラ、ポリマー エンジ
ニアリング アンド サイエンス（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｂ
ｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇａｎｄ ５ｃｉｅｎｃｅ）第２６
巻、第１１０１頁（１９８６年）〕。
この化学増感系レジストは高エネルギ線を照射し酸発生
剤を発生させたのち、熱処理（ＦＥＢ）を行うことによ
り、メラミン化合物とベースポリマーが架橋反応を起こ
し、ポリマーのアルカリ溶解性を著しく低下させる。こ
のため、アルカリ水溶液で現像することにより、高エネ
ルギ線を照射した以外の部分だけ溶解除去されるので、
ネガ型のパターンが形成できる。ＦＥＢの温度及び時間
により架橋反応量が変化し感度、解像性は大きく変化す
る。すなわち、ＦＥＢ温度が高く、また時間が長いほど
高感度で高解像性が達成できる。しかしながら、ＦＥＢ
温度が高くなると高エネルギ線が照射されない部分のレ
ジストのアルカリ溶解性も低下するため、現像時間が長
くなる、あるいは現像液のアルカリ濃度を高くする必要
を生じる。アルカリ濃度を高くする、あるいは現像時間
を長くすると、アルミニウム基板ではアルミニウムの溶
解を生じる欠点がある。
剤を発生させたのち、熱処理（ＦＥＢ）を行うことによ
り、メラミン化合物とベースポリマーが架橋反応を起こ
し、ポリマーのアルカリ溶解性を著しく低下させる。こ
のため、アルカリ水溶液で現像することにより、高エネ
ルギ線を照射した以外の部分だけ溶解除去されるので、
ネガ型のパターンが形成できる。ＦＥＢの温度及び時間
により架橋反応量が変化し感度、解像性は大きく変化す
る。すなわち、ＦＥＢ温度が高く、また時間が長いほど
高感度で高解像性が達成できる。しかしながら、ＦＥＢ
温度が高くなると高エネルギ線が照射されない部分のレ
ジストのアルカリ溶解性も低下するため、現像時間が長
くなる、あるいは現像液のアルカリ濃度を高くする必要
を生じる。アルカリ濃度を高くする、あるいは現像時間
を長くすると、アルミニウム基板ではアルミニウムの溶
解を生じる欠点がある。
本発明の目的は、化学増感系レジストにおいてＦＥＢ温
度を高くする、あるいはＦＥＢ時間を長くしても、低濃
度のアルカリ水溶液で現像できるパターン形成材料及び
それを用いたパターン形成方法を提供することにある。
度を高くする、あるいはＦＥＢ時間を長くしても、低濃
度のアルカリ水溶液で現像できるパターン形成材料及び
それを用いたパターン形成方法を提供することにある。
本発明を概説すれば、第１の発明はパターン形成材料に
関するものであり、水酸基を有するアルカリ可溶性ポリ
マーと架橋剤と高エネルギ線照射により酸を発生する酸
発生剤を必須成分とするレジスト樹脂組成物に水酸基を
有するジアゾナフトキノン系化合物が含有されているこ
とを特徴とする。
関するものであり、水酸基を有するアルカリ可溶性ポリ
マーと架橋剤と高エネルギ線照射により酸を発生する酸
発生剤を必須成分とするレジスト樹脂組成物に水酸基を
有するジアゾナフトキノン系化合物が含有されているこ
とを特徴とする。
そして、本発明の第２の発明は、パターン形成方法に関
するものであって、第１の発明のパターン形成材料を加
工基板上に塗布する工程、それに高エネルギ線をパター
ン状に照射する工程、次いで高エネルギ線を照射した基
板を熱処理（ＦＥＢ）をする工程、次いで大気中にて紫
外線を全面に露光する工程、その後アルカリ性現像液に
よって現像することにより高エネルギ線照射部分にネガ
型パターンを形成させる工程の各工程を包含することを
特徴とする。
するものであって、第１の発明のパターン形成材料を加
工基板上に塗布する工程、それに高エネルギ線をパター
ン状に照射する工程、次いで高エネルギ線を照射した基
板を熱処理（ＦＥＢ）をする工程、次いで大気中にて紫
外線を全面に露光する工程、その後アルカリ性現像液に
よって現像することにより高エネルギ線照射部分にネガ
型パターンを形成させる工程の各工程を包含することを
特徴とする。
本発明で用いるアルカリ可溶性ポリマーの例としてはノ
ボラック樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール
樹脂などが挙げられるが、ＦＥＢによる高エネルギ線を
照射しない部分のアルカリ溶解性の低下をできる限り抑
制するためには、分子量は低い方がよい。ＦＥＢ後の溶
解速度比（照射部分／未照射部分〉が最も高くできるの
はノボラック樹脂で重量平均分子量が５０００から１５
００の範囲であった。
ボラック樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール
樹脂などが挙げられるが、ＦＥＢによる高エネルギ線を
照射しない部分のアルカリ溶解性の低下をできる限り抑
制するためには、分子量は低い方がよい。ＦＥＢ後の溶
解速度比（照射部分／未照射部分〉が最も高くできるの
はノボラック樹脂で重量平均分子量が５０００から１５
００の範囲であった。
架橋剤は下記−数式Ｉ：
ＲＩＯＣ）１２ ＣＨ２０Ｒ６（Ｒ，、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１、Ｒ５、Ｒ６は水素、アルキル基及び
フェニル基からなる群から選択された１種の基を示す）
で表されるメラミン化合物あるいは多官能性エポキシ化
合物やイソシアネート化合物が使用できる。レジスト材
料としてはメラミン化合物が最も適した架橋剤と言える
。
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１、Ｒ５、Ｒ６は水素、アルキル基及び
フェニル基からなる群から選択された１種の基を示す）
で表されるメラミン化合物あるいは多官能性エポキシ化
合物やイソシアネート化合物が使用できる。レジスト材
料としてはメラミン化合物が最も適した架橋剤と言える
。
酸発生剤は下記−数式■、■、■：
ＡｒＮｚ”ＭＸｎ−−（ＩＩ ）
Ａｒｌ”ＭＸｎ−−（ＩＩＩ ）
ＡｒｓＳ”ＭＸｎ−−−・（ＩＶ ）
（式中ＭＸｎはＢＦｌ、ＰＦｓ、Ａｓｈｓ及びＳｂＦ、
の群から選択された１種を示す〉で表されるオニウム塩
あるいはハロゲン化メチルトリアジン、テトラブロモビ
スフェノールＡ１ニトロベンジルエステル化物などが使
用できる。
の群から選択された１種を示す〉で表されるオニウム塩
あるいはハロゲン化メチルトリアジン、テトラブロモビ
スフェノールＡ１ニトロベンジルエステル化物などが使
用できる。
ジアゾナフトキノン系化合物は、一般のポジ型フォトレ
ジストで使用されている１、２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸あるいは１゜２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸とバラストである水酸基を有する化
合物とのエステル化物のすべてが使用できる。しかし、
照射部分と未照射部分とのアルカリ溶解速度比を高くす
るためにはバラストはノボラック樹脂、フェノール樹脂
、ポリビニルフェノールなどの水酸基を有するポリマー
が好ましい。架橋剤と架橋させるため、エステル化率は
５０％以下にすることが重要である。
ジストで使用されている１、２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸あるいは１゜２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸とバラストである水酸基を有する化
合物とのエステル化物のすべてが使用できる。しかし、
照射部分と未照射部分とのアルカリ溶解速度比を高くす
るためにはバラストはノボラック樹脂、フェノール樹脂
、ポリビニルフェノールなどの水酸基を有するポリマー
が好ましい。架橋剤と架橋させるため、エステル化率は
５０％以下にすることが重要である。
アルカリ可溶性ポリマーとジアゾナフトキノン系化合物
の水酸基は高エネルギ線照射により酸発生剤から生じた
酸を触媒としてＦＥＢにより架橋剤と反応する。これに
より、照射部分のアルカリ溶解性は著しく低下する。
の水酸基は高エネルギ線照射により酸発生剤から生じた
酸を触媒としてＦＥＢにより架橋剤と反応する。これに
より、照射部分のアルカリ溶解性は著しく低下する。
一方、ＰＥＢ後、レジスト全面に紫外線を露光するとジ
アゾナフトキノン系化合物は相応するインデンカルボン
酸に変化する。インデンカルボン酸はアルカリ溶解促進
の効果があるため、高エネルギ線の未照射部分のレジス
トのアルカリ溶解性を高めることができる。このため、
低濃度のアルカリ水溶液で現像することができる。
アゾナフトキノン系化合物は相応するインデンカルボン
酸に変化する。インデンカルボン酸はアルカリ溶解促進
の効果があるため、高エネルギ線の未照射部分のレジス
トのアルカリ溶解性を高めることができる。このため、
低濃度のアルカリ水溶液で現像することができる。
また、照射部分もインデンカルボン酸が紫外線露光によ
り生成するが、この部分においてはＰＥＢにより、既に
バラストの水酸基が架橋反応を起こしているので、アル
カリ溶解性を促進することができない。このため、照射
部分と未照射部分の溶解速度比を高くすることができる
ので、解像性を高くできる。
り生成するが、この部分においてはＰＥＢにより、既に
バラストの水酸基が架橋反応を起こしているので、アル
カリ溶解性を促進することができない。このため、照射
部分と未照射部分の溶解速度比を高くすることができる
ので、解像性を高くできる。
ジアゾナフトキノン系化合物を添加しない化学増感系レ
ジストの場合、ＦＥＢ温度が１０５℃で２分間で熱処理
したとき、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液に対する未照射部分の溶解速度は約１０
ｎｍ７秒であったが、本発明のジアゾナフトキノン系化
合物を添加したものは添加しないものより１００ ｎｍ
／ｍ／上は高くできた。したがって、現像時間は添加し
ない場合の１／１０に短縮できるため、アルミニウム基
板の場合でも、アルミニウムの溶解を抑制できるのでプ
ロセスでの問題を解決できる。また、レジストコントラ
ストが向上したことにより、パターン形成プロセスにお
けるマージンを広くできる。
ジストの場合、ＦＥＢ温度が１０５℃で２分間で熱処理
したとき、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液に対する未照射部分の溶解速度は約１０
ｎｍ７秒であったが、本発明のジアゾナフトキノン系化
合物を添加したものは添加しないものより１００ ｎｍ
／ｍ／上は高くできた。したがって、現像時間は添加し
ない場合の１／１０に短縮できるため、アルミニウム基
板の場合でも、アルミニウムの溶解を抑制できるのでプ
ロセスでの問題を解決できる。また、レジストコントラ
ストが向上したことにより、パターン形成プロセスにお
けるマージンを広くできる。
本発明のパターン形成材料の組成はアルカリ可溶性のベ
ースポリマーが１００重量部に対し、架橋剤が５〜５０
重量部、酸発生剤がｌ〜３０重量部、ジアゾナフトキノ
ン系化合物が１０〜５０重量部の範囲で有効な特性が得
られる。
ースポリマーが１００重量部に対し、架橋剤が５〜５０
重量部、酸発生剤がｌ〜３０重量部、ジアゾナフトキノ
ン系化合物が１０〜５０重量部の範囲で有効な特性が得
られる。
本発明の第２の発明は高エネルギ線をパターン状に照射
した後に熱処理そして現像を行う通常のパターン形成法
に、現像前に紫外線を全面露光する工程を追加したこと
を特徴とするパターン形成方法である。前記したように
、この工程によりジアゾナフトキノン系化合物が相応す
るインデンカルボン酸に変化するため、高エネルギ線を
照射しない部分のアルカリ溶解性を高めることができ、
低濃度のアルカリ水溶液で現像できる。そして、照射部
と未照射部の溶解速度比を高めることができるため、レ
ジストコントラストを高くできると同時に基板を損傷す
ることがない。
した後に熱処理そして現像を行う通常のパターン形成法
に、現像前に紫外線を全面露光する工程を追加したこと
を特徴とするパターン形成方法である。前記したように
、この工程によりジアゾナフトキノン系化合物が相応す
るインデンカルボン酸に変化するため、高エネルギ線を
照射しない部分のアルカリ溶解性を高めることができ、
低濃度のアルカリ水溶液で現像できる。そして、照射部
と未照射部の溶解速度比を高めることができるため、レ
ジストコントラストを高くできると同時に基板を損傷す
ることがない。
高エネルギ線の例としては電子線、Ｘ線又は遠紫外線が
挙げられる。
挙げられる。
以下、本発明を実施例で説明するが、本発明はこれに限
るものではない。
るものではない。
実施例１
ノボラック樹脂（分子量＝８０００） １００ ｇ
メチル化メチロールメラミン １５ ｇ酸発生
剤（後述） ２〜１０ ｇを２−エトキシ
エチルアセテート４００−に溶解したレジスト溶液を調
製し、シリコン基板に塗布し１μｍ厚さのレジスト膜を
形成した。ホットプレートを用い１００℃で１分間プリ
ベークしたのち、電子線（加圧電圧２０ｋＶ）、Ｘ線Ｃ
ＣｕＬ線ターゲット〉又は遠紫外線（１ｋｗ Ｘｅ−Ｈ
ｇ）を高エネルギ線源としてパターン状に照射した。
メチル化メチロールメラミン １５ ｇ酸発生
剤（後述） ２〜１０ ｇを２−エトキシ
エチルアセテート４００−に溶解したレジスト溶液を調
製し、シリコン基板に塗布し１μｍ厚さのレジスト膜を
形成した。ホットプレートを用い１００℃で１分間プリ
ベークしたのち、電子線（加圧電圧２０ｋＶ）、Ｘ線Ｃ
ＣｕＬ線ターゲット〉又は遠紫外線（１ｋｗ Ｘｅ−Ｈ
ｇ）を高エネルギ線源としてパターン状に照射した。
次いで１０５℃のホットプレート上で２分間熱処理した
。次いで紫外線（超高圧水銀灯）を全面に５００ ｍＪ
／ ｃｍ’照射し、１．５％テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド（ＴＭＡ）ｌ）水溶液で３分間現像した。
。次いで紫外線（超高圧水銀灯）を全面に５００ ｍＪ
／ ｃｍ’照射し、１．５％テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド（ＴＭＡ）ｌ）水溶液で３分間現像した。
現像後高エネルギ線照射部の膜０
厚を測定し、初期膜厚の５０％のところの照射量を感度
（Ｄ５゜〉とした。表１に感度と解像性をまとめて示す
。表１において市販の化学増感レジスト５ＡＬ６０１（
シラプレー社）のレジスト溶液１００ｇに対し、同じジ
アゾナフトキノン化合物を６ｇ添加した材料を同一の方
法で評価した結果を比較例として掲げたが、同等の解像
性を得るためには２．０％ＴＭＡＨ水溶液で現像する必
要があった。本発明では分子量が低いノボラック樹脂を
用いているため、低濃度のＴＭＡＨで現像できる。
（Ｄ５゜〉とした。表１に感度と解像性をまとめて示す
。表１において市販の化学増感レジスト５ＡＬ６０１（
シラプレー社）のレジスト溶液１００ｇに対し、同じジ
アゾナフトキノン化合物を６ｇ添加した材料を同一の方
法で評価した結果を比較例として掲げたが、同等の解像
性を得るためには２．０％ＴＭＡＨ水溶液で現像する必
要があった。本発明では分子量が低いノボラック樹脂を
用いているため、低濃度のＴＭＡＨで現像できる。
しかし、５ＡＬ６０１の特性を通常のパターン形成方法
で評価する場合は２．５％ＴＭＡＨ水溶液で１０分間現
像する必要があり、これから本発明の方法はＳＡＬレジ
ストにも有効であることが判った。
で評価する場合は２．５％ＴＭＡＨ水溶液で１０分間現
像する必要があり、これから本発明の方法はＳＡＬレジ
ストにも有効であることが判った。
て、実施例１と同様の方法で感度及び解像性を評価した
。現像は１．０％ＴＭＡＨ水溶液で行った。結果を表２
に示す。
。現像は１．０％ＴＭＡＨ水溶液で行った。結果を表２
に示す。
実施例２
実施例１におけるノボラック樹脂の代りにポリヒニルフ
ェノール樹脂（分子量５０００）を用い実施例３ 実施例１におけるノボラック樹脂の代りに水酸基を有す
るアルカリ可溶性シリコーンポリマー（分子量２０００
） 〔上式におイテＸ ＝ Ｃｌｌ３ＣＯ−１Ｙ＝ＣＨ３、
Ｒ′〜Ｒ′″′＃＝ ７ ニー’−ＪＬ／基、１＝０．
０５、ｍ ＝ ０１１５、ｎ＝０．０５、ｐ＝０．１．
ｑ＝０．６５であるもの〕を用いた。実施例１と同様の
方法で感度及び解像性を評価した。現像は１．０％ＴＭ
ＡＨ水溶液で行った。結果を表３に示す。
ェノール樹脂（分子量５０００）を用い実施例３ 実施例１におけるノボラック樹脂の代りに水酸基を有す
るアルカリ可溶性シリコーンポリマー（分子量２０００
） 〔上式におイテＸ ＝ Ｃｌｌ３ＣＯ−１Ｙ＝ＣＨ３、
Ｒ′〜Ｒ′″′＃＝ ７ ニー’−ＪＬ／基、１＝０．
０５、ｍ ＝ ０１１５、ｎ＝０．０５、ｐ＝０．１．
ｑ＝０．６５であるもの〕を用いた。実施例１と同様の
方法で感度及び解像性を評価した。現像は１．０％ＴＭ
ＡＨ水溶液で行った。結果を表３に示す。
６
実施例４
実施例１におけるノボラック樹脂の代りにフェノール樹
脂（分子量１２０００）を用いて、実施例１と同様の方
法でレジスト特性を評価した。現像は１．５％ＴＭＡＨ
水溶液を用いた。その結果を表４に示す。
脂（分子量１２０００）を用いて、実施例１と同様の方
法でレジスト特性を評価した。現像は１．５％ＴＭＡＨ
水溶液を用いた。その結果を表４に示す。
実施例５
実施例１におけるジアゾナフトキノン化合物に代えて、
ノボラック樹脂（分子量１０００）のジアゾナフトキノ
ン−４−スルホン酸エステルを用い、実施例１と同様の
方法でレジスト特性を評価した。現像は１．５％ＴＭＡ
Ｈを用いた。結果は表１に示す結果と同じであった。
ノボラック樹脂（分子量１０００）のジアゾナフトキノ
ン−４−スルホン酸エステルを用い、実施例１と同様の
方法でレジスト特性を評価した。現像は１．５％ＴＭＡ
Ｈを用いた。結果は表１に示す結果と同じであった。
実施例６
実施例１におけるジアゾナフトキノン化合物に代えて、
ノボラック樹脂（分子量８００〉、ポリビニルフェノー
ル樹脂（分子量１５００） 、テトラヒドロキシベンゾ
フェノンの各ジアゾナフトキノン−４−スルホン酸エス
テルを用い、また酸発生剤として、ジニトロベンジルト
シレートを用い、実施例１と同様の方法でレジスト特性
を評価した。現像は１．５％ＴＭＡＨを用いた。結果を
表５に示す。
ノボラック樹脂（分子量８００〉、ポリビニルフェノー
ル樹脂（分子量１５００） 、テトラヒドロキシベンゾ
フェノンの各ジアゾナフトキノン−４−スルホン酸エス
テルを用い、また酸発生剤として、ジニトロベンジルト
シレートを用い、実施例１と同様の方法でレジスト特性
を評価した。現像は１．５％ＴＭＡＨを用いた。結果を
表５に示す。
０
表
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によるジアゾナフトキノン
系化合物を含有する化学増感系レジスト材料は高エネル
ギ線をパターン状に照射した部分には酸を発生し、照射
後の熱処理（ＰＥＢ〉において、その酸を触媒としてベ
ースポリマーあるいはジアゾナフトキノン系化合物の水
酸基が架橋剤と反応し、ポリマーのアルカリ溶解性が抑
制される。ＰＥＢ後、全面に紫外線を露光することによ
りジアゾナフトキノン系化合物はインデンカルボン酸に
変化するため、未照射部分の溶解性は大幅に改善される
。このため、低濃度のアルカリ水溶液で現像できる利点
があり、それにより、照射部と未照射部の溶解性の選択
比が大きくなる、また、アルミニウム基板を損傷しない
。また、この材料を用いたパターン形成方法は微細なパ
ターンを高感度に形成できるので、半導体集積素子の加
工に使用できる。
系化合物を含有する化学増感系レジスト材料は高エネル
ギ線をパターン状に照射した部分には酸を発生し、照射
後の熱処理（ＰＥＢ〉において、その酸を触媒としてベ
ースポリマーあるいはジアゾナフトキノン系化合物の水
酸基が架橋剤と反応し、ポリマーのアルカリ溶解性が抑
制される。ＰＥＢ後、全面に紫外線を露光することによ
りジアゾナフトキノン系化合物はインデンカルボン酸に
変化するため、未照射部分の溶解性は大幅に改善される
。このため、低濃度のアルカリ水溶液で現像できる利点
があり、それにより、照射部と未照射部の溶解性の選択
比が大きくなる、また、アルミニウム基板を損傷しない
。また、この材料を用いたパターン形成方法は微細なパ
ターンを高感度に形成できるので、半導体集積素子の加
工に使用できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、水酸基を有するアルカリ可溶性ポリマーと架橋剤と
高エネルギ線照射により酸を発生する酸発生剤を必須成
分とするレジスト樹脂組成物に水酸基を有するジアゾナ
フトキノン系化合物が含有されていることを特徴とする
パターン形成材料。 ２、請求項１記載のパターン形成材料を加工基板上に塗
布する工程、それに高エネルギ線をパターン状に照射す
る工程、次いで高エネルギ線を照射した基板を熱処理を
する工程、次いで大気中にて紫外線を全面に露光する工
程、その後アルカリ性現像液によって現像することによ
り高エネルギ線照射部分にネガ型パターンを形成させる
工程の各工程を包含することを特徴とするパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2051712A JPH03253858A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2051712A JPH03253858A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03253858A true JPH03253858A (ja) | 1991-11-12 |
Family
ID=12894507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2051712A Pending JPH03253858A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03253858A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03276157A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| WO1999032935A1 (fr) * | 1997-12-19 | 1999-07-01 | Kansai Research Institute | Composition a base de resine photosensible et procede de fabrication correspondant |
| JPH11352702A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-12-24 | Sumitomo Chem Co Ltd | 耐熱性に優れたレジストパターンの形成方法及びそれに用いられるポジ型レジスト組成物 |
| JP2009122588A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| US20150056557A1 (en) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition and method for producing resist pattern using the same |
-
1990
- 1990-03-05 JP JP2051712A patent/JPH03253858A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03276157A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPH11352702A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-12-24 | Sumitomo Chem Co Ltd | 耐熱性に優れたレジストパターンの形成方法及びそれに用いられるポジ型レジスト組成物 |
| WO1999032935A1 (fr) * | 1997-12-19 | 1999-07-01 | Kansai Research Institute | Composition a base de resine photosensible et procede de fabrication correspondant |
| US6440632B2 (en) | 1997-12-19 | 2002-08-27 | Kansai Research Institute | Photosensitive resin composition and process for producing the same |
| JP2009122588A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| US20150056557A1 (en) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition and method for producing resist pattern using the same |
| US9323152B2 (en) * | 2013-08-23 | 2016-04-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition and method for producing resist pattern using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2505033B2 (ja) | 電子線レジスト組成物及びそれを用いた微細パタ―ンの形成方法 | |
| US4600683A (en) | Cross-linked polyalkenyl phenol based photoresist compositions | |
| US5532113A (en) | Method of making microelectronic structures utilzing photoresists containing C3 C12 water soluble sugar crosslinking agents | |
| JP3425243B2 (ja) | 電子部品のパターン形成方法 | |
| JP3441167B2 (ja) | 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| JP2583600B2 (ja) | ネガ型電子線レジスト組成物 | |
| JPH05249681A (ja) | 酸分解性化合物及びそれを含有するポジ型感放射線性レジスト組成物 | |
| JPH02248952A (ja) | 感光性組成物 | |
| JP2661317B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP3383564B2 (ja) | パターン形成方法および感光性組成物 | |
| JP2527811B2 (ja) | ポジ型レジスト用現像液 | |
| JPS62129849A (ja) | ポジ型ホトレジストパタ−ンの安定化方法 | |
| JP2583651B2 (ja) | ネガ型感放射線レジスト組成物 | |
| KR100300935B1 (ko) | 방사선 감수성 레지스트 조성물 | |
| JP3986911B2 (ja) | パターン形成材料及びパターン形成方法 | |
| TW200807500A (en) | Forming method of resist pattern and writing method using electric charge corpuscular ray | |
| JPH02108053A (ja) | パターン形成材料及びパターン形成方法 | |
| JP2943138B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| KR102890017B1 (ko) | 레지스트 응용에서 광산 발생제로서 옥사티아늄 이온 함유 술폰산 유도체 화합물 | |
| JP2538118B2 (ja) | ネガ型放射線感応性レジスト組成物 | |
| JPH10268520A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH04216556A (ja) | パターン形成法 | |
| JP2856593B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP4612013B2 (ja) | 電子ビーム描画方法 | |
| JP3502469B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物 |