JPH03254103A - 低損失Mn―Zn系フェライト - Google Patents
低損失Mn―Zn系フェライトInfo
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- JPH03254103A JPH03254103A JP2050828A JP5082890A JPH03254103A JP H03254103 A JPH03254103 A JP H03254103A JP 2050828 A JP2050828 A JP 2050828A JP 5082890 A JP5082890 A JP 5082890A JP H03254103 A JPH03254103 A JP H03254103A
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- JP
- Japan
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- loss
- cao
- zno
- mno
- ferrite
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
- C04B35/2658—Other ferrites containing manganese or zinc, e.g. Mn-Zn ferrites
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、スイッチング電源用トランス等の用途に供
して好適な電力損失の少ないMn −Zn系フェライト
に関するものである。
して好適な電力損失の少ないMn −Zn系フェライト
に関するものである。
(従来の技術)
Mn −Zn系酸化物磁性材料いわゆるMn−Zn系フ
ェライトは、各種通信機器、電源等のコイル、トランス
材として広く用いられているが、最近のOA機器の普及
により、約100kHzの高周波域で動作するスイッチ
ング電源のトランス材料としても使用されている。
ェライトは、各種通信機器、電源等のコイル、トランス
材として広く用いられているが、最近のOA機器の普及
により、約100kHzの高周波域で動作するスイッチ
ング電源のトランス材料としても使用されている。
かかるトランス材料として使用されるMn−Zn系フェ
ライトに要求される特性としては、高飽和磁束密度、高
透磁率および低鉄損など種々の特性が挙げられるが、特
にこの発明で対象とするようなスイッチング電源用トラ
ンスについては、高磁場下において低損失であることが
とりわけ重要とされる。
ライトに要求される特性としては、高飽和磁束密度、高
透磁率および低鉄損など種々の特性が挙げられるが、特
にこの発明で対象とするようなスイッチング電源用トラ
ンスについては、高磁場下において低損失であることが
とりわけ重要とされる。
このためMn−Zn系フェライトにおいては、従来から
種々の微量成分を添加することによってその改善が試み
られている。
種々の微量成分を添加することによってその改善が試み
られている。
例えば特開昭58−15037号公報ではNb2O5の
添加により、また特開昭60−132301号公報では
Nb、O5゜Cab、 SiO2、 V2O5,Zr0
z、 A120315nOz+ CuOおよびCoo等
の添加により、現在スイッチング周波数として標準にな
りつつある100kHzにおける損失の改善を図ってお
り、100 kHz、 200 mTにおける電力損失
が300〜350 mW/cm3程度のレベルまで実現
されている。
添加により、また特開昭60−132301号公報では
Nb、O5゜Cab、 SiO2、 V2O5,Zr0
z、 A120315nOz+ CuOおよびCoo等
の添加により、現在スイッチング周波数として標準にな
りつつある100kHzにおける損失の改善を図ってお
り、100 kHz、 200 mTにおける電力損失
が300〜350 mW/cm3程度のレベルまで実現
されている。
(発明が解決しようとする課題)
この発明は、前述したとおり、現在スイッチング電源周
波数として標準になりつつある100 kf(z。
波数として標準になりつつある100 kf(z。
200 mTにおける電力損失300−350 mW/
cm3をさらに改善し、スイッチング電源用トランスと
して使用した場合において損失を大幅に低減することが
できる低損失Mn −Zn系フェライトを提案すること
を目的とする。
cm3をさらに改善し、スイッチング電源用トランスと
して使用した場合において損失を大幅に低減することが
できる低損失Mn −Zn系フェライトを提案すること
を目的とする。
(課題を解決するための手段)
すなわちこの発明は、
FezO:+ : 52〜54.5 mol%、Mn0
=33〜40mol%および ZnO: 6〜14 mol% からなる基本成分中に SiO2 : 0.005〜0.040 wt%、Ca
O: 0.02〜0.20 wt%、酸化ニオブ: 0
.01〜0.08 wt%および酸化チタン: 0.0
5〜0.40 wt%を含有させてなる低損失Mn −
Zn系フェライト(第1発明)である。
=33〜40mol%および ZnO: 6〜14 mol% からなる基本成分中に SiO2 : 0.005〜0.040 wt%、Ca
O: 0.02〜0.20 wt%、酸化ニオブ: 0
.01〜0.08 wt%および酸化チタン: 0.0
5〜0.40 wt%を含有させてなる低損失Mn −
Zn系フェライト(第1発明)である。
またこの発明は、
FezOz : 52〜54.5 mol%、MnO:
33〜40 mol%およびZnO:6〜14 mo
l% からなる基本成分中に SiO2 : 0.005〜0.040 wt%、Ca
O: 0.02〜0.20 wt%、酸化ニオブ: 0
.01〜0.08 wt%オヨび酸化アンチモン: 0
.005〜0.08 wt%を含有させてなる低損失M
n−Zn系フェライト(第2発明)である。
33〜40 mol%およびZnO:6〜14 mo
l% からなる基本成分中に SiO2 : 0.005〜0.040 wt%、Ca
O: 0.02〜0.20 wt%、酸化ニオブ: 0
.01〜0.08 wt%オヨび酸化アンチモン: 0
.005〜0.08 wt%を含有させてなる低損失M
n−Zn系フェライト(第2発明)である。
(作 用)
まずこの発明において、基本成分の割合を上記の範囲に
限定した理由について説明する。
限定した理由について説明する。
FezO+ : 52〜54.5 mol%、MnO:
33〜40 mol%およびZnO:6〜14 mo
l% スイッチング電源用トランスの動作温度は、通常60〜
70°Cであり、従ってこの温度範囲で電力損失が低く
、かつ室温から動作温度を超える80〜120℃程度の
温度域まで鉄損が負の温度依存性をもつことが望ましい
。この観点からFezO:++ MnOおよびZnOの
割合を検討した結果、上記の範囲が得られたのである。
33〜40 mol%およびZnO:6〜14 mo
l% スイッチング電源用トランスの動作温度は、通常60〜
70°Cであり、従ってこの温度範囲で電力損失が低く
、かつ室温から動作温度を超える80〜120℃程度の
温度域まで鉄損が負の温度依存性をもつことが望ましい
。この観点からFezO:++ MnOおよびZnOの
割合を検討した結果、上記の範囲が得られたのである。
そしてこの発明では、上記したような主要成分中に、5
in2. CaOおよび酸化ニオブと、さらに酸化チタ
ンおよび酸化アンチモンのいずれか一種とを含有させる
ところに特徴がある。この場合これらの成分の含有量は
次のとおりである。
in2. CaOおよび酸化ニオブと、さらに酸化チタ
ンおよび酸化アンチモンのいずれか一種とを含有させる
ところに特徴がある。この場合これらの成分の含有量は
次のとおりである。
SiO□: 0.005〜0.040 wt%5in2
は、CaOとの共存によって粒界の比抵抗を高め、渦電
流損の低減に有効に寄与するが、含有量が、0 、00
5w t%に満たないとその添加効果に乏しく、一方0
.040wt%を超えると焼成時に異常粒成長が起こり
易く特性が不安定になるので、0.005〜0.040
tmt%の範囲に限定した。
は、CaOとの共存によって粒界の比抵抗を高め、渦電
流損の低減に有効に寄与するが、含有量が、0 、00
5w t%に満たないとその添加効果に乏しく、一方0
.040wt%を超えると焼成時に異常粒成長が起こり
易く特性が不安定になるので、0.005〜0.040
tmt%の範囲に限定した。
CaO: 0.02〜0.20wt%
CaOは、SiO2との共存下で効果的に粒界抵抗を高
め、もって低鉄損をもたらす有用成分であるが、含有量
が0.02wt%に満たないと粒界抵抗の向上効果に乏
しく、一方0.20wt%を超えると逆に損失が大きく
なるので、0.02〜0.20imt%の範囲で添加す
るものとした。
め、もって低鉄損をもたらす有用成分であるが、含有量
が0.02wt%に満たないと粒界抵抗の向上効果に乏
しく、一方0.20wt%を超えると逆に損失が大きく
なるので、0.02〜0.20imt%の範囲で添加す
るものとした。
酸化ニオブ: 0.01〜0.08wt%酸化ニオブ(
主にNbzOs )は、高周波領域での損失の低減に有
効に寄与する。酸化ニオブの添加によって損失が改善さ
れる理由はまだ明確に解明されたわけではないが、Si
n、、CaOとの複合含有によって形成される高抵抗の
粒界相を変質させ、比抵抗を増加させると共に、異質の
相が粒界に存在することによる磁気的な悪影響を緩和す
る働きがあるためと考えられる。しかしながら含有量が
0.01wt%に満たないとその効果に乏しく、一方0
.08wt%を超えて含有されると焼結時に異常粒成長
を起こし易くなるので、0.01〜0 、08w t%
の範囲で添加するものとした。
主にNbzOs )は、高周波領域での損失の低減に有
効に寄与する。酸化ニオブの添加によって損失が改善さ
れる理由はまだ明確に解明されたわけではないが、Si
n、、CaOとの複合含有によって形成される高抵抗の
粒界相を変質させ、比抵抗を増加させると共に、異質の
相が粒界に存在することによる磁気的な悪影響を緩和す
る働きがあるためと考えられる。しかしながら含有量が
0.01wt%に満たないとその効果に乏しく、一方0
.08wt%を超えて含有されると焼結時に異常粒成長
を起こし易くなるので、0.01〜0 、08w t%
の範囲で添加するものとした。
酸化チタン:O,OS〜0.40wt%酸化チタン(主
にTie2)は、フェライトコア焼成時の冷却過程での
粒界の再酸化を促進して、コアの比抵抗を高め、高周波
領域での損失を低減する効果があるが、0.05wt%
に満たないとその効果が少なく、一方0.40wt%を
超えると逆に損失の増加を招くので、0.05〜0.4
0wt%の範囲で添加するものとした。
にTie2)は、フェライトコア焼成時の冷却過程での
粒界の再酸化を促進して、コアの比抵抗を高め、高周波
領域での損失を低減する効果があるが、0.05wt%
に満たないとその効果が少なく、一方0.40wt%を
超えると逆に損失の増加を招くので、0.05〜0.4
0wt%の範囲で添加するものとした。
酸化アンチモン: 0.005〜0.08 wt%酸化
アンチモン(主に5bz03)を、5xOz+ CaO
およびNb2O%と複合して含有させることによって、
−層の損失が改善される。その理由は、現時点ではまだ
明確に解明されてはいないが、粒界に偏析し、上述した
酸化ニオブと同様な効果を与えるものと考えられる。こ
の効果は、SiO2およびCaO1さらにはNb2O5
との共存下で一層大きい。しかしながら含有量が0 、
005w t%に満たないとその添加効果に乏しく、一
方0.08wt%を超えると逆に損失の増加を招(ので
、0.005〜0.08imt%の範囲で添加するもの
とした。
アンチモン(主に5bz03)を、5xOz+ CaO
およびNb2O%と複合して含有させることによって、
−層の損失が改善される。その理由は、現時点ではまだ
明確に解明されてはいないが、粒界に偏析し、上述した
酸化ニオブと同様な効果を与えるものと考えられる。こ
の効果は、SiO2およびCaO1さらにはNb2O5
との共存下で一層大きい。しかしながら含有量が0 、
005w t%に満たないとその添加効果に乏しく、一
方0.08wt%を超えると逆に損失の増加を招(ので
、0.005〜0.08imt%の範囲で添加するもの
とした。
以上述べたとおり、100kHzに及ぶ高周波領域での
損失の低減には、比抵抗を高めることが非常に有効なわ
けであるが、この発明では、SiO□、 CaOの共存
下で酸化ニオブ、さらには酸化チタンまたは酸化アンチ
モンを添加し、粒界に均一に分散させることにより、上
記の目的を達成したものである。
損失の低減には、比抵抗を高めることが非常に有効なわ
けであるが、この発明では、SiO□、 CaOの共存
下で酸化ニオブ、さらには酸化チタンまたは酸化アンチ
モンを添加し、粒界に均一に分散させることにより、上
記の目的を達成したものである。
ここにこの発明に従うフェライトを製造するには、常法
に従って処理を施せば良い。
に従って処理を施せば良い。
すなわちフェライトの最終組成として、酸化鉄をFe2
O3換算で52〜54.5 mol%、酸化マンガンを
MnO換算で33〜40mol%、酸化亜鉛をZnO換
算で6〜14 mol%の割合で含有するように混合し
、ついで微量成分としてSiO2を0.005〜0.0
40 wt%、CaOを0.0:2〜0.20wt%、
酸化ニオブ(Nb、O3換算)を0601〜0.08w
t%と、さらには酸化チタン(TiO□換算):0.0
5〜0.40wt%および酸化アンチモン(Sb20.
換算) :0.005〜0.08wt%のいずれか一
種とをそれぞれ含有するように添加したものを原料とす
る。ただし微量成分の添加時期は、後述する仮焼の後で
あっても差し支えない。
O3換算で52〜54.5 mol%、酸化マンガンを
MnO換算で33〜40mol%、酸化亜鉛をZnO換
算で6〜14 mol%の割合で含有するように混合し
、ついで微量成分としてSiO2を0.005〜0.0
40 wt%、CaOを0.0:2〜0.20wt%、
酸化ニオブ(Nb、O3換算)を0601〜0.08w
t%と、さらには酸化チタン(TiO□換算):0.0
5〜0.40wt%および酸化アンチモン(Sb20.
換算) :0.005〜0.08wt%のいずれか一
種とをそれぞれ含有するように添加したものを原料とす
る。ただし微量成分の添加時期は、後述する仮焼の後で
あっても差し支えない。
この原料粉を800°C以上の温度で仮焼し、ついで微
粉砕後、1250″C以上の高温にて酸素濃度を制御し
た窒素ガス中で焼成する。
粉砕後、1250″C以上の高温にて酸素濃度を制御し
た窒素ガス中で焼成する。
なおFezO=原料としては、FezO+だけでなく、
F e O’p F e 30 a、さらには焼成によ
りFezO3に変わることのできる化合物、例えば水酸
化鉄、しゅう酸化鉄などを使用することができる。また
MnO原料としては、MnOのみならず、Mn0z+
MnzOaさらには焼成によりMnOに変わることので
きる化合物、例えば炭酸マンガン、しゅう酸マンガンな
どを使用することができる。さらにZnO原料としては
、Znのみに限らず、焼成によりZnOに変わることの
できる化合物、例えば炭酸亜鉛、しゅう酸亜鉛などを使
用することができる。
F e O’p F e 30 a、さらには焼成によ
りFezO3に変わることのできる化合物、例えば水酸
化鉄、しゅう酸化鉄などを使用することができる。また
MnO原料としては、MnOのみならず、Mn0z+
MnzOaさらには焼成によりMnOに変わることので
きる化合物、例えば炭酸マンガン、しゅう酸マンガンな
どを使用することができる。さらにZnO原料としては
、Znのみに限らず、焼成によりZnOに変わることの
できる化合物、例えば炭酸亜鉛、しゅう酸亜鉛などを使
用することができる。
(実施例)
実施例1
最終!Jl戒としてFezO3: 53.5 mol%
、MnO: 34.5mol%およびZnO: 12
mol%となる基本組成の原料を混合したのち、大気中
にて900’C13時間の仮焼を施した。この仮焼粉に
対し、表1に示す最終組成としての割合でSiO□、
CaO(CaCO3として添加)Nb20SおよびTi
e、を添加配合し、同時に湿式ボールミルで粉砕・混合
した。ついで粉砕粉にバインダーとしてPVAを添加し
、造粒した後、外径36mm、内径24mm、高さ12
mmのリング状に底形したのち、酸素分圧を制御した窒
素雰囲気中で1320″C13時間の焼成を行った。
、MnO: 34.5mol%およびZnO: 12
mol%となる基本組成の原料を混合したのち、大気中
にて900’C13時間の仮焼を施した。この仮焼粉に
対し、表1に示す最終組成としての割合でSiO□、
CaO(CaCO3として添加)Nb20SおよびTi
e、を添加配合し、同時に湿式ボールミルで粉砕・混合
した。ついで粉砕粉にバインダーとしてPVAを添加し
、造粒した後、外径36mm、内径24mm、高さ12
mmのリング状に底形したのち、酸素分圧を制御した窒
素雰囲気中で1320″C13時間の焼成を行った。
かくして得られた焼結コアの周波数: 100 k)I
z、最大磁束密度:o、2’r、温度80°Cにおける
鉄損値を交流BH小ループレーサーにて測定した結果を
表1に併記する。
z、最大磁束密度:o、2’r、温度80°Cにおける
鉄損値を交流BH小ループレーサーにて測定した結果を
表1に併記する。
表
1
表1から明らかなように、この発明に従い、副成分とし
てSiO2、 Cab、 Nb2osおよびTi0zを
複合含有させたものはいずれも、300 mW/cm″
を下回る低い電力損失が達成されている。
てSiO2、 Cab、 Nb2osおよびTi0zを
複合含有させたものはいずれも、300 mW/cm″
を下回る低い電力損失が達成されている。
これに対し、この発明の適正範囲から外れたものはいず
れも、損失の改善効果は少なく、甚だしい場合には異常
粒成長によって損失特性は逆に劣化している。
れも、損失の改善効果は少なく、甚だしい場合には異常
粒成長によって損失特性は逆に劣化している。
また第1図に、適合例2と比較例8の電力損失の温度特
性について調べた結果を示したが、動作温度域全域にわ
たって、適合例の方が良好な損失特性を呈している。
性について調べた結果を示したが、動作温度域全域にわ
たって、適合例の方が良好な損失特性を呈している。
実施例2
最終組成としてFezO1: 52.7 mol%、M
nO: 34.6mol%およびZnO: 12.7
mol%となる基本U或の原料を混合したのち、大気中
にて900°C13時間の仮焼を施した。この仮焼粉に
対し、表2に示す最終組成としての割合で5i(h、
CaO(CaCO*を使用)。
nO: 34.6mol%およびZnO: 12.7
mol%となる基本U或の原料を混合したのち、大気中
にて900°C13時間の仮焼を施した。この仮焼粉に
対し、表2に示す最終組成としての割合で5i(h、
CaO(CaCO*を使用)。
Nb2O5およびsb、o、を添加配合し、同時に湿式
ボールミルで粉砕・混合した。ついで粉砕粉にバインダ
ーとしてPVAを添加し、造粒した後、外径36閣、内
径24[IIII+、高さ12mmのリング状に成形し
たのち、酸素濃度を制御した窒素雰囲気中で1320°
C13時間の坑底を行った。
ボールミルで粉砕・混合した。ついで粉砕粉にバインダ
ーとしてPVAを添加し、造粒した後、外径36閣、内
径24[IIII+、高さ12mmのリング状に成形し
たのち、酸素濃度を制御した窒素雰囲気中で1320°
C13時間の坑底を行った。
かくして得られた焼結コアの周波数: 100 kHz
、最大磁束密度: 200+*T 、温度80’Cにお
ける鉄損値を交流BH小ループレーサーにて測定した結
果を表2に併記する。
、最大磁束密度: 200+*T 、温度80’Cにお
ける鉄損値を交流BH小ループレーサーにて測定した結
果を表2に併記する。
表
(発明の効果)
かくしてこの発明によれば、スイッチング電源周波数が
100 kHz程度の高周波電源用トランスのコアとし
て、従来の材料と比較して高磁場下での損失が格段に小
さいMn−Zn系ソフトフェライトを得ることができる
。
100 kHz程度の高周波電源用トランスのコアとし
て、従来の材料と比較して高磁場下での損失が格段に小
さいMn−Zn系ソフトフェライトを得ることができる
。
第1図は、この発明に従い得られたMn −Zn系フェ
ライトと従来材における電力損失の温度依存性を比較し
て示したグラフである。 第1 湯!!(’C)
ライトと従来材における電力損失の温度依存性を比較し
て示したグラフである。 第1 湯!!(’C)
Claims (2)
- 1.Fe_2O_3:52〜54.5mol%、MnO
:33〜40mol%および ZnO:6〜14mol% からなる基本成分中に SiO_2:0.005〜0.040wt%、CaO:
0.02〜0.20wt%、 酸化ニオブ:0.01〜0.08wt%および酸化チタ
ン:0.05〜0.40wt% を含有させてなる低損失Mn−Zn系フェライト。 - 2.FeO_2:52〜54.5mol%、MnO:3
3〜40mol%および ZnO:6〜14mol% からなる基本成分中に SiO_2:0.005〜0.040wt%、CaO:
0.02〜0.20wt%、 酸化ニオブ:0.01〜0.08wt%および酸化アン
チモン:0.005〜0.08wt%を含有させてなる
低損失Mn−Zn系フェライト。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2050828A JPH0744098B2 (ja) | 1990-03-03 | 1990-03-03 | 低損失Mn―Zn系フェライト |
| DE91301637T DE69100763T2 (de) | 1990-03-03 | 1991-02-28 | Mn-Zn-Ferrite geringer Verlustleistung. |
| EP91301637A EP0445965B1 (en) | 1990-03-03 | 1991-02-28 | Low power loss Mn-Zn ferrites |
| US07/662,425 US5143638A (en) | 1990-03-03 | 1991-02-28 | Low power loss mn-zn ferrites |
| US08/140,362 US5368763A (en) | 1990-03-03 | 1993-10-20 | Low power loss Mn-Zn ferrites |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2050828A JPH0744098B2 (ja) | 1990-03-03 | 1990-03-03 | 低損失Mn―Zn系フェライト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03254103A true JPH03254103A (ja) | 1991-11-13 |
| JPH0744098B2 JPH0744098B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=12869629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2050828A Expired - Fee Related JPH0744098B2 (ja) | 1990-03-03 | 1990-03-03 | 低損失Mn―Zn系フェライト |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5143638A (ja) |
| EP (1) | EP0445965B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0744098B2 (ja) |
| DE (1) | DE69100763T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0577244A3 (en) * | 1992-04-03 | 1994-01-26 | General Electric Company | A device for inspecting a component |
| US6627103B2 (en) | 2000-03-31 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Mn-Zn ferrite production process, Mn-Zn ferrite, and ferrite core for power supplies |
| JP2016141602A (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-08 | Fdk株式会社 | NiMnZn系フェライト |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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