JPH03254117A

JPH03254117A - 薄膜除去方法

Info

Publication number: JPH03254117A
Application number: JP2051901A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Mogi; 清茂木
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1990-03-05
Filing date: 1990-03-05
Publication date: 1991-11-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、例えば半導体基板（ウェハ）等の支持基板上
に被着された薄膜に選択的にエネルギービームを照射す
ることにより、薄膜の所望の部分を除去する方法に関す
る。

［従来の技術］半導体素子製造の光りソゲラフイエ程においては、一般
に、フォトレジストをン技着したウェハに対してフォト
マスクを介して紫外光を照射し、マスクパターンを焼き
付ける。フォトレジストには、ポジ型とネカ型かあり、
ポジ型は紫外線が照射すれた部分か現像７夜に可溶とな
り、一方ネカ型は紫外線か照射された部分か現像凛に不
溶となる。

近年、半導体素子の大規模集積化により、半導体素子製
造における光りソゲラフイエ程の一層の微細化への対応
が要求されている。高集積化を達成するための光リソグ
ラフィー技術において、紫外線光源として超高圧水銀ラ
ンプか使用され、微細パターン形成の中心的な役割を果
たしてきている。更に、今後の集積回路に求められるサ
ブミクロン領域の微細パターンの形成には、より短い波
長を持つ光源の使用が検則され、それに伴い短波長兄に
ヌ４して十分な感度を持ち、優れた解像度か望めるフォ
トレジストの開発か待たれている。

方ては、後の現像工程を必要としない光エツチング法が
検討されている。この方？去はエキシマレーザ等の高エ
ネルギーの紫外光をフォトマスクを通して、あるいは、
ビームの二次元的な走査により、ウェハ上のレジストの
不必要な部分に選択的に照射する。高エネルギーの紫外
光か照射された部分のレジストは、その分子の結合か切
断され、飛散した分子は酸化し揮発性分子（Ｈ２Ｏ，（
：０２等）として徐々に除去され、所望のパターンが形
成される。

［発明が解決しようとする課題］しかし、上記のような従来の技術において、光エツチン
グ法は、レジストの光感度、解像度等の特性に依存しな
いためサブミクロン領域の微細パターンの形成にあたっ
ても従来のレジストを用いることができる利点がある半
面、その除去速度が遅く実用的ではないという欠点があ
る。除去速度を上げるためには大きなエネルギーの紫外
光をレジストに照射する必要かある。しかしなから、こ
の様な高エネルギービームかレジスト表面に照射される
と表面部分に急激な鹿皮上昇か生し、下層部分との熱膨
張度の違いから生しる応力のため、表面部のレジストか
細片となってはしけ飛ぶ現象（ボンピングなどと呼はれ
る）か発生することかある。はしけ飛んたレジストはビ
ーム照射領域の周囲に付着し、レジスト層表面を汚染す
るため、次の製造工程の支障となる。

また、従来の光りソゲラフイエ程ては、ウェハの毛先領
域に付随して設けられたアライメント用のマークからの
光情報を充電検出することによって、重ね合わせ露光す
べきレチクルやマスクとウェハを位置合わせ（アライメ
ント）している。通常、ウェハのアライメントは、アラ
イメントマークに光を照射し、そのマークからの反射光
、散乱光、又は回折光等を光電検出することによって行
われる。

しかしながら、露光前のウェハにはり熱的にレジストが
被着されているため、アライメントマークの検出はレジ
スト層（１〜２μｍの厚さ）を介して行われことになる
。アライメントを露光装置の投影光学系を介して行なう
場合（ＴＴＬＴｈｒｏｕｇｈ　Ｔｈｅ　Ｌｅｎｓ）　、
投影光学系は強い色収差をもっているので、アライメン
トの際にも露光光を用いる必要かあるか、当然なから露
光光はレジストに吸収されるため、アライメントマーク
から発生する光情報かレジスト層の影響で弱められてし
まうという不都合が生しる。

また、アライメントマークが微少な段差構造をとること
から、マーク周辺でレジストの膜厚が不均一になること
は避けられない。このため、薄膜固有の干渉効果がマー
ク近傍で顕著になったり、あるいはマーク両端でレジス
ト膜厚のムラが非対称になったりすること等によってア
ライメント精度が低下してしまう。

更に、パターンの微細化を計るために多層レジストを使
う場合等は、アライメントマークそのものが照明波長の
もとて光学的に見えなくなるといった現象が起こり得る
ため、アライメント精度の確保はなかなか難しい間硬ど
なっている。

そこで、アライメント動作に先たって、エキシマレーザ
等の高エネルギービームをマーク上部のレジスト層に照
射することでレジストを部分的に除去することか考えら
れているか、この場合においても、光エツチング方法と
同様な理由により、レジスト表面の汚染か生し、次の製
造工程に支障をきたすこととなる。

この発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、Ｗ
＃膜表面を汚染せずに、薄膜の所望の部分を除去するこ
とができる薄膜除去力（去を提供することを目的とする
ものである。

［課題を解決するための手段］本発明においては、支持基板上に被着された薄ｒＡニｓ
−ネルギービームを選択的に照射することにより、薄膜
の所望の部分を除去するに際して、前記薄膜の表面に予
め汚染防止膜を被着しておき、この汚染防止膜の上から
エネルギービームを照射して汚染防止膜と薄膜の所望の
部分を共に除去し、しかる後、除去しなかった薄膜上の
汚染防止膜を取り除くことによって、上記の課題を達成
している。

［作　用］本発明においては、エネルギービームの照射に先立って
薄膜表面に汚染防止膜を被着しておくのて、ボンピング
現象等によってはしけ飛んた薄膜は全て汚染防止膜上に
付着することになる。汚染防止膜上に付着した薄膜は、
エネルギービームの照射後に汚染防止膜と共に除去され
るのて、薄膜表面にはじけ飛んた薄膜の細片が残存する
ことかない。

汚染防止膜としては、次の条件を満たすものを使用する
ことができる。

■薄膜が溶解しない溶媒によって溶解除去できる。

■照射するエネルギービームを吸収する。汚染防止膜自
体がほとんどビームを吸収しないと、下層の薄膜の吸収
が良くとも、上層に膜が張った状態となってしまうため
、所望部分の薄膜を除去できない。

■薄Ｍ上に被着する際に、溝膜と置台しないこと。薄膜
と汚染防止膜とか全く混り合ってはならないということ
てはないか、後に＜５染防止膜を分離除去する際に、薄
膜表面に後工程て支障となるような凹凸等かてきてはな
らない。

［実施例］以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

ます、本発明実施例による薄膜除去古注の工程の概略を
第１図（ａ）〜（Ｃ）　により説明する。かかる方法で
は、第１図（ａ）　　に示されるように、高エネルギー
ビーム５の照射に先立ち、支持基板４（ウェハ）上のレ
ジスト層２（薄膜）の表面に更に汚染防止膜１を被着す
る。この時、汚染防止膜１はレジスト層２の表面全体に
わたって一様に被着しても良いし、場合によっては汚染
か予想される除去領域を中心とする一定の範囲のみに被
着してもよい。

次いで、第１図（ｂ）のように、高エネルギービーム５
をレジスト層２の所望の領域に照射し、レジスト層２と
汚染防止膜１を共に除去する。この時、照射を受けたレ
ジスト層２と汚染防止膜１は、その分子結合か光子エネ
ルギーにより切断されて微粒子状となり飛散し、更に一
部は酸化されてＣＯ２，８２０等の揮発物質となるか、
大部分は微粒子状のまま（微粒子３）周囲に飛散して汚
染防止膜１上に付着する。

しかる後、第１図（Ｃ）のように、汚染防止膜１をレジ
スト層２として表面より物理的に剥離除去するかまたは
エツチング溶液により溶解除去して本工程を終了する。

汚染防止膜１の溶解除去において、例えは、レジスト層
２として光の当った部分が可溶性となるポジ型レジスト
を用いる場合は、汚染防止膜１として光の当った部分が
架橋反応をして溶剤に不溶性となるネガ型レジストを用
いれば、露光前においてはネガ型レジストたけが現像液
に溶解するので、現像液への浸漬により汚染防止膜１の
みを除去することが可能である。

この他、ポジ型のレジストＮ２に対する汚染防止膜とし
ては、ｇ線の吸収か大きく、一般には定在岐の発生を低
減する目的て使用されているＡＲＣ（商品名：　ＢＲＥ
ＷＥＲ５ＣＩＥＮＣＥ社製）や、アルイハセル用の層間
分ｌ！ｉ１１膜として用いられているＢＣ５（商品名＋
　Ｇｅｎｅｒａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｉｃ社製）等を使用す
ることかできる。ＡＲＣは、ブリヘークを行なった場合
にはレジストの現像７夜て、ブリヘークを行なわない場
合には純水て熔解除去か可能であり、ＢＣ５はアルカリ
の現像液によって溶解除去することかできる。後述する
コータ・デベロッパーを用いてシステム化する場合、ラ
ンニングコストの低減を図ることを考慮すれは、従来の
レジスト現像工程やレジスト塗布前工程（特に洗浄工程
）を利用して溶解除去できる汚染防止膜（即ち、レジス
トの現像液か純水て剥離可能な汚染防止膜）を用いるこ
とが好ましい。

レジスト層２としてネガ型レジスト、特に有機溶剤現像
タイプのネガ型レジストを用いる場合は、汚染防止膜と
してＢＣ５を用いれは、アルカリ現像液によりＢＣ５た
けを除去できる。あるいは、汚染防＋ｈ　ｆｌＵとして
アルカリ現像タイプのＸＰ８８４３　（商品名　シブレ
ー社製）を使用し、前述のＡＲＣをブリヘークなして汚
染防止膜に用いると良い。ＡＲＣはブリヘークしなけれ
は２分＋ｆｆｌ　度の純水リンス（スピンウォッシュ）
て溶解除去することかてき、その後はいわゆるスピント
ライて乾燥すれは良い。この他、汚染防止膜１としてレ
ジスト層２のレジストよりエツチング速度の大きい材料
を用いれは、エツチング時間を適切に設定することによ
り汚染防止膜１だけを完全に除去することかてき、レジ
スト層２は第１図（Ｃ）の様に支持基板４の上に残るこ
とになる。

次に、第２図を参照して本実施例による方法を実施する
際に好適なシステムを具体的に説明する。

第２図は半導体素子製造のりソゲラフイエ程で用いられ
る投影縮小露光装置（以下ステッパーとい’＋）本体１
０．コータ・デヘロッパ＝（レジスト塗布部と現像部を
一体にもつ装置で、以下ＣＤ、と呼ぶ）１５及びレジス
ト除去装置２０とをインラインて結合した様子を示す概
略平面図であり、Ｃ，Ｄ、＋５に本実施例の方７去を効
率良く行なうための改良かなされている。

ます、これから露光しようとするウェハはＣ，Ｄ、１５
のポジションＰ１に載置された後、レジスト塗布・乾燥
部１１でレジスト（本実施例てはポジ型レジストとする
）か塗布され、次いて汚染防止膜塗布部１２においてレ
ジスト上に汚染防止膜か塗布（必要に応して乾燥）され
る。ウェハはこの状態でバッファポジションＰ２て待機
する。

レジスト除去装置２０（詳細後述）の動作に合わせて、
ウェハはバッファポジションＰ２からレジスト除去装置
２０のステージ上の加工位置Ｐ３に搬送される。ここで
、アライメントマーク（後述）等を含む所定の領域のレ
ジストと汚染防止膜か除去されたウェハは、Ｃ，Ｄ、１
５のポジションＰ２に戻る。そして、分岐ポジションＰ
　４．　Ｐ　７及びポジションＰ８を通って現像部１３
へ送られる。例えば汚染防止膜としてネガ型レジストを
用いている場合には、レジストの現像工程によって７５
染防止膜たけか溶解除去される。

ここて、本実施例におけるＣ、Ｄ、１５か特に改良され
ている点は、レジスト塗布部１１と現像部１３との間に
リニアなカイトレール１４か配置され、このカイトレー
ル１４に沿って、ウェハを保持して一次元に移動する搬
送アーム１６か設けられていることである。アーム１６
は、上下動・回転運動可能に構成されており、現像部１
３から出てきたウェハをポジションＰ９て保持した状態
て所定量もち上げ、カイトレール１４に沿って第２図中
で右方へ移動し、ウェハを分岐ポジションＰ７に搬送す
る。ウェハはポジションＰ７からバッファポジションＰ
４に受は渡され、ここて待機する。

尚、レジスト除去装置２０から搬出されてバッファポジ
ションＰ２て待機しているウェハを、アーム１６により
現像部１３へ直接搬送しても構わない。

ステッパー本体１０か露光動作を開始すると、ウェハは
ポジションＰ４からステッパー１０のロートポジション
Ｐ５に搬送され、ウェハステージ上に受は渡されて露光
か行なわれる。露光後のウェハはステージから取り出さ
れ、アンロードポジションＰ６を経て、再ひＣ，Ｄ、＋
５の分岐ポジションＰ７に受は渡され、ポジションＰ８
を通って現像部１３へ送られる。レジストの現像か終了
したウェハはＣ，Ｄ、１５のポジションＰ９を介してテ
ィク・アウトポジションＰＩＯに保存される。

上記のように、ガイトレール１４と上下動・回動運動可
能な搬送アーム１６を設けたＣ、　　Ｄ１５を用いてイ
ンラインを組むことにより、従来のレジストの現像部を
利用して汚染防止膜を効率良く除去することがてき、ス
ルーブツトをあまり低下させずに、所望の領域のレジス
トを除去することが可能である。

また、第２図に示された装置においては、上述したよう
な順で処理を行なうたけてなく、例えは現像後のウェハ
を直ちにステッパー本体１ｏに戻してレジスト像の観察
や各種計測をステッパーのアライメント系を用いて行な
うようにしても良い。もちろん、レジスト除去の必要か
ない場合には、従来通りレジストを塗布・乾燥したウェ
ハをそのままステッパー１０に搬送して露光することも
できる。

次に第３図は、第２図に示されたシステムに用いられる
露光装置（ステッパー１０）の−例を示す構成図である
。本実施例で用いられる露光装置は、従来の装置（特開
昭６３−２８３１２９号公報に開示されている露光装置
）をそのまま利用できるものである。

図において、超高圧水銀ランプ等の照明光源２１はｇ線
、１線等のレジスト層を感光するような波長（露光波長
）の照明光を発生し、この照明光はミラー２２を介して
可変ブラインド２４、不図示のオブチカルインテグレー
タ（フライアイレンズ）等を含む照明光学系２３に入射
する。照明光学系２３で光束の一様化等か行なわれた照
明光は、コンデンサーレンズ２５を通ってダイクロイッ
クミラー２６で垂直に反射された後、レチクルＲのパタ
ーン領域ＰＡを均一な照度て照明する。

レチクルＲにはパターン領域ＰＡに付随して、矩形の透
明窓部と回折格子マークとから成るアライメント用のレ
チクルマークＲＭか形成されている。可変ブラインド２
４の面はレチクルＲと結像関係にあるのて、可変ブライ
ンド２４を構成する可動プレートを開閉させて開口位置
、形状を変えることにより、レチクルＲの観測、視野（
露光時は照明視野）を任意に選択することがてきる。レ
チクルＲのパターン領域ＰＡを透過した照明光は、両側
（若しくは片側）テレセントリックな投影レンズＰＬに
入射し、投影レンズＰＬは回路パターンやレチクルマー
クＲＭＯ像をウェハＷ上に投影する。ウェハＷの新炭の
位置ムニは回折格子状のウェハマークＷＭ（アライメン
トマーク）か設けられており、表面にはレジスト層（単
層レジスト、多層レジスト、又は色素入りレジスト等）
か形成されている。ウェハＷはステップ・アント・リピ
ート方式で２次元移動するウェハステージ２７上に載置
される。

また、露光装置には回折格子マークに対して２方向から
平行なレーザビームを同時に照射して１次元の干渉縞を
作り、この干？ｊ）　Ｍを用いてアライメントを行なう
Ｔ　Ｔ　Ｒ（Ｔｈｒｏｕｇｈ　Ｔｈｅ　Ｒｅｔｉｃｌｅ
　）方式のアライメント系、特に２方向から照射される
レーザビームに一定の周波数差を与えるヘテロタイン法
を採用したアライメント系（以下、Ｌａ５ｅｒ　Ｉｎｔ
ｅｒｆｅｒｏｍａｔｒｉｃ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ；Ｌ　
Ｉ　Ａ系と呼ぶ）か、２焦点光学系２８を介して、ダイ
クロイックミラー２６の上方に設けられている。

ＬＩＡ系は良く知られたアライメント系であるので詳細
な説明は省略するが、レチクルマークＲＭとウェハマー
クＷＭに、それぞれ異なる偏光の２光束を照射し、マー
クＲＭ、ＷＭ上にそれぞれに生しる干渉縞の移動（２光
束の周波数差に対応）による士−次回折光を光電変換す
ることによってビート信号を検出し、このビート信号と
基準ビート信号の位相差からレチクルＲとウェハＷの相
対的位置ずれを求めるものである。

次ニ、第４図は、第２図に示されたシステムに用いられ
るレジスト除去装置２０の一例を示す構成図である。

このレジスト除去装置には、レジスト除去用のエキシマ
レーザ光源３１とアライメント用の照明系４１とが設け
られ、エキシマレーザ光はレンズ系３２、ビームスプリ
ッタ−３３及びレンズ系３４を介して、可変開口絞り（
可変アパーチャ）３５を均一に照射する。可変アパーチ
ャ３５の開口像は加工用対物レンズ３７によりウェハＷ
の表面に縮小結像される。対物レンズ３７とウェハＷの
間には加工時の対物レンズ３７の汚れを防止するための
透明な保護板３９か取り外し可能に配置されている。

ウェハＷの表面には、レジスト層及びくち染助止膜が塗
布されており、このウェハＷは干渉計等て位置計測され
て２次元移動するステージ４ｏに載置される。また、照
明系４１からのアライメント照明光はビームスプリッタ
−４２で反射されて、アライメント用対物レンズ４３に
入射し、ウェハＷの表面を均一に囮明する。ウェハＷ上
のマークＷＭからの反射光は対物レンズ４３、ビームス
フリツタ−４２を介してリレー系４４を通って観察系に
導かれる。この対物レンズ４３、ビームスフリッター４
２及びリレー系４４によって、オフ・アクシス方式のウ
ェハ・アライメント系が構成される。

また、加工用対物レンズ３７を介して加工点（レジスト
除去部）を直接観察するため、対物レンズ３７と可変ア
パーチャ３５との間の光路中に進退可能なビームスフリ
ツタ−３６が配置される。このビームスプリッタ−３６
か光路中にある時、照明系４１からの照明光は対物レン
ズ３７に導かれ、ウェハＷ上の加工部を均一に照射する
。

ウェハＷの表面からの反射光は対物レンズ３７、ビーム
スプリッタ−３６及び可変アパーチャ３５を通り、さら
にレンズ系３４及びビームスプリッター３３を介してリ
レー系３８に入射し、観察系に導かれる。ここで、ウェ
ハＷと可変アパーチャ３５とは共役なので、リレー系３
８を介して可変アパーチャ３５の開口像と、ウェハＷ上
の加工部とか同時観察される。即ち、可変アパーチャ３
５の開口内にマークＷＭか位置するようにステージ４０
を位置法めした後、ビームスプリッタ−３６を退避させ
て、エキシマレーザ光源３１からエキシマレーザ光（パ
ルス光）を発振させれば、ウェハマークＷＭを含む局所
領域のみのレジスト層か除去されることになる。上記構
成において、ビームスフリツタ−３３はタイクロイック
ミラーのような波長選択性のものにし、照明系４１から
の照明光の波長は可視域にすることか望ましい。

ところで、レチクルＲのパターン像とウェハＷ上のショ
ット領域とを正確にアライメントするため、例えば特開
昭６１−４４４２９号公報、又は特開昭６２−８４５１
６号公報に開示されているように、拡弓長されたウェハ
・グローバル・アライメント（以下、エンハンスト・グ
ローバル・アライメント−ＥＧＡと呼ぶ）方式を採用す
ることが有望視されている。ここで、ＥＧＡ方式とは１
枚のウェハＷを露光するのに、まず始めにウェハＷ上の
複数のショット領域に付随したマークの位置を計測（サ
ンプル・アライメント）した後、ウェハ中心位置のオフ
セット（Ｘ、Ｙ方向）、ウエノ＼Ｗの伸縮（Ｘ、Ｙ方向
）、ウェハＷの残存回転量及びウェハステージ直交度（
或はシヨ・ント領域の配列の直交度）の計６つのパラメ
ータを、マクの設計位置とマークの計測位置との差に基
ついて統計的な手法て決定する。そして、法定されたパ
ラメータの値に基づいて、重ね合わせ露光すべきセカン
ド（２ｎｄ）　ショットの位置を設計位置から補正して
順次ウェハステージをステッピングさせていく方式であ
る。この方法の利点は、１シヨツト毎のアライメントに
比へてスループ・ントの向上が望めること、及び十分な
数のマークをサンプル・アライメントすると、個々のマ
ーク検出誤差が統計的な演算のもとて平均化されること
になり、１シヨツト毎のアライメントと同等、若しくは
それ以上のアライメント精度が、ウェハ全面の全てのシ
ョット領域に対して望めることである。そこで、本実施
例てはＬＩＡ系を用いてＥＧＡ方式のアライメントを行
なうもとし、サンプル・アライメントを行なうショット
領域に付随したウェハマクＷＭのみ、レジスト除去装置
２０を用いてレジスト層を除去する。このため、十分な
精度てアライメントか可能となると共に、レジスト層の
除去を要因とするスルーブツトの低下を最小限に抑える
ことかできる。

第５図は、ウェハＷ上のショット領域ＳＡとウェハマー
クＷＭとの配置を示す平面図てあり、第６図はウェハマ
ークＷＭ上のレジスト除去工程を示した断面図である。

第５図において、各ショット領域ＳＡはＸ方向下方向に
伸びた細い帯状のスクライブ領域ＣＬによって区画され
ている。また、各ショット領域ＳＡは露光装置１０にお
いてレチクルＲの回路パターン領域が１回て投影露光さ
れる大きさに対応している。本実施例において、ウェハ
マークＷＭは１つのショット領域ＳＡに付随した２ケ所
にＸ方向用とＹ方向用とで別に設けられ、Ｘ方向用のマ
ークはＷＭｘ　、Ｙ方向用のマークはＷＭｙである。ウ
ェハマークＷＭｘ　、ＷＭｙは、複数本の長い格子エレ
メント（ハーバターン）か、各々Ｘ。

Ｙ方向に配列された回折格子マーク（デユーティは１．
１）である。

木実施例では、第２層目のレチクルの露光に先立ってＬ
ＩＡ系によるＥＧＡ方式のアライメントを行なう際、第
５図中に示したショット領域ＳＡ１〜ＳＡ５をサンプル
・アライメントするために、ショット領域ＳＡＩ〜ＳＡ
５に各々付随したウェハマークＷＭｘ、ＷＭｙを含む領
域のレジスト層２を除去してやれば良いことになる。

ここで、除去されるレジスト層２の大きさ（除去領域Ｄ
Ａ、第６図参照）はスクライブ領域ＣＬの幅よりも小さ
く、且つウェハマークＷＭの専有面積、例えはウェハマ
ーク以外のパターンを設けてはならない最小の領域（所
謂、マーク形成領域）よりは大きくなるように定められ
ている。同様に、レジスト除去装置２０でのエキシマレ
ーザ光ＬＢの照射領域（可変アパーチャ３５の開口像）
の大きさも一義的に定められる。尚、可変アパーチャ３
５は開口寸７Ｌ、形状を任意に変えられるのて、ウェハ
マークＷＭを含むマーク形成領域（除去領域ＤＡ）の形
状、寸７去に適宜合致させることかできる。

サンプル・アライメントのためのウェハマークＷＭ上の
レジストを除去してマークＷＭを露出させるには、レジ
スト層２上にく５染防止膜１を塗布したウェハＷをｃ、
Ｄ、＋　５　（＋２図）からレジスト除去装置２０に搬
送し、ここて第６図Ａに図示される如く、ウェハマーク
ＷＭ形成領域に対してレーザビームＬＢを照射する。す
ると、有機材料からなるレジスト層２及び汚染防止膜１
の分子かヒールの光子エネルギーによって切断されて飛
散し、更に一部が雰囲気中の酸素等によって醍化され、
Ｃｏ２．　）１２０として揮発し、第６図Ｂのようにウ
ェハマークＷＭか露出する。この際、レジスト層２及び
汚染防止膜１の一部は微粒子３となって周囲に飛散する
が、微粒子３は汚染防止膜１上に付着するのて下層のレ
ジスト層２か汚染されることはない。次いてウェハＷを
レジスト除去装置２０からＣ，Ｄ、＋５の現像部１３に
運ひ、純水もしくは現像液等によって第６図Ｃの如くレ
ジスト層２上の汚染防止膜１を溶解すれは、このとき微
粒子３も汚染防止膜１と共に除去される。

このようにしてサンプルアライメント用のマークＷＭを
露出させたウェハＷを露光装置１０に運んてＥＧＡ方式
てアライメントすれは、レジスト層によるアライメント
精度の低下か回避され、非常に正確にアライメントする
ことか可能である。

また、従来のように飛散したレジスト微粒子に起因する
パターンの欠損や短絡等も生しない。

なお、以上においては、ウェハマークＷＭ形成領域のレ
ジスト層を除去する場合について具体的に説明したか、
本発明の方法は、光エツチング法によって直接レジスト
を所望のパターン形状に加工する場合にも同様に適用て
きることは言うまでもない。

［発明の効果］以上のように本発明においては、高エネルギービームに
よって所望の部分の薄膜を除去するに際して、予め薄膜
上に汚染防止膜を被着しておき、ヒールによる加工後に
このＺ５染防止膜たけを取り除くので、ビーム煕射時に
飛散するＦ’ｌ膜微粒子によって薄膜表面が汚染される
のを防止することかできる。かかる方７去を半導体素子
製造に適用すれは、レジスト表面のＱ％染によってリッ
クラフイエ程に支障をきたすことなく、レジストの所望
の部分たけを除去することか可能であり、例えはアライ
メント用のウェハマーク上のレジストを除去することに
より、アライメント精度の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）は本発明の薄膜
除去方法の基本工程を示す断面図、第２図は本発明実施
例による方法に好適なシステムの概略平面図、第３図は
第２図に示されたシステムの露光装置の一例を示す構成
図、第４図は第２図に示されたシステムのレジスト除去
装置の一例を示す構成図、第５図はウェハ上のショット
領域とウェハマークの配列を示す平面図、第６図（Ａ）
　、　（Ｂ）　、　（Ｃ）はウエハマーり上のレジスト
の除去工程を示す断面図である。［主要部分の符号の説明］１・・・汚染防止膜２・・・レジスト層（薄膜）３・・・レジスト微粒子４・・・支持基板Ｗ・・・ウェハＷＭ・・・ウェハマーク１０・・・露光装置１１・・・レジスト塗布・乾燥部１２・・・汚染防止膜塗布部１３・・・現像部１４・・・ガイトレール１５・・・コータ・デベロッパー１６・・・搬送アーム２０・・・レジスト除去装置第

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持基板上に被着された薄膜にエネルギービーム
を選択的に照射することにより、薄膜の所望の部分を除
去する薄膜除去方法において、前記薄膜の表面に汚染防
止膜を被着し、この汚染防止膜の上からエネルギービー
ムを照射して汚染防止膜と薄膜の所望の部分を共に除去
し、しかる後、除去しなかった薄膜上の汚染防止膜を取
り除くことを特徴とする薄膜除去方法。
（２）前記支持基板上に位置合わせマークが設けられて
おり、少なくともこの位置合わせマークを露出させるよ
うに、前記薄膜を除去することを特徴とする請求項１記
載の薄膜除去方法。