JPH03254129A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH03254129A JPH03254129A JP2052028A JP5202890A JPH03254129A JP H03254129 A JPH03254129 A JP H03254129A JP 2052028 A JP2052028 A JP 2052028A JP 5202890 A JP5202890 A JP 5202890A JP H03254129 A JPH03254129 A JP H03254129A
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- JP
- Japan
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- electrolyte
- tank
- substrate
- semiconductor substrate
- electrolytic solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、金属ハンプを形成する際に用いる電解液槽の
構造に関し。
構造に関し。
半導体基板上のバンブか均一に形成されることを目的と
し。
し。
基板ホルダーと電解液槽とを有し、該基板ホルダーはそ
の上にバンプを電解めっきにより形成する半導体基板を
セットして、カソードの働きをするものであり、該電解
液槽は、電解液を下部より供給し、上部周縁より溢流さ
せて電解液が満たされ、該半導体基板を下側に保持した
該基板ホルダーが電解液面に接触され、槽の底部にアノ
ード板が設けられ、且つ、槽の上部周縁が内側より外側
に向かって低く、テーパー状に形成されているように横
取する。
の上にバンプを電解めっきにより形成する半導体基板を
セットして、カソードの働きをするものであり、該電解
液槽は、電解液を下部より供給し、上部周縁より溢流さ
せて電解液が満たされ、該半導体基板を下側に保持した
該基板ホルダーが電解液面に接触され、槽の底部にアノ
ード板が設けられ、且つ、槽の上部周縁が内側より外側
に向かって低く、テーパー状に形成されているように横
取する。
本発明は、金属バンブを形成する際に用いる電解液槽の
構造に関する。
構造に関する。
半導体装置の結線方法として、従来、ワイヤーホンディ
ングが広く使われている。
ングが広く使われている。
しかし、半導体装置の高集積化に伴い、ボンデインクス
ペースも縮小させることが必要となり同方法では高密度
な結線に対応できなくなりつつある。
ペースも縮小させることが必要となり同方法では高密度
な結線に対応できなくなりつつある。
従来のワイヤホンディングに変わって、最近。
多く用いられるようになった方法として、バンプ法があ
る。
る。
これは、ＩＣチップ上に微小な金属のバンプを形成し、
このハンプと結線する対抗基板のバンプ或いは電極とを
互いに圧着して結合する方法である。
このハンプと結線する対抗基板のバンプ或いは電極とを
互いに圧着して結合する方法である。
この方法によれば、結線間隔は形成するハンプのピッチ
で決まり、ワイヤーボンディング法に比べて高密度な結
線が可能となる。
で決まり、ワイヤーボンディング法に比べて高密度な結
線が可能となる。
あらかしめ、めっきする面にチタン・パラジウム（Ｔｉ
−Ｐｄ） 薄膜を被覆し、その上にレジストでハンプ形
成領域を高密度にバターニングした半導体基板を使用す
る。
−Ｐｄ） 薄膜を被覆し、その上にレジストでハンプ形
成領域を高密度にバターニングした半導体基板を使用す
る。
この半導体基板をカソードとなる基板ホルタ−にセット
して、半導体基板のめっきする面を電解液槽の電解液の
溢流面に向けて、基板と電解液とを接触させる。
して、半導体基板のめっきする面を電解液槽の電解液の
溢流面に向けて、基板と電解液とを接触させる。
そして、鉛・錫（Ｐｂ−５ｎ）を含む電解液をオーバー
フロー（溢流）させながら、半導体基板に接続したカソ
ードの電極と、電解液槽の底部に設けたアノード板との
間に電圧を印加することによって。
フロー（溢流）させながら、半導体基板に接続したカソ
ードの電極と、電解液槽の底部に設けたアノード板との
間に電圧を印加することによって。
半導体基板上のレジストで覆われていない領域に鉛・錫
がバンプ状に形成される。
がバンプ状に形成される。
基板全面には、均一な形状のハンプを多数形成させるた
めには、基板全面が均一に電解液と接触すると共に、電
解液が絶えず新しい電解液と置換される必要がある。
めには、基板全面が均一に電解液と接触すると共に、電
解液が絶えず新しい電解液と置換される必要がある。
これに対して、従来の方法では、電解液槽の上端部で電
解液が急激に槽外に落下するために、基板の周辺部にお
いて、基板と電解液との均一な接触が得られに＜＜、こ
の結果、基板周辺部に形成されるハンプの形状か著しく
損なわれていた。
解液が急激に槽外に落下するために、基板の周辺部にお
いて、基板と電解液との均一な接触が得られに＜＜、こ
の結果、基板周辺部に形成されるハンプの形状か著しく
損なわれていた。
例えは、ハンプの高さについては、基板の周辺部と中央
部とでは、約５％の違いが生している。
部とでは、約５％の違いが生している。
本発明は、基板上のハンプか均一に形成されることを目
的として提供されるものである。
的として提供されるものである。
せて該電解液６か満たされ、該半導体基板４を下側↓こ
保持した該基板ホルダー１が該電解液６面に接触され、
該電解液槽２の底部にアノード板７が設けられ、且つ、
該電解液槽２の上部周縁か内側より外側に向かって低く
、テーパー状に形成されていることを特徴とする半導体
製造装置によって解決される。
保持した該基板ホルダー１が該電解液６面に接触され、
該電解液槽２の底部にアノード板７が設けられ、且つ、
該電解液槽２の上部周縁か内側より外側に向かって低く
、テーパー状に形成されていることを特徴とする半導体
製造装置によって解決される。
第１図は本発明の原理説明図である。
図において、１は基板ホルダー、２は電解液槽３はハン
プ、４は半導体基板、５はレジスト、６は電解液、７は
アノード板である。
プ、４は半導体基板、５はレジスト、６は電解液、７は
アノード板である。
第１図（ａ）、 （ｂ）で示すように、上述のような
バンプの高さの不均一を是正するためには本発明の基板
ホルダーｌと電解液槽２とを有し該基板ホルダー１はそ
の上にハンプ３を電解めっきにより形成する半導体基板
４をセットして、カソードの働きをするものであり、該
電解液槽２は電解液６を下部より供給し、上部周縁より
溢流さ〔作用〕 このようなテーパー８を第１図（Ｃ）に示すように、電
解液槽２の外側の上端部に設けることにより、電解液槽
２上部での電解液６の流れは第１図（ｄ）のようにスム
ースな流れに改善される。
バンプの高さの不均一を是正するためには本発明の基板
ホルダーｌと電解液槽２とを有し該基板ホルダー１はそ
の上にハンプ３を電解めっきにより形成する半導体基板
４をセットして、カソードの働きをするものであり、該
電解液槽２は電解液６を下部より供給し、上部周縁より
溢流さ〔作用〕 このようなテーパー８を第１図（Ｃ）に示すように、電
解液槽２の外側の上端部に設けることにより、電解液槽
２上部での電解液６の流れは第１図（ｄ）のようにスム
ースな流れに改善される。
即ち、従来方法では、第１図（ｅ）に示すように、槽の
上端部から槽外に向かって急激に電解液６が落下するの
に対して１本発明の方法によれば。
上端部から槽外に向かって急激に電解液６が落下するの
に対して１本発明の方法によれば。
第１図（ｄ）に示すように、電解液６の表面張力が大き
くなり、従って、電解液の淀みがなくなり。
くなり、従って、電解液の淀みがなくなり。
電解液槽２の中の電解液６は殆ど水平面に保たれている
。また、テーパーを第１図（ｆ）のように電解液槽２の
上端部の内側に設けたものは効力がない。
。また、テーパーを第１図（ｆ）のように電解液槽２の
上端部の内側に設けたものは効力がない。
この結果、槽の上部の電解液の液面を基板の周辺部まで
平坦化することが可能となり、基板周辺部と電解液との
接触も安定し、基板周辺部にも均一な形状のハンプの形
成が可能となる。
平坦化することが可能となり、基板周辺部と電解液との
接触も安定し、基板周辺部にも均一な形状のハンプの形
成が可能となる。
（実施例〕
第２図は本発明の電解液槽の斜視図、第３図は本発明の
一実施例のめっき装置説明図である。
一実施例のめっき装置説明図である。
図において、８はテーパー、１０は丸型電解液槽。
１１は角型電解液槽、１２は半導体基板押さえ板、１３
は押さえハネ、１４は循環ポンプ、１５はめっき槽であ
る。
は押さえハネ、１４は循環ポンプ、１５はめっき槽であ
る。
第２図に具体的なめっき槽の設計例を示す。
第２図（ａ）は丸型電解液槽１０を使用した例であり、
第２図（ｂ）は角型電解液槽１１を使用した例である。
第２図（ｂ）は角型電解液槽１１を使用した例である。
この場合、電解液槽の上部外縁の全面に外テーパーをつ
けるのが望ましい。
けるのが望ましい。
丸型電解液槽ｌＯを用いた本発明の一実施例を第３図に
より説明する。
より説明する。
半導体基板４に下地層として、 Ｔｉ−Ｐｃｔをおのお
の２，０００ 人の厚さに積層した上にレジスト５をコ
ーティングして、ハンプ形成領域をバタニンクする。
の２，０００ 人の厚さに積層した上にレジスト５をコ
ーティングして、ハンプ形成領域をバタニンクする。
次いで、第３図に示す装置を使用してハンプ３の形成を
行う。第３図（ａ）に示すように、半導体基板４をめっ
きする面を下にして、外径が基板の大きさとほぼ同しで
２本発明の電解液槽１０の上縁か外側にテーパー状とな
った電解液槽１０の上に被せるようにしてセットする。
行う。第３図（ａ）に示すように、半導体基板４をめっ
きする面を下にして、外径が基板の大きさとほぼ同しで
２本発明の電解液槽１０の上縁か外側にテーパー状とな
った電解液槽１０の上に被せるようにしてセットする。
半導体基板４の周縁の３箇所に等しい間隔てカソードと
なる基板ホルダー１をクリップ状に半導体基板４を挟み
込んで取り付ける。そのため、クリップ状の基板ホルダ
ー１の厚さだけ、電解液槽１０の上縁と半導体基板４と
の間に隙間ができる。
なる基板ホルダー１をクリップ状に半導体基板４を挟み
込んで取り付ける。そのため、クリップ状の基板ホルダ
ー１の厚さだけ、電解液槽１０の上縁と半導体基板４と
の間に隙間ができる。
電解液槽１０の底部の漏斗状に絞った位置に電解液槽１
０の内径よりやや小さい径のアノード板７をセットする
。アノード板７にはＴｉ板にＰｄめっきしたものを使用
する。
０の内径よりやや小さい径のアノード板７をセットする
。アノード板７にはＴｉ板にＰｄめっきしたものを使用
する。
電解液６は電解液槽１０の下部より循環ポンプ１４によ
り噴流状に送られ、アノード板７の小孔を通して、半導
体基板４のめっき面に絶えず新しい電解液６が接触する
。そして、電解液槽１０の周縁の隙間から溢れだし、テ
ーパー８に沿って静かに流下する。
り噴流状に送られ、アノード板７の小孔を通して、半導
体基板４のめっき面に絶えず新しい電解液６が接触する
。そして、電解液槽１０の周縁の隙間から溢れだし、テ
ーパー８に沿って静かに流下する。
また、半導体基板４が噴流する電解液６で押し出される
ことのないように、半導体基板押さえ板Ｉ２に取り付け
た押さえバネ１３で、半導体基板４を押さえ込む。
ことのないように、半導体基板押さえ板Ｉ２に取り付け
た押さえバネ１３で、半導体基板４を押さえ込む。
第３図（ｂ）に示すように、半導体基板４の周縁につけ
た基板ホルダーエをカソードとし、電解液槽１０の底部
にセットしたアノード板７との間に直流電圧１〜２■を
印加して、半導体基板４のめっき面に１０ｍＡ／ｃｍ”
の電流を流して＋ Ｐｂ−５ｎのバンブ電極３を形成す
る。
た基板ホルダーエをカソードとし、電解液槽１０の底部
にセットしたアノード板７との間に直流電圧１〜２■を
印加して、半導体基板４のめっき面に１０ｍＡ／ｃｍ”
の電流を流して＋ Ｐｂ−５ｎのバンブ電極３を形成す
る。
この実施例では、第３図（ｃ）に示すようにめっき槽１
５の中に、丸型電解液槽１０を１２個セットして、全体
を１枚の半導体基板押さえ板１２で蓋をして、循環ポン
プ１４で電解液６を循環しながら。
５の中に、丸型電解液槽１０を１２個セットして、全体
を１枚の半導体基板押さえ板１２で蓋をして、循環ポン
プ１４で電解液６を循環しながら。
１２枚の半導体基板４を同時にめっきしてハンプ３を形
成する。
成する。
めっきの終了した半導体基板４はレジスト５を剥離除去
した後、錫・鉛電極をマスクとして、ハンプ３以外の金
属をエツチング除去して、はんだハンプ３を完成する。
した後、錫・鉛電極をマスクとして、ハンプ３以外の金
属をエツチング除去して、はんだハンプ３を完成する。
本発明によれば、従来の電解液槽の外縁をテーパー状に
することにより１次のような効果か得られる。
することにより１次のような効果か得られる。
０表面張力により、電解液を槽外へ引く力が生ずる。
■槽内の電解液が効率良く槽外へ流れる。
■半導体基板は絶えず新しい電解液と接触する。
■従って、基板に均一な形状のハンプが形成される。
第１図は本発明の原理説明図
第２図は本発明の電解液槽斜視図
第３図は本発明の一実施例のめっき装置説明図である。
図において。
１は基板ホルダー、 ２は電解液槽。
３はバンプ、 ４は半導体基板。
５はレジスト、 ６は電解液。
７はアノード板、 ８はテーパー
９は逆テーパ−，１０は丸型電解液槽。
１１は角型電解液槽、１２は半導体基板押さえ板。
１３は押さえバネ、１４は循環ポンプ。
１５はめっき槽
（ｅ）
（４）
本発明の原理液明図
男１図（その２）
本発明の原理詮Ｕ３ｐＩ図
第１図（士の１）
本発明の電解液槽劇＃Ｌ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板ホルダー（１）と電解液槽（２）とを有し、該基
板ホルダー（１）はその上にバンプ（３）を電解めっき
により形成する半導体基板（４）をセットして、カソー
ドの働きをするものであり、 該電解液槽（２）は、電解液（６）を下部より供給し、
上部周縁より溢流させて該電解液（６）が満たされ、該
半導体基板（４）を下側に保持した該基板ホルダー（１
）が該電解液（６）面に接触され、該電解液槽（２）の
底部にアノード板（７）が設けられ、且つ、該電解液槽
（２）の上部周縁が内側より外側に向かって低く、テー
パー状に形成されていることを特徴とする半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2052028A JPH03254129A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2052028A JPH03254129A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03254129A true JPH03254129A (ja) | 1991-11-13 |
Family
ID=12903360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2052028A Pending JPH03254129A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03254129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6732749B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-05-11 | Akrion, Llc | Particle barrier drain |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP2052028A patent/JPH03254129A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6732749B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-05-11 | Akrion, Llc | Particle barrier drain |
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