JPH03254831A - 微重力落下カプセル - Google Patents
微重力落下カプセルInfo
- Publication number
- JPH03254831A JPH03254831A JP5121390A JP5121390A JPH03254831A JP H03254831 A JPH03254831 A JP H03254831A JP 5121390 A JP5121390 A JP 5121390A JP 5121390 A JP5121390 A JP 5121390A JP H03254831 A JPH03254831 A JP H03254831A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capsule
- vacuum state
- state
- ultra
- micro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、完全結晶成長、均質アモルファス化物質、超
高純度物質、新合金の製造又は結晶の界面接合等を行う
ための微重力並びに超高真空状態を発生する装置に関す
る。
高純度物質、新合金の製造又は結晶の界面接合等を行う
ための微重力並びに超高真空状態を発生する装置に関す
る。
（従来の技術とその課題）
従来、微重力状態下では、比Ｍ差のあるものの混合、熱
対流がない状態での作用、液体の静圧がない状態での作
用、及び物質の浮遊等が考えられる。
対流がない状態での作用、液体の静圧がない状態での作
用、及び物質の浮遊等が考えられる。
又、超高真空状態は、ヘテロ構造や超格子の実現、高純
度化、表面改質を可能とする。
度化、表面改質を可能とする。
更に、超高真空状態並びに微重力状態では、完全結晶成
長、均質アモルファス化物質、超高純度物質、新合金の
製造又は結晶の界面接合等の製造が考えられる。
長、均質アモルファス化物質、超高純度物質、新合金の
製造又は結晶の界面接合等の製造が考えられる。
従来、超高真空状態及び微重力状態を達成する方法とし
て １）航空機又は気球からの自由落下 ２）スペースラボによる宇宙空間の利用等が採られてい
た。
て １）航空機又は気球からの自由落下 ２）スペースラボによる宇宙空間の利用等が採られてい
た。
しかし、１）の場合の航空殴又は気球から大気中で落下
させる方法は空気抵抗と風の影響を受けているため、利
用されることは少ない。
させる方法は空気抵抗と風の影響を受けているため、利
用されることは少ない。
２）のスペースラボによる宇宙空間を利用する場合は
（１）真空度 １０−’Ｔｏｒｒ程度で、不充分である
。
。
（２）打ち上げ、及び回収作業に多大の費用を要する。
（３）スペースラボに搭載するための寸法、形状の制限
上、大型の装置の搭載は出来ない。
上、大型の装置の搭載は出来ない。
（４）実施に要する時間的制約が大きく、−船釣でない
。
。
上述の（１）の真空度の問題を改善するためには、第４
図に一例を示すような実験用装置を使用しなければなら
ず、（３）の寸法、形状上可能性は極めて小さい。
図に一例を示すような実験用装置を使用しなければなら
ず、（３）の寸法、形状上可能性は極めて小さい。
この実験装置は同図（イ〉の平面図、（ロ）の側面図に
示すように、実験用チャンバー４１と、この実験用チャ
ンバー４１に試料を供給する試料供給装置４２及びスペ
ースラボの外部に開口するためにゲート弁４３ａ１開閉
フランジ４３ｂを設けた開閉装置４３よりなるものであ
る。更にこれらの主要構成に付随して超高真空状態に維
持するために、クライオポンプ、イオンポンプ等の付属
機器が必要であり、小型化は困難である。
示すように、実験用チャンバー４１と、この実験用チャ
ンバー４１に試料を供給する試料供給装置４２及びスペ
ースラボの外部に開口するためにゲート弁４３ａ１開閉
フランジ４３ｂを設けた開閉装置４３よりなるものであ
る。更にこれらの主要構成に付随して超高真空状態に維
持するために、クライオポンプ、イオンポンプ等の付属
機器が必要であり、小型化は困難である。
本発明は上述の諸問題を解決して、容易に、かつ安価に
超高真空状態及び微重力状態を作り出すことが可能な装
置を提供することを課題とする。
超高真空状態及び微重力状態を作り出すことが可能な装
置を提供することを課題とする。
（課題を遠戚するための手段）
上述の課題を遠戚するために、微重力状態を発生せしめ
る落下カプセル１０において、内部を超高真空状態に排
気保持した密閉容器１６を前記落下カプセル１０に搭載
したものである。
る落下カプセル１０において、内部を超高真空状態に排
気保持した密閉容器１６を前記落下カプセル１０に搭載
したものである。
（作用）
予め超高真空に排気保持した密閉容器を落下させること
により、この密閉容器内は超高真空状態及び微重力状態
となる。
により、この密閉容器内は超高真空状態及び微重力状態
となる。
（実施例）
第１図は本発明の落下カプセルの断面図、第２図はこの
落下カプセルを落下させる落下トンネルの断面図である
。
落下カプセルを落下させる落下トンネルの断面図である
。
落下カプセル１０は有底の円筒状の胴体１１の外側の先
端に円錐状のスパイク１２を設け、反対側の上端には姿
勢安定用の翼１３を複数個設けである。
端に円錐状のスパイク１２を設け、反対側の上端には姿
勢安定用の翼１３を複数個設けである。
内側には円筒状のスペース１４が胴体１１の中心軸と同
軸状に穿設しである。このスペース１４内の下部に所要
の電源及び制御器１５が搭載してあり、この上側に密閉
容器１６を搭載しである。なお、この密閉容器１６の内
部は、例えば材料合成等に必要な試料を収納し、超高真
空状態に排気保持されている。
軸状に穿設しである。このスペース１４内の下部に所要
の電源及び制御器１５が搭載してあり、この上側に密閉
容器１６を搭載しである。なお、この密閉容器１６の内
部は、例えば材料合成等に必要な試料を収納し、超高真
空状態に排気保持されている。
第２図の落下トンネルは縦トンネル２１を地中に穿設し
てあり、この縦トンネル２１の下端には制動領域２２と
して砂２３がプールしである。
てあり、この縦トンネル２１の下端には制動領域２２と
して砂２３がプールしである。
次に本発明の落下カプセル１０を縦トンネル２１の上端
から自由落下させると、翼１３により安定した姿勢で重
力により自由落下し、これにより微重力状態が発生する
。従って、密閉容器１６内には自由落下中には、暫時超
高真空状態及び微重力状態を得ることが出来る。
から自由落下させると、翼１３により安定した姿勢で重
力により自由落下し、これにより微重力状態が発生する
。従って、密閉容器１６内には自由落下中には、暫時超
高真空状態及び微重力状態を得ることが出来る。
落下終了時は落下カプセル１０の先端のスパイク１２が
砂２３に突き刺さり、破壊的な大きな衝撃を受けずに停
止する。
砂２３に突き刺さり、破壊的な大きな衝撃を受けずに停
止する。
なお、上述の砂２３による制動領域２２に代わる装置と
して電磁ブレーキ等を使用する場合もある。
して電磁ブレーキ等を使用する場合もある。
又、他の実施例として、落下塔からの落下、又は第３図
に示すように航空機３２又は気球３３等からの落下カプ
セル３１を使用して落下させても良い。
に示すように航空機３２又は気球３３等からの落下カプ
セル３１を使用して落下させても良い。
（発明の効果〉
上述のように、
ｌ）自由落下している落下カプセル１０内に超高真空状
態に排気保持された密閉容器１６を搭載することにより
、容易に微重力状態でかつ超高真空状態を作ることが出
来る。
態に排気保持された密閉容器１６を搭載することにより
、容易に微重力状態でかつ超高真空状態を作ることが出
来る。
２）種々の産業分野に対し、多目的利用、再利用を可能
とする。
とする。
３）このために特に膨大な設備を必要とせず、低コスト
での実験や特殊物質の製造等が可能である。
での実験や特殊物質の製造等が可能である。
第１図は本発明の落下カプセルの断面図、第２図は第１
図の落下カプセルを落下させる落下トンネルの断面図、
第３図は航空機又は気球からの落下カプセルの一例の説
明図、第４図は従来の超高真空状態の実験装置で、（イ
）は平面図、（ロ）は側面図である。 １０：落下カプセル、 １１：胴体、 １４ニスペース
、 １５：電源及び制御器、 １６：密閉容器。 喜２餓 １０
図の落下カプセルを落下させる落下トンネルの断面図、
第３図は航空機又は気球からの落下カプセルの一例の説
明図、第４図は従来の超高真空状態の実験装置で、（イ
）は平面図、（ロ）は側面図である。 １０：落下カプセル、 １１：胴体、 １４ニスペース
、 １５：電源及び制御器、 １６：密閉容器。 喜２餓 １０
Claims (1)
- 微重力状態を発生せしめる落下カプセルにおいて、内部
を超高真空状態に排気保持した密閉容器を前記落下カプ
セル内に搭載したことを特徴とする微重力落下カプセル
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5121390A JPH03254831A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 微重力落下カプセル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5121390A JPH03254831A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 微重力落下カプセル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03254831A true JPH03254831A (ja) | 1991-11-13 |
Family
ID=12880639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5121390A Pending JPH03254831A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 微重力落下カプセル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03254831A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59217692A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-07 | Rikagaku Kenkyusho | 薄膜単結晶の製造方法 |
| JPS61136434A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | Taisei Corp | 無重力環境装置 |
| JPS62297294A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-24 | Hitachi Ltd | 規則構造をもつ共晶合金系バルク半導体の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP5121390A patent/JPH03254831A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59217692A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-07 | Rikagaku Kenkyusho | 薄膜単結晶の製造方法 |
| JPS61136434A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | Taisei Corp | 無重力環境装置 |
| JPS62297294A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-24 | Hitachi Ltd | 規則構造をもつ共晶合金系バルク半導体の製造方法 |
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