JPH03254832A - 微重力落下カプセル - Google Patents
微重力落下カプセルInfo
- Publication number
- JPH03254832A JPH03254832A JP5121490A JP5121490A JPH03254832A JP H03254832 A JPH03254832 A JP H03254832A JP 5121490 A JP5121490 A JP 5121490A JP 5121490 A JP5121490 A JP 5121490A JP H03254832 A JPH03254832 A JP H03254832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- getter material
- vacuum state
- state
- evacuated
- capsule
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、完全結晶成長、均質アモルファス化物質、超
高純度合金、新合金の製造又は結晶の界面接合等を行う
ための微重力並びに超高真空状態を発生する装置に関す
る。
高純度合金、新合金の製造又は結晶の界面接合等を行う
ための微重力並びに超高真空状態を発生する装置に関す
る。
(従来の技術とその課題)
従来、微重力状態下では、比重差のあるものの混合、熱
対流がない状態での作用、液体の静圧がない状態での作
用、及び物質の浮遊等が考えられる。又、超高真空状態
は、ヘテロ構造や超格子の実現、高純度化、表面改質を
可能とする。
対流がない状態での作用、液体の静圧がない状態での作
用、及び物質の浮遊等が考えられる。又、超高真空状態
は、ヘテロ構造や超格子の実現、高純度化、表面改質を
可能とする。
更に、超高真空状態並びに微重力状態では、完全結晶製
造、均質アモルファス化物質、超高純度物質、新合金の
製造又は結晶の界面接合等の製造が考えられる。
造、均質アモルファス化物質、超高純度物質、新合金の
製造又は結晶の界面接合等の製造が考えられる。
従来、超高真空状態及び微重力状態を達成する方法とし
て 1)航空機又は気球からの自由落下 2)スペースラボによる宇宙空間の利用等が採られてい
た。
て 1)航空機又は気球からの自由落下 2)スペースラボによる宇宙空間の利用等が採られてい
た。
しかし、1)の場合の航空機又は気球から大気中を落下
させる方法は空気抵抗と風の影響を受けているため、利
用されることは少ない。
させる方法は空気抵抗と風の影響を受けているため、利
用されることは少ない。
2)のスペースラボによる宇宙空間を利用する場合は
(1)真空度 1O−6Torr程度で、不充分である
。
。
(2)打ち上げ、及び回収作業に多大の費用を要する。
(3)スペースラボに搭載するための寸法、形状の制限
上、大型の装置の搭載は出来ない。
上、大型の装置の搭載は出来ない。
(4)実施に要する時間的制約が大きく、−船釣でない
。
。
上記(1)の真空度の問題を改善するためには、更に超
高真空にする特別の装置を使用しなければならず、(3
)の寸法、形状上可能性は極めて小さい。
高真空にする特別の装置を使用しなければならず、(3
)の寸法、形状上可能性は極めて小さい。
更に、上述の従来の各実施例においては、特定物質のみ
を含む真空状態での反応を実施することは考えられてい
ない。
を含む真空状態での反応を実施することは考えられてい
ない。
本発明は上述の諸問題を解決して、特定物質のみを含ん
だ真空状態で、かつ*M力環境での反応を実現させるた
めの微重力落下カプセルを提供することを課題とする。
だ真空状態で、かつ*M力環境での反応を実現させるた
めの微重力落下カプセルを提供することを課題とする。
(課題を達成するための手段)
上述の課題を達成するために、微重力状態を発生せしめ
る落下カプセル10において、ゲッタ材19を収納して
超高真空状態に排気保持した密閉容器17と、前記ゲッ
タ材19を加熱するゲッタ材加熱装置24とを設けたも
のである。
る落下カプセル10において、ゲッタ材19を収納して
超高真空状態に排気保持した密閉容器17と、前記ゲッ
タ材19を加熱するゲッタ材加熱装置24とを設けたも
のである。
(作用)
予め超高真空に排気保持した密閉容器を落下させること
により、この密閉容器内は超高真空状態及び微重力状態
となる。
により、この密閉容器内は超高真空状態及び微重力状態
となる。
更に、この密閉容器内に収納されているゲッタ材には特
定物質を予め吸収若しくは吸着されているので、搭載さ
れているゲッタ材加熱装置で加熱することにより、ゲッ
タ材に吸収又は吸着されている特定物質を密閉容器内に
放出させ、特定物質の雰囲気内で所要の反応を促進させ
ることが出来る。
定物質を予め吸収若しくは吸着されているので、搭載さ
れているゲッタ材加熱装置で加熱することにより、ゲッ
タ材に吸収又は吸着されている特定物質を密閉容器内に
放出させ、特定物質の雰囲気内で所要の反応を促進させ
ることが出来る。
(実施例)
第1図は本発明の雨下カプセルの断面図、第2図はこの
落下カプセルを落下させる落下トンネルの断面図である
。
落下カプセルを落下させる落下トンネルの断面図である
。
落下カプセル10は有底の円筒状の胴体1工の外側の先
端に円錐状のスパイク12を設け、反対側の上端には姿
勢安定用の翼13を複数個設けである。
端に円錐状のスパイク12を設け、反対側の上端には姿
勢安定用の翼13を複数個設けである。
内側には円筒状のスペース14が胴体11の中心軸と同
軸状に穿設しである。このスペース14内の下部に所要
の電源部15及び制御器16が搭載してあり、この上側
にゲッタ材19及び試料20を収納した密閉容器17を
搭載しである。又、密閉容器17の周囲には離隔して高
周波加熱コイル18が同軸状に設けられている。
軸状に穿設しである。このスペース14内の下部に所要
の電源部15及び制御器16が搭載してあり、この上側
にゲッタ材19及び試料20を収納した密閉容器17を
搭載しである。又、密閉容器17の周囲には離隔して高
周波加熱コイル18が同軸状に設けられている。
この高周波加熱コイル18と電源部15(高周波電源)
とでゲッタ材加熱装置24を構成しており、このゲッタ
材加熱装置24は上述の高周波加熱の他にレーザー、マ
イクロ波、赤外線、電子ビーム、イオン、プラズマ等を
利用する加熱装置とすることも出来る。
とでゲッタ材加熱装置24を構成しており、このゲッタ
材加熱装置24は上述の高周波加熱の他にレーザー、マ
イクロ波、赤外線、電子ビーム、イオン、プラズマ等を
利用する加熱装置とすることも出来る。
密閉容器17内には特定物質を予め吸収又は吸着させで
あるゲッタ材19が内面周囲に設けられてあり、中央部
に試料20が保持されている。
あるゲッタ材19が内面周囲に設けられてあり、中央部
に試料20が保持されている。
なお、この密閉容器17の内部は超高真空状態に保持さ
れている。
れている。
第2図の落下トンネルは縦トンネル21を地中に穿設し
てあり、この縦トンネル21の下端には制動領域22と
して砂23がプールしである。
てあり、この縦トンネル21の下端には制動領域22と
して砂23がプールしである。
次に本発明の落下カプセルlOの動作について説明する
。
。
先ず、落下操作を行う前に、密閉容器17内に所要の特
定物質を吸収又は吸着しであるゲッタ材19を装着し、
所要の試料20を挿入して内部を超高真空状態に排気す
る。
定物質を吸収又は吸着しであるゲッタ材19を装着し、
所要の試料20を挿入して内部を超高真空状態に排気す
る。
この状態の落下カプセル10を第2図に示すような落下
トンネル21の上端から自由落下させると、翼13によ
り安定した姿勢で重力により自由落下し、これにより、
微重力状態が発生し、密閉容器17内には自由落下中、
暫時超高真空状態及び微重力状態を得ることが出来る。
トンネル21の上端から自由落下させると、翼13によ
り安定した姿勢で重力により自由落下し、これにより、
微重力状態が発生し、密閉容器17内には自由落下中、
暫時超高真空状態及び微重力状態を得ることが出来る。
この状態の密閉容器17を外部からの制御信号により、
制御器16を動作させて電源部15により高周波加熱コ
イル18に高周波電流を流し、密閉容器17内のゲッタ
材19を加熱する。
制御器16を動作させて電源部15により高周波加熱コ
イル18に高周波電流を流し、密閉容器17内のゲッタ
材19を加熱する。
加熱温度を制御することにより、超高真空状態に保持さ
れて、かつ微重力状態に保持されていた密閉容器17内
には所定の特定物質を所要量放出する。
れて、かつ微重力状態に保持されていた密閉容器17内
には所定の特定物質を所要量放出する。
これにより微重力環境で、特定物質の放出を微調整する
ことにより、試料20との間で所望の反応が行われる。
ことにより、試料20との間で所望の反応が行われる。
落下終了時は落下カプセル10の先端のスパイク12が
砂23に突き刺さり、破壊的な大きな衝撃を受けずに停
止する。
砂23に突き刺さり、破壊的な大きな衝撃を受けずに停
止する。
なお、上述の砂23による制動領域22に代わる装置と
して電磁ブレーキ等を使用する場合もある。
して電磁ブレーキ等を使用する場合もある。
又、他の実施例として、落下基からの落下、又は航空機
、気球等からの落下を実施しても良い。
、気球等からの落下を実施しても良い。
(発明の効果)
上述のように
1)自由落下している落下カプセル10内に超高真空状
態に排気保持された密閉容器17を搭載することにより
、容易に微重力状態、かつ超高真空状態を作ることが出
来る。
態に排気保持された密閉容器17を搭載することにより
、容易に微重力状態、かつ超高真空状態を作ることが出
来る。
2)多目的、再利用が可能である。
3)試料20を収納する密閉容器17は予め超高真空に
排気後、特定物質をゲッタ材19から供給するので、純
粋に特定物質のみの供給が出来る。
排気後、特定物質をゲッタ材19から供給するので、純
粋に特定物質のみの供給が出来る。
4)これらのために、特に膨大な設備を必要とせず、低
コストで超高真空・微重力状態での反応物質の製造が可
能である。
コストで超高真空・微重力状態での反応物質の製造が可
能である。
第1図は本発明の落下カプセルの断面図、第2図はこの
落下カプセルを落下させる落下トンネルの断面図である
。 10:落下カプセル、 11:胴体、 14ニスペース
、 15:電源部、 16:制御器、 17:密閉容器
、 18:高周波加熱コイル、 19ニゲツタ材、2〇
二試料、 24ニゲツタ材加熱装置。 婁2目 0 −18“
落下カプセルを落下させる落下トンネルの断面図である
。 10:落下カプセル、 11:胴体、 14ニスペース
、 15:電源部、 16:制御器、 17:密閉容器
、 18:高周波加熱コイル、 19ニゲツタ材、2〇
二試料、 24ニゲツタ材加熱装置。 婁2目 0 −18“
Claims (1)
- 微重力状態を発生せしめる落下カプセルにおいて、ゲッ
タ材を収納し、超高真空状態に排気保持した密閉容器と
、前記ゲッタ材を加熱するゲッタ材加熱装置とを設けた
ことを特徴とする微重力落下カプセル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5121490A JPH03254832A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 微重力落下カプセル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5121490A JPH03254832A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 微重力落下カプセル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03254832A true JPH03254832A (ja) | 1991-11-13 |
Family
ID=12880667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5121490A Pending JPH03254832A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 微重力落下カプセル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03254832A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59217692A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-07 | Rikagaku Kenkyusho | 薄膜単結晶の製造方法 |
| JPS61136434A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | Taisei Corp | 無重力環境装置 |
| JPS62297294A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-24 | Hitachi Ltd | 規則構造をもつ共晶合金系バルク半導体の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP5121490A patent/JPH03254832A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59217692A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-07 | Rikagaku Kenkyusho | 薄膜単結晶の製造方法 |
| JPS61136434A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | Taisei Corp | 無重力環境装置 |
| JPS62297294A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-24 | Hitachi Ltd | 規則構造をもつ共晶合金系バルク半導体の製造方法 |
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