JPH03255621A - 熱処理炉 - Google Patents
熱処理炉Info
- Publication number
- JPH03255621A JPH03255621A JP5422190A JP5422190A JPH03255621A JP H03255621 A JPH03255621 A JP H03255621A JP 5422190 A JP5422190 A JP 5422190A JP 5422190 A JP5422190 A JP 5422190A JP H03255621 A JPH03255621 A JP H03255621A
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- JP
- Japan
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- basket
- heat treatment
- core tube
- furnace
- furnace core
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
処理済の被処理物、例えば半導体ウェーへの処理方法を
改善することが可能な熱処理炉に関し、熱処理炉の処理
温度を変化させないで、熱処理後の被処理物の冷却を短
時間に効率良く、且つ被処理物の品質を低下させずに行
うことが可能な熱処理炉の提供を目的とし、 被処理物を炉芯管内で加熱処理する熱処理炉であって、
前記炉芯管の加熱部分以外に、その管壁の一部を延長し
たカバー部を設け、前記被処理物を搭載し、前記被処理
物を囲むバスケントカバーを備え、冷却ガス導入口と直
進及び回転機能を有する駆動部とを備えた石英バスケッ
トを具備するよう構成する。
改善することが可能な熱処理炉に関し、熱処理炉の処理
温度を変化させないで、熱処理後の被処理物の冷却を短
時間に効率良く、且つ被処理物の品質を低下させずに行
うことが可能な熱処理炉の提供を目的とし、 被処理物を炉芯管内で加熱処理する熱処理炉であって、
前記炉芯管の加熱部分以外に、その管壁の一部を延長し
たカバー部を設け、前記被処理物を搭載し、前記被処理
物を囲むバスケントカバーを備え、冷却ガス導入口と直
進及び回転機能を有する駆動部とを備えた石英バスケッ
トを具備するよう構成する。
本発明は、処理済の被処理物、例えば半導体ウェーハの
処理方法を改善することが可能な熱処理炉に関するもの
である。
処理方法を改善することが可能な熱処理炉に関するもの
である。
炉芯管内において熱処理した被処理物の冷却は、短時間
に効率良く且つ被処理物の品質を低下させずに行うこと
が必要である。
に効率良く且つ被処理物の品質を低下させずに行うこと
が必要である。
以上のような状況から、被処理物の冷却を短時間に効率
良く且つ被処理物の品質を低下させずに行うことが可能
な熱処理炉が要望されている。
良く且つ被処理物の品質を低下させずに行うことが可能
な熱処理炉が要望されている。
従来の縦型の熱処理炉の場合について第４図により詳細
に説明する。
に説明する。
従来の拡散工程或いはＣＶＤ工程に用いられる縦型の熱
処理炉は、第４図（ａｌに示すようにヒータ１１により
加熱され、処理ガス導入口１２ｂを上部に設けた炉芯管
１２内に被処理物、例えば半導体ウェーハ４を搭載した
石英バスケット１３を挿入して半導体ウェーハ４の熱処
理を行う炉である。
処理炉は、第４図（ａｌに示すようにヒータ１１により
加熱され、処理ガス導入口１２ｂを上部に設けた炉芯管
１２内に被処理物、例えば半導体ウェーハ４を搭載した
石英バスケット１３を挿入して半導体ウェーハ４の熱処
理を行う炉である。
この石英バスケット１３は、図に示すように炉芯管１２
の外径にほぼ等しいベース１３ａに、半導体ウェーハ４
を挿入する等間隔に形成した溝を備えたウェーハ保持部
１３ｂを３本植立した、半導体ウェーハ４のハンドリン
グを行う石英バスケットである。
の外径にほぼ等しいベース１３ａに、半導体ウェーハ４
を挿入する等間隔に形成した溝を備えたウェーハ保持部
１３ｂを３本植立した、半導体ウェーハ４のハンドリン
グを行う石英バスケットである。
このような熱処理炉を使用する場合には、まず処理ガス
導入口１２ｂから導入する処理ガスの流量を図示しない
マスフローコントローラによって設定し、半導体ウェー
ハ４の処理温度よりも低い温度に、ヒータ１１により炉
芯管１２内の処理ガスの温度を上昇させる。
導入口１２ｂから導入する処理ガスの流量を図示しない
マスフローコントローラによって設定し、半導体ウェー
ハ４の処理温度よりも低い温度に、ヒータ１１により炉
芯管１２内の処理ガスの温度を上昇させる。
この状態で第４図（ａｌに示すように、石英ハスケソｌ
−１３を駆動部１３ｃを用いて上昇させて炉芯管１２内
に挿入する。その後、炉芯管１２内の処理ガスの温度を
半導体ウェーハ４の処理温度に上昇させて熱処理を行う
。
−１３を駆動部１３ｃを用いて上昇させて炉芯管１２内
に挿入する。その後、炉芯管１２内の処理ガスの温度を
半導体ウェーハ４の処理温度に上昇させて熱処理を行う
。
熱処理が終了したこの半導体ウェーハ４を、処理温度に
加熱されたままの状態で外部に取り出すと、空気中の酸
素によって酸化されてしまうので、炉芯管１２内の処理
ガスの温度を挿入時と同様に処理温度よりも低い温度に
低下させた後、石英バスケット１３を取り出し、半導体
ウェーハ４を取り出して熱処理工程が完了する。
加熱されたままの状態で外部に取り出すと、空気中の酸
素によって酸化されてしまうので、炉芯管１２内の処理
ガスの温度を挿入時と同様に処理温度よりも低い温度に
低下させた後、石英バスケット１３を取り出し、半導体
ウェーハ４を取り出して熱処理工程が完了する。
以上説明した従来の熱処理炉においては、熱処理後に半
導体ウェーハを取り出す際、半導体ウェーハが酸化され
るのを防止するために、炉の温度を酸化防止可能な温度
まで低下させることが必要で、処理を行う度に炉の温度
を昇温させなければならないので、熱処理炉の処理能力
を著しく低下させるとともに処理温度が不安定になると
いう問題点があった。
導体ウェーハを取り出す際、半導体ウェーハが酸化され
るのを防止するために、炉の温度を酸化防止可能な温度
まで低下させることが必要で、処理を行う度に炉の温度
を昇温させなければならないので、熱処理炉の処理能力
を著しく低下させるとともに処理温度が不安定になると
いう問題点があった。
本発明は以上のような状況から熱処理炉の処理温度を変
化させないで、熱処理後の被処理物の冷却を短時間に効
率良く、且つ被処理物の品質を低下させずに行うことが
可能な熱処理炉の提供を目的としたものである。
化させないで、熱処理後の被処理物の冷却を短時間に効
率良く、且つ被処理物の品質を低下させずに行うことが
可能な熱処理炉の提供を目的としたものである。
本発明の熱処理炉は、被処理物を炉芯管内で加熱処理す
る熱処理炉であって、前記炉芯管の加熱部分以外に、そ
の管壁の一部を延長したカバー部を設け、前記被処理物
を搭載し、前記被処理物を囲むバスケットカバーを備え
、冷却ガス導入口と直進及び回転機能を有する駆動部と
を備えた石英バスケットを具備するよう槽底する。
る熱処理炉であって、前記炉芯管の加熱部分以外に、そ
の管壁の一部を延長したカバー部を設け、前記被処理物
を搭載し、前記被処理物を囲むバスケットカバーを備え
、冷却ガス導入口と直進及び回転機能を有する駆動部と
を備えた石英バスケットを具備するよう槽底する。
即ち本発明においては、炉芯管の管壁の一部を延長した
カバー部を炉芯管の加熱部分以外に設け、被処理物を搭
載する石英バスケットにこの被処理物を囲むバスケット
カバーを設け、冷却ガス導入口と直進及び回転機能を有
する駆動部とを備えているので、熱処理炉の処理温度を
一定にしたままで、この被処理物の加熱処理を行った後
に駆動部を用いて石英バスケットを炉芯管内から取り出
し、炉芯管のカバー部と石英バスケットのバスケットカ
バーで被処理物を取り囲み、冷却ガス導入口から非酸化
性のガスを導入して被処理物を冷却するので、被処理物
を酸化することなく、短時間に効率良く冷却することが
可能となる。
カバー部を炉芯管の加熱部分以外に設け、被処理物を搭
載する石英バスケットにこの被処理物を囲むバスケット
カバーを設け、冷却ガス導入口と直進及び回転機能を有
する駆動部とを備えているので、熱処理炉の処理温度を
一定にしたままで、この被処理物の加熱処理を行った後
に駆動部を用いて石英バスケットを炉芯管内から取り出
し、炉芯管のカバー部と石英バスケットのバスケットカ
バーで被処理物を取り囲み、冷却ガス導入口から非酸化
性のガスを導入して被処理物を冷却するので、被処理物
を酸化することなく、短時間に効率良く冷却することが
可能となる。
以下、第１図〜第３図により本発明による一実施例の縦
型の熱処理炉について詳細に説明する。
型の熱処理炉について詳細に説明する。
第１図は本発明による一実施例の熱処理炉の概略構造を
示す図である。図に示すようにヒータ１により加熱され
、処理ガス導入口２ｂを上部に設けた炉芯管２内に被処
理物を挿入して熱処理を行う炉である。
示す図である。図に示すようにヒータ１により加熱され
、処理ガス導入口２ｂを上部に設けた炉芯管２内に被処
理物を挿入して熱処理を行う炉である。
本実施例の炉芯管２は従来の炉芯管１２とは、その構造
が一部異なっており、図に示すように加熱部以外の下部
に、炉芯管２のほぼ半円部分で長さが炉芯管２の加熱部
分に相当するカバー部２ａを延長して設けている。
が一部異なっており、図に示すように加熱部以外の下部
に、炉芯管２のほぼ半円部分で長さが炉芯管２の加熱部
分に相当するカバー部２ａを延長して設けている。
第２図は本発明による一実施例の石英バスケットの概略
構造を示す図である。図に示すようにこの石英バスケッ
ト３は炉芯管２の外径にほぼ等しいベース３ａに冷却ガ
ス導入口３ｄを設け、半導体ウェーハ４を挿入する等間
隔に形成した溝を備えたウェーハ保持部３ｂを３本植立
し、冷却ガス導入口３ｄを設けた部分の反対側にほぼ半
円形状のバスケットカバー３ｅを設けた、半導体ウェー
ハ４のハンドリングを行う石英バスケット３である。
構造を示す図である。図に示すようにこの石英バスケッ
ト３は炉芯管２の外径にほぼ等しいベース３ａに冷却ガ
ス導入口３ｄを設け、半導体ウェーハ４を挿入する等間
隔に形成した溝を備えたウェーハ保持部３ｂを３本植立
し、冷却ガス導入口３ｄを設けた部分の反対側にほぼ半
円形状のバスケットカバー３ｅを設けた、半導体ウェー
ハ４のハンドリングを行う石英バスケット３である。
このような熱処理炉を使用する場合には、まず処理ガス
導入口２ｂから導入する処理ガスの流量を図示しないマ
スフローコントローラによって設定し、ヒータ１により
炉芯管２内の処理ガスの温度を半導体ウェーハ４の処理
温度よりも低い温度に上昇させる。
導入口２ｂから導入する処理ガスの流量を図示しないマ
スフローコントローラによって設定し、ヒータ１により
炉芯管２内の処理ガスの温度を半導体ウェーハ４の処理
温度よりも低い温度に上昇させる。
この状態で第３図（ａ）に示すように石英バスケット３
を駆動部３ｃにより上昇させて炉芯管２内に挿入する。
を駆動部３ｃにより上昇させて炉芯管２内に挿入する。
その後、炉芯管２内の処理ガスの温度を半導体ウェーハ
４の処理温度に上昇させて熱処理を行う。
４の処理温度に上昇させて熱処理を行う。
熱処理が終了した後、石英バスケット３の駆動部３ｃに
よってこの半導体ウェーハ４を搭載した石英バスケット
３を回転し、そのバスケットカバー３ｅを炉芯管２のカ
バー部２ａの反対側に配置する。
よってこの半導体ウェーハ４を搭載した石英バスケット
３を回転し、そのバスケットカバー３ｅを炉芯管２のカ
バー部２ａの反対側に配置する。
その後熱処理炉の処理温度を一定にしたままで一半導体
ウエーハ４を炉芯管２のカバー部２ａと、石英バスケッ
ト３のバスケットカバー３ｅによって取り囲み、冷却ガ
ス導入口３ｄから不活性ガスを導入しながら、第３図（
ｂｌに示すように駆動部３Ｃの直進動作によって石英バ
スケット３を炉芯管２の加熱部分から取り出し、冷却ガ
スによって半導体ウェーハ４を酸化させずに冷却する。
ウエーハ４を炉芯管２のカバー部２ａと、石英バスケッ
ト３のバスケットカバー３ｅによって取り囲み、冷却ガ
ス導入口３ｄから不活性ガスを導入しながら、第３図（
ｂｌに示すように駆動部３Ｃの直進動作によって石英バ
スケット３を炉芯管２の加熱部分から取り出し、冷却ガ
スによって半導体ウェーハ４を酸化させずに冷却する。
半導体ウェーハ４の温度が酸化されない温度になれば、
駆動部３ｃの回転動作により石英バスケット３を半回転
し、カバー部２ａとバスケットカバー３ｅとを重ね合わ
せて半導体ウェーハ４を取り出して熱処理工程が完了す
る。
駆動部３ｃの回転動作により石英バスケット３を半回転
し、カバー部２ａとバスケットカバー３ｅとを重ね合わ
せて半導体ウェーハ４を取り出して熱処理工程が完了す
る。
このようにして半導体ウェーハ４をカバー部２ａとバス
ケットカバー３ｅで取り囲み、不活性ガスを冷却ガス導
入口３ｄから導入して半導体ウェーハ４を冷却するから
、炉芯管２の温度を低温にすることなく、半導体ウェー
ハ４を酸化させずに短時間で冷却することができるので
、熱処理炉の処理能力を著しく向上させることが可能と
なる。
ケットカバー３ｅで取り囲み、不活性ガスを冷却ガス導
入口３ｄから導入して半導体ウェーハ４を冷却するから
、炉芯管２の温度を低温にすることなく、半導体ウェー
ハ４を酸化させずに短時間で冷却することができるので
、熱処理炉の処理能力を著しく向上させることが可能と
なる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、炉芯管
の形状と石英バスケットの構造を変更し、石英バスケッ
トの駆動部の機能変更により、処理済の被処理物の冷却
を短時間に効率良く且つ被処理物の品質を低下させずに
行うことが可能となる等の利点があり、著しい経済的及
び、信頼性向上の効果が期待できる熱処理炉の提供が可
能となる。
の形状と石英バスケットの構造を変更し、石英バスケッ
トの駆動部の機能変更により、処理済の被処理物の冷却
を短時間に効率良く且つ被処理物の品質を低下させずに
行うことが可能となる等の利点があり、著しい経済的及
び、信頼性向上の効果が期待できる熱処理炉の提供が可
能となる。
第１図は本発明による一実施例の熱処理炉の概略構造を
示す図、 第２図は本発明による一実施例の石英バスケットの概略
構造を示す図、 第３図は本発明による一実施例の熱処理炉と石英バスケ
ットの配置を示す側断面図、 第４図は従来の熱処理炉と石英バスケットの配置を示す
側断面図、である。 図において、 ｌはヒータ、 ２は炉芯管、 ２ａはカバー部、 ２ｂは処理ガス導入口、３は石
英バスケット、３ａはベース、 ３ｂはウェーハ保持部、３ｃは駆動部、３ｄは冷却ガス
導入口、３ｅはバスケットカバー４は半導体ウェーハ、
を示す。 ｆｂｌ 下 面 図 本発明による一実施例の熱処理炉の概略構造を示す図第 図 ＋ａ＋ 加戸処理状態を示す図 ｆｂｌ 冷却状態を示す図 第 図 （ａｌ 上 面 図 ω） 側断面図 本発明による一実施例の石英バスケットの概略構造を示
す図第 図 従来の熱処理炉と石英バスケットの配置を示す側断面間
第 図
示す図、 第２図は本発明による一実施例の石英バスケットの概略
構造を示す図、 第３図は本発明による一実施例の熱処理炉と石英バスケ
ットの配置を示す側断面図、 第４図は従来の熱処理炉と石英バスケットの配置を示す
側断面図、である。 図において、 ｌはヒータ、 ２は炉芯管、 ２ａはカバー部、 ２ｂは処理ガス導入口、３は石
英バスケット、３ａはベース、 ３ｂはウェーハ保持部、３ｃは駆動部、３ｄは冷却ガス
導入口、３ｅはバスケットカバー４は半導体ウェーハ、
を示す。 ｆｂｌ 下 面 図 本発明による一実施例の熱処理炉の概略構造を示す図第 図 ＋ａ＋ 加戸処理状態を示す図 ｆｂｌ 冷却状態を示す図 第 図 （ａｌ 上 面 図 ω） 側断面図 本発明による一実施例の石英バスケットの概略構造を示
す図第 図 従来の熱処理炉と石英バスケットの配置を示す側断面間
第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理物（４）を炉芯管（２）内で加熱処理する熱処
理炉であって、 前記炉芯管（２）の加熱部分以外に、その管壁の一部を
延長したカバー部（２ａ）を設け、 前記被処理物（４）を搭載し、前記被処理物（４）を囲
むバスケットカバー（３ｅ）を備え、冷却ガス導入口（
３ｄ）と直進及び回転機能を有する駆動部（３ｃ）とを
備えた石英バスケット（３）を具備することを特徴とす
る熱処理炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5422190A JPH03255621A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 熱処理炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5422190A JPH03255621A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 熱処理炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03255621A true JPH03255621A (ja) | 1991-11-14 |
Family
ID=12964483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5422190A Pending JPH03255621A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 熱処理炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03255621A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005197373A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
-
1990
- 1990-03-05 JP JP5422190A patent/JPH03255621A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005197373A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
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