JPH0783000B2 - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPH0783000B2 JPH0783000B2 JP59067703A JP6770384A JPH0783000B2 JP H0783000 B2 JPH0783000 B2 JP H0783000B2 JP 59067703 A JP59067703 A JP 59067703A JP 6770384 A JP6770384 A JP 6770384A JP H0783000 B2 JPH0783000 B2 JP H0783000B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- process tube
- furnace
- temperature
- heating
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0602—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H10P72/3314—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、処理技術、特にプロセスチューブ内に収容し
た被処理物をヒータで加熱して処理する技術に関し、た
とえば、半導体装置の製造においてウエハ上に酸化膜を
形成する技術に利用して有効な技術に関する。
た被処理物をヒータで加熱して処理する技術に関し、た
とえば、半導体装置の製造においてウエハ上に酸化膜を
形成する技術に利用して有効な技術に関する。
半導体装置の製造において、ウエハ上に酸化膜を形成す
るには、シリコンを酸化雰囲気中で加熱すればよい。こ
の方法もっとも簡単で一般的な方法であり、加熱ヒータ
と炉心管，温度コントローラおよび乾燥酸素もしくは水
蒸気が供給できればよい（電子材料1981年別冊、工業調
査会発行、昭和56年11月10日発行P72〜P76）。
るには、シリコンを酸化雰囲気中で加熱すればよい。こ
の方法もっとも簡単で一般的な方法であり、加熱ヒータ
と炉心管，温度コントローラおよび乾燥酸素もしくは水
蒸気が供給できればよい（電子材料1981年別冊、工業調
査会発行、昭和56年11月10日発行P72〜P76）。
しかし、上述した方法によると、炉心管（以下プロセス
チューブとする）にウェハを搬入する時、炉口側の温度
が低下したり、水素（H2）の燃焼時、炉奥側の温度が上
昇したりして均一な温度分布が崩れるという問題点があ
ること、が本発明者によって明らかにされた。
チューブとする）にウェハを搬入する時、炉口側の温度
が低下したり、水素（H2）の燃焼時、炉奥側の温度が上
昇したりして均一な温度分布が崩れるという問題点があ
ること、が本発明者によって明らかにされた。
本発明の目的は、プロセスチューブ内の温度分布を均一
に維持することができる処理技術を提供することにあ
る。
に維持することができる処理技術を提供することにあ
る。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、被処理物を収容するプロセスチューブ外部の
ヒータがプロセスチューブ内を加熱するように設けられ
ている処理装置において、前記ヒータがプロセスチュー
ブの長さ方向において複数に分割され、分割されたヒー
タ部は、前記被処理物のプロセスチューブへの搬入時の
加熱能力がその加熱処理時の加熱能力に対して変化する
ように、温度コントローラによって部分的に制御されて
成ることを特徴とする。これにより、被処理物の搬入時
やH2の燃焼時等にも、プロセスチューブ内の温度分布を
均一に維持できる。
ヒータがプロセスチューブ内を加熱するように設けられ
ている処理装置において、前記ヒータがプロセスチュー
ブの長さ方向において複数に分割され、分割されたヒー
タ部は、前記被処理物のプロセスチューブへの搬入時の
加熱能力がその加熱処理時の加熱能力に対して変化する
ように、温度コントローラによって部分的に制御されて
成ることを特徴とする。これにより、被処理物の搬入時
やH2の燃焼時等にも、プロセスチューブ内の温度分布を
均一に維持できる。
〔実施例１〕 第１図は本発明の一実施例である熱処理装置を示す縦断
面図、第２図〜第５図はその作用を説明するための各線
図である。
面図、第２図〜第５図はその作用を説明するための各線
図である。
本実施例において、この熱処理装置はプロセスチューブ
１を備えており、このプロセスチューブ１は石英ガラス
によりほぼ円筒形状に形成されている。プロセスチュー
ブ１は、被処理物としてのウエハ２を複数枚立脚した状
態で整列させて保持する治具３を収容し得るように構成
されている。プロセスチューブ１の一端には治具３を出
し入れするための炉口４が開設されており、炉口４には
ドア５がこれを密閉し得るように開閉自在に取り付けら
れている。炉口４の近傍にはスカベンジャ６が設けら
れ、スカベンジャ６はプロセスチューブ１内を排気し得
るように構成されている。プロセスチューブ１の他端に
は酸素（O2）または窒素（N2）等の処理ガスを導入する
ための導入口７が開設されている。
１を備えており、このプロセスチューブ１は石英ガラス
によりほぼ円筒形状に形成されている。プロセスチュー
ブ１は、被処理物としてのウエハ２を複数枚立脚した状
態で整列させて保持する治具３を収容し得るように構成
されている。プロセスチューブ１の一端には治具３を出
し入れするための炉口４が開設されており、炉口４には
ドア５がこれを密閉し得るように開閉自在に取り付けら
れている。炉口４の近傍にはスカベンジャ６が設けら
れ、スカベンジャ６はプロセスチューブ１内を排気し得
るように構成されている。プロセスチューブ１の他端に
は酸素（O2）または窒素（N2）等の処理ガスを導入する
ための導入口７が開設されている。
プロセスチューブ１の外部にはヒータＨがプロセスチュ
ーブ１内全体を加熱し得るように設けられており、ヒー
タＨはプロセスチューブ１の長手方向において、第１分
割ヒータ（以下、第１ヒータという。）H1〜第４分割ヒ
ータ（同様）H4に４分割されている。第１ヒータH1は炉
口領域に設けられる。第２ヒータH2及び第３ヒータH3
は、共にウェハ処理領域である均熱領域に設けられ、同
様の構成即ちヒータ線の径，ピッチ等が同一とされる
が、第２ヒータH2は、均熱領域の炉口側端部に設け、第
３ヒータH3よりもヒータ長が短くなっており従って熱容
量が小さくなっている。第４ヒータH4は炉奥領域に設け
られる。第１〜第４分割ヒータH1〜H4はコントローラ８
によりその加熱能力をそれぞれ所望通りに設定でき得る
ようになっている。
ーブ１内全体を加熱し得るように設けられており、ヒー
タＨはプロセスチューブ１の長手方向において、第１分
割ヒータ（以下、第１ヒータという。）H1〜第４分割ヒ
ータ（同様）H4に４分割されている。第１ヒータH1は炉
口領域に設けられる。第２ヒータH2及び第３ヒータH3
は、共にウェハ処理領域である均熱領域に設けられ、同
様の構成即ちヒータ線の径，ピッチ等が同一とされる
が、第２ヒータH2は、均熱領域の炉口側端部に設け、第
３ヒータH3よりもヒータ長が短くなっており従って熱容
量が小さくなっている。第４ヒータH4は炉奥領域に設け
られる。第１〜第４分割ヒータH1〜H4はコントローラ８
によりその加熱能力をそれぞれ所望通りに設定でき得る
ようになっている。
次に作用を説明する。
なお、第２図〜第５図において、（ａ）はプロセスチュ
ーブ内の温度分布図、（ｂ）は第１〜第４ヒータの加熱
能力度線図である。
ーブ内の温度分布図、（ｂ）は第１〜第４ヒータの加熱
能力度線図である。
まず、プロセスチューブ１は第１〜第４ヒータH1〜H4に
より、第２図（ａ）に示されるように、炉内温度分布が
そのウェハ２が収容され熱処理を受ける均熱領域（以
下、中央部という）において均一な所定温度になるよう
に予熱される。このとき、第１〜第４ヒータH1〜H4の加
熱能力はコントローラ８により、第２図（ｂ）に示され
るようにほぼ均一に設定される。
より、第２図（ａ）に示されるように、炉内温度分布が
そのウェハ２が収容され熱処理を受ける均熱領域（以
下、中央部という）において均一な所定温度になるよう
に予熱される。このとき、第１〜第４ヒータH1〜H4の加
熱能力はコントローラ８により、第２図（ｂ）に示され
るようにほぼ均一に設定される。
ドア５を開放して治具３に保持されたウェハ２を炉口４
からプロセスチューブ１内に搬入する直前、第３図
（ｂ）に実線で示されるように、第１ヒータH1と第２ヒ
ータH2の加熱能力は後述するドア５の開放によるプロセ
スチューブ１内の温度降下分、コントローラ８の指令に
より、第３ヒータH3,第４ヒータH4の加熱能力よりも高
められる。これにより、プロセスチューブ１内の温度分
布は、第３図（ａ）に示されるように、炉口４付近が他
の領域よりも高温になった分布状態になる。
からプロセスチューブ１内に搬入する直前、第３図
（ｂ）に実線で示されるように、第１ヒータH1と第２ヒ
ータH2の加熱能力は後述するドア５の開放によるプロセ
スチューブ１内の温度降下分、コントローラ８の指令に
より、第３ヒータH3,第４ヒータH4の加熱能力よりも高
められる。これにより、プロセスチューブ１内の温度分
布は、第３図（ａ）に示されるように、炉口４付近が他
の領域よりも高温になった分布状態になる。
なお第３図（ａ）において、破線Ａは、均一に加熱され
た場合の炉口４付近の温度分布を示し、破線Ｂは、後述
するドア５開放による均一加熱時の温度降下を示す。
た場合の炉口４付近の温度分布を示し、破線Ｂは、後述
するドア５開放による均一加熱時の温度降下を示す。
ウエハ２を搬入すべくドア５を開放すると、プロセスチ
ューブ１内の高温雰囲気が炉口４から逃げ、均一に加熱
した場合には第４図（ａ）に破線で示すように、プロセ
スチューブ１内の温度が炉口４から中央部付近に至るま
で降下する。
ューブ１内の高温雰囲気が炉口４から逃げ、均一に加熱
した場合には第４図（ａ）に破線で示すように、プロセ
スチューブ１内の温度が炉口４から中央部付近に至るま
で降下する。
しかしながら、第３図（ａ）に示されているように、炉
口４付近が予めドア５開放によるプロセスチューブ１内
の温度降下分、高温になっていること、さらにウエハ２
を搬入している間の温度降下が中央部まで至るのを防止
するため、搬入中、第４図（ｂ）に示されるように、第
１ヒータH1と第２ヒータH2はコントローラ８の指令によ
り加熱能力を高められ続ける。これにより、プロセスチ
ューブ１内の温度分布は、第４図（ａ）に示されるよう
に、ほぼ均一な分布状態になる。
口４付近が予めドア５開放によるプロセスチューブ１内
の温度降下分、高温になっていること、さらにウエハ２
を搬入している間の温度降下が中央部まで至るのを防止
するため、搬入中、第４図（ｂ）に示されるように、第
１ヒータH1と第２ヒータH2はコントローラ８の指令によ
り加熱能力を高められ続ける。これにより、プロセスチ
ューブ１内の温度分布は、第４図（ａ）に示されるよう
に、ほぼ均一な分布状態になる。
治具３がプロセスチューブ１内のほぼ中央に位置決めさ
れ、ドア５が閉じられると、第５図（ｂ）に示されるよ
うに、第１〜第４ヒータH1〜H4はその加熱能力をほぼ等
しく制御される。これにより、第５図（ａ）に示される
ように、プロセスチューブ１内の温度分布はほぼ均一な
分布状態に維持される。この状態において、導入口７か
らO2またはN2等の処理ガスがプロセスチューブ１内に導
入される。このとき、プロセスチューブ１内の温度分布
が均一になっているため、治具３上のウエハ２群全体お
よび各ウエハ２全面にわたって均一な成膜処理が行われ
ることになる。
れ、ドア５が閉じられると、第５図（ｂ）に示されるよ
うに、第１〜第４ヒータH1〜H4はその加熱能力をほぼ等
しく制御される。これにより、第５図（ａ）に示される
ように、プロセスチューブ１内の温度分布はほぼ均一な
分布状態に維持される。この状態において、導入口７か
らO2またはN2等の処理ガスがプロセスチューブ１内に導
入される。このとき、プロセスチューブ１内の温度分布
が均一になっているため、治具３上のウエハ２群全体お
よび各ウエハ２全面にわたって均一な成膜処理が行われ
ることになる。
〔実施例２〕 第６図は本発明の他の実施例を示す縦断面図、第７図〜
第10図はその作用を説明するための各線図である。
第10図はその作用を説明するための各線図である。
本実施例が前記実施例と異なる点は、第３ヒータH3が第
２ヒータH2と共にウェハ処理領域である均熱領域に設け
られ、同様の構成即ちヒータ線の径，ピッチ等が同一と
されるが、均熱領域の炉奥側端部に設けられ、第２ヒー
タH2と比較してヒータ長が短くなっており従って熱容量
が小さく構成された点と、導入口７から水素（H2）およ
びO2が導入されるように構成されている点にある。
２ヒータH2と共にウェハ処理領域である均熱領域に設け
られ、同様の構成即ちヒータ線の径，ピッチ等が同一と
されるが、均熱領域の炉奥側端部に設けられ、第２ヒー
タH2と比較してヒータ長が短くなっており従って熱容量
が小さく構成された点と、導入口７から水素（H2）およ
びO2が導入されるように構成されている点にある。
本実施例において、プロセスチューブ１内の中央部にウ
エハ３を保持した治具３が位置決めされると、第７図
（ｂ）に示されるように、第１〜第４ヒータH1〜H4は加
熱能力をコントローラ８によりほぼ均一に制御される。
これにより、プロセスチューブ１内の温度分布は、第７
図（ａ）に示されるように、ほぼ均一な状態に維持され
る。
エハ３を保持した治具３が位置決めされると、第７図
（ｂ）に示されるように、第１〜第４ヒータH1〜H4は加
熱能力をコントローラ８によりほぼ均一に制御される。
これにより、プロセスチューブ１内の温度分布は、第７
図（ａ）に示されるように、ほぼ均一な状態に維持され
る。
その後、導入口７からH2/O2が導入される前に、コント
ローラ８の指令により第３ヒータH3および第４ヒータH4
の加熱能力が後述するH2/O2導入時の燃焼によるプロセ
スチューブ１内の温度上昇分、低められる。このとき、
第３ヒータH3よりも第４ヒータH4の方が能力を一層低め
られる。これにより、プロセスチューブ１内の温度分布
は、第８図（ｂ）に示されるように、導入口７付近の温
度が低下した分布状態となる。
ローラ８の指令により第３ヒータH3および第４ヒータH4
の加熱能力が後述するH2/O2導入時の燃焼によるプロセ
スチューブ１内の温度上昇分、低められる。このとき、
第３ヒータH3よりも第４ヒータH4の方が能力を一層低め
られる。これにより、プロセスチューブ１内の温度分布
は、第８図（ｂ）に示されるように、導入口７付近の温
度が低下した分布状態となる。
なお、第８図（ａ）において、破線Ｃは、均一に加熱さ
れた場合の導入口７付近の温度分布を示し、破線Ｄは、
後述するH2/O2導入時の、燃焼により均一加熱時の温度
上昇を示す。
れた場合の導入口７付近の温度分布を示し、破線Ｄは、
後述するH2/O2導入時の、燃焼により均一加熱時の温度
上昇を示す。
導入口７からH2/O2が導入されると、燃焼が始まるた
め、プロセスチューブ１内が均一に加熱されている場合
この燃焼により、第９図（ａ）に破線で示すように、プ
ロセスチューブ１内の温度が導入口７から中央部付近ま
で上昇する。この温度分布の不均衡により、酸化膜の膜
厚や膜質等が、治具３上のウエハ２群全体および各ウエ
ハ２全面にわたって不均一になってしまう。
め、プロセスチューブ１内が均一に加熱されている場合
この燃焼により、第９図（ａ）に破線で示すように、プ
ロセスチューブ１内の温度が導入口７から中央部付近ま
で上昇する。この温度分布の不均衡により、酸化膜の膜
厚や膜質等が、治具３上のウエハ２群全体および各ウエ
ハ２全面にわたって不均一になってしまう。
しかしながら、第８図（ａ）に示されているように、導
入口７付近がH2/O2導入時の、燃焼による温度上昇分、
低温になっていること、さらにH2が燃焼している間の温
度上昇が中央部にまで至るのを防止するため、燃焼中、
第９図（ｂ）に示されるように、第３ヒータH3と第４ヒ
ータH4はコントローラ８により加熱能力を適当な割合で
低下され続ける。これにより、プロセスチューブ１内の
温度分布は、第９図（ａ）に示されるように、ほぼ均一
な分布状態になる。
入口７付近がH2/O2導入時の、燃焼による温度上昇分、
低温になっていること、さらにH2が燃焼している間の温
度上昇が中央部にまで至るのを防止するため、燃焼中、
第９図（ｂ）に示されるように、第３ヒータH3と第４ヒ
ータH4はコントローラ８により加熱能力を適当な割合で
低下され続ける。これにより、プロセスチューブ１内の
温度分布は、第９図（ａ）に示されるように、ほぼ均一
な分布状態になる。
燃焼が終了すると、第10図（ｂ）に示されるように、第
１〜第４ヒータH1〜H4はその加熱能力をほぼ等しく設定
される。これにより、第10図（ａ）に示されるように、
プロセスチューブ１内の温度分布はほぼ均一な分布状態
に維持される。
１〜第４ヒータH1〜H4はその加熱能力をほぼ等しく設定
される。これにより、第10図（ａ）に示されるように、
プロセスチューブ１内の温度分布はほぼ均一な分布状態
に維持される。
〔実施例３〕 第11図は、本発明の他の実施例として、前記実施例１と
実施例２の組合わせた装置を示す。本実施例は、ヒータ
を５つに分割し、その加熱能力をそれぞれ所望通りに設
定でき得るようにしたことを特徴とする。
実施例２の組合わせた装置を示す。本実施例は、ヒータ
を５つに分割し、その加熱能力をそれぞれ所望通りに設
定でき得るようにしたことを特徴とする。
本実施例において、この熱処理装置はプロセスチューブ
１を備えており、このプロセスチューブ１は石英ガラス
によりほぼ円筒形状に形成されている。プロセスチュー
ブ１は、被処理物としてのウエハ２を複数枚立脚した状
態で整列させて保持する治具３を収容し得るように構成
されている。プロセスチューブ１の一端には治具３を出
し入れするための炉口４が開設されており、炉口４には
ドア５がこれを密閉し得るように開閉自在に取り付けら
れている。炉口４の近傍にはスカベンジャ６が設けら
れ、スカベンジャ６はプロセスチューブ１内の排気し得
るように構成されている。プロセスチューブの他端に
は、導入口７が設けられ、導入口７からは水素（H2）お
よびO2が導入されるように構成されている。
１を備えており、このプロセスチューブ１は石英ガラス
によりほぼ円筒形状に形成されている。プロセスチュー
ブ１は、被処理物としてのウエハ２を複数枚立脚した状
態で整列させて保持する治具３を収容し得るように構成
されている。プロセスチューブ１の一端には治具３を出
し入れするための炉口４が開設されており、炉口４には
ドア５がこれを密閉し得るように開閉自在に取り付けら
れている。炉口４の近傍にはスカベンジャ６が設けら
れ、スカベンジャ６はプロセスチューブ１内の排気し得
るように構成されている。プロセスチューブの他端に
は、導入口７が設けられ、導入口７からは水素（H2）お
よびO2が導入されるように構成されている。
プロセスチューブ１の外部にはヒータＨがプロセスチュ
ーブ１内全体を加熱し得るように設けられており、ヒー
タＨはプロセスチューブ１の長手方向において、第１分
割ヒータ（以下、第１ヒータという。）H1〜第５分割ヒ
ータ（同様）H5に５分割されている。そして、第２ヒー
タH2および第４ヒータH4は第３ヒータH3と共にウェハ処
理領域である均熱領域に設けられ、同様の構成即ちヒー
タ線の径，ピッチ等が同一とされるが、均熱領域の炉口
側の端部及び炉奥側端部に設けられ、第３ヒータH3と比
較してヒータ長が短くなっており従って熱容量が小さく
構成され、第５ヒータH5が炉奥領域に設けられている。
第１〜第５分割ヒータH1〜H5はコントローラ８によりそ
の加熱能力をそれぞれ所望通りに設定でき得るようにな
っている。
ーブ１内全体を加熱し得るように設けられており、ヒー
タＨはプロセスチューブ１の長手方向において、第１分
割ヒータ（以下、第１ヒータという。）H1〜第５分割ヒ
ータ（同様）H5に５分割されている。そして、第２ヒー
タH2および第４ヒータH4は第３ヒータH3と共にウェハ処
理領域である均熱領域に設けられ、同様の構成即ちヒー
タ線の径，ピッチ等が同一とされるが、均熱領域の炉口
側の端部及び炉奥側端部に設けられ、第３ヒータH3と比
較してヒータ長が短くなっており従って熱容量が小さく
構成され、第５ヒータH5が炉奥領域に設けられている。
第１〜第５分割ヒータH1〜H5はコントローラ８によりそ
の加熱能力をそれぞれ所望通りに設定でき得るようにな
っている。
次に作用を説明する。
つまり、ドア５を開放して治具３に保持されたウエハ２
を炉口４からプロセスチューブ１内に搬入する前、実施
例１と同様に第１ヒータH1と第２ヒータH2の加熱能力
を、ドア５の開放によるプロセスチューブ１内の温度降
下分、コントローラ８の指令により、高められており、
さらに、ウエハ２を搬入している間の温度降下が中央部
まで至るのを防止するため、搬入中も第１ヒータH1と第
２ヒータH2はコントローラ８の指令により加熱能力を高
められ続ける。これにより、プロセスチューブ１内の温
度分布は、ほぼ均一な分布状態になる。
を炉口４からプロセスチューブ１内に搬入する前、実施
例１と同様に第１ヒータH1と第２ヒータH2の加熱能力
を、ドア５の開放によるプロセスチューブ１内の温度降
下分、コントローラ８の指令により、高められており、
さらに、ウエハ２を搬入している間の温度降下が中央部
まで至るのを防止するため、搬入中も第１ヒータH1と第
２ヒータH2はコントローラ８の指令により加熱能力を高
められ続ける。これにより、プロセスチューブ１内の温
度分布は、ほぼ均一な分布状態になる。
また、実施例２と同様に、導入口７から、H2/O2が導入
される前に、コントローラ８の指令により第４ヒータH4
および第５ヒータH5の加熱能力がH2/O2導入、燃焼によ
るプロセスチューブ１内の温度上昇分、低められる。こ
のとき、第４ヒータH4よりも第５ヒータH5の方が能力を
一層低められる。さらに、H2が燃焼している間の温度上
昇が中央部にまで至るのを防止するため、燃焼中、第４
ヒータH4と第５ヒータH5はコントローラ８により加熱能
力を適当な割合で低下され続ける。これにより、プロセ
スチューブ１内の温度分布は、ほぼ均一な分布状況にな
る。
される前に、コントローラ８の指令により第４ヒータH4
および第５ヒータH5の加熱能力がH2/O2導入、燃焼によ
るプロセスチューブ１内の温度上昇分、低められる。こ
のとき、第４ヒータH4よりも第５ヒータH5の方が能力を
一層低められる。さらに、H2が燃焼している間の温度上
昇が中央部にまで至るのを防止するため、燃焼中、第４
ヒータH4と第５ヒータH5はコントローラ８により加熱能
力を適当な割合で低下され続ける。これにより、プロセ
スチューブ１内の温度分布は、ほぼ均一な分布状況にな
る。
上述した作用によれば、被処理物の搬入時や、処理ガス
の燃焼時等のように温度分布の不均衡が発生するような
場合においても、加熱温度を調整することができるた
め、プロセスチューブ内の温度分布を均一に保て、被処
理物に対する処理を均一に行なうことができる。
の燃焼時等のように温度分布の不均衡が発生するような
場合においても、加熱温度を調整することができるた
め、プロセスチューブ内の温度分布を均一に保て、被処
理物に対する処理を均一に行なうことができる。
（１） ヒータをプロセスチューブの長さ方向において
複数に分割するとともに、各分割ヒータの加熱能力を所
望温度に設定でき得るように構成することにより、被処
理物の搬入時や処理ガスの燃焼時等にように温度分布の
不均衡が発生する場合において加熱温度を調整すること
ができるため、プロセスチューブ内の温度分布を常に均
一に維持することができる。
複数に分割するとともに、各分割ヒータの加熱能力を所
望温度に設定でき得るように構成することにより、被処
理物の搬入時や処理ガスの燃焼時等にように温度分布の
不均衡が発生する場合において加熱温度を調整すること
ができるため、プロセスチューブ内の温度分布を常に均
一に維持することができる。
（２） 温度分布を均一に維持することにより、被処理
物に対する処理を均一化することができる。
物に対する処理を均一化することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウエハに酸化膜を形
成する熱処理装置に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、拡散炉,CVD
装置等にも適用できる。
をその背景となった利用分野であるウエハに酸化膜を形
成する熱処理装置に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、拡散炉,CVD
装置等にも適用できる。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、 第２図は（ａ），（ｂ）〜第５図（ａ），（ｂ）はその
作用を説明するための各線図、 第６図は本発明の他の実施例を示す縦断面図、 第７図（ａ），（ｂ）〜第10図（ａ），（ｂ）はその作
用を説明するための各線図、 第11図は本発明の他の実施例を説明するための図であ
る。 １……プロセスチューブ、２……ウエハ、３……治具、
４……炉口、５……ドア、６……スカベンジャ、７……
導入口、８……コントローラ、H1〜H5……分割ヒータ。
作用を説明するための各線図、 第６図は本発明の他の実施例を示す縦断面図、 第７図（ａ），（ｂ）〜第10図（ａ），（ｂ）はその作
用を説明するための各線図、 第11図は本発明の他の実施例を説明するための図であ
る。 １……プロセスチューブ、２……ウエハ、３……治具、
４……炉口、５……ドア、６……スカベンジャ、７……
導入口、８……コントローラ、H1〜H5……分割ヒータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長友 宏人 東京都小平市上水本町1450番地 株式会社 日立製作所武蔵工場内 (56)参考文献 特開 昭57−112011（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−42119（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−50843（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】被処理物を収容するプロセスチューブ内を
加熱するためにプロセスチューブの外部に設けたヒータ
が、炉口領域を加熱するヒータとウェハ処理領域を加熱
するヒータと炉奥領域を加熱するヒータとからなり各々
個別に制御される処理装置において、 ウェハ処理領域を加熱するヒータの炉奥側の端部及び炉
口側の端部を夫々個別に制御可能で且つ熱容量の小さい
ヒータとしたことを特徴とする処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067703A JPH0783000B2 (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067703A JPH0783000B2 (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8163278A Division JP2659926B2 (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211913A JPS60211913A (ja) | 1985-10-24 |
| JPH0783000B2 true JPH0783000B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=13352577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59067703A Expired - Lifetime JPH0783000B2 (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783000B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6185821A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長方法 |
| JPS632315A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | Nec Corp | 熱処理方法 |
| JPH03116929A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体基板用熱処理装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5742119A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | Decompression cvd device |
| JPS57112011A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Heat treatment equipment for semiconductor wafer |
| JPS59175719A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の熱処理方法 |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP59067703A patent/JPH0783000B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60211913A (ja) | 1985-10-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |