JPH03255635A - トランジスタ - Google Patents
トランジスタInfo
- Publication number
- JPH03255635A JPH03255635A JP2054123A JP5412390A JPH03255635A JP H03255635 A JPH03255635 A JP H03255635A JP 2054123 A JP2054123 A JP 2054123A JP 5412390 A JP5412390 A JP 5412390A JP H03255635 A JPH03255635 A JP H03255635A
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- JP
- Japan
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- collector
- semiconductor substrate
- base
- type semiconductor
- substrate
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔従来の技術〕
従来のトランジスタは一般に第３図に示すように、適当
なｎ型不純物濃度Ｎを有する半導体基板１（ｎ型半導体
基板）をコレクタとし、ｎ型半導体基板１の所定部分に
形成したシリコン酸化１１！２をマスクにしてｐ型不純
物を拡散してベース領域３（ｐ型ベース領域〉が形成さ
ている。
なｎ型不純物濃度Ｎを有する半導体基板１（ｎ型半導体
基板）をコレクタとし、ｎ型半導体基板１の所定部分に
形成したシリコン酸化１１！２をマスクにしてｐ型不純
物を拡散してベース領域３（ｐ型ベース領域〉が形成さ
ている。
この構造では、ｎ型半導体基板１の表面近傍のコレクタ
・ベース接合部４に隣接するコレクタ領域のコレクタ不
純物濃度と、ｎ型半導体基板１の表面近傍以外のコレク
ターベース接合部５に隣接するコレクタ領域のコレクタ
不純物濃度とは同じ値となる。
・ベース接合部４に隣接するコレクタ領域のコレクタ不
純物濃度と、ｎ型半導体基板１の表面近傍以外のコレク
ターベース接合部５に隣接するコレクタ領域のコレクタ
不純物濃度とは同じ値となる。
「発明が解決しようとする課題〕
コレクタ・ベース間の逆耐電圧ＶＢはコレクタ領域の不
純物濃度Ｎに左右され、コレクタ・ベース接合部の構造
にも影響される。
純物濃度Ｎに左右され、コレクタ・ベース接合部の構造
にも影響される。
第３図に示す従来のトランジスタ構造では、コレクタ・
ベースに電界を印加した場合（この場合、コレクタに正
、ベースに負）、ｎ型半導体基板１の表面近傍のコレク
タ・ベース接合部４に最も電界集中が起り、この部分か
ら降伏が開始す、る。
ベースに電界を印加した場合（この場合、コレクタに正
、ベースに負）、ｎ型半導体基板１の表面近傍のコレク
タ・ベース接合部４に最も電界集中が起り、この部分か
ら降伏が開始す、る。
コレクタ・ベース間の逆耐電圧ＶＢの理論値はＶＢ ＝
（εｓ Ｅｍ ２ ／ ２ｑ） ・ Ｎ（εＳ
は半導体の誘電率、Ｅ、は最大電界であり、ともに、半
導体自体で決まる定数）となり、ｎ型半導体基板１の表
面近傍以外のコレクタ・ベース接合部５においては、は
ぼこれに近い逆耐電圧を有している。
（εｓ Ｅｍ ２ ／ ２ｑ） ・ Ｎ（εＳ
は半導体の誘電率、Ｅ、は最大電界であり、ともに、半
導体自体で決まる定数）となり、ｎ型半導体基板１の表
面近傍以外のコレクタ・ベース接合部５においては、は
ぼこれに近い逆耐電圧を有している。
しかしながら、ｎ型半導体基板１の表面近傍のコレクタ
・ベース接合部４においては、電界集中が起るとめ、コ
レクタ・ベース間の逆耐電圧ＶＢは理論値の６０％程度
となり、トランジスタのコレクタ・ベース間に印加でき
る電圧が制約される。
・ベース接合部４においては、電界集中が起るとめ、コ
レクタ・ベース間の逆耐電圧ＶＢは理論値の６０％程度
となり、トランジスタのコレクタ・ベース間に印加でき
る電圧が制約される。
前述の問題点を解決するとめに、本発明のトランジスタ
においては、半導体基板の表面近傍に存在するコレクタ
・ベース接合部に隣接するコレクタ領域におけるコレク
タ不純物濃度が、半導体基板の表面近傍以外のコレクタ
・ベース接合部に隣接するコレクタ領域におけるコレク
タ不純物濃度より低濃度にする。
においては、半導体基板の表面近傍に存在するコレクタ
・ベース接合部に隣接するコレクタ領域におけるコレク
タ不純物濃度が、半導体基板の表面近傍以外のコレクタ
・ベース接合部に隣接するコレクタ領域におけるコレク
タ不純物濃度より低濃度にする。
第１図に本発明の第１の実施例のトランジスタ構造を得
るための工程順の断面図を示す。
るための工程順の断面図を示す。
まず、第１図（ａ）に示すように、ｎ型の不純物を含む
半導体基板１（ｎ型半導体基板〉の所定部分にシリコン
酸化膜２ａを形成する。
半導体基板１（ｎ型半導体基板〉の所定部分にシリコン
酸化膜２ａを形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、シリコン酸化ｆＰＡ
２ ａをマスクにｎ型半導体基板１の表面を部分的に
除去する。
２ ａをマスクにｎ型半導体基板１の表面を部分的に
除去する。
更に、第１図（ｃ）に示すように、低濃度のｎ型不純物
を含む半導体層６（ｎ−型半導体層〉を選択成長により
形成する。
を含む半導体層６（ｎ−型半導体層〉を選択成長により
形成する。
最後に、第１図（ｄ）に示すように、シリコン酸化膜２
ａを除去し、ｎ−型半導体層６の内部にｎ型半導体基板
１の表面近傍のコレクタ・ベース接合部４が含まれ、ｎ
型半導体基板１の表面近傍以外のコレクタ・ベース接合
部５の大部分が含まれぬように、拡散マスク用のシリコ
ン酸化膜２を用いてｐ型ベース領域３を形成する。
ａを除去し、ｎ−型半導体層６の内部にｎ型半導体基板
１の表面近傍のコレクタ・ベース接合部４が含まれ、ｎ
型半導体基板１の表面近傍以外のコレクタ・ベース接合
部５の大部分が含まれぬように、拡散マスク用のシリコ
ン酸化膜２を用いてｐ型ベース領域３を形成する。
ここで、コレクタはｎ型半導体基板１およびｎ−型半導
体層６から構成される。
体層６から構成される。
第２図に本発明の第２の実施例のトランジスタ構造を得
るための工程順の断面図を示す。
るための工程順の断面図を示す。
まず、第２図（ａ＞に示すように、ｎ型半導体基板１の
表面に、ｎ−型半導体層６ａを形成する。
表面に、ｎ−型半導体層６ａを形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜２ｂ
をマスクにして、前記のｎ−型半導体層６ａに選択的に
ｎ型不純物を拡散する。
をマスクにして、前記のｎ−型半導体層６ａに選択的に
ｎ型不純物を拡散する。
最後に、第２図（Ｃ）に示すように、シリコン酸化膜２
ｂを除去し、新たに形成したシリコン酸化膜２をマスク
してｐ型不純物を拡散し、ｐ型ベース領域３を形成する
。これにより、ｎ−型半導体層６ａの内部にｎ型半導体
基板１の表面近傍のコレクタ・ベース接合部４が含まれ
、ｎ型半導体基板１の表面近傍以外のコレクタ・ベース
接合部５の大部分はｎ型半導体基板１に接する構造とな
る。
ｂを除去し、新たに形成したシリコン酸化膜２をマスク
してｐ型不純物を拡散し、ｐ型ベース領域３を形成する
。これにより、ｎ−型半導体層６ａの内部にｎ型半導体
基板１の表面近傍のコレクタ・ベース接合部４が含まれ
、ｎ型半導体基板１の表面近傍以外のコレクタ・ベース
接合部５の大部分はｎ型半導体基板１に接する構造とな
る。
ここで、コレクタはｎ型半導体基板１およびｎ−型半導
体層６ａから構成される。
体層６ａから構成される。
以上説明したように本発明は、半導体基板の表面近傍の
コレクタ・ベース接合部に隣接したコレクタ領域の不純
物濃度を他の部分のコレクタ領域の不純物濃度より低く
することにより、コレクタ・ベース間の逆耐電圧の理論
値からの低下を従来のトランジスタより抑えることが実
現出来る。
コレクタ・ベース接合部に隣接したコレクタ領域の不純
物濃度を他の部分のコレクタ領域の不純物濃度より低く
することにより、コレクタ・ベース間の逆耐電圧の理論
値からの低下を従来のトランジスタより抑えることが実
現出来る。
このことから、トランジスタのコレクタ・ベースに印加
できる電圧の制約が緩和される。
できる電圧の制約が緩和される。
従来構造のトランジスタの場合、逆耐電圧ＶＢは理論値
の６０％程度であったが、本実施例において、ｎ−型半
導体層の不純物濃度をｎ型半導体基板の１／２以下にし
たところ、７５％〜８５％となった。
の６０％程度であったが、本実施例において、ｎ−型半
導体層の不純物濃度をｎ型半導体基板の１／２以下にし
たところ、７５％〜８５％となった。
なお、半導体基板の表面近傍のコレクタ・ベース接合部
に隣接したコレクタ領域はトランジスタ動作には大きく
関与しない領域であり、この部分の不純物濃度を低下さ
せても、トランジスタ特性には影響を与えない。
に隣接したコレクタ領域はトランジスタ動作には大きく
関与しない領域であり、この部分の不純物濃度を低下さ
せても、トランジスタ特性には影響を与えない。
第１図（ａ） 〜（ｄ）、第２図（ａ） 〜（Ｃ）は本
発明の実施例のトランジスタ構造の形成を示す工程順断
面図、第３図は従来のトランジスタの断面図である。 ■・・・ｎ型半導体基板、２．２ａ、２ｂ・・・シリコ
ン酸化膜、３・・・ｐ型ベース領域、４・・・ｎ型半導
体基板の表面近傍にあるコレクタ・ベース接合部、５・
・・ｎ型半導体基板の表面近傍以外にあるコレクタ・ベ
ース接合部、６，６ａ・・・ｎ−型半導体層。
発明の実施例のトランジスタ構造の形成を示す工程順断
面図、第３図は従来のトランジスタの断面図である。 ■・・・ｎ型半導体基板、２．２ａ、２ｂ・・・シリコ
ン酸化膜、３・・・ｐ型ベース領域、４・・・ｎ型半導
体基板の表面近傍にあるコレクタ・ベース接合部、５・
・・ｎ型半導体基板の表面近傍以外にあるコレクタ・ベ
ース接合部、６，６ａ・・・ｎ−型半導体層。
Claims (1)
- 半導体基板の表面から選択的に不純物を拡散して製造
するトランジスタにおいて、前記半導体基板の表面近傍
に存在するコレクタ・ベース接合部に隣接するコレクタ
領域におけるコレクタ不純物濃度が前記半導体基板の表
面近傍以外のコレクタ・ベース接合部に隣接するコレク
タ領域におけるコレクタ不純物濃度より低濃度であるこ
とを特徴とするトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2054123A JPH03255635A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2054123A JPH03255635A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03255635A true JPH03255635A (ja) | 1991-11-14 |
Family
ID=12961825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2054123A Pending JPH03255635A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03255635A (ja) |
-
1990
- 1990-03-05 JP JP2054123A patent/JPH03255635A/ja active Pending
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