JPH0325848B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0325848B2 JPH0325848B2 JP56071750A JP7175081A JPH0325848B2 JP H0325848 B2 JPH0325848 B2 JP H0325848B2 JP 56071750 A JP56071750 A JP 56071750A JP 7175081 A JP7175081 A JP 7175081A JP H0325848 B2 JPH0325848 B2 JP H0325848B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- coupling agent
- silane coupling
- magnetic layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
Landscapes
- Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は金属薄膜型磁気記録媒体の磁性層表面
の改質を行ない、耐食性、走行性の向上を目ざし
たものである。 一般に真空蒸着またはメツキ法で作成した薄膜
型磁気記録媒体は高密度性に優れているといわれ
ている。特に近年はオーデイオ録音用やビデオ録
画テープ用しての用途が期待されており、小型録
音テープ用として、プラスチツク基板上に真空蒸
着によつて、コバルト主成分合金の薄膜を形成し
たものは、実用化の域に入り、市販されるように
なつた。しかし、一般的に強磁性金属は腐食し易
く、これを避けるために磁性体自体の合金化の方
法や、磁性層上に高分子化合物の皮膜を形成する
などの方法が採用されている。しかし、これらの
方法においては、磁性層の合金化の場合、磁気特
性の観点からは耐食性の良い合金が必ずしも良い
特性とは言えないのが普通である。また、磁性層
表面に耐食性のある皮膜を形成する事は、効果は
あるが、電磁変換特性の観点からは、あまり皮膜
層の膜厚が大きすぎるのは好ましいとは言えな
い。皮膜層の厚みの許され得る範囲は高々500Å
であり、望ましくは200Å程度である。この程度
の膜厚を持ち、耐食性のある皮膜を安定にしかも
量産性良く形成するのは非常な困難を伴う。また
皮膜が形成されたとしても、この程度の厚みでは
完全に水分の侵入を妨げることは困難である。 本発明では、従来の困難さを避ける目的で、シ
ランカツプリング剤の溶液を塗布した後、乾燥さ
せることによつて、十分な耐食性を得るものであ
る。 以下本発明について説明する。 真空蒸着法、スパツタリング法、電気メツキ法
などで作成した、コバルトなどの強磁性金属より
成る磁気記録用薄膜媒体上にシランカツプリング
剤の溶液を塗布する。シランカツプリング剤とし
ては、反応基としてメトキシ基またはエトキシ基
などのアルコキシ基をもち、かつ長鎖のアルキル
基をもつものを用いる。ClまたはBrなどのハロ
ゲン原子の場合には、加水分解後、腐蝕性化合物
が発生するため、耐蝕性に悪影響を及ぼす。アル
キル基は、生成した皮膜の撥水性、滑性、溶解性
の観点から炭素数８から22のものが有用である。
炭素数８以下のアルキル基では、撥水性、滑性が
不十分であり、炭素数22以上のものは溶解の点か
ら不適当である。シランカツプリング剤はエタノ
ールを溶媒にして容量％で0.001％から10％を溶
かして、浸漬法、ハケ塗り法、スプレー法などに
よつて磁性薄膜上に塗布し、熱風乾燥機によつて
乾燥した。溶媒としては、他にメタノール、イソ
プロピルアルコールなどのアルコールを用いるこ
とができる。 シランカツプリング剤の濃度は出来るだけ、う
すい方が生成する膜がうすく、電磁変換特性の観
点から望ましい。しかしながら、濃度がうすすぎ
る場合には、金属薄膜上に均一に皮膜を形成する
こと、出来ず、金属薄膜がそのまま露出して、十
分な耐食性が得られない。以上の観点から、シラ
ンカツプリング剤の濃度は10％から0.001％が用
いられ、望ましくは１％から0.01％が適当であ
る。 シランカツプリング剤は、金属薄膜上の水分と
反応して加水分解し、薄膜上には、疎水性を示す
長鎖のアルキル基が整列した膜が出来る。その結
果、錆の原因となる水分が減少するだけでなく、
水に対する接触角も増大し、錆の原因となる水の
浸入を防ぎ、耐食性が向上する。 また、長鎖のアルキル基は、良好な滑性作用を
持つていることから、走行性も改善される。 なお後述の実施例では強磁性金属薄膜として
Co−Ni膜を用いているが、Co膜、Co−Cr膜、
Co−Ni−Cr膜、Co−Fe膜等においても類似の効
果が得られた。 次に具体的に実施例の説明を行う。 実施例 １ ポリエステルフイルム上に真空蒸着法で作成し
たコバルト（80％）、ニツケル（20％）の強磁性
合金薄膜の磁性層に下記の組成の溶液を塗布し
た。 シランカツプリング剤（トリエトキシステアリル
シラン：C18H37Si（OC2H5）3） １ml エチルアルコール 100ml 塗布後、60℃で約15分間乾燥した。処理したも
のは、処理前に比較して、磁性層の撥水性が改善
された。また鏡面仕上げしたSUS304のブロツク
上で10ｇの荷重下での摩擦抵抗を測定したとこ
ろ、処理前に比較して、約４分の３に低下してい
た。 第１表に、接触角と環境試験結果を示す。
の改質を行ない、耐食性、走行性の向上を目ざし
たものである。 一般に真空蒸着またはメツキ法で作成した薄膜
型磁気記録媒体は高密度性に優れているといわれ
ている。特に近年はオーデイオ録音用やビデオ録
画テープ用しての用途が期待されており、小型録
音テープ用として、プラスチツク基板上に真空蒸
着によつて、コバルト主成分合金の薄膜を形成し
たものは、実用化の域に入り、市販されるように
なつた。しかし、一般的に強磁性金属は腐食し易
く、これを避けるために磁性体自体の合金化の方
法や、磁性層上に高分子化合物の皮膜を形成する
などの方法が採用されている。しかし、これらの
方法においては、磁性層の合金化の場合、磁気特
性の観点からは耐食性の良い合金が必ずしも良い
特性とは言えないのが普通である。また、磁性層
表面に耐食性のある皮膜を形成する事は、効果は
あるが、電磁変換特性の観点からは、あまり皮膜
層の膜厚が大きすぎるのは好ましいとは言えな
い。皮膜層の厚みの許され得る範囲は高々500Å
であり、望ましくは200Å程度である。この程度
の膜厚を持ち、耐食性のある皮膜を安定にしかも
量産性良く形成するのは非常な困難を伴う。また
皮膜が形成されたとしても、この程度の厚みでは
完全に水分の侵入を妨げることは困難である。 本発明では、従来の困難さを避ける目的で、シ
ランカツプリング剤の溶液を塗布した後、乾燥さ
せることによつて、十分な耐食性を得るものであ
る。 以下本発明について説明する。 真空蒸着法、スパツタリング法、電気メツキ法
などで作成した、コバルトなどの強磁性金属より
成る磁気記録用薄膜媒体上にシランカツプリング
剤の溶液を塗布する。シランカツプリング剤とし
ては、反応基としてメトキシ基またはエトキシ基
などのアルコキシ基をもち、かつ長鎖のアルキル
基をもつものを用いる。ClまたはBrなどのハロ
ゲン原子の場合には、加水分解後、腐蝕性化合物
が発生するため、耐蝕性に悪影響を及ぼす。アル
キル基は、生成した皮膜の撥水性、滑性、溶解性
の観点から炭素数８から22のものが有用である。
炭素数８以下のアルキル基では、撥水性、滑性が
不十分であり、炭素数22以上のものは溶解の点か
ら不適当である。シランカツプリング剤はエタノ
ールを溶媒にして容量％で0.001％から10％を溶
かして、浸漬法、ハケ塗り法、スプレー法などに
よつて磁性薄膜上に塗布し、熱風乾燥機によつて
乾燥した。溶媒としては、他にメタノール、イソ
プロピルアルコールなどのアルコールを用いるこ
とができる。 シランカツプリング剤の濃度は出来るだけ、う
すい方が生成する膜がうすく、電磁変換特性の観
点から望ましい。しかしながら、濃度がうすすぎ
る場合には、金属薄膜上に均一に皮膜を形成する
こと、出来ず、金属薄膜がそのまま露出して、十
分な耐食性が得られない。以上の観点から、シラ
ンカツプリング剤の濃度は10％から0.001％が用
いられ、望ましくは１％から0.01％が適当であ
る。 シランカツプリング剤は、金属薄膜上の水分と
反応して加水分解し、薄膜上には、疎水性を示す
長鎖のアルキル基が整列した膜が出来る。その結
果、錆の原因となる水分が減少するだけでなく、
水に対する接触角も増大し、錆の原因となる水の
浸入を防ぎ、耐食性が向上する。 また、長鎖のアルキル基は、良好な滑性作用を
持つていることから、走行性も改善される。 なお後述の実施例では強磁性金属薄膜として
Co−Ni膜を用いているが、Co膜、Co−Cr膜、
Co−Ni−Cr膜、Co−Fe膜等においても類似の効
果が得られた。 次に具体的に実施例の説明を行う。 実施例 １ ポリエステルフイルム上に真空蒸着法で作成し
たコバルト（80％）、ニツケル（20％）の強磁性
合金薄膜の磁性層に下記の組成の溶液を塗布し
た。 シランカツプリング剤（トリエトキシステアリル
シラン：C18H37Si（OC2H5）3） １ml エチルアルコール 100ml 塗布後、60℃で約15分間乾燥した。処理したも
のは、処理前に比較して、磁性層の撥水性が改善
された。また鏡面仕上げしたSUS304のブロツク
上で10ｇの荷重下での摩擦抵抗を測定したとこ
ろ、処理前に比較して、約４分の３に低下してい
た。 第１表に、接触角と環境試験結果を示す。
【表】
この効果はCo100％又はCoに比してNiの量が
５％〜35％又はCoにSi、Ｗ、Ｖ、Cr等を添加し
たものの磁性層に於ても同一であつた。又、製造
条件による差も少く、メツキ、スパツタ膜でも効
果を発揮することを確認している。 なお上記のことは後出の実施例２、３において
も同様であつた。 実施例 ２ ポリエステルフイルム上に真空蒸着法で作成し
たコバルト（80％）、ニツケル（20％）の強磁性
合金薄膜の磁性層に下記の組成の溶液を塗布し
た。 シランカツプリング剤（トリメトキシカプリルシ
ラン；C8H17Si（OCH3）3） １ml エチルアルコール 100ml 処理後、60℃で約15分間乾燥した。処理したも
のは、処理前に比較して、磁性層の撥水性が改善
された。また鏡面仕上げしたSUS304のブロツク
上で10ｇの荷重下での摩擦抵抗を測定したとこ
ろ、処理前に比較して、約５分の４に低下してい
た。 第２表に接触角と環境試験結果を示す。
５％〜35％又はCoにSi、Ｗ、Ｖ、Cr等を添加し
たものの磁性層に於ても同一であつた。又、製造
条件による差も少く、メツキ、スパツタ膜でも効
果を発揮することを確認している。 なお上記のことは後出の実施例２、３において
も同様であつた。 実施例 ２ ポリエステルフイルム上に真空蒸着法で作成し
たコバルト（80％）、ニツケル（20％）の強磁性
合金薄膜の磁性層に下記の組成の溶液を塗布し
た。 シランカツプリング剤（トリメトキシカプリルシ
ラン；C8H17Si（OCH3）3） １ml エチルアルコール 100ml 処理後、60℃で約15分間乾燥した。処理したも
のは、処理前に比較して、磁性層の撥水性が改善
された。また鏡面仕上げしたSUS304のブロツク
上で10ｇの荷重下での摩擦抵抗を測定したとこ
ろ、処理前に比較して、約５分の４に低下してい
た。 第２表に接触角と環境試験結果を示す。
【表】
実施例 ３
ポリエステルフイルム上に真空蒸着法で作成し
たコバルト（80％）、ニツケル（20％）の強磁性
合金薄膜の磁性層に下記の組成の溶液を塗布し
た。 シランカツプリング剤（トリエトキシベヘニツク
シラン；C22H45Si（OC2H5）3） １ml エタノール 100ml 塗布後、60℃で約15分間乾燥した。処理したも
のは、処理前に比較して、磁性層の撥水性が改善
された。また鏡面仕上げしたSUS304のブロツク
上で10ｇの荷重下での摩擦抵抗を測定したところ
処理前に比較して約３分の２に低下していた。第
３表に接触角の測定結果と環境試験の結果を示
す。
たコバルト（80％）、ニツケル（20％）の強磁性
合金薄膜の磁性層に下記の組成の溶液を塗布し
た。 シランカツプリング剤（トリエトキシベヘニツク
シラン；C22H45Si（OC2H5）3） １ml エタノール 100ml 塗布後、60℃で約15分間乾燥した。処理したも
のは、処理前に比較して、磁性層の撥水性が改善
された。また鏡面仕上げしたSUS304のブロツク
上で10ｇの荷重下での摩擦抵抗を測定したところ
処理前に比較して約３分の２に低下していた。第
３表に接触角の測定結果と環境試験の結果を示
す。
【表】
比較例 １
実施例１と同様にして、下記の組成の溶液を塗
布し、乾燥した。 シランカツプリング剤（CH2＝CHSiCl3） １ml エチルアルコール 100ml 比較例 ２ 実施例１と同様にして、下記の組成の溶液を塗
布し、乾燥した。 シランカツプリング剤（H2NC3H6Si（OCH3）3）
１ml エチルアルコール 100ml 比較例１、２で得られた試料の評価結果を以下
に示す。
布し、乾燥した。 シランカツプリング剤（CH2＝CHSiCl3） １ml エチルアルコール 100ml 比較例 ２ 実施例１と同様にして、下記の組成の溶液を塗
布し、乾燥した。 シランカツプリング剤（H2NC3H6Si（OCH3）3）
１ml エチルアルコール 100ml 比較例１、２で得られた試料の評価結果を以下
に示す。
【表】
＊ 処理前を１とする
本発明によると以上のように金属薄膜型磁気記
録媒体の耐食性と走向性を容易に高めることがで
きる。
本発明によると以上のように金属薄膜型磁気記
録媒体の耐食性と走向性を容易に高めることがで
きる。
Claims (1)
- １ 強磁性金属薄膜より成る磁性層表面に炭素数
８から22のアルキル基とメトキシ基またはエトキ
シ基から成る反応基を有するシランカツプリング
剤の溶液を塗布し乾燥することを特徴とする金属
薄膜型磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56071750A JPS57186230A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Metallic thin film type magnetic recording medium and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56071750A JPS57186230A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Metallic thin film type magnetic recording medium and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57186230A JPS57186230A (en) | 1982-11-16 |
| JPH0325848B2 true JPH0325848B2 (ja) | 1991-04-09 |
Family
ID=13469514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56071750A Granted JPS57186230A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Metallic thin film type magnetic recording medium and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57186230A (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5312873U (ja) * | 1976-07-14 | 1978-02-02 | ||
| JPS5415704A (en) * | 1977-07-05 | 1979-02-05 | Nec Corp | Magnetic recording medium |
| JPS5525821A (en) * | 1978-08-08 | 1980-02-23 | Nec Corp | Magnetic memory substance |
| JPS5525822A (en) * | 1978-08-08 | 1980-02-23 | Nec Corp | Magnetic memory substance |
| JPS54162508A (en) * | 1978-06-13 | 1979-12-24 | Nec Corp | Magnetic memory medium |
| JPS5613761A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-10 | Pioneer Electronic Corp | Preparation of semiconductor device |
-
1981
- 1981-05-13 JP JP56071750A patent/JPS57186230A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57186230A (en) | 1982-11-16 |
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