JPH0325916A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、補強板に半導体．ウェハを貼り付けた後、
規定厚みに研削した半導体ウェハに裏面、よりウエッ１
・エッチングによってバイアホールを形成するプロセス
において、前記バイアホール形成用のレジス１−に開口
部を形成するための半導体装置の製造装置に関すろもの
である。

〔従来の技術〕

第２図（ａ），（ｂ）は従来方法でパイアホー／Ｌを形
成した状態を示す平面図と断面図である。この図におい
て、１は研削後の半導体ウエノ＼（以下、単にウェハと
いう）、２はこのウェハ１が貼り付けられ補強される補
強板、９はウエ・ン１・エッチングで開口された小口径
バイアホール、１０は同様にして開口された大口径バイ
アホールである。

次にバイアホールの形成手順を第２図に基づいて説明す
る。

ウェハ１は、補強板２に貼り付けられな後、研削等の手
段で規定の厚みに仕上げられるが、ウェハ１の面内では
、その厚みは図示のようにＴ，〜Ｔ２の範囲に仕上がり
、その差は１５〜２０μｍになる。この状態でウェハ１
にレジストを塗布し、バイアホールを形成するためのレ
ジスＩ・開口部を形成（図示せず）するが、−ａに同一
径の開口部がウェハ１の全面所定位置に位置するように
レジストに形成された後、ウェッ１・エッチング法を用
いてウェハ１にバイアホールを形成する。

さて、この方法で形成されるバイアホールは、エッチン
グ開始面、すなわちウェハ１の裏面に形成されたレジス
ト開口部は、ウェハ１の厚みに関係なく大きさが同じで
あるが、ウェハ１の面内で厚みが厚いＴ２部においては
、バイアホールが未貫通となる小口径バイアホール９が
形成され、ウェハ１の面内で厚みの薄いＴ１部において
は、バイアホールがエッチング過多となる大口径バイア
ホール１０が形成されてしまう。

〔課題を解決するための手段〕

上記のように従来の方法で形成されるパイアホルは、ウ
ェハ厚のバラッキによってバイアホールの大きさがまち
まちとなり、オーバエッチングされたり、未貫通部がで
きたりする等の問題点があった。

この発明は、上記のような従来の問題点を解消するため
になされたもので、ウェハ内の厚みが異なっていても全
箇所のバイアホールが確実に貫通する開口部をレジスト
に形成するようにした半導体装置の製造装置を得ること
を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体装置の製造装置は、レジストパタ
ーンの形成に際して半導体ウエ八の各部の基板厚を測定
する測定子と、この測定結果を記憶する記憶装置と、こ
の記憶結果を取出し開口部を形成する部分の基板厚に応
じた開口径を演算する演算装置と、この演算結果により
作動し、レジストに演算で求めた開口径の開口部を形成
する電子ビーム露光装置を備えたものである。

〔作用〕

この発明における半導体装置の製造装置は、バイアホー
ル形成用のレジスト開口部径を、測定したウェハ厚のデ
ータから電子ビーム露光装置を制御して形成するように
したことから、ウェハ厚に適合したバイアホールが形或
でき、バイアホールの未貫通部がなくなる。

〔実施例〕

第１図はこの発明の半導体装置の製造装置の一実施例の
構成を示す図である。この図において、１，２は第２図
に示したものと同じものである。

３は前記ウェハ１に塗布されたレジスト、４は前記ウェ
ハ１の厚みの面内分布を測定する測定子、５は各位置の
ウエ八１の厚みデータを記憶する記憶装置、６はこの記
憶装置５から送られたデータからレジスト３に開口する
開口径を演算する演算装置、７はこの演算装置６の演算
結果によって作動する電子ビーム露光装置、８はこの電
子ビーム露光装置７からレジスト３に照射される電子ビ
ームである。

次に動作について説明する。

測定子４はウェハ１内の任意の位置にＸＹテーブル等で
移動され、各位置の厚みデータを収果し、位置と厚みの
データを記憶装置５に記憶させる。

このデータ収集が終了したら、ウェハ１上にレジスト３
を塗布し、電子ビーム露光装置７へ設定する。記憶装置
５から演算装置６に送られたデータは、ウェハ１の厚み
のデータ・エッチング液の特性等′ｈ）．らレジスト３
への開口径を演算する。す゜なわち、一般にウェ八１の
厚みが厚い場合は、レジスト３の開口径を大き＜シ、ま
た、逆にウェハ１の厚みが薄い場合は、レジスト３の開
口径を小さくして最終的にウェハ１の表側パターンに接
するバイアホール開口径の大きさを同一にする。

この演算結果に基づいて電子ビーム露光装置７から発す
る電子ピーム８を制御し、レジスト３にウェ八１の厚み
に適した間口径を形成する。そして、ウエツ１・エッチ
ングによりバイアホールを形成することによってウェハ
１の表側パターンに同一の大きさのバイアホール開口径
を形成することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明は、レジストパターンの
形成に際して半導体ウェハの各部の基板厚を測定する測
定子と、この測定結果を記憶する記憶装置と、この記憶
結果を取出し開口部を形成する部分の基板厚に応じた間
口径を演算ずろ演算装置と、この演算結果により作動し
、レジストに演算で求めた開口径の開口部を形成する電
子ピム露光装置を備えたので、ウェハ厚の面内分布がど
のように変化していても的確にバイアホールを形成する
ことが可能となり、ウェハ歩留りが向上するのはもちろ
ん、バイアホール部に電気的接続が安定し、信頼性の高
い半導体装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の半導体装置の製造装置を
示す構成図、第２図（ａ），（ｂ）は従来のバイアホー
ルの形成状況を示す平面図と断面図である。 図において、１はウェハ、２は補強板、３はレジスト、
４は測定子、５は記憶装置、６は演算装置、７は電子ビ
ーム露光装置、８は電子ビームである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 補強板に貼り付けられな半導体ウェハに、レジストに開
   口部が形成されたレジストパターンをマスクにしてバイ
   アホールを形成する半導体装置の製造装置において、前
   記レジストパターンの形成に際して前記半導体ウェハの
   各部の基板厚を測定する測定子と、この測定結果を記憶
   する記憶装置と、この記憶結果を取出し開口部を形成す
   る部分の基板厚に応じた開口径を演算する演算装置と、
   この演算結果により作動し、前記レジストに前記演算で
   求めた開口径の開口部を形成する電子ビーム露光装置を
   備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。