JPH0325938B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0325938B2
JPH0325938B2 JP56147559A JP14755981A JPH0325938B2 JP H0325938 B2 JPH0325938 B2 JP H0325938B2 JP 56147559 A JP56147559 A JP 56147559A JP 14755981 A JP14755981 A JP 14755981A JP H0325938 B2 JPH0325938 B2 JP H0325938B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
plasma processing
arm member
unloader
loader
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP56147559A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5848935A (ja
Inventor
Akira Uehara
Isamu Hijikata
Juichi Myazaki
Hiroyuki Kyota
Hisashi Nakane
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP56147559A priority Critical patent/JPS5848935A/ja
Publication of JPS5848935A publication Critical patent/JPS5848935A/ja
Publication of JPH0325938B2 publication Critical patent/JPH0325938B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/30Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
    • H10P72/34Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H10P72/3402Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/30Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
    • H10P72/34Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H10P72/3411Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H10P72/3412Batch transfer of wafers

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はLSI或いは超LSI等の大集積回路を形
成したチツプの製造に用いる半導体ウエハーのエ
ツチング、クリーニング及び半導体ウエハー表面
のホトレジスト層のアツシング(灰化剥離)等に
用いるプラズマ処理装置に関する。
半導体集積回路における微細加工には、露光・
現像によりパターンを形成したレジスト膜によつ
て被覆されていない半導体ウエハー上に作成され
た絶縁膜、半導体膜或いは導体膜をエツチングす
る工程、上記膜をクリーニングする工程、及び、
エツチング終了後にマスクに用いたレジスト膜を
ウエハー表面から除去するアツシング工程等が含
まれている。
そして従来にあつては、これらエツチング、ク
リーニング或いはアツシングは無機酸、有機溶剤
等の種々の液体化学薬品を用いた湿式処理によつ
て行なつてきた。しかしながら斯る湿式処理では
微細加工の精度を高めることができず且つ廃液処
理等の問題があり、特に最近では超LSIの開発に
伴ないパターンは更に微細化する傾向にあるた
め、プラズマを利用した所謂ドライエツチング、
ドライアツシングへ移行している。
このため、ドライエツチング等を行なうプラズ
マ処理装置も種々提案されているが、これらの多
くは、手作業によつて半導体ウエハーをプラズマ
発生用チヤンバー内に装填したり、チヤンバー内
から取り出すようにしたものであり、極めて作業
能率が低く、且つウエハー自体を破損させる場合
が多く製品歩留も好ましいものではない。このた
め自動的に処理する装置も提案されている。例え
ば特開昭53−90870号に示される如きものである。
しかしながら斯る装置は、ウエハーを収納したカ
セツトの搬送方向に対して直角にチヤンバーが開
口しているため、カセツトの搬送方向を途中で変
化させなければならず、このため装置自体の機構
が複雑化し、大型化するという問題がある。
本発明者等は上述の如き従来の問題点に鑑み、
これを有効に解決すベく本発明を為したものであ
り、その目的とする処は簡単な機構でコンパクト
化が図れ、且つ半導体ウエハーを連続して自動的
に処理できる自動プラズマ処理装置を提供するに
ある。
斯る目的を達成すべく第1発明は装置本体に複
数枚のウエハーを収納したカセツトを搬送する搬
送部材を設けるとともに、この搬送部材の搬送方
向に対して開口するプラズマ発生用チヤンバーを
設置し、このチヤンバーの開口を自動的に開閉す
る蓋体を付設し、更に昇降動作及び水平動作を行
なうアーム部材によつて、搬送部材上のカセツト
をチヤンバー内に送り込むとともに、チヤンバー
内のカセツトを搬送部材上に取り出すようにした
ことを要旨としている。そして第2発明は上記第
1発明の搬送部材をアーム部材に一体的に取り付
けたことをその要旨としている。
以下に本発明の好適一実施例を添付図面に基い
て詳述する。
第1図は第1発明に係るプラズマ処理装置の全
体斜視図である。図中1は2つのチヤンバーを併
設し、多数のウエハーを同時に処理し得るように
したプラズマ処理装置であり、このプラズマ処理
装置1は中央に各種制御ボタン2…を備えた制御
ボツクス3の配設し、この制御ボツクス3内に各
種配線の他、真空ポンプ及び高周波電源等を組み
込んでいる。
そして上記制御ボツクス3のローダ側及びアン
ローダ側に長箱状のケース4,5を連設し、それ
らケース4,5の側面を開閉扉6…としている。
またケース4,5の上面中央部には長手方向に開
口部7,8を形成し、この開口部7,8に複数の
ウエハー9…を収納したカセツト10の搬送部材
である無端ベルト11,12を臨ませている。こ
の無端ベルト11,12の上面は上記ケース4,
5の上面と略々面一とされ、その幅は開口部7,
8の幅よりも狭くなつており、無端ベルト11,
12の側端部と開口部7,8との間には隙間1
3,14が形成され、この隙間13,14から側
面アングル状をなす二股状のアーム部材15の上
部が突出し得るようにしている。
またケース4の前端部には前工程における処理
が済んだウエハー9を収納したカセツト10を無
端ベルト11上に載せるためのリフト機構等を組
み込んだ連通部16を設け、ケース5の後端部に
はプラズマ処理が済んだウエハー9を収納したカ
セツト10を次工程へ移送するための連通部17
を設けている。
更に上記制御ボツクス3の上部には前面及び後
面が開口したカバー18を設け、このカバー18
内にプラズマ発生用チヤンバー19を配設してい
る。このプラズマ発生用チヤンバー19は略々円
筒状をなす石英管の外周部に電極板を固定して高
周波を印加するようにしたものであり、両端の開
口部は上記カセツト10の搬送方向に向つて開口
している。換言すればカセツト10の搬送方向と
チヤンバー18の軸とは一致している。
第2図及び第3図はアーム部材15に昇降動作
及び水平動作をなさしめる機構を示すものであ
り、前記ケース4の底部にシリンダユニツト20
を水平方向に固定設置し、このシリンダユニツト
20のロツド21に支持体22を嵌着し、この支
持体22上面に垂直方向にシリンダユニツト23
を立設し、このシリンダユニツト23のロツド2
4の先端部にアーム部材15の下端部を固着して
いる。而してアーム部材15はシリンダユニツト
20のロツド21の出没動によつて水平動作を行
ない、シリンダユニツト23のロツド24の出没
動で昇降動作を行なう。
また、上記の機構はケース5の内部にも設けら
れている。
第4図乃至第6図はチヤンバー19の開口部を
開閉する蓋体25の開閉動作を示すものであり、
前記カバー18の前端部下方、即ち制御ボツクス
3とケース4の境界部近傍の底部にシリンダユニ
ツト26を垂直方向に立設している。そしてこの
シリンダユニツト26のロツド27はカバー18
の前端下部から内方に折曲したブラケツト28を
貫通して上下方向に出没可能とされ、且つロツド
27の先端部には支持体29を固着している。こ
の支持体29の側面には前記蓋体25がアーム3
0,30を介して取り付けられており、このアー
ム30,30は支持体29内に設けたスプリング
によつて図中反時計方向に付勢されている。した
がつて第4図に示す如くロツド27が引つ込んだ
状態にあるときは蓋体25の上端部が支持体29
の上端部よりも上方へ突出することとなる。
而して第4図の状態から、ロツド27が突出動
すると、蓋体25はそれにつれて上昇し、その上
端部がカバー18の天井面18aに当接する。そ
して更にロツド27が突出すると支持体29のみ
が上昇し、これにつれてアーム30,30は時計
方向に回動する。その結果蓋体25はその上端部
を天井面18aに摺動しつつ図中右方向、即ちチ
ヤンバー19の開口部19aに向つて移動する。
そして支持体29の上端部が天井面18aに当接
したとき、つまりロツド27の上動限において、
蓋体25の側面に取り付けたシールリング31が
チヤンバー19の前端部のフランジ19bに当接
し、第5図に示すように開口部19aを気密に閉
塞することとなる。そして前記と逆の動作により
第6図に示す如き元の状態に戻る。
またチヤンバー19の後端部の開口部を開閉す
る蓋体25も上記と同様の機構によつて動作する
ようになつている。
以上の如き構成からなる第1発明の作用を第7
図に基いて説明する。
先ず第7図イに示す如く、カセツト10が無端
ベルト11の先端部までくるとリミツトスイツチ
により無端ベルト11が停止し、これと同時にチ
ヤンバー19の前端開口部を閉じていた蓋体25
が降下し、開口部を開ける。次いでロに示す如く
アーム部材15が上昇し、カセツト10を無端ベ
ルト11上から持ち上げ、ハに示す如くアーム部
材15が右方向に移動しカセツト10をチヤンバ
ー19内に送り込む。次いでニに示す如くアーム
部材15が若干降下してチヤンバー19内に配設
した載置台32上にカセツト10を載せ、ホに示
す如くアーム部材15が後退し、これと同時にロ
ーダ側の蓋体25が上昇しチヤンバー19の開口
部を気密に閉じる。
そして所定時間チヤンバー内でプラズマ処理を
行なつた後、ヘに示す如くアンローダ側の蓋体2
5を下げてチヤンバー19の後端開口を設け、次
いでトに示す如くアンローダ側のアーム部材15
がチヤンバー内に入りカセツト10の下方に位置
する。この後アーム部材15は先端部にカセツト
を載せたまま後退し、チに示す如くアンローダ側
の無端ベルト12上にカセツト10を移す。そし
てこのカセツト10はリに示す如く無端ベルト1
2により後方へ搬送され、次工程へと送られる。
つまり、カセツト10は第1図及び第7図に示
すごとく、ほぼ直線上を後退することなく略前進
搬送される。
第8図及び第9図は第2発明の第1発明とは異
つた構成としてアーム部材の動作機構を示すもの
である。
即ち第2発明にあつては、水平方向に設置した
シリンダユニツト33のロツド34の先端部に支
持体35を固着し、この支持体35に案内棒3
6,36を貫通せしめることで、支持体35がロ
ツド34の出没動によつて案内棒36,36に沿
つて水平動作を行なうようにしている。そしてこ
の支持体35上には支持板37を介して案内棒3
8,38を垂直方向に設けるとともに、シリンダ
ユニツト39を立設し、このシリンダユニツト3
9のロツド40の先端部にアーム部材41の基部
下面を固着している。このアーム部材41は上面
を水平とするとともに、その上面に長さ方向に伸
びる凹溝42を形成し、この凹溝42によつてア
ーム部材41を左右の突条部41a,41bに分
けている。そして左側の突条部41aには上記案
内棒38が挿通する孔を形成し、上記ロツド40
の出没動に応じてアーム部材41が案内棒38に
沿つて昇降動するようにしている。また右側の突
条部41bの先端部及び後端部に軸43,44を
回転自在に挿通し、これら軸43,44の両端に
プーリ45,46を嵌合し、プーリ45,46間
にベルト47,47を張り渡し、図示しないモー
タによりベルト47を駆動するようにしている。
第10図及び第11図はアーム部材41に昇降
動作及び水平動作をなさしめる機構の別実施例を
示すものであり、同一部材については同一番号を
付している。
即ちモータ48によつて回転せしめられるとと
もに、雄ネジ部を刻設した軸49を水平方向に架
設し、且つこの軸49に支持体35を螺着し、軸
49の回転に応じて支持体35が案内棒36に沿
つて水平方向に移動するようにしている。そして
支持体35上にモータ50を固定し、このモータ
50によつて回転せしめられるとともに雄ネジ部
を刻設した軸51を立設し、この軸51に前記ア
ーム部材41を螺合している。而してモータ50
を駆動することでアーム部材41は案内棒38に
沿つて昇降動を行なう。
以上の如き構成からなる第2発明も前記第7図
に示したと同様の作用によつて半導体ウエハー9
…を収納したカセツト10をチヤンバー19内に
送り込み、所定時間プラズマ処理をした後、カセ
ツト10をチヤンバー19から取り出すようにな
つている。
尚、第2発明においても、カセツト10はほぼ
直線上を後退することなく略前進搬送される。
以上の説明で明らかな如く本発明によれば、プ
ラズマ処理装置のケース等に複数枚の半導体ウエ
ハーを収めたカセツトを搬送する搬送部材を設け
るとともに、該カセツトの搬送方向に開口するプ
ラズマ発生用チヤンバーを設置し、昇降動作及び
水平動作を行なうアーム部材によつてカセツトの
チヤンバー内への送り込み及び取り出しを自動的
に行なえるようにし、或いは上記アーム部材に上
記搬送部材を一体的に取り付けることでカセツト
のチヤンバー内への送り込み及び取り出しを自動
的に行なえるようにしたので、少ない部品点数に
より多数枚のウエハーを効率良く処理でき、且つ
故障しにくくコンパクト化が図れるプラズマ処理
装置を安価に製作できる等多大の利点を有する。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施の一例を示すものであり、
第1図は第1発明に係るプラズマ処理装置の全体
斜視図、第2図はアーム部材に昇降動作及び水平
動作を行なわせる機構を示す正面図、第3図は同
機構の側面図、第4図乃至第6図は蓋体の開閉動
を行なう機構を示す一部破断正面図、第7図イ乃
至リはプラズマ処理装置の作動を順を追つて説明
した正面図、第8図は第2発明に係るプラズマ処
理装置のアーム部材に昇降動作及び水平動作を行
なわせる機構を示す正面図、第9図は同機構の側
面図、第10図は別実施例を示す第8図と同様の
正面図、第11図は同別実施例の第9図と同様の
側面図である。 尚、図面中9はウエハー、10はカセツト、1
1,12,47は搬送部材、15,41はアーム
部材、19はプラズマ発生用チヤンバー、19a
はチヤンバーの開口、25は蓋体である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 複数枚のウエハーを納めたカセツトをチヤン
    バーに収容してウエハーを処理する自動プラズマ
    処理装置において、この自動プラズマ処理装置は
    カセツトの搬送方向の上流側から下流側に向つて
    順次ローダ側搬送部材、ローダ側蓋体、チヤンバ
    ー、アンローダ側蓋体及びアンローダ側搬送部材
    を直列に配設し、前記ローダ側及びアンローダ側
    搬送部材の夫々は、これら搬送部材とチヤンバー
    との間でカセツトの受け渡しを行うべく昇降及び
    水平動可能とされたアーム部材と、このアーム部
    材の長手方向に走行し且つ上面より突出させてア
    ーム部材に設けられた一対の無端ベルトとからな
    ることを特徴とする自動プラズマ処理装置。 2 複数枚のウエハーを納めたカセツトをチヤン
    バーに収容してウエハーを処理する自動プラズマ
    処理装置におて、この自動プラズマ処理装置はカ
    セツトの搬送方向の上流側から下流側に向つて順
    次ローダ側搬送部材、ローダ側蓋体、チヤンバ
    ー、アンローダ側蓋体及びアンローダ側搬送部材
    を直列に配設し、前記ローダ側及びアンローダ側
    搬送部材は無端ベルトで構成し、これら無端ベル
    トとチヤンバーとの間でのカセツト受け渡しは昇
    降及び水平動可能とされ一対のアーム部材でそれ
    ぞれ行うことを特徴とする自動プラズマ処理装
    置。
JP56147559A 1981-09-18 1981-09-18 自動プラズマ処理装置 Granted JPS5848935A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56147559A JPS5848935A (ja) 1981-09-18 1981-09-18 自動プラズマ処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56147559A JPS5848935A (ja) 1981-09-18 1981-09-18 自動プラズマ処理装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61250343A Division JPS6323331A (ja) 1986-10-21 1986-10-21 蓋体の開閉機構

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5848935A JPS5848935A (ja) 1983-03-23
JPH0325938B2 true JPH0325938B2 (ja) 1991-04-09

Family

ID=15433075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56147559A Granted JPS5848935A (ja) 1981-09-18 1981-09-18 自動プラズマ処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5848935A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01181527A (ja) * 1988-01-11 1989-07-19 Mitsubishi Electric Corp プラズマ真空容器のシール装置
US6709522B1 (en) * 2000-07-11 2004-03-23 Nordson Corporation Material handling system and methods for a multichamber plasma treatment system

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS513743U (ja) * 1974-06-25 1976-01-12
JPS5633151Y2 (ja) * 1977-03-17 1981-08-06

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5848935A (ja) 1983-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4522329B2 (ja) 基板処理装置
KR890004571B1 (ko) Ic 제조를 위한 플라스마 처리장치
KR100875788B1 (ko) 기판처리장치
KR100736802B1 (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
CN101388333A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
CN101009212A (zh) 基板处理装置
US20180314158A1 (en) Unit for supplying liquid, apparatus for treating a substrate, and method for treating a substrate
US11256180B2 (en) Processing apparatus and method thereof
JP5004611B2 (ja) 基板処理装置
JPS5860552A (ja) 縦型自動プラズマ処理装置
JPH0325938B2 (ja)
US20030164181A1 (en) Substrate processing apparatus
JPS5860553A (ja) 縦型自動プラズマ処理装置
KR100433067B1 (ko) 반도체 제조장치
KR100542631B1 (ko) 반도체 제조 설비
KR102233465B1 (ko) 기판반송유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법
KR100268951B1 (ko) 반도체소자 제조 공정용 다중 챔버형 감광제 제거장치
KR100437850B1 (ko) 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법
JPS58124241A (ja) 半導体基板現像装置
JP3822745B2 (ja) 洗浄装置
KR0126509Y1 (ko) 감광막 제거 장치
JP4005388B2 (ja) 基板処理システム
KR102257430B1 (ko) 현상 장치, 기판 처리 장치, 현상 방법 및 기판 처리 방법
JPS62131517A (ja) 半導体製造装置
KR940008318B1 (ko) 웨이퍼 이송장치