JPS5860552A - 縦型自動プラズマ処理装置 - Google Patents
縦型自動プラズマ処理装置Info
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- JPS5860552A JPS5860552A JP56159281A JP15928181A JPS5860552A JP S5860552 A JPS5860552 A JP S5860552A JP 56159281 A JP56159281 A JP 56159281A JP 15928181 A JP15928181 A JP 15928181A JP S5860552 A JPS5860552 A JP S5860552A
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- Japan
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- chamber
- wafers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/34—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H10P72/3411—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＬＳＩ或いは超ＬＳＩ等の大集積回路を形成し
たチップの製造に出いる半導体ウニ／・−のエツチング
、クリーニング或いはウエノ・−表面のホトレジスト層
のアッシング（灰化剥離）等に用いるプラズマ処理装置
のうち、特にプラズマ発生用チャンバーを縦方向に設置
した縦型自動プラズマ処理装置に関する。
たチップの製造に出いる半導体ウニ／・−のエツチング
、クリーニング或いはウエノ・−表面のホトレジスト層
のアッシング（灰化剥離）等に用いるプラズマ処理装置
のうち、特にプラズマ発生用チャンバーを縦方向に設置
した縦型自動プラズマ処理装置に関する。
一般にＬＳＩ等の大集積回路を形成したチップを製造す
るには、半導体ウェハーに微細パターンを形成したレジ
スト膜を介して、絶縁膜、半導体膜又は金属膜をエツチ
ングする工程、上記膜をクリーニングする工程及びエツ
チングに使用したレジスト膜をウェハー表面から除去す
るアッシング工程を必要としている。
るには、半導体ウェハーに微細パターンを形成したレジ
スト膜を介して、絶縁膜、半導体膜又は金属膜をエツチ
ングする工程、上記膜をクリーニングする工程及びエツ
チングに使用したレジスト膜をウェハー表面から除去す
るアッシング工程を必要としている。
そして従来にあっては、上記各工程を、無機酸、有機溶
剤等の種々の液体化学薬品を用いた湿式処理によって行
なってきたが、湿式処理による場合には廃液処理の問題
の他に、加工精度が低いという問題がある。特に最近で
は超ＬＳＩの開発に伴ないパターンはますます微細化す
る傾向にあり、このような超ＬＳＩを製造するにあたっ
て従来の湿式処理を施すことはできなくなってきている
。
剤等の種々の液体化学薬品を用いた湿式処理によって行
なってきたが、湿式処理による場合には廃液処理の問題
の他に、加工精度が低いという問題がある。特に最近で
は超ＬＳＩの開発に伴ないパターンはますます微細化す
る傾向にあり、このような超ＬＳＩを製造するにあたっ
て従来の湿式処理を施すことはできなくなってきている
。
このだめ現在では加工精度の高いプラズマを用いた乾式
処理に移行しつつあり、この乾式処理を行なうプラズマ
処理装置も種々提案されるに至っ゛ている。
処理に移行しつつあり、この乾式処理を行なうプラズマ
処理装置も種々提案されるに至っ゛ている。
しかしながら多くのプラズマ処理装置は単にプラズマ発
生用チャンバーを備えだものに過ぎず、該チャンバー内
へのウェハーの出し入れは専ら手作業によって行なって
いる。
生用チャンバーを備えだものに過ぎず、該チャンバー内
へのウェハーの出し入れは専ら手作業によって行なって
いる。
例えば、未処理ウェハー収納カセットからウェハーを１
枚毎取り出し石英まだはアルミニウム製のウェハー治具
にビンセッ″トにより移し替えを行なっている。このた
めウェハーの欠け、割れ、保持不良による落下まだは汚
染等により生産歩留りが非常に低く、さらに近年の如く
ウェハー径も４インチから５インチそして６インチと大
型化するにつれ上記した欠点は増大する。そしてさらに
プラズマ処理中は高温度となるため、処理後の取り出し
を手作業で行なうことは避けなければならず作業能率は
極めて低い。
枚毎取り出し石英まだはアルミニウム製のウェハー治具
にビンセッ″トにより移し替えを行なっている。このた
めウェハーの欠け、割れ、保持不良による落下まだは汚
染等により生産歩留りが非常に低く、さらに近年の如く
ウェハー径も４インチから５インチそして６インチと大
型化するにつれ上記した欠点は増大する。そしてさらに
プラズマ処理中は高温度となるため、処理後の取り出し
を手作業で行なうことは避けなければならず作業能率は
極めて低い。
斯る不利を解消する自動プラズマ処理装置として、特開
昭５３−９０８７０号に示される装置があるが、この装
置は極めて構造が複雑であるとともに、プラズマ発生用
チャンバーを横向きに設置している。このため装置自体
の占有面積が大きくなり、コンパクト化を図ることがで
きない。
昭５３−９０８７０号に示される装置があるが、この装
置は極めて構造が複雑であるとともに、プラズマ発生用
チャンバーを横向きに設置している。このため装置自体
の占有面積が大きくなり、コンパクト化を図ることがで
きない。
本発明者等は上述の如き従来の技術的課題に鑑み、これ
を有効に解決すべく本発明を成したものであり、その目
的とする処は、簡単な構造により多数枚のウェハーを連
続して自動的に処理でき、且つコンパクト化を達成し得
る縦型自動プラズマ処理装置を提供するにある。
を有効に解決すべく本発明を成したものであり、その目
的とする処は、簡単な構造により多数枚のウェハーを連
続して自動的に処理でき、且つコンパクト化を達成し得
る縦型自動プラズマ処理装置を提供するにある。
斯る目的を達成すべく本発明は装置本体内にプラズマ発
生用チャンバーを縦方向に配置するとともに、多数枚の
ウェハーを保持し得るウェハー保持体を上記プラズマ発
生用チャンバー内に挿抜自在となるように支持する一方
、第１の搬送部材によってウェハー収納カセットからウ
エハーヲ一枚毎取り出して送り出すとともに、１枚毎取
り出し、ウェハー保持体方向に移動可能とされた第２の
搬送部材に送り出し、続いて第２の搬送部材によって上
記ウェハー保持体内に送り込むようにした装置であって
、第１の搬送部材先端部は第２の搬送基端部近傍に位置
したことをその要旨としている。
生用チャンバーを縦方向に配置するとともに、多数枚の
ウェハーを保持し得るウェハー保持体を上記プラズマ発
生用チャンバー内に挿抜自在となるように支持する一方
、第１の搬送部材によってウェハー収納カセットからウ
エハーヲ一枚毎取り出して送り出すとともに、１枚毎取
り出し、ウェハー保持体方向に移動可能とされた第２の
搬送部材に送り出し、続いて第２の搬送部材によって上
記ウェハー保持体内に送り込むようにした装置であって
、第１の搬送部材先端部は第２の搬送基端部近傍に位置
したことをその要旨としている。
以下に本発明の好適一実施例を添付図面に基いて詳述す
る。
る。
第１図は本発明に係る縦型自動プラズマ装置の全体斜視
図であり、図中１は略々ボックス状をした装置本体であ
る。この装置本体１内には石英からなる円筒状のプラズ
マ発生用チャンバー２を縦方向即ちチャンバー２の軸が
上下方向となるように配設し、このチャンバー２の上端
部を閉塞し下端部を開口することで、該開口から半導体
ウェハー３をチャンバー２内に装填及び取り出すように
している。また上記チャンバー２の外周部には電極板が
固定されており１本体１内に設けた高周波電源４によっ
て高周波を印加するようにしている。
図であり、図中１は略々ボックス状をした装置本体であ
る。この装置本体１内には石英からなる円筒状のプラズ
マ発生用チャンバー２を縦方向即ちチャンバー２の軸が
上下方向となるように配設し、このチャンバー２の上端
部を閉塞し下端部を開口することで、該開口から半導体
ウェハー３をチャンバー２内に装填及び取り出すように
している。また上記チャンバー２の外周部には電極板が
固定されており１本体１内に設けた高周波電源４によっ
て高周波を印加するようにしている。
また本体１の前面下半部には張出し部５を付設し、この
張出し部５の上面６に各種操作ボタン７・・・を取り付
けるとともに、上面６の左右の端部には半導体ウェハー
３・・・を２５枚収納し得る収納カセット８，８を設け
ている。この収納カセット８はアルミ或いはテフロンな
どからなる２枚の板体８ａ＋８ａを対向し上端部を棒材
８ｂ、８ｂで接続してなり、第２図に示すように一方の
板体８ａの下端をアングル状の支持部材９に載置し、支
持部材９の昇降動につれて収納カセット８が上記上面６
に形成した孔１ｏを介して、張出し部５内へ下降動し、
また張出し部５から上方へ持ち上がるようになっている
。
張出し部５の上面６に各種操作ボタン７・・・を取り付
けるとともに、上面６の左右の端部には半導体ウェハー
３・・・を２５枚収納し得る収納カセット８，８を設け
ている。この収納カセット８はアルミ或いはテフロンな
どからなる２枚の板体８ａ＋８ａを対向し上端部を棒材
８ｂ、８ｂで接続してなり、第２図に示すように一方の
板体８ａの下端をアングル状の支持部材９に載置し、支
持部材９の昇降動につれて収納カセット８が上記上面６
に形成した孔１ｏを介して、張出し部５内へ下降動し、
また張出し部５から上方へ持ち上がるようになっている
。
そして収納カセット８を構成する板体８ａの内面には、
第３図に示す如く水平方向に一定間隔で突条１１・・・
を設け、この突条１１・・・にょって形成される肩部に
ウェハー３の端部が係止するようになっている。
第３図に示す如く水平方向に一定間隔で突条１１・・・
を設け、この突条１１・・・にょって形成される肩部に
ウェハー３の端部が係止するようになっている。
まだ上記張出し部の上面６の中央には左右方向に伸びる
開口１２を形成し、この開口１２内に一対の第１の搬送
部材１３．１３を配設している。
開口１２を形成し、この開口１２内に一対の第１の搬送
部材１３．１３を配設している。
即ち搬送部材１３は無端ベルトによって構成され、その
基端部１３ａは上記収納カセット８の下部に位置し、夫
々の搬送部材１３．１３の先端部１３ｂ。
基端部１３ａは上記収納カセット８の下部に位置し、夫
々の搬送部材１３．１３の先端部１３ｂ。
１３ｂは上面６の中央部において離間して対向している
。また搬送部材１３である無端ベルトの上面は張出し部
の上面６よりも若干上方へ突出し、収納カセット８が下
降した際に最下段のつ゛エノ・−３が無端ベルト上に載
るようにしている。
。また搬送部材１３である無端ベルトの上面は張出し部
の上面６よりも若干上方へ突出し、収納カセット８が下
降した際に最下段のつ゛エノ・−３が無端ベルト上に載
るようにしている。
また上記張出し部の上面６には上記開口１２と連続し後
方へ伸びる開口１４を形成し、この開口１４内に基端部
が上記搬送部材１３．１３の光漏部１３ｂ、１３ｂ間に
位置し、先端部が前記本体１の前面に形成した開口１５
から本体１内に入った第２の搬送部材１６を設けている
。
方へ伸びる開口１４を形成し、この開口１４内に基端部
が上記搬送部材１３．１３の光漏部１３ｂ、１３ｂ間に
位置し、先端部が前記本体１の前面に形成した開口１５
から本体１内に入った第２の搬送部材１６を設けている
。
この第２の搬送部材１６は昇降部材１７とアーム部材１
８とからなり、昇降部材１７は略々板状をなし、その基
端部は第２図及び第４図に示す如く、第１の搬送部材１
３．１３の先端部のプーリ１９．１９を支持するチャン
ネル状の支持ブロック２０内に位置し、その下面を該支
持ブロック２０の下方に配設したシリンダユニット２１
のロッド２２ニ固着し、シリンダユニット２１の作動に
より昇降動せしめられるとともに、ロッド２２が引き込
まれた状態にあっては昇降部材１７の上面は第１の搬送
部材１３の上面よりも若干低く位置するようになってい
る。そして昇降部材１７の基端部には窓部２３が穿設さ
れており、この窓部２３にローラ２４を嵌着し、第１の
搬送部材１３上を移送されてきたウェハー３が昇降部材
１７上に容易に乗り移れるようにしている。
８とからなり、昇降部材１７は略々板状をなし、その基
端部は第２図及び第４図に示す如く、第１の搬送部材１
３．１３の先端部のプーリ１９．１９を支持するチャン
ネル状の支持ブロック２０内に位置し、その下面を該支
持ブロック２０の下方に配設したシリンダユニット２１
のロッド２２ニ固着し、シリンダユニット２１の作動に
より昇降動せしめられるとともに、ロッド２２が引き込
まれた状態にあっては昇降部材１７の上面は第１の搬送
部材１３の上面よりも若干低く位置するようになってい
る。そして昇降部材１７の基端部には窓部２３が穿設さ
れており、この窓部２３にローラ２４を嵌着し、第１の
搬送部材１３上を移送されてきたウェハー３が昇降部材
１７上に容易に乗り移れるようにしている。
また昇降部材１７の両側部には無端ベルト２５゜２５を
取り付け、ウエノ・−３を昇降部材１７の上面に沿って
移送するようにしている。
取り付け、ウエノ・−３を昇降部材１７の上面に沿って
移送するようにしている。
そして上記無端ベル１−２５．２５の外側に近接してア
ーム部材１８．１８が設けられている。アーム部材１８
は第２図に示す如く矩形状の基端部１８ａの上端部から
棒状部１８ｂを延出し、且つ基端部１８ａの下端に取り
付けたキャスター２６によってガイドレール２７上を移
動可能とされている。
ーム部材１８．１８が設けられている。アーム部材１８
は第２図に示す如く矩形状の基端部１８ａの上端部から
棒状部１８ｂを延出し、且つ基端部１８ａの下端に取り
付けたキャスター２６によってガイドレール２７上を移
動可能とされている。
まだ第２図に示す如く、本体１の底面には２本のガイド
棒２８，２８を立設し、このガイド棒２８゜＝２８に前
記プラズマ発生用チャンバ″−２の蓋体２９を摺動自在
に挿着している。そして蓋体２９に雄ネジ部を形成しだ
ロッド３０を螺合挿通し、このロッド３０の下端部に嵌
着した歯車３１と本体１の底面に固設しだモータ３２の
歯車３３とを噛合せしめ、モータ３２の駆動により蓋体
２９がガイド棒２８，２Ｂに沿って昇降動するようにし
ている。
棒２８，２８を立設し、このガイド棒２８゜＝２８に前
記プラズマ発生用チャンバ″−２の蓋体２９を摺動自在
に挿着している。そして蓋体２９に雄ネジ部を形成しだ
ロッド３０を螺合挿通し、このロッド３０の下端部に嵌
着した歯車３１と本体１の底面に固設しだモータ３２の
歯車３３とを噛合せしめ、モータ３２の駆動により蓋体
２９がガイド棒２８，２Ｂに沿って昇降動するようにし
ている。
更に上記蓋体２９の上面にはウェハー保持体３４を立設
している。このウェハー保持体３４は４本のｐツ）”３
４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄと、これらロッドの上端
部を結合する部材３４ｅとからなり、ロッド３４ａ及び
３４ｂは平面からみて台形の底辺の両端に位置し、ロッ
ド３４ｃ及び３４ｄは台形の上辺の両端に位置する形状
をしている。
している。このウェハー保持体３４は４本のｐツ）”３
４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄと、これらロッドの上端
部を結合する部材３４ｅとからなり、ロッド３４ａ及び
３４ｂは平面からみて台形の底辺の両端に位置し、ロッ
ド３４ｃ及び３４ｄは台形の上辺の両端に位置する形状
をしている。
そして夫々ノ０７ ）”３４ ａ 、 ３４ｂｌ ３４
ｃ、 ３４ｄの内側部には上下方向に亘って等間隔でウ
エノ１−３の端部が嵌り込む溝部３５・・・を本実施例
にあっては５０本穿設している。而して、上記アーム部
材１８．１８の先端部間に載置されだウエノ・−３が、
アーム部材１８．１８の移動によってウェハー保持体３
４内に送り込まれ、上７配溝部３５・・・にその端部が
係止することで、ウエノ・−保持体３４ニヨツてウェハ
ー３が保持されるようになっている。
ｃ、 ３４ｄの内側部には上下方向に亘って等間隔でウ
エノ１−３の端部が嵌り込む溝部３５・・・を本実施例
にあっては５０本穿設している。而して、上記アーム部
材１８．１８の先端部間に載置されだウエノ・−３が、
アーム部材１８．１８の移動によってウェハー保持体３
４内に送り込まれ、上７配溝部３５・・・にその端部が
係止することで、ウエノ・−保持体３４ニヨツてウェハ
ー３が保持されるようになっている。
以上の如き構成からなる縦型自動プラズマ装置の作用を
以下に述べる。
以下に述べる。
先ず２５枚のウェハー３・・・を収納した左側のカセッ
ト８を若干降下せしめると、カセット８に収納されてい
るウェハー３・・・のうち最下段に位置するものが、第
１の搬送部材１３上に載り１次いで搬送部材１３によっ
て送り出′盪れる。そして搬送部材１３の先端部１３ｂ
まで搬送されてきたウェハー３は第２の搬送部材１６の
一部を構成する昇降部材１７上に乗り移る。すると、リ
ミットスイッチによってシリンダユニット２１が作動し
、昇降部材１７が若干上昇し、これと同時に無端ベルト
２５．２５が駆動しウェハー３を昇降部材１７の先端部
まで搬送する。
ト８を若干降下せしめると、カセット８に収納されてい
るウェハー３・・・のうち最下段に位置するものが、第
１の搬送部材１３上に載り１次いで搬送部材１３によっ
て送り出′盪れる。そして搬送部材１３の先端部１３ｂ
まで搬送されてきたウェハー３は第２の搬送部材１６の
一部を構成する昇降部材１７上に乗り移る。すると、リ
ミットスイッチによってシリンダユニット２１が作動し
、昇降部材１７が若干上昇し、これと同時に無端ベルト
２５．２５が駆動しウェハー３を昇降部材１７の先端部
まで搬送する。
そしてウェハー３が昇降部材の先端部までくるとりミツ
トスイッチによシ無端ベルト２５．２５の駆動が停止し
、次いで昇降部材１７がもとの位置まで若干降下する。
トスイッチによシ無端ベルト２５．２５の駆動が停止し
、次いで昇降部材１７がもとの位置まで若干降下する。
するとウェハー３はアーム部材１８．１８の先端部に乗
り移り、更にアーム部材１８．１８がウェハー保持体３
４に向って移動する。その結果ウエノ・−３はウエノ・
−保持体３４内に送り込まれ、保持体のロッド３４ａ＋
３４ｂ。
り移り、更にアーム部材１８．１８がウェハー保持体３
４に向って移動する。その結果ウエノ・−３はウエノ・
−保持体３４内に送り込まれ、保持体のロッド３４ａ＋
３４ｂ。
３４ｃ、３４ｄに形成した溝部３５・・・にその両部が
係止する。この場合ウエノ・−保持体３４は最も下方に
位置しているので、ウエノ・−３はウェハー保持体３４
の最上段に保持されることとなる。
係止する。この場合ウエノ・−保持体３４は最も下方に
位置しているので、ウエノ・−３はウェハー保持体３４
の最上段に保持されることとなる。
次いでモータ３２の駆動によりウエノ・−保持体３４が
一段分、即ち溝部３５・・・の−間隔分だけ上昇し、ア
ーム部材１８．１８の先端部からウエノ・−３が離れ、
またアーム部材はもとの位置まで移動し、装置は最初の
状態となる。
一段分、即ち溝部３５・・・の−間隔分だけ上昇し、ア
ーム部材１８．１８の先端部からウエノ・−３が離れ、
またアーム部材はもとの位置まで移動し、装置は最初の
状態となる。
この後、左側のカセット８が史に一段分降下して２枚目
のウェハーを送り出−し、とのウエノ為−を前記同様の
作用によってウエノ・−保持体３４の２段目の溝部に保
持せしめる。この゛ようにして順次ウェハー３・・・を
ウエノ・−保持体３４内に送り込み、左側のカセット内
のウエノ１−を全、て保持体３４に収納したならば、今
度は右側のカセット８のウェハーを同様にしてウェハー
保持体３４内に保持せしめ、最終的に５０枚のウェハー
を保持体３４に送り込む。
のウェハーを送り出−し、とのウエノ為−を前記同様の
作用によってウエノ・−保持体３４の２段目の溝部に保
持せしめる。この゛ようにして順次ウェハー３・・・を
ウエノ・−保持体３４内に送り込み、左側のカセット内
のウエノ１−を全、て保持体３４に収納したならば、今
度は右側のカセット８のウェハーを同様にしてウェハー
保持体３４内に保持せしめ、最終的に５０枚のウェハー
を保持体３４に送り込む。
−そして更にモータ３２を駆動せしめて蓋体２９を上昇
し、プラズマ発生用チャンバー２の下端開口部を閉塞し
、内部を密閉状態とした後、真空ポンプによりチャンバ
ー２内を真空状態としプラズマを発生せしめ、エツチン
グ、クリーニング或いはアッシング処理を行なう。
し、プラズマ発生用チャンバー２の下端開口部を閉塞し
、内部を密閉状態とした後、真空ポンプによりチャンバ
ー２内を真空状態としプラズマを発生せしめ、エツチン
グ、クリーニング或いはアッシング処理を行なう。
そして所定時間プラズマ処理を施したならば、モータ３
２を駆動せしめウェハー保持体３４内の最下段のウェハ
ー３が、アーム部材１８．１８の上端部よりも若干高い
位置にくるまで、保持体３４を降下せしめる。次いでア
ーム部材１８．１８を保持体３４方向に移動せしめてア
ーム部材の先端部が最下段のウェハーの直下に位置する
ようにする。そして更にモータ３２を駆動せしめること
で保持体を降下せしめ、アーム部材上にウエノ・−を載
せ、前記と逆の動作によりウニノ・−をカセット８内に
収納する。以後同様の作用によりプラズマ処理を終了す
る。
２を駆動せしめウェハー保持体３４内の最下段のウェハ
ー３が、アーム部材１８．１８の上端部よりも若干高い
位置にくるまで、保持体３４を降下せしめる。次いでア
ーム部材１８．１８を保持体３４方向に移動せしめてア
ーム部材の先端部が最下段のウェハーの直下に位置する
ようにする。そして更にモータ３２を駆動せしめること
で保持体を降下せしめ、アーム部材上にウエノ・−を載
せ、前記と逆の動作によりウニノ・−をカセット８内に
収納する。以後同様の作用によりプラズマ処理を終了す
る。
尚、以上は本発明の単なる一実施例に過ぎず、本発明は
上記のものに限られない。例えば、図示例においては第
２の搬送部材１６を昇降部材１７とアーム部材１８の２
つの部材によって構成しだが、昇降動作とウェハー保持
体方向への移動動作の両方を行なう１つの部材によって
第２の搬送部材を構成することもできる。
上記のものに限られない。例えば、図示例においては第
２の搬送部材１６を昇降部材１７とアーム部材１８の２
つの部材によって構成しだが、昇降動作とウェハー保持
体方向への移動動作の両方を行なう１つの部材によって
第２の搬送部材を構成することもできる。
まだ第１の搬送部材として無端ベルトを示したが、これ
に限らず、スイング動作によってウェハーを送り出すよ
うにしてもよく、更に昇降手段としてシリンダを用いず
にモータとロッドとを組合せるようにしてもよい。
に限らず、スイング動作によってウェハーを送り出すよ
うにしてもよく、更に昇降手段としてシリンダを用いず
にモータとロッドとを組合せるようにしてもよい。
以上の説明で明らか々如＜、本１発明によれば。
多数枚のウェハーを保持し得るウエノ・−保持体を、装
置本体内に縦方向に配置したプラズマ発生用チャンバー
に対し挿抜自在に設ける一方、装置本体に多数枚のウェ
ハーを収納し得るカセットを装着し、このカセットに収
納されたウエノ・−を取シ出して搬送する第１の搬送部
材を装置本体に設け、更に上記第１の搬送部材の先端部
近傍に基端部が位置し且つ上記ウェハー保持体方向へ移
動可能とされた第２の搬送部材によりウェハーをウェハ
ー保持体内に送り込むようにしだので、手作業によらず
確実にウェハーをチャンバー内に装填することができ、
作業効率の大巾な向上が図れ、且つ作業中にウェハーを
破損する虞れがなく、製品歩留りを向上せしめることが
できる。
置本体内に縦方向に配置したプラズマ発生用チャンバー
に対し挿抜自在に設ける一方、装置本体に多数枚のウェ
ハーを収納し得るカセットを装着し、このカセットに収
納されたウエノ・−を取シ出して搬送する第１の搬送部
材を装置本体に設け、更に上記第１の搬送部材の先端部
近傍に基端部が位置し且つ上記ウェハー保持体方向へ移
動可能とされた第２の搬送部材によりウェハーをウェハ
ー保持体内に送り込むようにしだので、手作業によらず
確実にウェハーをチャンバー内に装填することができ、
作業効率の大巾な向上が図れ、且つ作業中にウェハーを
破損する虞れがなく、製品歩留りを向上せしめることが
できる。
そして本発明の機構は極めて簡単であり、且つｆ ヤ７
バー ｔｄ縦型であるので、装置全体のコンパクト化
を達成し得る等多大な効果を奏す゛る。
バー ｔｄ縦型であるので、装置全体のコンパクト化
を達成し得る等多大な効果を奏す゛る。
図面は本発明の好適一実施例を示すものであり、第１図
は本発明に係る縦型自動プラズマ処理装置の全体斜視図
、第２図は同装置の内部機構を示す斜視図、第３図はウ
ェハー収納カセットの一部ヲ示す側面図、第４図はウェ
ハーの搬送機構の要部を示す正面図である。 尚、図面中１は装置本体、２はプラズマ発生用チャンバ
ー、３はウェハー、８はウェハー収納カセット、１３は
第１の搬送部材、１６は第２の搬送部材、３４はウェハ
ー保持体である。 特 許 出 願人 東京電子化学株式会社代理人 弁理
士 下 １）容一部 面 弁理士 大 橋 邦 音間 弁理士
小 山 有
は本発明に係る縦型自動プラズマ処理装置の全体斜視図
、第２図は同装置の内部機構を示す斜視図、第３図はウ
ェハー収納カセットの一部ヲ示す側面図、第４図はウェ
ハーの搬送機構の要部を示す正面図である。 尚、図面中１は装置本体、２はプラズマ発生用チャンバ
ー、３はウェハー、８はウェハー収納カセット、１３は
第１の搬送部材、１６は第２の搬送部材、３４はウェハ
ー保持体である。 特 許 出 願人 東京電子化学株式会社代理人 弁理
士 下 １）容一部 面 弁理士 大 橋 邦 音間 弁理士
小 山 有
Claims (1)
- 装置本体内に縦方向に配設されたプラズマ発生用チャン
バーと、多数枚のウェハーを保持し°得るとともに上記
チャンバー内に挿抜自在とされたウェハー保持体と、ウ
ェハー収納カセットからウェハーを一枚毎取り出して送
り出す第１の搬送部材と、この第１の搬送部材によって
送り出されたウェハーを上記ウェハー保持体内に送り込
むべく、第１の搬送部材の先端部近傍に基端部が位置し
、且つ上記ウェハー保持体方向へ移動可能とされた第２
の搬送部材とからなる縦型自動プラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56159281A JPS5860552A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 縦型自動プラズマ処理装置 |
| US06/424,503 US4550239A (en) | 1981-10-05 | 1982-09-27 | Automatic plasma processing device and heat treatment device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56159281A JPS5860552A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 縦型自動プラズマ処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62125192A Division JPS63260047A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | ウエハ−保持体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860552A true JPS5860552A (ja) | 1983-04-11 |
| JPS6325500B2 JPS6325500B2 (ja) | 1988-05-25 |
Family
ID=15690362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56159281A Granted JPS5860552A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 縦型自動プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860552A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258459A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-20 | Deisuko Saiyaa Japan:Kk | 縦型熱処理装置 |
| JPS63260047A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-10-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ウエハ−保持体 |
| JPH0195730U (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | ||
| JPH0268923A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Tel Sagami Ltd | 縦形熱処理装置 |
| US4954684A (en) * | 1988-02-26 | 1990-09-04 | Tel Sagami Limited | Vertical type heat-treating apparatus and heat-treating method |
| US4976613A (en) * | 1987-09-29 | 1990-12-11 | Tel Sagani Limited | Heat treatment apparatus |
| JPH02146426U (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-12 | ||
| JPH0327049U (ja) * | 1989-07-25 | 1991-03-19 | ||
| US5083896A (en) * | 1988-09-16 | 1992-01-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Object handling device |
| US5822498A (en) * | 1995-06-22 | 1998-10-13 | Tokyo Electron Limited | Teaching method for loading arm for objects to be processed |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49107678A (ja) * | 1973-02-05 | 1974-10-12 | ||
| JPS50126175A (ja) * | 1974-03-22 | 1975-10-03 | ||
| JPS513743U (ja) * | 1974-06-25 | 1976-01-12 | ||
| JPS5342575U (ja) * | 1976-12-16 | 1978-04-12 | ||
| JPS5691417A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Fujitsu Ltd | Heating treatment device for wafer |
-
1981
- 1981-10-05 JP JP56159281A patent/JPS5860552A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49107678A (ja) * | 1973-02-05 | 1974-10-12 | ||
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| JPS5342575U (ja) * | 1976-12-16 | 1978-04-12 | ||
| JPS5691417A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Fujitsu Ltd | Heating treatment device for wafer |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258459A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-20 | Deisuko Saiyaa Japan:Kk | 縦型熱処理装置 |
| JPS63260047A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-10-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ウエハ−保持体 |
| US4976613A (en) * | 1987-09-29 | 1990-12-11 | Tel Sagani Limited | Heat treatment apparatus |
| JPH0195730U (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | ||
| US4954684A (en) * | 1988-02-26 | 1990-09-04 | Tel Sagami Limited | Vertical type heat-treating apparatus and heat-treating method |
| JPH0268923A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Tel Sagami Ltd | 縦形熱処理装置 |
| US5083896A (en) * | 1988-09-16 | 1992-01-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Object handling device |
| US5584647A (en) * | 1988-09-16 | 1996-12-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Object handling devices |
| JPH02146426U (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-12 | ||
| JPH0327049U (ja) * | 1989-07-25 | 1991-03-19 | ||
| US5822498A (en) * | 1995-06-22 | 1998-10-13 | Tokyo Electron Limited | Teaching method for loading arm for objects to be processed |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6325500B2 (ja) | 1988-05-25 |
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