JPH0326014A - 振幅周波数特性等化回路 - Google Patents
振幅周波数特性等化回路Info
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- JPH0326014A JPH0326014A JP15959089A JP15959089A JPH0326014A JP H0326014 A JPH0326014 A JP H0326014A JP 15959089 A JP15959089 A JP 15959089A JP 15959089 A JP15959089 A JP 15959089A JP H0326014 A JPH0326014 A JP H0326014A
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- Japan
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- pair
- control voltage
- transistors
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cable Transmission Systems, Equalization Of Radio And Reduction Of Echo (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は振幅周波数特性等化回路、特に伝達ライン長に
応じて補償量を可変できる振幅周波数特性等化回路の構
或に関する． ［従来の技術］ 従来から、高周波広帯域信号を同軸ケーブル等にて伝達
する際に、振幅周波数特性の一次傾斜を補償するための
等化器（ライン・イコライザ）か用いられ、この種の振
幅周波数特性等化回路は，可変容量素子と固定抵抗素子
を並列に接続し、前後をバッファーアンプで保護する構
戒となっている． 第２図には、従来の振幅周波数等化回路の概略構或が示
されており、前段のエミッタホロワ回路であるトランジ
スタＱ３のエミッタ端子には，可変容量ダイオードＸ３
と抵抗ＲＥか並列に接続され、後段には直流阻止容量素
子Ｃｃを介して増幅用トランジスタＱ４のベース端子か
接続される構威となっている。したがって、入力端子ｌ
から入力した信号Ｖ．は上記回路を介して出力端子２か
ら信号ｖ０として出力され．端子３から印加される制御
電圧ｖｃによって信号の補償が行なわれる。
応じて補償量を可変できる振幅周波数特性等化回路の構
或に関する． ［従来の技術］ 従来から、高周波広帯域信号を同軸ケーブル等にて伝達
する際に、振幅周波数特性の一次傾斜を補償するための
等化器（ライン・イコライザ）か用いられ、この種の振
幅周波数特性等化回路は，可変容量素子と固定抵抗素子
を並列に接続し、前後をバッファーアンプで保護する構
戒となっている． 第２図には、従来の振幅周波数等化回路の概略構或が示
されており、前段のエミッタホロワ回路であるトランジ
スタＱ３のエミッタ端子には，可変容量ダイオードＸ３
と抵抗ＲＥか並列に接続され、後段には直流阻止容量素
子Ｃｃを介して増幅用トランジスタＱ４のベース端子か
接続される構威となっている。したがって、入力端子ｌ
から入力した信号Ｖ．は上記回路を介して出力端子２か
ら信号ｖ０として出力され．端子３から印加される制御
電圧ｖｃによって信号の補償が行なわれる。
［解決すべき課題］
上述した従来の振幅周波数特性等化回路は、補償量を変
化させるために上記制御電圧ＶＣを変化させることにな
るが、この場合，後段の増幅用トランジスタＱ４のバイ
アス点に影響がないようにするには、上記直流阻止容量
素子Ｃｃを比較的大きい容量のものとしなければならな
い．このため、上記従来の等化回路は半導体集積回路に
向かないという問題がある． すなわち、信号の低周波帯域まで通す大容量とするため
には、直流阻止容量素子Ｃｃの寸法を巨大化する必要が
あるが、半導体集積回路ではせいぜい数百ｐＦ（ピコフ
ァラット）が限度で，それ以上の大容量は現実的に不可
能である．したがって、従来の振幅周波数特性等化回路
を半導体集積回路化することは困難であり、量産により
等化回路のコスト低減を図ることもできなかった。
化させるために上記制御電圧ＶＣを変化させることにな
るが、この場合，後段の増幅用トランジスタＱ４のバイ
アス点に影響がないようにするには、上記直流阻止容量
素子Ｃｃを比較的大きい容量のものとしなければならな
い．このため、上記従来の等化回路は半導体集積回路に
向かないという問題がある． すなわち、信号の低周波帯域まで通す大容量とするため
には、直流阻止容量素子Ｃｃの寸法を巨大化する必要が
あるが、半導体集積回路ではせいぜい数百ｐＦ（ピコフ
ァラット）が限度で，それ以上の大容量は現実的に不可
能である．したがって、従来の振幅周波数特性等化回路
を半導体集積回路化することは困難であり、量産により
等化回路のコスト低減を図ることもできなかった。
本発明は上記問題点にかんがみてなされたもので，その
目的は，直流阻止容量素子を不要とし半導体集積回路化
することのできる振幅周波数特性等化回路を提供するこ
とにある。
目的は，直流阻止容量素子を不要とし半導体集積回路化
することのできる振幅周波数特性等化回路を提供するこ
とにある。
［課題の解決手段］
上記目的を達或するために、本発明は、一対のトランジ
スタにおいてベース端子間を入力端子とし，工くツタ端
子どうしを抵抗を介して接続し，コレクタ端子間を出力
とする差動増幅回路を有する振幅周波数特性等化回路に
おいて、上記一対のトランジス，タのエミッタ端子間に
一対の可変容量素子を直列かつ逆方向（接続し，この各
可変容量素子が逆方向バイアスとなるように可変容量素
子対の中点に制御電圧を印加した構戊としてある．［作
用］ 上記構或によれば、制御電圧が一対の可変容量素子を介
して一対のトランジスタのエミッタ端子？印加されるこ
とになり、このエミッタ端子間に接続されている抵抗と
上記可変容量素子の容量によって決定される等化補償量
にて，一対のトランジスタのベース端子に入力された信
号が補償され、補償された信号は一対のトランジスタの
コレクタ端子から出力される． ［実施例］ 以下２本発明の一実施例について図面を参照しながら詳
細に説明する． 第１図には、実施例に係る振幅周波数特性等化回路の構
威が示されており、入力端子１ａ，ｌｂには一対のトラ
ンジスタＱ．．Ｑ．が設けられる．この一対のトランジ
スタＱ． Ｑ．のエミッタ端子間には電流帰還用の抵
抗Ｒ。■，ＲＥ２を直列に接続するとともに、その中点
と接地電位の間に定電流源Ｉ０を接続し，これらの回路
により電流帰還のかかった差動増幅回路を構威する．そ
して，上記一対のトランジスタＱ．．Ｑ．の？ミッタ端
子間には、一対の可変容量素子としての可変容量ダイオ
ードＸ ｓ ， Ｘ ２を逆方向でかつアノード側に中
点を設けて直列に接続しており，この中点には交流阻止
用の抵抗Ｒｔを介して制御電圧ｖｃを印加する．したが
って，等化補償量は制御電圧ｖｃと上記ダイオードＸ■
，ｘ２の容量値と抵抗Ｒ７の値によって決定される。
スタにおいてベース端子間を入力端子とし，工くツタ端
子どうしを抵抗を介して接続し，コレクタ端子間を出力
とする差動増幅回路を有する振幅周波数特性等化回路に
おいて、上記一対のトランジス，タのエミッタ端子間に
一対の可変容量素子を直列かつ逆方向（接続し，この各
可変容量素子が逆方向バイアスとなるように可変容量素
子対の中点に制御電圧を印加した構戊としてある．［作
用］ 上記構或によれば、制御電圧が一対の可変容量素子を介
して一対のトランジスタのエミッタ端子？印加されるこ
とになり、このエミッタ端子間に接続されている抵抗と
上記可変容量素子の容量によって決定される等化補償量
にて，一対のトランジスタのベース端子に入力された信
号が補償され、補償された信号は一対のトランジスタの
コレクタ端子から出力される． ［実施例］ 以下２本発明の一実施例について図面を参照しながら詳
細に説明する． 第１図には、実施例に係る振幅周波数特性等化回路の構
威が示されており、入力端子１ａ，ｌｂには一対のトラ
ンジスタＱ．．Ｑ．が設けられる．この一対のトランジ
スタＱ． Ｑ．のエミッタ端子間には電流帰還用の抵
抗Ｒ。■，ＲＥ２を直列に接続するとともに、その中点
と接地電位の間に定電流源Ｉ０を接続し，これらの回路
により電流帰還のかかった差動増幅回路を構威する．そ
して，上記一対のトランジスタＱ．．Ｑ．の？ミッタ端
子間には、一対の可変容量素子としての可変容量ダイオ
ードＸ ｓ ， Ｘ ２を逆方向でかつアノード側に中
点を設けて直列に接続しており，この中点には交流阻止
用の抵抗Ｒｔを介して制御電圧ｖｃを印加する．したが
って，等化補償量は制御電圧ｖｃと上記ダイオードＸ■
，ｘ２の容量値と抵抗Ｒ７の値によって決定される。
なお，一対のトランジスタＱ．．Ｑ．のコレクタ端子に
は端子４から正電源ｖｃｃがコレクタ負荷抵抗Ｒｃ１，
Ｒｅ．を介して加えられており、一対のトランジスタＱ
．，Ｑ．のコレクタ端子側に出力端子２ａ，２ｂが接続
される． 実施例は以上の構或からなり、入力端子１ａ，ｌｂから
一対のトランジスタＱ＋．Ｑｔのベース端子に供給され
た信号は、端子３から入力された制御電圧ｖｃによって
補償制御される．この制御電圧ＶＣは、可変容量ダイオ
ードＸ ｉ ， Ｘ ＊の接続極性によれば、トランジ
スタＱ＝，Ｑ＊のエミッタ電圧より低い電圧であり、こ
の制御電圧ｖｃと、ダイオードＸ．，Ｘ．の容量値およ
び抵抗ＲＴの値により定まる等化補償量が入力信号に与
えられる。したがって、一対のトランジスタＱ，，Ｑ．
のエレクタ端子からは出力端子２を介して補償された信
号か出力される． 実施例回路では、可変容量ダイオードＸ．Ｘ２が逆方向
バイアスであり電流がほとんど流れないことから、一対
のトランジスタＱ１．Ｑ２のエミッタ電圧はほぼ不変と
なり，実施例回路の他の部分のバイアスには影響を与え
ることはない．このようにして、実施例では直流阻止容
量素子（第２図のＣＣ）を用いることなく、振幅周波数
特性回路を形威することができる． また，本発明では，可変容量素子として可変容量ダイオ
ードを一対のトランジスタＱ．．Ｑ．のエミッタ端子間
に接続しているが、この可変容量ダイオートの代りにト
ランジスタ接合容量を用いることか可能である。例えば
、実施例の可変容量ダイオートＸＩ ．Ｘ２の部分に、
別のトランジスタのベース・コレクタ間またはベース・
エミッタ間を用いることにより構或することかでき，こ
れによれば、半導体集積回路において、可変容量ダイオ
ードを作り込む特別な製造過程を省略することができる
． ［発明の効果］ 以上説明したように，本発明によれば、一対の可変容量
素子を直列かつ逆方向にして、差動増幅器を構或する一
対のトランジスタのエミッタ間に挿入し，その中点から
逆方向バイアスとなるように制御電圧を印加するように
したので、回路の他の部分のバイアス条件に影響を与え
ることなく等化補償量が可変となり，従来のような、直
流団止用大容量素子が不要となるので、半導体集積回路
化が可能となる．したがって、量産化が可能となり，等
化回路製作の低コスト化か図れるという効果かある． また、可変容量素子としてトランジスタの接合容量を用
いることにより，ダイオード製作工程のない通常の半導
体集積回路の製造工程で等化回路を作戊できるという効
果がある．
は端子４から正電源ｖｃｃがコレクタ負荷抵抗Ｒｃ１，
Ｒｅ．を介して加えられており、一対のトランジスタＱ
．，Ｑ．のコレクタ端子側に出力端子２ａ，２ｂが接続
される． 実施例は以上の構或からなり、入力端子１ａ，ｌｂから
一対のトランジスタＱ＋．Ｑｔのベース端子に供給され
た信号は、端子３から入力された制御電圧ｖｃによって
補償制御される．この制御電圧ＶＣは、可変容量ダイオ
ードＸ ｉ ， Ｘ ＊の接続極性によれば、トランジ
スタＱ＝，Ｑ＊のエミッタ電圧より低い電圧であり、こ
の制御電圧ｖｃと、ダイオードＸ．，Ｘ．の容量値およ
び抵抗ＲＴの値により定まる等化補償量が入力信号に与
えられる。したがって、一対のトランジスタＱ，，Ｑ．
のエレクタ端子からは出力端子２を介して補償された信
号か出力される． 実施例回路では、可変容量ダイオードＸ．Ｘ２が逆方向
バイアスであり電流がほとんど流れないことから、一対
のトランジスタＱ１．Ｑ２のエミッタ電圧はほぼ不変と
なり，実施例回路の他の部分のバイアスには影響を与え
ることはない．このようにして、実施例では直流阻止容
量素子（第２図のＣＣ）を用いることなく、振幅周波数
特性回路を形威することができる． また，本発明では，可変容量素子として可変容量ダイオ
ードを一対のトランジスタＱ．．Ｑ．のエミッタ端子間
に接続しているが、この可変容量ダイオートの代りにト
ランジスタ接合容量を用いることか可能である。例えば
、実施例の可変容量ダイオートＸＩ ．Ｘ２の部分に、
別のトランジスタのベース・コレクタ間またはベース・
エミッタ間を用いることにより構或することかでき，こ
れによれば、半導体集積回路において、可変容量ダイオ
ードを作り込む特別な製造過程を省略することができる
． ［発明の効果］ 以上説明したように，本発明によれば、一対の可変容量
素子を直列かつ逆方向にして、差動増幅器を構或する一
対のトランジスタのエミッタ間に挿入し，その中点から
逆方向バイアスとなるように制御電圧を印加するように
したので、回路の他の部分のバイアス条件に影響を与え
ることなく等化補償量が可変となり，従来のような、直
流団止用大容量素子が不要となるので、半導体集積回路
化が可能となる．したがって、量産化が可能となり，等
化回路製作の低コスト化か図れるという効果かある． また、可変容量素子としてトランジスタの接合容量を用
いることにより，ダイオード製作工程のない通常の半導
体集積回路の製造工程で等化回路を作戊できるという効
果がある．
第１図は本発明の実施例に係る振幅周波数特性等化回路
の構威を示す図、第２図は従来の等化回路の概略構威を
示す図である． １，ｌａ，ｌｂ：入力端子 ２，２ａ，２ｂ ：出力端子 Ｑ．．Ｑ．．Ｑ３，Ｑ．：トランジスタ第１図 ４ ’１２ 図 Ｖｃ
の構威を示す図、第２図は従来の等化回路の概略構威を
示す図である． １，ｌａ，ｌｂ：入力端子 ２，２ａ，２ｂ ：出力端子 Ｑ．．Ｑ．．Ｑ３，Ｑ．：トランジスタ第１図 ４ ’１２ 図 Ｖｃ
Claims (1)
- 一対のトランジスタにおいてベース端子間を入力端子と
し、エミッタ端子どうしを抵抗を介して接続し、コレク
タ端子間を出力とする差動増幅回路を有する振幅周波数
特性等化回路において、上記一対のトランジスタのエミ
ッタ端子間に一対の可変容量素子を直列かつ逆方向に接
続し、この各可変容量素子が逆方向バイアスとなるよう
に可変容量素子対の中点に制御電圧を印加したことを特
徴とする振幅周波数特性等化回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15959089A JPH0326014A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 振幅周波数特性等化回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15959089A JPH0326014A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 振幅周波数特性等化回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0326014A true JPH0326014A (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=15697031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15959089A Pending JPH0326014A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 振幅周波数特性等化回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0326014A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6392581B1 (en) * | 2000-03-17 | 2002-05-21 | Hughes Electronics Corp. | Tuning circuit for an analog-to-digital converter |
| JP2005223419A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Fujitsu Ltd | イコライザ回路 |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP15959089A patent/JPH0326014A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6392581B1 (en) * | 2000-03-17 | 2002-05-21 | Hughes Electronics Corp. | Tuning circuit for an analog-to-digital converter |
| JP2005223419A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Fujitsu Ltd | イコライザ回路 |
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