JPS63105505A - 増幅器 - Google Patents
増幅器Info
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- JPS63105505A JPS63105505A JP62257050A JP25705087A JPS63105505A JP S63105505 A JPS63105505 A JP S63105505A JP 62257050 A JP62257050 A JP 62257050A JP 25705087 A JP25705087 A JP 25705087A JP S63105505 A JPS63105505 A JP S63105505A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0088—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using discontinuously variable devices, e.g. switch-operated
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
/ド発明は増幅器、特に篩周波5iit通増1す11器
に関連する発振及び不安定性を補償する同111hに関
する。
に関連する発振及び不安定性を補償する同111hに関
する。
(従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕単位
利得(利得−1)のバッファ増幅器は帰還用1陥器であ
り、その出力に単位上j上刊冑で出力を生じる。単位制
Itのバッファはil’li入カインピータンス、低出
力インピータンス、温度に対する利1!を高安定性及び
優れた直線性とい・)優れた特性の為に広く使用されて
いる。
利得(利得−1)のバッファ増幅器は帰還用1陥器であ
り、その出力に単位上j上刊冑で出力を生じる。単位制
Itのバッファはil’li入カインピータンス、低出
力インピータンス、温度に対する利1!を高安定性及び
優れた直線性とい・)優れた特性の為に広く使用されて
いる。
しかし、この増幅器も他の帰還増幅器と間しく商用波で
発振し易いとい・う欠点を有する。発1辰を補償する最
も簡単且つ一般的な方法はキャパシタンスを付加して増
’1Vil器の帯域11fiiを低減するごとである。
発振し易いとい・う欠点を有する。発1辰を補償する最
も簡単且つ一般的な方法はキャパシタンスを付加して増
’1Vil器の帯域11fiiを低減するごとである。
このキャパシタンスは増幅器内に有力なポールをもたら
し利冑の位相シフl−を−180’未満とし、ループ利
得′rが1のとき位相マージンをO。
し利冑の位相シフl−を−180’未満とし、ループ利
得′rが1のとき位相マージンをO。
より大とする。この付加によりナイキストの安定条件を
満足する。しかし、増幅器の性能とのかねあいが問題と
なる。即ち、1つには増幅器の周波数性能(周波数帯域
)を犠牲とする。今1つは、位相マージンにより、増幅
器の共振(71位ループ利得)周波数で総合利得にピー
キングを生じる。
満足する。しかし、増幅器の性能とのかねあいが問題と
なる。即ち、1つには増幅器の周波数性能(周波数帯域
)を犠牲とする。今1つは、位相マージンにより、増幅
器の共振(71位ループ利得)周波数で総合利得にピー
キングを生じる。
位相マージンが小さければ小さい程、利得が無限大にな
り0°の位相マージンで発振が起るまで利得のピークが
大きくなる。第3に、位相マージンを増加する為にキャ
パシタンスを増加すると、増幅器のスルーレートが低下
する。スルーレートが低下すると大人力信号に応答する
のに長い時間を要する。
り0°の位相マージンで発振が起るまで利得のピークが
大きくなる。第3に、位相マージンを増加する為にキャ
パシタンスを増加すると、増幅器のスルーレートが低下
する。スルーレートが低下すると大人力信号に応答する
のに長い時間を要する。
安定性を保持する必要性は、命令により電流利得が変化
される可変利得増幅器の場合に特に重要である。斯る増
幅器は電流利得の1つのレベルで安定であっても、抵抗
を変化することにより帰還が変化する為に他のレベルで
は不安定となる。増幅器内の帰還の変化は共振周波数で
利得のピーキングに影響を与える。
される可変利得増幅器の場合に特に重要である。斯る増
幅器は電流利得の1つのレベルで安定であっても、抵抗
を変化することにより帰還が変化する為に他のレベルで
は不安定となる。増幅器内の帰還の変化は共振周波数で
利得のピーキングに影響を与える。
従って、本発明の目的の1つは帯域幅に影響を与えるこ
となく単位利得増幅器の安定性を改善することである。
となく単位利得増幅器の安定性を改善することである。
本発明の第2の目的は増幅器の利得ピーキングを補償す
ることである。
ることである。
本発明の第3の目的は必要な補償を決定する為の簡単な
手段を提供することである。
手段を提供することである。
本発明の第4の目的は増幅器のスルーレート低下を最小
にする補償手段を提供することである。
にする補償手段を提供することである。
本発明の第5の目的はIC回路に通用可能な補償手段を
提供することである。
提供することである。
本発明の他の目的は可変利得増幅器の補償回路を提供す
ることである。
ることである。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明による
増幅器は差動入力段を含み入力信号を受け、更に出力増
幅段を含み信号増幅を行う。
増幅器は差動入力段を含み入力信号を受け、更に出力増
幅段を含み信号増幅を行う。
出力段の出力電圧は入力段に帰還して出力電圧が人力信
号電圧にマツチングするよう帰還する。この帰還により
生じる増幅器の不安定性は直列共振回路により補償し、
この回路のりアクタンスは増幅器の共振周波数(ループ
利得=1)で略Oになるようm節する。
号電圧にマツチングするよう帰還する。この帰還により
生じる増幅器の不安定性は直列共振回路により補償し、
この回路のりアクタンスは増幅器の共振周波数(ループ
利得=1)で略Oになるようm節する。
本発明の一実施例に依ると、直列共振回路は、増幅器の
入出力股間に接続したインダクター抵抗−コンデンサ回
路から成る。コンデンサのWbtはインダクタを用いる
ことにより最小とした。他の実施例では、インダクタの
代りに抵抗及びコンデンサと直列接続のトランジスタを
用い、トランジスタのコレクタをコンデンサ及び抵抗に
結合し、ベースはベースバイアス抵抗を介してコレクタ
に結合し、エミッタは人出力増幅段に結合する。ベース
抵抗の値はトランジスタを誘導性リアクタンスとする周
知の式に基づき調節する。このリアクタンスはコンデン
サのリアクタンスと合成して、増幅器の共振周波数で略
Oとなるようにする。
入出力股間に接続したインダクター抵抗−コンデンサ回
路から成る。コンデンサのWbtはインダクタを用いる
ことにより最小とした。他の実施例では、インダクタの
代りに抵抗及びコンデンサと直列接続のトランジスタを
用い、トランジスタのコレクタをコンデンサ及び抵抗に
結合し、ベースはベースバイアス抵抗を介してコレクタ
に結合し、エミッタは人出力増幅段に結合する。ベース
抵抗の値はトランジスタを誘導性リアクタンスとする周
知の式に基づき調節する。このリアクタンスはコンデン
サのリアクタンスと合成して、増幅器の共振周波数で略
Oとなるようにする。
更に、出力電圧が印加される抵抗を変えることにより増
幅器の電流利得をfI!i1節する手段を開示している
。
幅器の電流利得をfI!i1節する手段を開示している
。
第1図は本発明の第1実施例であって、共振補償型増幅
器(10)を示す。この補償型増幅器(10)は差動入
力段を有する単位利得(利得=1)バッファ(11)を
含み入力信号を受け、更に出力段を合み、単位電圧利得
で出力信号電圧■0を得る。
器(10)を示す。この補償型増幅器(10)は差動入
力段を有する単位利得(利得=1)バッファ(11)を
含み入力信号を受け、更に出力段を合み、単位電圧利得
で出力信号電圧■0を得る。
差動人力段は1対のエミッタ結合トランジスタQ1−Q
2より成り、両トランジスタのエミッタは従来の電流源
(16)でバイアスされる。両トランジスタQI Q2
はマツチングしており、各トランジスタのベース電圧が
等しいとき、定電流源(16)から等しい電流を流す。
2より成り、両トランジスタのエミッタは従来の電流源
(16)でバイアスされる。両トランジスタQI Q2
はマツチングしており、各トランジスタのベース電圧が
等しいとき、定電流源(16)から等しい電流を流す。
トランジスタQ2のコレクタにはトランジスタQ3の如
き出力段が結合されている。トランジスタQ3はそのエ
ミッタから出力電圧■0を出力する。電流鯨(20)で
トランジスタQ3のエミッタをバイアスする。出力電圧
■0はトランジスタQ3のエミッタと接地間に接続され
た抵抗RL両端に印加され、トランジスタQ3のコレク
タから流す電流ioを制御する。
き出力段が結合されている。トランジスタQ3はそのエ
ミッタから出力電圧■0を出力する。電流鯨(20)で
トランジスタQ3のエミッタをバイアスする。出力電圧
■0はトランジスタQ3のエミッタと接地間に接続され
た抵抗RL両端に印加され、トランジスタQ3のコレク
タから流す電流ioを制御する。
第1図から判る如く、トランジスタQ3は基本的にはエ
ミッタフォロワであり、差動入力段に対して帰還関係で
接続されている。エミッタフォロワはそのエミッタに単
位電圧利得を生じる(但し、トランジスタのベース・エ
ミッタ接合電圧降下分だけ低い)が、バッファ(11)
に帰還がない場合には相当大きい電流利得を有する。し
かし、その動作はVoを帰還路(24)を介してトラン
ジスタQ2のベースに印加することにより改善している
。
ミッタフォロワであり、差動入力段に対して帰還関係で
接続されている。エミッタフォロワはそのエミッタに単
位電圧利得を生じる(但し、トランジスタのベース・エ
ミッタ接合電圧降下分だけ低い)が、バッファ(11)
に帰還がない場合には相当大きい電流利得を有する。し
かし、その動作はVoを帰還路(24)を介してトラン
ジスタQ2のベースに印加することにより改善している
。
ベースにて出力電圧VoをトランジスタQ1のベースの
入力信号電圧VINと比鮫する。VINがV。
入力信号電圧VINと比鮫する。VINがV。
を超すと、トランジスタQ2のベース・エミッタ′市圧
が低下してl−ランジスタQ2が電圧’IQ V s及
び抵抗R1で構成される電流源(26)から引出す電流
を減少する。トランジスタQ2のコレクタから引出す電
流が低下すると、トランジスタQ、のベース電圧が上昇
し、そのベース・エミッタ結合を介して出力電圧Voを
上昇する。他方、もしVINがVo以下に低下すると、
上述の逆の動作が起る。
が低下してl−ランジスタQ2が電圧’IQ V s及
び抵抗R1で構成される電流源(26)から引出す電流
を減少する。トランジスタQ2のコレクタから引出す電
流が低下すると、トランジスタQ、のベース電圧が上昇
し、そのベース・エミッタ結合を介して出力電圧Voを
上昇する。他方、もしVINがVo以下に低下すると、
上述の逆の動作が起る。
トランジスタQ2のベース・エミッタ結合間の電圧が上
昇すると、電!%l源(26)から引出す電流が増加す
る。この増加した電流はトランジスタQ3のベース電圧
を低ドし、そのベース・エミッタ結合を介して出力電圧
Voを低下する。従って、V。
昇すると、電!%l源(26)から引出す電流が増加す
る。この増加した電流はトランジスタQ3のベース電圧
を低ドし、そのベース・エミッタ結合を介して出力電圧
Voを低下する。従って、V。
はVけ1が変化するときVINの変化にマツチングして
変化する。
変化する。
この帰還はバッファ(11)の直線性を改善するが、帰
還路に位相シフトを生じる為に高周波において発振を生
じ易くなる。ナイキスト線図によると、ループ利得Tが
1のとき位相マージンがO。
還路に位相シフトを生じる為に高周波において発振を生
じ易くなる。ナイキスト線図によると、ループ利得Tが
1のとき位相マージンがO。
以下であれば、発振は角周波数ω0で生じる。この角周
波数ω0は相互コンダクタンス、出力アドミッタンス、
入力インピーダンス、寄生キャパシタンス、抵抗等のバ
ッファ(11)のパラメータの関数である。これらの値
が既知或は11i定可能であれば、5PICEは類似回
路シミュレーションプログラムにより単位利得のバッフ
ァ(11)の動作シュミレーションを行うことにより角
周波数ω0を簡単に求めることができる。この角周波数
ω0で、バッファ(11)の出力信号■0はVINと無
関係に「共振」又は発振する。
波数ω0は相互コンダクタンス、出力アドミッタンス、
入力インピーダンス、寄生キャパシタンス、抵抗等のバ
ッファ(11)のパラメータの関数である。これらの値
が既知或は11i定可能であれば、5PICEは類似回
路シミュレーションプログラムにより単位利得のバッフ
ァ(11)の動作シュミレーションを行うことにより角
周波数ω0を簡単に求めることができる。この角周波数
ω0で、バッファ(11)の出力信号■0はVINと無
関係に「共振」又は発振する。
バッファ(11)の帰還の影響を補償するには、直列共
振回路(28)をバッファ(11)の入出力股間に結合
する。第1図中、回路(28)はコンデンサ(/11抵
抗R2及びインダクタL1の直列回路である。コンデン
サC1の容量はボール移動により発振を防止するべく十
分大きな位相マージンを生じるように大きく、しかし増
幅器の最大帯域幅を維持するべく可能な限り小さい値に
選定すること。この値はバッファ (11)のパラメー
タから計算により、或は史に簡単に行うには上述の5P
ICE回路シミュレーションプログラムにより決定する
。
振回路(28)をバッファ(11)の入出力股間に結合
する。第1図中、回路(28)はコンデンサ(/11抵
抗R2及びインダクタL1の直列回路である。コンデン
サC1の容量はボール移動により発振を防止するべく十
分大きな位相マージンを生じるように大きく、しかし増
幅器の最大帯域幅を維持するべく可能な限り小さい値に
選定すること。この値はバッファ (11)のパラメー
タから計算により、或は史に簡単に行うには上述の5P
ICE回路シミュレーションプログラムにより決定する
。
単位利得角周波数ω0においてボード図で観測されたピ
ーキングはインダクタL1によるインダクタンスの付加
により低減する。このインダクタンスは共振周波数でコ
ンデンサのボールを相殺して0となるよう選定する。ま
た、このインダクタはキャパシタンスを増加することな
く容量性降下を増加することにより実効的にバッファ(
11)のスルーレートを改善する。抵抗R2の値は共振
周波数付近における利得ピークをマツチングするよ選定
する。抵抗は共振周波数における利得ピークの大きさを
実質的に抑える。その値は計算により求められるが、利
得ピークへのその影響を5PICEで見ながら容易に決
定できる。これら直列共振回路のパラメータを正しく選
定すると、共振周波数での利得ビーキンクは除去でき、
ボード線図上で滑ら力1な曲牟泉(ロールオフ)とする
ことができる。
ーキングはインダクタL1によるインダクタンスの付加
により低減する。このインダクタンスは共振周波数でコ
ンデンサのボールを相殺して0となるよう選定する。ま
た、このインダクタはキャパシタンスを増加することな
く容量性降下を増加することにより実効的にバッファ(
11)のスルーレートを改善する。抵抗R2の値は共振
周波数付近における利得ピークをマツチングするよ選定
する。抵抗は共振周波数における利得ピークの大きさを
実質的に抑える。その値は計算により求められるが、利
得ピークへのその影響を5PICEで見ながら容易に決
定できる。これら直列共振回路のパラメータを正しく選
定すると、共振周波数での利得ビーキンクは除去でき、
ボード線図上で滑ら力1な曲牟泉(ロールオフ)とする
ことができる。
しかし、集積回路(Ic)内にインダクタL1の如きイ
ンダクタを形成するのは、困難である。
ンダクタを形成するのは、困難である。
そこで第2図はインダクタL1の代りにベース1氏抗R
6でバイアスしたトランジスタQ4に置換する回路を示
す。IC技術では周知の技法を用いて、トランジスタQ
4とベースバイアス抵抗R6の値は次式で決まるインダ
クタンスLを与えるように選定する。
6でバイアスしたトランジスタQ4に置換する回路を示
す。IC技術では周知の技法を用いて、トランジスタQ
4とベースバイアス抵抗R6の値は次式で決まるインダ
クタンスLを与えるように選定する。
L = R6/ 27’t f T
ここでf、はトランジスタQ4のトランジション周gL
数、即ちエミッタを接地した場合の電流利得が1に低]
・する周波数である。それ以外の第2図の実施例の回路
は第1図の回路と同じであるので、ここで詳述すること
は避ける。
数、即ちエミッタを接地した場合の電流利得が1に低]
・する周波数である。それ以外の第2図の実施例の回路
は第1図の回路と同じであるので、ここで詳述すること
は避ける。
第3図は1対の本発明による補償型増幅器(10)−(
10’)を可変(又は選択)負荷抵抗と共に使用して、
電流利得を複数の予定値に選定する可変利得増幅器(5
2)を示す。本実施例では差動入力信号を印加するので
、1対の補償型増幅器(10)−(10’)を使用する
が、シングルエンド型可変利得増幅器に応用可能である
ことは言うまでもない。
10’)を可変(又は選択)負荷抵抗と共に使用して、
電流利得を複数の予定値に選定する可変利得増幅器(5
2)を示す。本実施例では差動入力信号を印加するので
、1対の補償型増幅器(10)−(10’)を使用する
が、シングルエンド型可変利得増幅器に応用可能である
ことは言うまでもない。
この増幅器(10)では、トランジスタQ3のコレクタ
における出力電流1oは入力信号電圧VINに直線的に
比例する。この実施例では付加トランジスタ(54)を
ダブルエミッタ型のトランジスタQ3に付加してダーリ
ントン構成にしてQ3のコレクタにおける増幅器(10
)の電流利得を増大する。
における出力電流1oは入力信号電圧VINに直線的に
比例する。この実施例では付加トランジスタ(54)を
ダブルエミッタ型のトランジスタQ3に付加してダーリ
ントン構成にしてQ3のコレクタにおける増幅器(10
)の電流利得を増大する。
単一のエミッタ抵抗の代りにトランジスタQ3のエミッ
タには複数(この場合は6個)の抵抗ブランチ(22a
)乃至(22f)を接続する。各抵抗ブランチは独立し
たバイアス電流源(20a)乃至(20f )に接続さ
れ、(図示せずも)制御信号により一時に少くともそれ
らバイアス電流源の1つが選択的に動作するように構成
する。各抵抗ブランチはスイッチングダイオード(56
a)乃至(56f)及び(58a )乃至(58f )
と関連する電圧源(60a)乃至(60f)から印加す
る電圧により、対応する電流源がオフの場合には相互に
アイソレートされている。選択可能な電流源(20a)
乃至(20f )と抵抗回路網は次式により増幅器(1
0) −(10’)の利得調節手段を形成する。
タには複数(この場合は6個)の抵抗ブランチ(22a
)乃至(22f)を接続する。各抵抗ブランチは独立し
たバイアス電流源(20a)乃至(20f )に接続さ
れ、(図示せずも)制御信号により一時に少くともそれ
らバイアス電流源の1つが選択的に動作するように構成
する。各抵抗ブランチはスイッチングダイオード(56
a)乃至(56f)及び(58a )乃至(58f )
と関連する電圧源(60a)乃至(60f)から印加す
る電圧により、対応する電流源がオフの場合には相互に
アイソレートされている。選択可能な電流源(20a)
乃至(20f )と抵抗回路網は次式により増幅器(1
0) −(10’)の利得調節手段を形成する。
i o =Vo /Rt、 =VIN/RLここでRL
は選択された抵抗ブランチの抵抗値である。電流源(2
0a )乃至(20f)から特定の電流源を選択するこ
とにより、Vo即ちVINが印加されているQ3の抵抗
が選択的に変化して増幅器(52)の電流利得を変化す
る。従って、トランジスタQ3の電流利得はVINが印
加されているエミッタ付加抵抗器に逆比例する。
は選択された抵抗ブランチの抵抗値である。電流源(2
0a )乃至(20f)から特定の電流源を選択するこ
とにより、Vo即ちVINが印加されているQ3の抵抗
が選択的に変化して増幅器(52)の電流利得を変化す
る。従って、トランジスタQ3の電流利得はVINが印
加されているエミッタ付加抵抗器に逆比例する。
増幅器(52)には差動人力信号が印加される場合を示
す。差動信号を受けると、Voはブランチ抵抗の半分に
印加される。一方の信号大刀が接地されていると、vO
はブランチ全体に印加される。
す。差動信号を受けると、Voはブランチ抵抗の半分に
印加される。一方の信号大刀が接地されていると、vO
はブランチ全体に印加される。
差動入力段(10) 、 (10’)のエミッタ結合
トランジスタQt Q2には夫々バイアス電流源(1
6a)−(16b)が接続されている。抵抗ブランチ(
22b)乃至(22f)のいずれかが選択されていると
きはトランジスタQ3の一方のエミッタが差動するが、
電流源(20a)を動作させて、ブランチ抵抗(22a
)が選択された場合にはトランジスタQ3の他方のエミ
ッタが動作する。後者の場合のトランジスタQ3のエミ
ッタは大きいエミッタ帰還抵抗を含み、増幅器(10)
のオープンループ利得を下げてその安定度を保持する。
トランジスタQt Q2には夫々バイアス電流源(1
6a)−(16b)が接続されている。抵抗ブランチ(
22b)乃至(22f)のいずれかが選択されていると
きはトランジスタQ3の一方のエミッタが差動するが、
電流源(20a)を動作させて、ブランチ抵抗(22a
)が選択された場合にはトランジスタQ3の他方のエミ
ッタが動作する。後者の場合のトランジスタQ3のエミ
ッタは大きいエミッタ帰還抵抗を含み、増幅器(10)
のオープンループ利得を下げてその安定度を保持する。
以上、本発明による増幅器を好適実施例につき説明した
が、本発明は斯る実施例のみに限定すべきでなく、種々
の変形変更が可能であることが理解されよう。例えばト
ランジスタQ3は単一エミッタ型のトランジスタであっ
てもよい。
が、本発明は斯る実施例のみに限定すべきでなく、種々
の変形変更が可能であることが理解されよう。例えばト
ランジスタQ3は単一エミッタ型のトランジスタであっ
てもよい。
本発明によると、エミッタ結合型入力段と、帰還形式の
出力段と、両者間にLCRの直列共振回路を接続するこ
とにより、スルーレート及び帯域幅等の性能を殆んど低
下することなく発振その他の動作不安定要因を排除する
ことができる。よって、特にオシロスコープ用垂直増幅
器等の広帯域可変利得増幅器に通用して極めて好適であ
る。
出力段と、両者間にLCRの直列共振回路を接続するこ
とにより、スルーレート及び帯域幅等の性能を殆んど低
下することなく発振その他の動作不安定要因を排除する
ことができる。よって、特にオシロスコープ用垂直増幅
器等の広帯域可変利得増幅器に通用して極めて好適であ
る。
第1図は本発明による増幅器の一実施例の回路図、第2
図は本発明のIC化に好適な他の実施例の回路図、第3
図は本発明による増幅器を可変利得差動増幅器に通用し
た場合の回路図である。 Qs 、 Q2 、 (16)・・・・・・人力段Q
3 、 RL、 (20)・・・・・・出力段C1、
R2、Lt (Q4 、Rc)”直列共振回路
図は本発明のIC化に好適な他の実施例の回路図、第3
図は本発明による増幅器を可変利得差動増幅器に通用し
た場合の回路図である。 Qs 、 Q2 、 (16)・・・・・・人力段Q
3 、 RL、 (20)・・・・・・出力段C1、
R2、Lt (Q4 、Rc)”直列共振回路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一方のトランジスタのベースに入力信号を印加した
1対のエミッタ結合トランジスタを含む入力段と、 該入力段の他方のトランジスタのコレクタ・ベース間に
接続したエミッタフォロワ型出力段と、 上記入力段の上記トランジスタのコレクタに接続した直
列共振回路と を具える増幅器。 2、上記直列共振回路のインダクタとしてベースバイア
スしたトランジスタを用いる特許請求の範囲第1項記載
の増幅器。 3、上記出力段のエミッタ抵抗を可変してコレクタ出力
電流を可変とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載
の増幅器。 4、上記人力段、出力段及び直列共振回路より成る増幅
器を2個使用し、差動入力信号を増幅するようにした特
許請求の範囲第1項、第2項又は第3項記載の増幅器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US918,412 | 1986-10-14 | ||
| US06/918,412 US4731588A (en) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | Gain selectable amplifier with resonance compensation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63105505A true JPS63105505A (ja) | 1988-05-10 |
Family
ID=25440334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62257050A Pending JPS63105505A (ja) | 1986-10-14 | 1987-10-12 | 増幅器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4731588A (ja) |
| EP (1) | EP0264171A3 (ja) |
| JP (1) | JPS63105505A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011072026A (ja) * | 2010-12-03 | 2011-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器及び差動増幅器 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9425714D0 (en) * | 1994-12-20 | 1995-02-22 | Philips Electronics Uk Ltd | An amplifying circuit |
| IT1313384B1 (it) * | 1999-04-28 | 2002-07-23 | St Microelectronics Srl | Schema di polarizzazione in modo corrente ad alta precisione e minimorumore per un transistore bipolare a giunzione con degenerazione ut |
| EP1229643A1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-07 | Semiconductor Ideas to The Market (ItoM) BV | A receiver with AGC controlled resonant amplifier |
| US7017086B2 (en) | 2002-06-18 | 2006-03-21 | Sun Microsystems, Inc. | Round-robin updating for high speed I/O parallel interfaces |
| US7062688B2 (en) | 2002-07-16 | 2006-06-13 | Sun Microsystems, Inc. | Updating high speed parallel I/O interfaces based on counters |
| US7043379B2 (en) * | 2002-10-22 | 2006-05-09 | Sun Microsystems, Inc. | Method for quantifying I/O chip/package resonance |
| US7043683B2 (en) | 2003-02-07 | 2006-05-09 | Sun Microsystems, Inc. | Data transmission update technique in low power modes |
| US6842351B2 (en) * | 2003-02-20 | 2005-01-11 | Sun Microsystems, Inc. | Method and apparatus for I/O resonance compensation |
| US9236840B1 (en) | 2014-09-04 | 2016-01-12 | Linear Technology Corporation | Linear broadband PNP amplifier |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5224061A (en) * | 1975-08-19 | 1977-02-23 | Sony Corp | Amplifier |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3701034A (en) * | 1971-03-23 | 1972-10-24 | Collins Radio Co | Equalizer circuit for multistage feedback amplifier |
| JPS6134749Y2 (ja) * | 1979-09-28 | 1986-10-09 | ||
| US4482866A (en) * | 1982-02-26 | 1984-11-13 | Barcus-Berry, Inc. | Reference load amplifier correction system |
| US4646036A (en) * | 1985-12-23 | 1987-02-24 | Motorola, Inc. | Signal attenuation circuit |
-
1986
- 1986-10-14 US US06/918,412 patent/US4731588A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-07-01 EP EP87305821A patent/EP0264171A3/en not_active Withdrawn
- 1987-10-12 JP JP62257050A patent/JPS63105505A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5224061A (en) * | 1975-08-19 | 1977-02-23 | Sony Corp | Amplifier |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011072026A (ja) * | 2010-12-03 | 2011-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器及び差動増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4731588A (en) | 1988-03-15 |
| EP0264171A2 (en) | 1988-04-20 |
| EP0264171A3 (en) | 1990-02-07 |
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