JPH03260649A - Multistage pellicle - Google Patents
Multistage pellicleInfo
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- JPH03260649A JPH03260649A JP2057873A JP5787390A JPH03260649A JP H03260649 A JPH03260649 A JP H03260649A JP 2057873 A JP2057873 A JP 2057873A JP 5787390 A JP5787390 A JP 5787390A JP H03260649 A JPH03260649 A JP H03260649A
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- pellicle
- reticle
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- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置を製造するときのホトリソグラフィ工程にお
いて、その露光時に使用されるレチクル又はマスクに設
けられるペリクルに関し、レチクル又はマスクからのペ
リクル膜のスタンドオフ量を大にし、しかもレチクル又
はマスク表面の顕微鏡による各種検査を可能とすること
を目的とし、
レチクル又はマスク上に付着するゴミの転写を防止する
ため、該レチクル又はマスク表面に所望の高さの枠を設
け、鉄枠にペリクル膜を張設して成るペリクルにおいて
、上記ペリクルをレチクル又はマスク上に多段に設けて
成るように構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding the pellicle provided on the reticle or mask used during exposure in the photolithography process when manufacturing semiconductor devices, the amount of standoff of the pellicle film from the reticle or mask is determined. In order to prevent the transfer of dust that adheres to the reticle or mask, a frame of a desired height is placed on the reticle or mask surface. In the pellicle, the pellicle is formed by stretching a pellicle film over an iron frame, and the pellicle is provided in multiple stages on a reticle or a mask.
本発明は半導体装置を製造するときのホトリソグラフィ
工程において、その露光時に使用されるレチクル又はマ
スクに設けられるペリクルに関する。The present invention relates to a pellicle provided on a reticle or mask used during exposure in a photolithography process when manufacturing a semiconductor device.
近年、半導体装置の高集積化要求に伴い、ホトリングラ
フィ工程で使用される転写装置の性能が上り、解像力も
向上して来ている。このためレチクル又はマスク上の小
さなゴミでも被転写物に転写されるため、許容されるゴ
ミの大きさは次第に小さくなって来ている。またペリク
ルにあっても同様である。In recent years, with the demand for higher integration of semiconductor devices, the performance and resolution of transfer devices used in photolithography processes have improved. For this reason, even a small amount of dust on a reticle or mask is transferred to an object, so the allowable size of dust is gradually becoming smaller. The same applies to the pellicle.
第3図は従来のペリクルを示す図である。これは、パタ
ーン1aを有するレチクル又はマスク1の上に枠2を接
着して設け、さらに鉄枠2にペリクル膜(例えばニトロ
セルローズの薄膜)3を張設したものである。そしてレ
チクル又はマスク1に付着しようとするゴミはべりタル
膜3で遮ぎられ、該ペリクル膜3に付着する。このゴミ
は転写時には、レチクル又はマスクのパターン面より枠
2の高さ(スタンドオフ量)だけ離れているため、転写
装置のレンズの焦点から外れた位置となる。FIG. 3 is a diagram showing a conventional pellicle. This consists of a frame 2 bonded onto a reticle or mask 1 having a pattern 1a, and a pellicle film (for example, a thin film of nitrocellulose) 3 stretched over the iron frame 2. Dust attempting to adhere to the reticle or mask 1 is blocked by the pellicle film 3 and adheres to the pellicle film 3. During transfer, this dust is separated from the pattern surface of the reticle or mask by the height of the frame 2 (standoff amount), so that it is located out of focus of the lens of the transfer device.
これにより許容されるゴミの大きさはべりタルのない場
合より大きくなる。As a result, the allowable size of dust becomes larger than in the case without veritars.
上記従来のペリクルでは、ゴミの転写を一層向上させる
ためには、単純に工程内の各所の清浄度を向上すること
でペリクル膜上に付着するゴミの量を減少させるか、あ
るいはべりタル膜によるレチクルからのスタンドオフの
量を大きくすることで転写が許容されるゴミの大きさを
大きくしていた。ところが後者のペリクル膜のスタンド
オフ量を大きくした場合は、ペリクル装着時の検査にお
いて、検査装置の顕微鏡の焦点外の位置にレチクル表面
が来るため検査を行なうことができなくなるという問題
が生ずる。In the conventional pellicle mentioned above, in order to further improve the transfer of dust, it is necessary to reduce the amount of dust that adheres to the pellicle film by simply improving the cleanliness at various points in the process, or by reducing the amount of dust that adheres to the pellicle film. By increasing the amount of standoff from the reticle, the size of dust allowed to be transferred was increased. However, if the standoff amount of the latter pellicle film is increased, a problem arises in that during inspection when the pellicle is attached, the reticle surface is located outside the focus of the microscope of the inspection device, making it impossible to perform inspection.
本発明は上記従来の問題点に鑑み、レチクル又はマスク
からのペリクル膜のスタンドオフ量を大にし、しかもレ
チクル又はマスク表面の顕微鏡による各種検査を可能と
したペリクルを提供することを目的とする。In view of the above conventional problems, it is an object of the present invention to provide a pellicle that increases the amount of standoff of the pellicle film from the reticle or mask and allows various inspections of the reticle or mask surface using a microscope.
上記目的を達成するために本発明の多段ペリクルは、レ
チクル又はマスク10上に付着するゴミの転写を防止す
るため、該レチクル又はマスク10表面に所望の高さの
枠14を設け、鉄枠14にペリクル膜15を張設してな
るペリタルにおいて、上記ペリクルをレチクル又はマス
ク10上に多段に設けて成ることを特徴とする。In order to achieve the above object, the multi-stage pellicle of the present invention has a frame 14 of a desired height on the surface of the reticle or mask 10 in order to prevent the transfer of dust adhering to the reticle or mask 10. A perital in which a pellicle film 15 is stretched over the reticle or mask 10 is characterized in that the pellicle is provided in multiple stages on the reticle or mask 10.
本発明の多段ペリクルは、先ず1段目のペリクル12を
レチクル又はマスク10上に設置し、その状態でレチク
ル又はマスク10の表面を顕微鏡により検査し、その後
2段目のペリクル13を前記1段目のペリクル12の上
に重ねて設けることにより、2段目のペリクル13のペ
リクル膜15のスタンドオフ量を大とすることができ、
且つ2段目のペリクル13設置前にはレチクル又はマス
クの顕微鏡検査が可能である。In the multi-stage pellicle of the present invention, the first stage pellicle 12 is first placed on the reticle or mask 10, the surface of the reticle or mask 10 is inspected under a microscope, and then the second stage pellicle 13 is placed on the first stage pellicle 12. By overlapping the second pellicle 12 with the second pellicle 12, the standoff amount of the pellicle membrane 15 of the second pellicle 13 can be increased.
In addition, the reticle or mask can be inspected with a microscope before the second stage pellicle 13 is installed.
第1図は本発明の実施例を示す図である。 FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
同図において10はレチクル又はマスクでありその表面
に半導体装置のパターン10aが描かれているものであ
る。11は該レチクル又はマスク上に設置された本実施
例の多段ペリクルである。この多段ペリクルは、第1段
のペリクル12と、その上に設置された第2段のペリク
ル13とよりなる。そして各ペリクル12.13はそれ
ぞれ枠14と、該枠に張設されたペリクル膜15とより
なっている。In the figure, 10 is a reticle or mask, on the surface of which a pattern 10a of a semiconductor device is drawn. 11 is the multistage pellicle of this embodiment installed on the reticle or mask. This multi-stage pellicle consists of a first-stage pellicle 12 and a second-stage pellicle 13 installed above it. Each pellicle 12, 13 consists of a frame 14 and a pellicle membrane 15 stretched over the frame.
このように構成される本実施例は先ずレチクル又はマス
ク10の上に第1段のペリクル12の枠14(例えば高
さ4mm)を接着固定したのち、クリーンルームにおい
て鉄枠14にペリクル膜15を張設する。この時点でペ
リクル膜15を通してレチクル又はマスク10のパター
ン10aを顕微鏡にて検査してパターンの保証を行なう
。この場合の顕微鏡の対物レンズの焦点距離はべりタル
膜のスタンドオフ量より長いものである必要がある。次
に第2段のペリクル13(例えばスタンドオフ13mm
)を第1段のペリクル12の上に装着する。これにより
清浄度を要求されるのはべりタルを装着する工程内だけ
で良く、通常の使用環境ではスタンドオフ量が大きく取
れているため特に清浄度を向上することなくレチクル又
はマスクを使用することができる。In this embodiment configured as described above, first, the frame 14 (for example, 4 mm in height) of the first stage pellicle 12 is adhesively fixed on the reticle or mask 10, and then the pellicle film 15 is stretched on the iron frame 14 in a clean room. Set up At this point, the pattern 10a of the reticle or mask 10 is inspected with a microscope through the pellicle film 15 to ensure the pattern. In this case, the focal length of the objective lens of the microscope needs to be longer than the standoff amount of the vertal film. Next, the second stage pellicle 13 (for example, standoff 13 mm)
) is mounted on top of the first stage pellicle 12. As a result, cleanliness is required only during the process of attaching the beretall, and in normal use environments, the standoff amount is large, so the reticle or mask can be used without particularly improving cleanliness. can.
第2図は本発明の他の実施例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
同図において第1図と同一部分は同一符号を付して示し
た。In this figure, the same parts as in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.
本実施例が前実施例と異なるところは、前実施例が多段
ペリクル11をレチクル又はマスク10の一方の面に装
着したのに対し、本実施例は両面に装着したもので、そ
の効果は前実施例と同様であり、更にレチクル又はマス
クの裏面に付着するゴミに対する転写防止効果を有する
。This embodiment differs from the previous embodiment in that the multi-stage pellicle 11 was attached to one side of the reticle or mask 10 in the previous embodiment, whereas in this embodiment the multi-stage pellicle 11 was attached to both sides. This is similar to the embodiment, and furthermore, it has the effect of preventing transfer of dust adhering to the back surface of the reticle or mask.
以上説明した様に、本発明によれば、実際にレチクルを
使用する環境での清浄度を特に向上させることなくゴミ
の転写サイズを小さくすることができ、しかも顕微鏡検
査によりパターンの保証を行なうことが可能であり、半
導体装置の品質向上に寄与するところ大である。As explained above, according to the present invention, the size of dust transfer can be reduced without particularly improving the cleanliness in the environment where the reticle is actually used, and the pattern can be guaranteed by microscopic inspection. This makes it possible to greatly contribute to improving the quality of semiconductor devices.
第1図は本発明の実施例を示す図、
第2図は本発明の他の実施例を示す図、第3図は従来の
ペリクルを示す図である。
図において、
10はレチクル又はマスク、
10aはパターン、
11は多段ペリクル、
12は第1段のペリク
13は第2段のペリク
14は枠、
15はペリクル膜
を示す。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing another embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram showing a conventional pellicle. In the figure, 10 is a reticle or mask, 10a is a pattern, 11 is a multi-stage pellicle, 12 is a first-stage pellicle 13, a second-stage pellicle 14 is a frame, and 15 is a pellicle film.
Claims (1)
写を防止するため、該レチクル又はマスク(10)表面
に所望の高さの枠(14)を設け、該枠にペリクル膜(
15)を張設してなるペリクルにおいて、 上記ペリクルをレチクル又はマスク(10)上に多段に
設けて成ることを特徴とする多段ペリクル。[Claims] 1. In order to prevent the transfer of dust adhering to the reticle or mask (10), a frame (14) of a desired height is provided on the surface of the reticle or mask (10), and the frame is Pellicle membrane (
15) A multi-stage pellicle, characterized in that the pellicle is provided in multiple stages on a reticle or mask (10).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2057873A JPH03260649A (en) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | Multistage pellicle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2057873A JPH03260649A (en) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | Multistage pellicle |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03260649A true JPH03260649A (en) | 1991-11-20 |
Family
ID=13068104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2057873A Pending JPH03260649A (en) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | Multistage pellicle |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03260649A (en) |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP2057873A patent/JPH03260649A/en active Pending
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