JPH03260649A - 多段ペリクル - Google Patents
多段ペリクルInfo
- Publication number
- JPH03260649A JPH03260649A JP2057873A JP5787390A JPH03260649A JP H03260649 A JPH03260649 A JP H03260649A JP 2057873 A JP2057873 A JP 2057873A JP 5787390 A JP5787390 A JP 5787390A JP H03260649 A JPH03260649 A JP H03260649A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellicle
- reticle
- mask
- stage
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置を製造するときのホトリソグラフィ工程にお
いて、その露光時に使用されるレチクル又はマスクに設
けられるペリクルに関し、レチクル又はマスクからのペ
リクル膜のスタンドオフ量を大にし、しかもレチクル又
はマスク表面の顕微鏡による各種検査を可能とすること
を目的とし、 レチクル又はマスク上に付着するゴミの転写を防止する
ため、該レチクル又はマスク表面に所望の高さの枠を設
け、鉄枠にペリクル膜を張設して成るペリクルにおいて
、上記ペリクルをレチクル又はマスク上に多段に設けて
成るように構成する。
いて、その露光時に使用されるレチクル又はマスクに設
けられるペリクルに関し、レチクル又はマスクからのペ
リクル膜のスタンドオフ量を大にし、しかもレチクル又
はマスク表面の顕微鏡による各種検査を可能とすること
を目的とし、 レチクル又はマスク上に付着するゴミの転写を防止する
ため、該レチクル又はマスク表面に所望の高さの枠を設
け、鉄枠にペリクル膜を張設して成るペリクルにおいて
、上記ペリクルをレチクル又はマスク上に多段に設けて
成るように構成する。
本発明は半導体装置を製造するときのホトリソグラフィ
工程において、その露光時に使用されるレチクル又はマ
スクに設けられるペリクルに関する。
工程において、その露光時に使用されるレチクル又はマ
スクに設けられるペリクルに関する。
近年、半導体装置の高集積化要求に伴い、ホトリングラ
フィ工程で使用される転写装置の性能が上り、解像力も
向上して来ている。このためレチクル又はマスク上の小
さなゴミでも被転写物に転写されるため、許容されるゴ
ミの大きさは次第に小さくなって来ている。またペリク
ルにあっても同様である。
フィ工程で使用される転写装置の性能が上り、解像力も
向上して来ている。このためレチクル又はマスク上の小
さなゴミでも被転写物に転写されるため、許容されるゴ
ミの大きさは次第に小さくなって来ている。またペリク
ルにあっても同様である。
第３図は従来のペリクルを示す図である。これは、パタ
ーン１ａを有するレチクル又はマスク１の上に枠２を接
着して設け、さらに鉄枠２にペリクル膜（例えばニトロ
セルローズの薄膜）３を張設したものである。そしてレ
チクル又はマスク１に付着しようとするゴミはべりタル
膜３で遮ぎられ、該ペリクル膜３に付着する。このゴミ
は転写時には、レチクル又はマスクのパターン面より枠
２の高さ（スタンドオフ量）だけ離れているため、転写
装置のレンズの焦点から外れた位置となる。
ーン１ａを有するレチクル又はマスク１の上に枠２を接
着して設け、さらに鉄枠２にペリクル膜（例えばニトロ
セルローズの薄膜）３を張設したものである。そしてレ
チクル又はマスク１に付着しようとするゴミはべりタル
膜３で遮ぎられ、該ペリクル膜３に付着する。このゴミ
は転写時には、レチクル又はマスクのパターン面より枠
２の高さ（スタンドオフ量）だけ離れているため、転写
装置のレンズの焦点から外れた位置となる。
これにより許容されるゴミの大きさはべりタルのない場
合より大きくなる。
合より大きくなる。
上記従来のペリクルでは、ゴミの転写を一層向上させる
ためには、単純に工程内の各所の清浄度を向上すること
でペリクル膜上に付着するゴミの量を減少させるか、あ
るいはべりタル膜によるレチクルからのスタンドオフの
量を大きくすることで転写が許容されるゴミの大きさを
大きくしていた。ところが後者のペリクル膜のスタンド
オフ量を大きくした場合は、ペリクル装着時の検査にお
いて、検査装置の顕微鏡の焦点外の位置にレチクル表面
が来るため検査を行なうことができなくなるという問題
が生ずる。
ためには、単純に工程内の各所の清浄度を向上すること
でペリクル膜上に付着するゴミの量を減少させるか、あ
るいはべりタル膜によるレチクルからのスタンドオフの
量を大きくすることで転写が許容されるゴミの大きさを
大きくしていた。ところが後者のペリクル膜のスタンド
オフ量を大きくした場合は、ペリクル装着時の検査にお
いて、検査装置の顕微鏡の焦点外の位置にレチクル表面
が来るため検査を行なうことができなくなるという問題
が生ずる。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、レチクル又はマスク
からのペリクル膜のスタンドオフ量を大にし、しかもレ
チクル又はマスク表面の顕微鏡による各種検査を可能と
したペリクルを提供することを目的とする。
からのペリクル膜のスタンドオフ量を大にし、しかもレ
チクル又はマスク表面の顕微鏡による各種検査を可能と
したペリクルを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明の多段ペリクルは、レ
チクル又はマスク１０上に付着するゴミの転写を防止す
るため、該レチクル又はマスク１０表面に所望の高さの
枠１４を設け、鉄枠１４にペリクル膜１５を張設してな
るペリタルにおいて、上記ペリクルをレチクル又はマス
ク１０上に多段に設けて成ることを特徴とする。
チクル又はマスク１０上に付着するゴミの転写を防止す
るため、該レチクル又はマスク１０表面に所望の高さの
枠１４を設け、鉄枠１４にペリクル膜１５を張設してな
るペリタルにおいて、上記ペリクルをレチクル又はマス
ク１０上に多段に設けて成ることを特徴とする。
本発明の多段ペリクルは、先ず１段目のペリクル１２を
レチクル又はマスク１０上に設置し、その状態でレチク
ル又はマスク１０の表面を顕微鏡により検査し、その後
２段目のペリクル１３を前記１段目のペリクル１２の上
に重ねて設けることにより、２段目のペリクル１３のペ
リクル膜１５のスタンドオフ量を大とすることができ、
且つ２段目のペリクル１３設置前にはレチクル又はマス
クの顕微鏡検査が可能である。
レチクル又はマスク１０上に設置し、その状態でレチク
ル又はマスク１０の表面を顕微鏡により検査し、その後
２段目のペリクル１３を前記１段目のペリクル１２の上
に重ねて設けることにより、２段目のペリクル１３のペ
リクル膜１５のスタンドオフ量を大とすることができ、
且つ２段目のペリクル１３設置前にはレチクル又はマス
クの顕微鏡検査が可能である。
第１図は本発明の実施例を示す図である。
同図において１０はレチクル又はマスクでありその表面
に半導体装置のパターン１０ａが描かれているものであ
る。１１は該レチクル又はマスク上に設置された本実施
例の多段ペリクルである。この多段ペリクルは、第１段
のペリクル１２と、その上に設置された第２段のペリク
ル１３とよりなる。そして各ペリクル１２．１３はそれ
ぞれ枠１４と、該枠に張設されたペリクル膜１５とより
なっている。
に半導体装置のパターン１０ａが描かれているものであ
る。１１は該レチクル又はマスク上に設置された本実施
例の多段ペリクルである。この多段ペリクルは、第１段
のペリクル１２と、その上に設置された第２段のペリク
ル１３とよりなる。そして各ペリクル１２．１３はそれ
ぞれ枠１４と、該枠に張設されたペリクル膜１５とより
なっている。
このように構成される本実施例は先ずレチクル又はマス
ク１０の上に第１段のペリクル１２の枠１４（例えば高
さ４ｍｍ）を接着固定したのち、クリーンルームにおい
て鉄枠１４にペリクル膜１５を張設する。この時点でペ
リクル膜１５を通してレチクル又はマスク１０のパター
ン１０ａを顕微鏡にて検査してパターンの保証を行なう
。この場合の顕微鏡の対物レンズの焦点距離はべりタル
膜のスタンドオフ量より長いものである必要がある。次
に第２段のペリクル１３（例えばスタンドオフ１３ｍｍ
）を第１段のペリクル１２の上に装着する。これにより
清浄度を要求されるのはべりタルを装着する工程内だけ
で良く、通常の使用環境ではスタンドオフ量が大きく取
れているため特に清浄度を向上することなくレチクル又
はマスクを使用することができる。
ク１０の上に第１段のペリクル１２の枠１４（例えば高
さ４ｍｍ）を接着固定したのち、クリーンルームにおい
て鉄枠１４にペリクル膜１５を張設する。この時点でペ
リクル膜１５を通してレチクル又はマスク１０のパター
ン１０ａを顕微鏡にて検査してパターンの保証を行なう
。この場合の顕微鏡の対物レンズの焦点距離はべりタル
膜のスタンドオフ量より長いものである必要がある。次
に第２段のペリクル１３（例えばスタンドオフ１３ｍｍ
）を第１段のペリクル１２の上に装着する。これにより
清浄度を要求されるのはべりタルを装着する工程内だけ
で良く、通常の使用環境ではスタンドオフ量が大きく取
れているため特に清浄度を向上することなくレチクル又
はマスクを使用することができる。
第２図は本発明の他の実施例を示す図である。
同図において第１図と同一部分は同一符号を付して示し
た。
た。
本実施例が前実施例と異なるところは、前実施例が多段
ペリクル１１をレチクル又はマスク１０の一方の面に装
着したのに対し、本実施例は両面に装着したもので、そ
の効果は前実施例と同様であり、更にレチクル又はマス
クの裏面に付着するゴミに対する転写防止効果を有する
。
ペリクル１１をレチクル又はマスク１０の一方の面に装
着したのに対し、本実施例は両面に装着したもので、そ
の効果は前実施例と同様であり、更にレチクル又はマス
クの裏面に付着するゴミに対する転写防止効果を有する
。
以上説明した様に、本発明によれば、実際にレチクルを
使用する環境での清浄度を特に向上させることなくゴミ
の転写サイズを小さくすることができ、しかも顕微鏡検
査によりパターンの保証を行なうことが可能であり、半
導体装置の品質向上に寄与するところ大である。
使用する環境での清浄度を特に向上させることなくゴミ
の転写サイズを小さくすることができ、しかも顕微鏡検
査によりパターンの保証を行なうことが可能であり、半
導体装置の品質向上に寄与するところ大である。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は本発明の他の実施例を示す図、第３図は従来の
ペリクルを示す図である。 図において、 １０はレチクル又はマスク、 １０ａはパターン、 １１は多段ペリクル、 １２は第１段のペリク １３は第２段のペリク １４は枠、 １５はペリクル膜 を示す。
ペリクルを示す図である。 図において、 １０はレチクル又はマスク、 １０ａはパターン、 １１は多段ペリクル、 １２は第１段のペリク １３は第２段のペリク １４は枠、 １５はペリクル膜 を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レチクル又はマスク（１０）上に付着するゴミの転
写を防止するため、該レチクル又はマスク（１０）表面
に所望の高さの枠（１４）を設け、該枠にペリクル膜（
１５）を張設してなるペリクルにおいて、 上記ペリクルをレチクル又はマスク（１０）上に多段に
設けて成ることを特徴とする多段ペリクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2057873A JPH03260649A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 多段ペリクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2057873A JPH03260649A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 多段ペリクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03260649A true JPH03260649A (ja) | 1991-11-20 |
Family
ID=13068104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2057873A Pending JPH03260649A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 多段ペリクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03260649A (ja) |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP2057873A patent/JPH03260649A/ja active Pending
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