JPH03260850A - Data writing system for cache memory - Google Patents
Data writing system for cache memoryInfo
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- JPH03260850A JPH03260850A JP2060474A JP6047490A JPH03260850A JP H03260850 A JPH03260850 A JP H03260850A JP 2060474 A JP2060474 A JP 2060474A JP 6047490 A JP6047490 A JP 6047490A JP H03260850 A JPH03260850 A JP H03260850A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明はキャッシュメモリを備えた情報処理装置に用い
られるキャッシュメモリデータライト方式に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a cache memory data write method used in an information processing device equipped with a cache memory.
(従来の技術)
従来、情報処理装置に用いられるキャッシュメモリ機構
に於いて、リードミスヒツト時に、キャッシュメモリの
1ブロック分すべてのデータを主メモリから転送してく
るブロックロードの方式は採らず、リードアドレスに対
する1語だけを主メモリからロードしてくる方式を採用
している従来のキャッシュメモリ動作を以下に説明する
。(Prior Art) Conventionally, cache memory mechanisms used in information processing devices do not use a block load method in which all data for one block of cache memory is transferred from main memory when a read miss occurs; A conventional cache memory operation in which only one word for an address is loaded from main memory will be described below.
この動作説明にあたって、メモリアドレスとキャッシュ
ロウアドレスの関係を第4図に示す。ここでは、メモリ
アドレスが1バイト単位に付けられ、メモリアクセスの
1語が4バイトで構成されるものとする。又、キャッシ
ュメモリの1ブロツクは4語を想定し、図中のアドレス
MA、CAを16バイトバウンダリのアドレスとする。In explaining this operation, the relationship between memory addresses and cache row addresses is shown in FIG. Here, it is assumed that a memory address is attached to each byte, and one word of memory access is composed of 4 bytes. Furthermore, one block of the cache memory is assumed to have four words, and addresses MA and CA in the figure are assumed to be addresses on a 16-byte boundary.
それ故、キャッシュメモリにとって、アドレスMAから
MA+CIまでのデータが同一ブロックとなり、同一の
タグデータ(MA)を持つ。Therefore, for the cache memory, data from address MA to MA+CI becomes the same block and has the same tag data (MA).
まず最初に、リードミスヒツト時の動作を第3図(a)
を参照して説明する。尚、第3図に於いて、Pは中央処
理装置(以下プロセッサと称す)、CAはキャッシュメ
モリ、MMは主メモリ、MAは主メモリアドレス、CA
はキャッシュメモリアドレス、■はブロックバリッドビ
ット(ブロック全体のバリッドビット) 、LVはライ
ンバリッドビット(ブロック中の該当する語に対するバ
リッドビット)を示す。First of all, Figure 3(a) shows the operation when a read mishit occurs.
Explain with reference to. In FIG. 3, P is the central processing unit (hereinafter referred to as processor), CA is the cache memory, MM is the main memory, MA is the main memory address, and CA is the main memory address.
indicates a cache memory address, ■ indicates a block valid bit (valid bit for the entire block), and LV indicates a line valid bit (valid bit for the corresponding word in the block).
主メモリアドレスMAによりプロセッサPがメモリリー
ドを開始すると、キャッシュメモリアドレスCAにより
アドレス指定されたキャッシュメモリCMのタグ部とタ
グデータ(MA)が比較され、最初は不一致となる。そ
して主メモリMMにリード要求が出され、メモリアドレ
スMAのデータが1語読み出されて、このデータがプロ
セッサP内のり−ドバッファとキャッシュメモリCM内
のアドレスCAに対応する番地にセットされる。When the processor P starts reading the memory using the main memory address MA, the tag part of the cache memory CM addressed by the cache memory address CA is compared with the tag data (MA), and initially they do not match. A read request is then issued to the main memory MM, one word of the data at the memory address MA is read out, and this data is set in the read buffer in the processor P and the address corresponding to the address CA in the cache memory CM.
同時にキャッシュメモリCMのタグ部にはタグデータ(
MA)がセットされ、ブロックバリッドビットVとアド
レスCAに対応するラインバリッドビットLVをセット
する(11を立てる)。At the same time, tag data (
MA) is set, and the block valid bit V and line valid bit LV corresponding to address CA are set (set to 11).
次にメモリアドレス(MA+4H)によるメモリライト
時の動作を第3図(b)を参照して説明する。Next, the operation at the time of memory write using the memory address (MA+4H) will be explained with reference to FIG. 3(b).
プロセッサPがメモリライトを開始すると、アドレスC
A+4)1に対するキャッシュメモリCMのラインバリ
ッドビットLAがセットしていないので(“0°なので
)、キャラミスヒツトとなり、主メモリMMにのみデー
タがライトされる。このとき、ライトデータ1語中のH
効データ部を1バイト単位で表すゾーンビットがすべて
セットしている場合を考えると、プロセッサPから送ら
れるライトデータはそのまま主メモリMMにライトされ
る。When processor P starts writing memory, address C
A+4) Since the line valid bit LA of the cache memory CM for 1 is not set (because it is "0°"), a character miss hit occurs and data is written only to the main memory MM.At this time, H
Considering the case where all the zone bits representing the effective data portion in units of 1 byte are set, the write data sent from the processor P is written to the main memory MM as is.
このライトデータを読み出すと、第3図(C)のように
なる。When this write data is read out, it becomes as shown in FIG. 3(C).
即ち、キャッシュメモリCMはCA + 411部のラ
インバリッドビットLVがセットしていないので(第3
図(b)参照)、キャッシュにはセットせず、主メモリ
MMよりデータを読み出してきて、このデータを上記同
様にプロセッサPとキャッシュメモリCMにセットし、
キャッシュメモリCMのCA+4H部のラインバリッド
ビットLVをセットする。That is, since the line valid bit LV of the CA+411 section of the cache memory CM is not set (the third
(see figure (b)), read the data from the main memory MM without setting it in the cache, and set this data in the processor P and cache memory CM in the same way as above,
Set line valid bit LV of CA+4H section of cache memory CM.
上記したように従来では、キャッシュメモリCMのタグ
部がマツチし、ブロックバリッドビットvがセットして
いても、ラインバリッドビットLVがセットしていない
ときは、ライトゾーンがすべてセットしていても、キャ
ッシュライトをしないため、同アドレスから再びデータ
を読み出す際には、主メモリMMにアクセスする必要が
あり、従ってキャッシュメモリの有効性が損なわれると
いう問題があった。As mentioned above, conventionally, even if the tag part of the cache memory CM matches and the block valid bit v is set, if the line valid bit LV is not set, even if all the write zones are set, Since no cache write is performed, it is necessary to access the main memory MM when reading data from the same address again, which poses a problem in that the effectiveness of the cache memory is impaired.
(発明が解決しようとする課題)
従来では、第3図(b)のように、キャッシュメモリC
Mのタグ部がマツチし、ブロックバリッドビットVがセ
ットしているのに、ラインバリッドビットLVがセット
していないので、ライトゾーンがすべてセットしている
のにも拘らず、キャッシュライトをしないため、同アド
レスから再びデータを読み出す際には、主メモリMMに
までアクセスする必要があり、キャッシュメモリの有効
性が損なわれる一要因となっていた。(Problem to be solved by the invention) Conventionally, as shown in FIG. 3(b), cache memory C
Although the tag part of M matches and the block valid bit V is set, the line valid bit LV is not set, so the cache write is not performed even though all the write zones are set. , when reading data from the same address again, it is necessary to access the main memory MM, which is one factor that reduces the effectiveness of the cache memory.
本発明は上記実情に鑑みなされたもので、情報処理装置
に於ける中央処理装置と主メモリとの間のキャッシュメ
モリのヒツト率を向上できるキャッシュメモリデータラ
イト方式を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a cache memory data write method that can improve the hit rate of a cache memory between a central processing unit and a main memory in an information processing device.
[発明の構成]
(課題を解決するための手段及び作用)本発明は、キャ
ッシュメモリを有する処理装置と主メモリとのアクセス
機構部に於いて、主メモリライト時のライトゾーンビッ
トがすべてセットしていることを検出する回路と、ライ
トアドレスに対するタグマツチとブロックバリッドビッ
トのセットとラインバリッドビットのリセットを検出す
る回路と、上記回路の出力によりキャッシュメモリのラ
イト信号を出力する回路とを設けて、メモリライト時に
、アドレスのタグ部が一致し、ブロックバリッドビット
がセットしている状態下では、ラインバリッドビットが
リセットしていてもライトゾーンビットがセットしてい
たらキャッシュメモリライトを実行する機能を実現する
。これにより、主メモリライト時に、完全にキャツシュ
ヒツトしてなくても、キャッシュディレクトリ、バリッ
ドビットの状態やライトゾーンの条件によっては、キャ
ッシュライトが可能となり、従って主メモリリード時の
キャツシュヒツト率を向上できる。[Structure of the Invention] (Means and Effects for Solving the Problems) The present invention provides a method in which all write zone bits are set when writing to the main memory in an access mechanism section between a processing device having a cache memory and the main memory. a circuit that detects a tag match, a block valid bit set, and a line valid bit reset for the write address; and a circuit that outputs a cache memory write signal based on the output of the circuit. At the time of memory write, if the tag part of the address matches and the block valid bit is set, even if the line valid bit is reset, if the write zone bit is set, a cache memory write is executed. do. As a result, even if the main memory is not completely cached when writing to the main memory, the cache write can be performed depending on the cache directory, the state of valid bits, and the conditions of the write zone, and therefore the cache hit rate when reading the main memory can be improved.
(実施例) 以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。(Example) An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例に於ける要部の構成を示すブ
ロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of essential parts in an embodiment of the present invention.
第1図に於いて、lはディレクトリメモリを構成するR
AM (以下ディレクトリメモリと称す)であり、キャ
ッシュディレクトリとしてメモリアドレスのタグ部TA
Gを保持する。このディレクトリメモリlに供給される
アドレス101は、第4図に示すアドレスCA部の下位
4ビツトが無いアドレスデータである。2はブロックバ
リッドビットメモリ部を構成するRAM (以下ブロッ
クバリッドビットメモリ部と称す)であり、ブロックバ
リッドビットVを保持する。このブロックバリッドピッ
トメモリ部2には上記ディレクトリメモリlと同じアド
レス101 (即ちディレクトリメモリ1もブロック
バリッドピットメモリ部2と同様に16バイトアドレス
に対して1データであるため)が供給される。3及び4
はそれぞれバッファゲートであり、ディレクトリメモリ
lとブロックバリッドピットメモリ部2の書き込み時に
アクティブとなる信号103により出力イネーブルとな
り、ディレクトリメモリ1とブロックバリッドピットメ
モリ部2の書き換えデータを出力する。5は比較器であ
り、ディレクトリメモリ!の出力データ104と主メモ
リアドレスの下位部(10B)を比較して、一致をみた
とき出力113をアクティブにする。6及び7はライト
ゾーン信号108〜Illとメモリライトのデータ送出
タイミング信号112の論理積をとり、ゲー)11に供
給される条件信号102をアクティブとするゲートであ
る。8はメモリアクセス時にタグマツチしたこととブロ
ックバリッドビットがセットしていることの論理積をと
り、ゲー)11に供給される条件信号114をアクティ
ブとするゲートである。9はラインバリッドビットメモ
リ部を構成するRAM (以下ラインバリッドビットメ
モリ部と称す)であり、ラインバリッドビット!、■を
保持する。このラインバリッドピットメモリ部9に供給
されるアドレス信号115は第4図に示すアドレスCA
部の下位2ビツトが無いアドレスデータである。10は
バッファゲートであり、ラインバリッドピットメモリ部
9の書き込み時にアクティブとなる信号l18により出
力イネーブルとなり、ラインバリッドピットメモリ部9
の書き換えデータを出力する。11はゲート8の出力信
号114とゲート7の出力信号102がアクティブで、
かつラインバリッドピットメモリ部9の出力117がイ
ンアクティブであることの論理積をとり、出力119を
アクティブとするゲートである。12はゲー)Itの出
力119 、及び他のキャッシュメモリ書き込み信号1
21 、122等の論理和をとり、出力120をアクテ
ィブとするゲートである。13はキャッシュワードメモ
リを構成するRAM (以下キャッシュワードメモリと
称す)であり、ゲート12の出力120がアクティブに
なることによりライトイネーブル状態となり、バスデー
タ123が書き込まれる。このキャッシュワードメモリ
13にはラインバリッドピットメモリ部9と同じアドレ
ス115(即ちラインバリッドピットメモリ部9もキャ
ッシュワードメモリ13と同様に4バイトアドレスに対
して1データであるため)が供給される。In Figure 1, l is R constituting the directory memory.
AM (hereinafter referred to as directory memory), and the tag part TA of the memory address is used as a cache directory.
Hold G. The address 101 supplied to the directory memory 1 is address data without the lower 4 bits of the address CA part shown in FIG. Reference numeral 2 denotes a RAM (hereinafter referred to as block valid bit memory section) constituting a block valid bit memory section, which holds block valid bits V. The block valid pit memory section 2 is supplied with the same address 101 as the directory memory 1 (that is, the directory memory 1 is also supplied with 1 data for 16 byte addresses, like the block valid pit memory section 2). 3 and 4
are buffer gates, which are enabled for output by a signal 103 that becomes active when writing to the directory memory 1 and the block valid pit memory section 2, and output rewritten data for the directory memory 1 and the block valid pit memory section 2. 5 is a comparator and a directory memory! The output data 104 of the main memory address is compared with the lower part (10B) of the main memory address, and when a match is found, the output 113 is activated. Gates 6 and 7 perform a logical product of the write zone signals 108 to Ill and the memory write data sending timing signal 112, and activate the condition signal 102 supplied to the gate 11. Reference numeral 8 denotes a gate which performs the logical product of tag matching and block valid bit setting at the time of memory access, and activates the condition signal 114 supplied to gate 11. 9 is a RAM (hereinafter referred to as line valid bit memory section) that constitutes a line valid bit memory section; , hold ■. The address signal 115 supplied to the line valid pit memory section 9 is an address CA shown in FIG.
This is address data without the lower two bits of the part. Reference numeral 10 denotes a buffer gate, and its output is enabled by a signal l18 that becomes active when writing to the line valid pit memory section 9.
Output the rewritten data. 11, the output signal 114 of gate 8 and the output signal 102 of gate 7 are active,
This is a gate that performs a logical product of the fact that the output 117 of the line valid pit memory section 9 is inactive, and makes the output 119 active. 12 is the output 119 of It, and other cache memory write signals 1
21, 122, etc., and makes the output 120 active. Reference numeral 13 denotes a RAM (hereinafter referred to as cache word memory) constituting a cache word memory, which enters a write enable state when the output 120 of the gate 12 becomes active, and bus data 123 is written therein. The cache word memory 13 is supplied with the same address 115 as the line valid pit memory section 9 (that is, the line valid pit memory section 9 is also supplied with one data for a 4-byte address like the cache word memory 13).
第2図(a)乃至(e)はそれぞれ上記尖施例の動作を
説明するための図であり、図中、Pは中央処理装置(以
下プロセッサと称す)、CAはキャッシュメモリ、MM
は主メモリ、MAは主メモリアドレス、CAはキャッシ
ュメモリアドレス、■はブロックバリッドビット、LV
はラインバリッドビットを示す。FIGS. 2(a) to 2(e) are diagrams for explaining the operation of the above embodiment, respectively, in which P is a central processing unit (hereinafter referred to as a processor), CA is a cache memory, and MM
is main memory, MA is main memory address, CA is cache memory address, ■ is block valid bit, LV
indicates a line valid bit.
ここで上記第1図及び第2図を参照して本発明の一実施
例に於ける動作を説明する。The operation of an embodiment of the present invention will now be described with reference to FIGS. 1 and 2.
まずリードミスヒツトによる1語リードの動作を第2図
(a)を参照して説明する。First, the operation of reading one word due to a read miss will be explained with reference to FIG. 2(a).
主メモリアドレスMAに対するキャッシュメモリアドレ
スCAであるアドレス信号101により、ディレクトリ
メモリlをアクセスし、出力したタグデータ104と主
メモリアドレスMAのタグ部(MA)であるアドレス信
号108を比較器5で比較する。ここでは未だ一致をみ
ないから、主メモリMMよりバス123を通してプロセ
ッサPにデータ1語をロードするとともに、アドレス信
号115によりアドレスされたキャッシュワードメモリ
13にデータ1語をロードする。そして制御信号103
゜■8をアクティブにし、ディレクトリメモリlにタグ
データ(MA)を信号線104を介して書き込み、ブロ
ックバリッドビットメモリ部2のブロックバリッドビッ
トVLをセットし、ラインバリッドピットメモリ部9の
ラインバリッドビットLVに主メモリMMから読み出し
た語に対するビットをセットする。Directory memory l is accessed by address signal 101 which is cache memory address CA for main memory address MA, and comparator 5 compares the output tag data 104 with address signal 108 which is the tag part (MA) of main memory address MA. do. Since no match has been found yet, one word of data is loaded from main memory MM to processor P via bus 123, and one word of data is loaded to cache word memory 13 addressed by address signal 115. and control signal 103
8 is activated, the tag data (MA) is written to the directory memory l via the signal line 104, the block valid bit VL of the block valid bit memory section 2 is set, and the line valid bit of the line valid pit memory section 9 is set. A bit corresponding to the word read from main memory MM is set in LV.
次に、その後、主メモリアドレスM A +4 IIを
ゾーンビットがすべてセットした状態でメモリライトし
た場合を第1図(b)に示す。Next, FIG. 1(b) shows a case where the main memory address M A +4 II is subsequently written to the memory with all zone bits set.
このメモリアドレスMA+4Hに対し、ディレクトリメ
モリlの出力104とアドレスのタグ部(MA)は一致
し、かつブロックバリッドピットメモリ部2の出力10
5はアクティブとなっているので、ゲート(アンドゲー
ト)8の出力114はアクティブとなる。又、メモリラ
イト時のデータがバス123でバリッドになるタイミン
グ信号112とゾーンビットを表す信号108〜111
がすべてアクティブとなることからゲート(アンドゲー
ト)6゜7の出力がアクティブとなる。加えてアドレス
MA+4H(CA+4H)に対するラインバリッドビッ
ト117がインアクティブであるからゲート(アンドゲ
ート)目とゲート(オアゲート)12の出力をアクティ
ブとして、主メモリMMにデータを書くのと同時にキャ
ッシュワードメモリ13にライトデータを書き込む。そ
して信号11gをアクティブとしてアドレスMA+41
1 (CA+411)に対するラインバリッドビット
LVをセットする。For this memory address MA+4H, the output 104 of the directory memory l and the tag part (MA) of the address match, and the output 10 of the block valid pit memory part 2
Since gate 5 is active, the output 114 of gate (AND gate) 8 becomes active. Also, there is a timing signal 112 in which the data at the time of memory write becomes valid on the bus 123, and signals 108 to 111 representing zone bits.
Since all of the gates become active, the output of the gate (AND gate) 6.7 becomes active. In addition, since the line valid bit 117 for address MA+4H (CA+4H) is inactive, the outputs of the gate (AND gate) and the gate (OR gate) 12 are made active, and data is written to the main memory MM at the same time as the cache word memory 13. Write write data to. Then, with signal 11g active, address MA+41
1 Set the line valid bit LV for (CA+411).
次にゾーンビットがすべてセットしないで主メモリアド
レスM A + 81+をライトした場合を恥1図(c
)に示す。Next, what happens when main memory address M A + 81+ is written without all zone bits being set is shown in Figure 1 (c
).
この場合は前例の説明と同じようにタグ部の−致とブロ
ックバリッドビット等の条件は揃っているがゾーンビッ
トを表す信号108〜111がすべてはアクティブはな
っていないため、キャッシュワードメモリ13にはデー
タが書かれず、主メモリMMのみに書かれることとなる
。In this case, as explained in the previous example, the conditions such as tag matching and block valid bits are met, but the signals 108 to 111 representing zone bits are not all active, so the cache word memory 13 is No data is written, and data is written only to the main memory MM.
その後、主メモリアドレスMA+4Hでメモリリードし
た場合を第1図(d)に示す。FIG. 1(d) shows the case where the memory is then read at the main memory address MA+4H.
ここではプロセッーサPより出力されたアドレスに対し
キャッシュはヒツトするので主メモリMMまでアクセス
に行かないで、キャッシュワードメモリ13よりデータ
を読み出す。Here, since the cache hits the address output from the processor P, data is read from the cache word memory 13 without accessing the main memory MM.
第1図(e)に主メモリMMアドレスMA+811をリ
ードした場合を示す。この動作はラインバリッドビット
1.Vがセットしていないためリードミスヒツト動作と
なる。FIG. 1(e) shows the case where main memory MM address MA+811 is read. This operation is performed when line valid bit 1. Since V is not set, a read mishit operation will occur.
このように、メモリライト時に、アドレスのタグ部が一
致し、ブロックバリッドビットVがセットしている状態
下では、ラインバリッドビットLVがリセットしていて
もライトゾーンビットがセットしていたらキャッシュメ
モリライトを実行する機能を実現したことにより、主メ
モリライト時に、完全にキャツシュヒツトしてなくても
、キャッシュディレクトリ及びバリッドピットの状態や
ライトゾーンの条件によってはキャッシュライトが可能
となり、これにより主メモリリード特のキャツシュヒツ
ト率が向上する。In this way, when writing memory, if the tag part of the address matches and the block valid bit V is set, even if the line valid bit LV is reset, if the write zone bit is set, the cache memory write will be executed. By realizing the function to execute main memory read, cache write can be performed depending on the state of cache directory and valid pits and write zone conditions even if the cache has not been completely cached at the time of main memory write. The catch rate will be improved.
[発明の効果]
以上詳記したように本発明によれば、キャッシュリード
ミスヒツト時にブロックロードは行なわず、リードアド
レスに対する1語だけを主メモリから読み出してCPU
とキャッシュメモリに書き込み、制御情報としてキャッ
シュディレクトリにタグを書き込み、ブロック全体の第
1バリッドビットと、ブロック中の該当する語に対する
第2バリッドビットをセットする方式をと−リ、かつメ
モリライトスルー時は1語中の有効データを示すゾーン
ビットを用いてデータライトするキャッシュメモリに於
いて、メモリライト時のゾーンビットをチェックする回
路と、ライトアドレスに対するタグマツチと第1バリッ
ドビットのセット及び第2バリッドビットのリセットを
検出する回路と、同回路の検出出力によりキャッシュメ
モリのライト信号を出力する回路とを有し、メモリライ
ト時に、キャツシュヒツトしなくとも、タグがマツチし
、第1バリッドビットがセットし、かつライトゾーンビ
ットがセットしていればキャッシュメモリにライトデー
タを書き込む構成としたことにより、主メモリライトn
、シに完全にキャツシュヒツトしてなくてもキャッシュ
ディレクトリ及びバリッドビットの状態やライトゾーン
の条件によってはキャッシュライトが可能となり、これ
により主メモリリード時のキャツシュヒツト率を向上で
きる。[Effects of the Invention] As described in detail above, according to the present invention, when a cache read miss occurs, block loading is not performed, only one word corresponding to the read address is read from the main memory, and the CPU
and writes it to the cache memory, writes the tag to the cache directory as control information, and sets the first valid bit of the entire block and the second valid bit for the corresponding word in the block, and when writing through the memory. In a cache memory in which data is written using zone bits that indicate valid data in one word, there is a circuit that checks the zone bit at the time of memory write, a tag match for the write address, the setting of the first valid bit, and the second valid bit. It has a circuit that detects a bit reset and a circuit that outputs a cache memory write signal based on the detection output of the circuit, and when writing to memory, the tags match and the first valid bit is set even without a cache hit. , and if the write zone bit is set, the write data is written to the cache memory, so the main memory write n
Even if cache data is not completely cached to the cache, depending on the state of the cache directory and valid bits and the conditions of the write zone, cache write is possible, thereby improving the cache hit rate when reading from the main memory.
突1図は本発明の一実施例に於ける要部の構成を示すブ
ロック図、第2図(a)乃至(e)はそれぞれ上記実施
例の動作を説明するための図、第3図(a)乃至(c)
はそれぞれ従来技術に於けるメモリアクセス動作を説明
するための図、第4図はメモリアドレスとキャッシュロ
ウアドレスの関係を示す図である。
l・・・RAM (ディレクトリメモリ) 2・・・R
AM (ブロックバリッドビットメモリ部)、3゜4、
IO・・・バッファゲート、5・・・比較器、6,7゜
8.1■・・・ゲート(論理積ゲート)、9・・・RA
M(ラインバリッドビットメモリ部)、12・・・ゲー
ト(論理和ゲート)、13・・・RAM (キャッシュ
ワードメモリ)、P・・・中央処理袋R(プロセッサ)
、CA・・・キャッシュメモリ、MM・・・主メモリ、
MA・・・主メモリアドレス、CA・・・キャッシュメ
モリアドレス、■・・・ブロックバリッドビット、Lv
・・・ラインバリッドビット。Figure 1 is a block diagram showing the configuration of essential parts in an embodiment of the present invention, Figures 2 (a) to (e) are diagrams for explaining the operation of the above embodiment, and Figure 3 ( a) to (c)
4 are diagrams for explaining memory access operations in the prior art, and FIG. 4 is a diagram showing the relationship between memory addresses and cache row addresses. l...RAM (directory memory) 2...R
AM (block valid bit memory section), 3゜4,
IO...Buffer gate, 5...Comparator, 6,7゜8.1■...Gate (AND gate), 9...RA
M (line valid bit memory section), 12...gate (OR gate), 13...RAM (cache word memory), P...central processing bag R (processor)
, CA...cache memory, MM...main memory,
MA...Main memory address, CA...Cache memory address, ■...Block valid bit, Lv
...Line valid bit.
Claims (1)
わず、リードアドレスに対する1語だけを主メモリから
読み出してCPUとキャッシュメモリに書き込み、制御
情報としてキャッシュディレクトリにタグを書き込み、
ブロック全体の第1バリッドビットと、ブロック中の該
当する語に対する第2バリッドビットをセットする方式
をとり、かつメモリライトスルー時は1語中の有効デー
タを示すゾーンビットを用いてデータライトするキャッ
シュメモリに於いて、メモリライト時のゾーンビットを
チェックする回路と、ライトアドレスに対するタグマッ
チと第1バリッドビットのセット及び第2バリッドビッ
トのリセットを検出する回路と、同回路の検出出力によ
りキャッシュメモリのライト信号を出力する回路とを具
備し、メモリライト時に、キャッシュヒットしなくとも
、タグがマッチし、第1バリッドビットがセットし、か
つライトゾーンビットがセットしていればキャッシュメ
モリにライトデータを書き込むことを特徴とするキャッ
シュメモリデータライト方式。When a cache read miss hits, block loading is not performed, only one word for the read address is read from main memory and written to the CPU and cache memory, and a tag is written to the cache directory as control information.
A cache that uses a method of setting the first valid bit of the entire block and the second valid bit of the corresponding word in the block, and writes data using a zone bit indicating valid data in one word during memory write-through. In the memory, there is a circuit that checks the zone bit at the time of memory write, a circuit that detects the tag match for the write address, the setting of the first valid bit, and the reset of the second valid bit, and the detection output of the circuit detects the cache memory. It is equipped with a circuit that outputs a write signal, and when writing to memory, even if there is no cache hit, if the tag matches, the first valid bit is set, and the write zone bit is set, the write data is written to the cache memory. A cache memory data write method characterized by writing.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2060474A JPH03260850A (en) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | Data writing system for cache memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2060474A JPH03260850A (en) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | Data writing system for cache memory |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03260850A true JPH03260850A (en) | 1991-11-20 |
Family
ID=13143308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2060474A Pending JPH03260850A (en) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | Data writing system for cache memory |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03260850A (en) |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP2060474A patent/JPH03260850A/en active Pending
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