JPH03261636A - ガラス、ガラスセラミック、セラミック等の基材上への広表面装飾の形成方法及び装飾されたガラスセラミックプレート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［０００１］

【産業上の利用分野】

本発明は、セラミックペイント、メルト、焼結ガラス、
グレーズ、厚層フィルム又はレジネートの層をガラス、
ガラスセラミック、セラミック又は類似の材料の基材上
に溶融及び／又は焼き付ける方法であって、層材料を基
材表面に塗布しこれにエネルギーを供給することによっ
て、層材料（及び基材材料）の軟化又は溶融によって所
望の溶融又は焼き付け効果が得られるまで加熱し、その
後冷却するという方法に関する。本発明は、装飾された
ガラスセラミックタイル又はプレートにも関する。 ［０００２］

【従来の技術】

ガラス製品を装飾するためには、造形後、ゴム判、転写
、スクリーン印刷などによって装飾が冷ガラス上に行わ
れ、多分予備乾燥後に焼き付けられ、その後の焼き戻し
過程ではトンネル炉又はフード類においてガス又は電気
的加熱が用いられる。一般に、装飾用焼き付けは、ガラ
ス冷却と同時に又はガラスの焼き戻し中に行われる。装
飾が、特にこの目的のために用意された工程において焼
き付けられるのは特殊のケースである。なぜならばこれ
は大きい付加的エネルギー消費につながるからである。 ［０００３］ ガラス冷却中の化粧焼き付け又は別個の焼き付け工程に
おける装飾焼き付けは概して下記の段階を含むニ ーあらかじめ定めた温度／時間比による第−加熱段階−
装飾のための有機成分を焼き尽くすための保持段階−あ
らかじめ定めた温度／時間比による第二加熱段階−化粧
焼き付けをし、同時にガラスの歪みを均すために最高温
度で保持する段階 一ガラス製品の壁厚に応じた温度速度でそれぞれのガラ
スの低冷却温度より約１０ないし２０に下の温度にまで
冷やす段階−あらかじめ定めた温度／時間比で室温にま
で冷やす段階。 ［０００４］ この公知の方法で、装飾焼き付けのなめに全ガラス体を
エナメルの流れ温度にさらす。これをするとき、それら
の製品は変形してはいけないから、そのエナメルの流れ
温度はガラスの高い方の冷却温度より低いか、せいぜい
それに等しいことが必要である。フロートガラス（窓ガ
ラス）及び硼珪酸ガラス（パイレックス型）の転位温度
は５３０ないし５５０℃の桁であり、他方、上冷却温度
（約１１０１３ポアズ）は約５７０℃である。そこで適
切なエナメルペイントは６００℃以下の温度で流れなけ
ればならない、すなわち約１０２ポアズ以下の粘度をも
っていなければならない。これはたとえば硼酸鉛及び／
又は鉛ガラスで実現する。こらは種類が多く、安く市販
されてν）る。 ［０００５］ ［０００６］ ［０００７］ 域を被覆された中空のガラス製品上に、出力２０ないし
２００ワツトの精密に集中された点状レーザービームで
装飾が描かれる。この方法の変法では、模様の薄い金属
ステンシルを、全領域を覆っである製品に固定し、これ
を、ステンシルを走査することによってレーザービーム
にさらす。 ［０００８］ 後者のドイツ特許明細書第２０１，１３６号にはいくつ
かの欠点がある。ステンシルは各ラインの始めと終わり
が、短時間に点状レーザービームでライン方向に走査す
ることによって、一部高度に加熱される。これは、特に
輪郭の端で、歪み及び変形を生じ、ステンシルは急速に
使用できなくなる。ステンシル面積が大きければ大きい
ほど、部分的加熱による変形は大きくなり、そのためこ
の方法はステンシルをつくる高い費用を別にしても、大
きい面積を装飾するには適していない。もう一つの欠点
は、ステンシルによって覆われる領域がウェブと結合し
なければならないため、装飾デザインの自由がない、と
いうことである。 ［０００９］ これまでに知られている方法におけるレーザーによる走
査も、焼き付けゾーンが点状であるという欠点をもつ。 その結果、表面上をレーザービームを動かすと層材料が
２度溶けるオーバーラッピングゾーンが必ず現れる。こ
れは層及び材料に異方性を生じ、その結実装飾の剥離が
おき得る。 ［００１０］ さらに、レーザー装飾法はすでに、ガラス又はセラミッ
ク製品にカラー画をつくるために提案されている。ここ
で提供されたカラー画は全体として装飾すべき製品に貼
られ、その後、その画全体の領域を直接照射するレーザ
ービームによって固定される。この方法の欠点は、その
画全体の領域に想到するビーム直径をもった超高出力の
高エネルギーレーザーが必要であり、部分的に均一な強
度で全領域を照射しなければならないということである
。 ［００１１］ このようなレーザーは生産的用途のためには今日まだ使
用できない。そして光学的に広がったレーザービームに
よるｍ２桁の大きさの面積の均一処理には、多大な困難
が含まれる。 ［００１２］

【発明が解決しようとする課題】

本発明の基礎をなす問題は、平板ガラス（たとえば家庭
用オーブンのドアガラス上の装飾）及びガラスセラミッ
クス製円板（たとえばガラスセラミックス製クツキング
プレート上のクツキング表面装飾）上の広面積装飾を焼
き付けるための装飾焼き付け法であって、いかなる流れ
温度のエナメルペイントも用いることができ、基材ガラ
スの転位温度に無関係に選択できるようなやり方でエナ
メル及び基材ガラスの熱膨張係数のマツチングに関する
問題を減らし又は除去する方法を提供することである。 特に、基材材料の転位温度よりかなり高い流れ温度をも
つエナメルペイントを用いることもできる。さらに、特
にガラスセラミックの装飾において、ペイントの焼き付
けをセラミック化工程から切り離し、セラミック化中に
生ずる温度には適さない化粧ペイントも使用できるよう
にすべきである。装飾焼き付けに必要なエネルギー量も
少なくし、生産率も改良されるべきである。 ［００１３］

【課題を解決するための手段及び作用】前記課題を達成
するために本発明によれば、特にセラミックペイント、
メルト焼結ガラス、グレーズ、層厚フィルム又は金属レ
ジネート（樹脂酸金属塩）の少なくとも一層を、溶融性
材料の基材、特に低熱伝導度をもつガラスセラミックガ
ラス、セラミックなどの基材上に溶融及び／又は焼き付
ける方法であって、層材料を基材表面に塗布し、これに
レーザービームによってエネルギーを供給しそれによっ
て、層材料及び基材表面の軟化又は溶融によって所望の
溶融又は焼き付け効果が得られるまで加熱し、次いで冷
却する諸段階からなり、エネルギーが、装飾すべき表面
の全幅に亘って線状に広がるレーザービームによって層
材料を塗布した側に供給され、上記線状エネルギー供給
ゾーンは、基材の被覆側を所望の面積に亘って走査する
ように相対的移動によって基材表面に平行に移動され基
材の単位面積あたりのエネルギー供給が、実質的に層材
料及びそれに接する基材表面にほぼ必要なだけの加熱が
おこり、熱伝導先端の温度勾配が基材材料内に明らかに
入る前にエネルギー供給が再び中断されるように強度及
び時間的に制限されて行われることを特徴とする方法、
及びこの方法により装飾された製品、詩にクツキングプ
レート用に好適なガラスセラミックプレートが提供され
る。 ［００１４］ セラミックペイント、メルト、焼結ガラス、グレーズの
層（層厚フィルムの形でも、又はガラス、セラミック又
は類似の材料、好ましくはガラスセラミックの基材上の
一時的有機結合剤、たとえばレジネート、とともに）層
材料の側から溶融及び／又は焼き付けるためのエネルギ
ー供給は基材単位面積あたり、次の強度−及び時間制限
をもって行われる。実質上、層材料及びそれに接する基
材表面の必要な加熱のみがあられれ、先端（ｆｒｏｎｔ
）熱伝導の温度勾配が明らかに基材材料内にシフトし得
る前にそのエネルギー供給は中断される。 ［００１５］ 装飾又は基材の全幅上をレーザービームが線状に広がる
ことによって、及び上記帯状ゾーンが基材（又はこのゾ
ーン下の基材）上を移動することによって、層材料の反
復溶融は、溶融層の性質に対するその悪影響と共に回避
される。本発明によると、ゾーンメルト法に類似の方法
によって帯状（線状）の溶融ゾーンが基材ゾーンを移動
し、急速に偏向する（ｄｅｆｌｅｃｔｅｄ）レーザービ
ームによって生成する。レーザービームの急速な偏向に
よって、そのゾーン下の全コーティング材料は溶融状態
になる。急速な偏向により生成する線状又は帯状レーザ
ービームの代わりに、始めから帯状又は線状であるレー
ザービーム、たとえばプレートレーザーのビームを用い
ることも勿論できる。 ［００１６］ 基材材料はせいぜい４　ｗ　／　ｍ　ｋ、好ましくは１
．０−２．５ｗ／ｍｋの低い熱伝導係数をもっていなけ
ればならず、最低０．５ｍｍ、好ましくは２−１０ｍｍ
の厚さをもっていなればならない。考えられる基材材料
として特にガラス又はガラスセラミックが用いられるが
、その他の材料、たとえばセラミックスも用いることが
できる。 ［００１７］ ５０ｃｍＸ６０ｃｍないし１０１００ｃｍＸ１００、好
ましくは５０ｃｍＸ６０ｃｍの面積をもつ被覆された基
材表面を、０．２−１０μｍ、好ましくは２４μｍの厚
さまで、層の焼き付け又は溶融温度に加熱し、化学的又
は熱的にあらかじめ強化された（ｐｒｅｓｔｒｅｓｓｅ
ｄ）基材もコーティングされるようにする。塗布される
層は厚−ｇｌ−１０μｍ、好ましくは２−４μｍである
。 ［００１８］ レーザービームの線状法がりは、シリンダ上に隙間なく
配列された最低３、好ましくは６ないし１２、一般には
１２個のミラー要素から成る回転ミラーの方法で好都合
に行われる。それ自体線状であり、十分高いエネルギー
（たとえばプレートレーザーから）を有するレーザービ
ームも用いられる。 ［００１９］ 回転ミラーはコーティングすべき基材表面上にほとんど
一線にレーザービームを発射する。その基材表面は角度
に起因するかなりの温度差を避けるために、はぼ平面で
あるか、或いはシリンダの発生面のように、発生時に平
面を与え、レーザービームは９０°ないし８５°の角度
で基材表面に当たるのが好ましい。技術的理由で、回転
ミラーによって形成されるレーザービームのラインの始
めと終わりは高エネルギー密度をもつのが普通であるか
ら、好ましくは空冷又は水冷エツジダイヤフラムを用い
て、これらを基材表面から締め出すのが好都合である。 ［００２０］ レーザービーム又はレーザーラインは基材表面上を、好
ましくは装飾の幅全体に亘って走査する。装飾は基材表
面の全領域を覆うかも知らないし、適用した点模様など
−これらの間に非装飾基材表面がある−から成るかもし
れない。これに対応して、レーザービームは基材表面に
塗布された層全体を焼き付けて、層材料の残りを洗い流
す必要のないようにする。そこでこの方法は、概略記し
た公知の方法よりかなり経済的である。 ［００２１］ レーザービームの照射点は照射面積１ｍｍ２ないし２５
ｍｍ２　好ましくは２５ｍｍ２をもち、基材上を、たと
えば５０ｃｍの基材幅で走り、周波数２０ないし４００
０Ｈｚ、好ましくは５００ないし２０００Ｈｚで、基材
上の照射点の相対的速度１０ないし２０００ｍ／　ｓ、
好ましくは２５０ないし１０００ｍ／ｓを与える。使用
レーザーパワー−それは概してｌｋｗないし１０ｋｗで
ある−によって、基材は、準定常的に線状に広がったレ
ーザービームの下を０．６ないし６ｍ／ｍｉｎの速度で
移動する。使えるレーザーは特に、Ｃ０２、Ｘ　ｅ　Ｃ
１、Ｋ　ｒＡｒＦ、Ｎｄガラスおよびルビーのレーザー
群を含むＵＶレーザーである。 ［００２２］ 本発明による方法では、好都合に基材材料が転位温度領
域の温度にあらかじめ加熱され、一方では焼き付け前に
有機装飾成分を焼き尽くし、他方では焼き付け中の基材
ガラスの部分加熱による熱歪みの生成を減らす。装飾焼
き付けのためのエネルギーは、レーザーによって、線状
に制限されたエネルギー供給ゾーンに供給される。基材
の単位面積あたりの溶融及び／又は焼き付けは、エネル
ギー供給時間及び基材の単位面積に関して制限するため
に、線状エネルギー供給ゾーン及び／又は基材が基材表
面の平面に平行に相対的移動をするように行われる。 ［００２３］ 線状エネルギー供給ゾーンは回転ミラーでレーザービー
ムを偏向することによって生じる。回転ミラーは高周波
数をもったレーザービームを装飾の全幅上を、好ましく
は製品の全幅に亘って移動させる。６個のミラー面をも
ち、１００００回転／分回転転する回転ミラーを使用す
ることが好都合である。それは１０００Ｈｚの偏向周波
数を発生する。製品の供給速度が１ｃｍ／ｍｉｎで、レ
ーザーの照射面積が１ｃｍ２に広がると、製品の１ｃｍ
幅の帯が１分間に６００００回走査される。たとえば高
融点エナメルを焼き付けるために、３００ＷＳ／Ｃｍ２
のエネルギーが必要で、製品は１００ｃｍ幅である場合
、焼き付け時間１分で、レーザービームの必要パワー０
．５ｗ／ｃｍ２及び非広化レーザービームの直径が０．
１ｍｍであるならば必要レーザーパワー５ｋｗとなる。 これらの条件下では融点１２００℃ないし１３５０℃を
もつ指定のセラミックペイントは、ガラスセラミック表
面に焼き付けられる。後者はこれはこれで、はんの短時
間せいぜい９００℃に加熱される。 ［００２４］ レーザービームの″照射点”のエネルギー分布は、大体
ガウス分布に従うからレーザーは線状又は帯状の加熱ゾ
ーンを生成し、それは予熱ゾーン、溶融ゾーン及び冷却
ゾーンに分けられる。それらは、特定のレーザービーム
の高偏向及び高い走査周波数によって、準定常的と考え
らる。線状に広がったレーザービームの下を製品を連続
的に進めることによって、装飾すべき領域の各点は同じ
゛温度的できごと“を受け、装飾は均一に焼き付けられ
る。 ［００２５］ レーザー処理の前に、装飾は、スクリーン印刷又は転写
などの公知の方法の一つによって、装飾すべき領域に付
けられる。セラミックペイント、高融点メルト及びペイ
ント−これのフラックスは特殊の担体物質から成るーは
、層厚ペーストの形でも、又はたとえば金属レジネート
又は類似の材料などの一時的有機結合剤と共に処理され
る。 ［００２６］ レーザーパワー　線状焼き付けゾーンの走査周波数、及
び製品の進行速度を適切に選択することによって、焼き
付け工程は、上に溶融すべき材料の特別の要求又は特定
のエネルギー消費量に合わせることができる。溶融工程
中に保護ガス又は特殊の環境を必要とする装飾材料の場
合、必要なガス又はガス混合物が溶融ゾーンの前及び後
にあるスリットノズルから溶融ゾーンに供給される。 ［００２７］ 本発明の方法は、熱膨張係数の小さい特殊の装飾ペイン
トの使用に限られるわけでなく、あらゆる所望の装飾材
料、たとえば、ガラスの装飾のためにも使用され、１２
ｘｌＯ’／に以下の熱膨張係数をもつ普通のエナメルペ
イントなどでも使用される。しかしながら、基材の軟化
−又は転位温度より高い、又はその温度領域にある融点
又は焼き付け温度をもつ装飾用層材料が好ましい。なぜ
ならば、これらの熱膨張係数は基材材料のそれに等しい
か又はそれ以下であることが多くしたがってその層の焼
き付けは実質上圧縮応力をもたないからである。しかし
ながらこのような層及び装飾材料は今はごく希に見いだ
されるに過ぎない。 ［００２８］ エナメル及び基材材料の熱膨張係数のマツチングの問題
は、もしもエナメルメルトとして、熱膨張係数ができる
だけ基材材料のそれに一致するガラス又はセラミックス
を用いるならば、熱膨張の小さいガラス及びガラスセラ
ミックスにより減少又は除去することができる。理想的
な場合には、メルトフラックスとして、基材のエナメル
ガラス又はガラスセラミックスが用いられる。この場合
、装飾焼き付け後の冷却時に変移する全温度領域に亘っ
て熱膨張係数の自動的マッチングカｆ実現できる。この
理想的場合にはメルトと基材との弾性率も一致するから
、残るのは、メルト上のペイント色素の影響によって生
ずる残留応力だけである。 ［００２９］ 熱膨張係数の小さいエナメルペイント及び特定の基材材
料のエナメルメルト双方の流れ温度は、硼珪酸ガラス、
又はガラスセラミックス製造のため出発材料として用い
られる特殊のガラスの転位温度より遥かに高いのが普通
である。 ［００３０１ 被膜の焼き付けは、好ましくは焼き戻し工程の冷却期間
中に、高温、たとえば３００ないし６００℃で、より好
ましくはそれぞれのガラスの転位温度よりちょっと高い
温度で、ガラスセラミックスの場合はたとえばセラミッ
ク化後の冷却中に行なわれる。 ［００３１］ この方法は被覆したガラスセラミックス、特に、装飾し
たガラスセラミッククツキングプレートを作るのに適し
ている。このような層材料は特に固く、損傷に対し、そ
してガラスセラミックスプレートの高い使用温度による
脱色に対しても抵抗する。流れ温度１２００−１３５０
℃の範囲の流れ温度をもつ層材料を用いるのが好ましい
。こうしてたとえばガラスセラミックス、特に最高９０
０℃までの温度に耐えるプレートでは、１０００℃ない
し１３５０℃の範囲の流れ温度をもつ層材料も用いられ
る。 ［００３２］ ｒ実　施　例】 以下、添付図面に示す実施例を説明しつつ、本発明につ
いて詳しく説明する。 ［００３３］ 第１図において、レーザー（１）のビーム（２）（波線
）力飄高速度で矢印方向に回転している回転ミラー（３
）に向けられ、瞬間的にＡ位置にあり、そこ（２ａ、−
点鎖線）からガラスセラミッククツキング領域（４）の
表面に偏向される。回転ミラー（３）がＢ位置にある場
合（鎖線）　ビーム（２）はガラスセラミッククツキン
グ表面（４）の一端に偏向され（２ｂ、鎖線）　ビーム
（２）（２ｃ、点線）は、Ｂ位置に対してほんの数度だ
け進んだ回転ミラーのＣ位置（示されていない）から、
ガラスセラミッククツキング表面（４）の一端に達する
。 この偏向（２ｂ、２ａ、２ｃ）によってガラスセラミッ
ククツキング領域（４）の表面（５）上のビーム（２）
は、ライン（６）上を走査し、この線上で、ビーム２ａ
−ｃのエネルギーがガラスセラミッククツキング領域に
供給される。ミラーの高回転速度により、装飾又は被膜
（７）がガラスセラミッククツキング領域で溶融し又は
その領域に焼き付けられる帯状ゾーンが形成される。ラ
イン（６）の始めと終わりは、ライン中心とは異なるエ
ネルギー密度をもち、そのため各々空冷ダイアフラム（
８）によって遮られる。それぞれ２ｂ又は２Ｃで、ライ
ン（６）の始め又は終わりによって形成される角βは、
８５°以上であることが好ましい。回転ミラーのガラス
セラミックス表面からの距離は約１ｍである。 ［００３４］ ライン（６）とガラスセラミッククツキングプレート（
４）との相対的移動のなめに、後者を運搬ベルト（９）
上に置く。そのベルトはローラー（１０）及び（１０ａ
）によって誘導され、このベルトによってガラスセラミ
ッククツキング表面又は領域（４）は矢印の方向にライ
ン（６）の下へ一定速度で押し出される［００３５］ 新たにコーティングされたガラスセラミッククツキング
プレート（４ａ）は運搬ベルト（９）によって連続的に
運ばれ、被膜（７ｂ）を焼き付けられて完成したガラス
セラミッククツキングプレートとして運搬ベルト（９）
から下ろされる。運搬ベルト（９）が、新鮮セラミック
化ガラスセラミッククツキングプレートを冷却する冷却
ラインの一部であることが好都合である。 ［００３６］ 第２図はガラスセラミッククツキングプレート（４）の
拡大部分の断面図である。ガラスセラミッククツキング
プレート（４）は運搬ベルト（９）（ここには図示され
ていない）によって矢印方向に移動され、ガラスセラミ
ッククツキングプレート（４）に塗布された被膜（７ａ
）はビーム２ａ−ｃによって形成されたライン（６）の
領域に入り、焼き付けられた被膜（７ｂ）として上記領
域を再び去る。 ［００３７］ 運搬ベルト（９）の移動速度及びビーム（２）のエネル
ギーによって支配される、基材又はコーティングの単位
面積あたりのエネルギー供給は、被膜（７ａ）及び上記
被膜に隣接した表面（５）にほぼ必要なだけの加熱がお
こるように強度的並びに時間的に制限されて行われる。 そして熱伝導先端の温度勾配が基材材料内に明らかには
いる前にエネルギー供給は再び中断される。一般に、セ
ラミックスは低い熱膨張係数をもち、類似の熱膨張係数
をもったコーティング材料は概して類似の、やはり高融
点の材料−たとえばガラスセラミックスそのもの−から
成るから、本発明による方法では先ず第一に、ガラスセ
ラミックスの最高セラミック化温度又は転位温度より明
らかに高い温度まで溶融も流れもしないコーティング材
料を特に用いることができる。融点又は焼き付け温度が
１２００℃なＸＪ）シ１３５０℃の範囲であるコーティ
ング材料、すなわち特に、熱膨張係数が２．５×１０７
に以上でなく、より好ましくは、１．０ｘｌＯ−６７に
以上でなく、最適の場合にはわずかに０．５Ｘ１０−６
／Ｋ又は基材材料のそれと少し異なるコーティング材料
が用いられる。 ［００３８］ ガラスセラミッククツキングプレートの場合には、コー
ティング材料はそれより大きい熱膨張係数をもつのが普
通である。これは、ガラスが基材材料である場合とは異
なる。ここでは、ガラス材料の熱膨張係数より小さい熱
膨張係数をもった被膜が好適に用いられ、ガラス表面に
圧縮予備応力をかけることができる。−般に１０００℃
以下の温度でセラミック化されるガラスセラミッククツ
キングプレートがコーティングされる場合、好都合なこ
とに、１０００℃ないし１３５０℃の範囲の流れ温度を
もつコーティング材料も用いられる。 ［００３９］

【発明の効果】

以上のように、本発明によれば、平板ガラス（たとえば
家庭用オーブンのドアガラス上の装飾）及びガラスセラ
ミックス製円板（たとえばガラスセラミックス製クツキ
ングプレート上のクツキング表面装飾）などの基材上の
広面積装飾を焼き付けるための装飾焼き付け法であって
、いかなる流れ温度のエナメルペイントも用いることが
でき、基材ガラスの転位温度に無関係に選択できるよう
なやり方で、エナメル及び基材ガラスの熱膨張係数のマ
ツチングに関する問題を減らし又は除去する方法を提供
される。特に、基材材料の転位温度よりかなり高い流れ
温度をもつエナメルペイントを用いることもできる。さ
らに、特にガラスセラミックの装飾において、ペイント
の焼き付けをセラミック化工程から切り離し、セラミッ
ク化中に生ずる温度には適さない化粧ペイントも使用で
きる。また装飾焼き付けに必要なエネルギー量も少なく
し、生産率も改良されるなどの効果、利点が得られる。 本発明の他の効果及び利点は、当業者にとって前記説明
から明らかであろう。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の方法を実施するための装置を示す概略構成図で
ある。

【図２】 焼き付け工程中のガラスセラミックプレートの、フィー
ド方向に平行の断面図である。

【符号の説明】

１　レーザー　２　ビーム、３　回転ミラー　４　ガラ
スセラミッククツキング領域もしくは表面、７　被膜。

【図２】

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】特にセラミックペイント、メルト、焼結ガ
   ラス、グレーズ、層厚フィルム又は金属レジネートの少
   なくとも一層を、溶融性材料の基材、特に低熱伝導度を
   もつガラスセラミック、ガラス、セラミックなどの基材
   上に溶融及び／又は焼き付ける方法であって、層材料を
   基材表面に塗布し、これにレーザービームによってエネ
   ルギーを供給し、それによって、層材料及び基材表面の
   軟化又は溶融によって所望の溶融又は焼き付け効果が得
   られるまで加熱し、次いで冷却する諸段階からなり、エ
   ネルギーが、装飾すべき表面の全幅に亘って線状に広が
   るレーザービームによって層材料を塗布した側に供給さ
   れ、上記線状エネルギー供給ゾーンは、基材の被覆側を
   所望の面積に亘って走査するように相対的移動によって
   基材表面に平行に移動され、基材の単位面積あたりのエ
   ネルギー供給が、実質的に層材料及びそれに接する基材
   表面にほぼ必要なだけの加熱がおこり、熱伝導先端の温
   度勾配が基材材料内に明らかに入る前にエネルギー供給
   が再び中断されるように強度及び時間的に制限されて行
   われることを特徴とする方法。 【請求項２】レーザービームの線状の広がりが、高周波
   の点状レーザービームの周期的偏向によって行われるこ
   とを特徴とする請求項１記載の方法。 【請求項３】２０乃至４０００Ｈｚの周波数が用いられ
   ることを特徴とする請求項２記載の方法。 【請求項４】基材が線状エネルギー供給ゾーンの下を移
   動することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項
   に記載の方法。 【請求項５】平らな表面を有する基材表面がコーティン
   グされることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一
   項に記載の方法。 【請求項６】基材に塗布された被膜とコーティングされ
   ていない基材表面が線状に広がったレーザービームによ
   って走査されることを特徴とする請求項１乃至５のいず
   れか一項に記載の方法。 【請求項７】レーザーとしてＵＶレーザーを用いること
   を特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方
   法。 【請求項８】エネルギーがＣＯ＿２、ＸｅＣｌ、Ｋｒ＾
   ＋、ＡｒＦ、Ｎｄガラス及びルビーのレーザー群から選
   ばれたレーザーによって供給されることを特徴とする請
   求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。 【請求項９】レーザービームが走査するラインの始めと
   終わりが、水冷又は空冷エッジダイアフラムによって遮
   られることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項
   に記載の方法。 【請求項１０】エネルギー供給が保護ガスを用いて行わ
   れることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に
   記載の方法。 【請求項１１】上記保護ガスがスリットノズルを経て基
   材上に誘導されることを特徴とする請求項１０記載の方
   法。 【請求項１２】エネルギー供給前に基材がその転位温度
   より高い温度まで加熱されることを特徴とする請求項１
   乃至１１のいずれか一項に記載の方法。 【請求項１３】融点が基材材料の転位温度より高いコー
   ティング又は層材料を用いることを特徴とする請求項１
   乃至１２のいずれか一項に記載の方法。 【請求項１４】層材料の融点が基材材料の軟化又は転位
   温度にほぼ一致することを特徴とする請求項１乃至１２
   のいずれか一項に記載の方法。 【請求項１５】層材料の熱膨張係数が基材材料のそれに
   ほぼ一致することを特徴とする請求項１乃至１４のいず
   れか一項に記載の方法。 【請求項１６】層材料の熱膨張係数が基材材料のそれよ
   り低いことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一
   項に記載の方法。 【請求項１７】エネルギー供給前に化学的又は熱的にあ
   らかじめ強化された基材を用いることを特徴とする請求
   項１乃至１６のいずれか一項に記載の方法。【請求項１
   ８】特にセラミックペイント、メルト、焼結ガラス、グ
   レーズ、層厚フィルム、又はレジネートの少なくとも一
   層の広面積装飾を備え、低熱伝導度の溶融性材料から成
   る装飾基材の製造方法であって、層材料は基材表面に塗
   布され、これはエネルギー供給を受け、それによって、
   層材料及び基材の軟化又は溶融によって所望の溶融又は
   焼き付けが得られるまで加熱され、それから冷却される
   という諸段階から成り、エネルギー供給が、装飾すべき
   表面の全幅に亘って線状に広がったレーザービームによ
   って、層材料を備えた側に行われ、上記線状エネルギー
   供給が相対的移動によって基材表面に平行に動き、流れ
   温度が基材材料の転位温度より実質的に高い層材料が用
   いられることを特徴とする装飾基材の製造方法。 【請求項１９】基材としてガラスセラミック、特にプレ
   ート状のガラスセラミックを用い、層又はコーティング
   材料がガラスセラミックの最高セラミック化温度より高
   い流れ温度をもつことを特徴とする請求項１８記載の方
   法。 【請求項２０】１２００℃乃至１３５０℃の範囲の流れ
   温度をもつ層材料を使用することを特徴とする請求項１
   ９記載の方法。 【請求項２１】被膜が最高セラミック化温度より高い流
   れ温度をもつことを特徴とする焼き付けられた被膜をも
   つガラスセラミックプレート。 【請求項２２】被膜が１２００℃乃至１３５０℃の範囲
   の融点又は焼き付け温度をもつことを特徴とする焼き付
   けられた被膜をもつガラスセラミックプレート。 【請求項２３】被膜がエナメル又はセラミックペイント
   であることを特徴とする請求項２２記載のガラスセラミ
   ックプレート。 【請求項２４】被膜がガラスセラミックプレートの主要
   部分に配置されていることを特徴とする請求項２２又は
   ２３記載のガラスセラミックプレート。