JPH03262121A - 樹脂絶縁膜の剥離方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路装置における保護１炭や層間絶
縁膜などに用いる樹脂絶縁膜の剥離方法に関する。

〔従来の技術〕

半導体集積回路装置の保護膜や層間絶縁膜として用いる
樹脂絶縁膜の形成方法は、下記記載の工程により形成し
ている。

基板上に樹脂絶縁膜を回転塗布法により形成し、その後
加熱処理を行ないこの樹脂絶縁膜を焼成する。その後所
定のパターン形成のために、感光性樹脂膜を形成し、こ
の感光性樹脂膜を所定のホトマスクを用いて露光処理、
および現像処理を行ない感光性樹脂膜をバターニングす
る。その後このパターニングした感光性樹脂膜をエツチ
ングのマスクとして、樹脂絶縁膜をエンチングして、層
間絶縁膜であれば接続穴、保護膜であれば外部との接続
領域の開口を行なう。この樹脂絶縁膜のエツチングは、
反応性イオンエツチング装置を用い、酸素プラズマを用
いた乾式エツチングにより行なっている。

この樹脂絶縁膜の形成方法において、樹脂絶縁膜のプラ
ズマ雰囲気中での処理工程以降の工程にてなんらかのミ
スがあった場合、この樹脂絶縁膜を剥離して、再度上記
の樹脂絶縁膜の形成工程を行なっている。

樹脂絶縁膜の剥離は、樹脂絶縁膜のエツチング液を用い
て、樹脂絶縁膜をエツチングすることにより除去してい
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながらプラズマ雰囲気中での処理工程以降の工程
を行なった樹脂絶縁膜を、この樹脂絶縁膜のエツチング
液を用いてエツチングを行なうと、基板上に樹脂絶縁膜
がエツチングされずに、斑状に残るという現象を生ずる
。これはプラズマ雰囲気中で、樹脂絶縁膜表面が変質し
、樹脂絶縁膜のエツチング液でエツチングされない変質
層が形成されるためである。

本発明の目的は上記課題を解決して、樹脂絶縁膜がエツ
チングされずに残ることがない樹脂絶縁膜の剥離方法を
提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため本発明の樹脂絶縁膜の剥離方法
は、樹脂絶縁膜を形成した基板を水に浸漬し、その後樹
脂絶縁膜のエツチング液を用いて樹脂絶縁膜をエツチン
グして除去する。

〔実施例〕

以下本発明の実施例を、樹脂絶縁膜のうちＰＩＸ（日立
化成工業株式会社の商品名）を例にして説明する。

基板上に回転塗布法によりＰＩＸを形成し、温度１２０
℃時間２０分の加熱処理後、さらに温度３００℃時間６
０分の加熱処理を行ない、その後ネガ型の感光性樹脂膜
を形成し、この感光性樹脂膜をエツチングマスクとして
、反応性イオンエツチング装置を用いて酸素プラズマに
てＰＩＸをエツチングし、その後このＰＩＸを剥離する
例で説明する。

まずＰＩＸ上の感光性樹脂膜を除去し、ＰＩＸを露出さ
せる。その後基板を純水槽に浸漬する。

純水槽中に浸漬する時間は、３０分から１２０分とし、
純水槽の液温は室温でよい。

その後エチレンジアミンとヒドラジンとの混合溶液を用
いてＰＩＸをエツチングし、樹脂絶縁膜であるＰＩＸを
完全に除去する。

ＰＩＸを形成した基板を純水槽に浸漬することにより、
このＰＩＸが水を吸収する。そしてこの水が浸入した経
路を通ってエツチング液がＰＩＸ膜中に浸入し、ＰＩＸ
を完全にエツチングする。

このため樹脂絶縁膜であるＰＩＸのエツチング残りが発
生せず、完全に除去される。

〔発明の効果〕

以上の説明で明らかなように、本発明の樹脂絶縁膜の剥
離方法においては、樹脂絶縁膜のエツチング残りが発生
せず、完全に樹脂絶縁膜を除去することが可能となる。

以上の説明においては、樹脂絶縁膜をプラズマ雰囲気中
でエツチング後に剥離する例で説明したが、樹脂絶縁膜
開口内の金属膜表面の酸化膜を除去するため、例えばア
ルゴンなどの不活性ガスのプラズマを用いて、金属膜表
面の酸化膜を除去する工程後の樹脂絶縁膜の剥離におい
ても、本発明の剥離方法は適用できる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　基板上に形成した樹脂絶縁膜をプラズマ雰囲気中で処
   理を行ない、その後該樹脂絶縁膜を剥離する方法におい
   て、 前記樹脂絶縁膜を形成した該基板を水に浸漬し、しかる
   のち前記樹脂絶縁膜のエッチング液を用いて前記樹脂絶
   縁膜をエッチングして除去することを特徴とする樹脂絶
   縁膜の剥離方法。