JPH03265165A - 集積回路用リードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の技術］ この発明は、半導体装置のパッケージに用いるリードフ
レーム関し、特に、集積回路を搭載し、ピン数の多い集
積回路用リードフレームに関する。

［従来の技術］ 従来、半導体装置の多くは樹脂封止型であり、電気的配
線および半導体素子のために、銅合金あるいは鉄合金か
らなる金属板を、プレス加工あるいはエツチング加工し
て製造されるり〜ドフレームを用いている。

半導体装置のうち集積回路を搭載したものは、近年ます
ます集積化が進み、それに伴ってピン数が増加する傾向
にある。しかし集積回路チップの寸法は以前とほとんど
変わらず、その結果、リードフレームをより微細加工し
なければならなくなってきている。

そこで従来は、プレスあるいはエツチングの技術を駆使
して対応していた。第７図は従来の集積回路用リードフ
レームの、半導体装置１個分にあたる部分であり、（１
）はインナーリードであり、（２）はアウターリードで
あり、集積回路チップから外部への電気的配線の役割を
担っている。（３）は集積回路チップを載置するダイパ
ッド、（４）はダイパッド（３）を支える吊りリード、
（５）はアウターリード（２）を連結して支え、モール
ド樹脂封止の際に樹脂の流出を防ぐタイバーである。

［発明が解決しようとする課題］ 以上のような従来の集積回路用リードフレームにおいて
は、１枚の金属板にプレス加工あるいはエツチング加工
を施してリードフレームを製造した場合、インナーリー
ドのピッチを板厚の１．５倍程度に加工するのが最小限
界であった。リードフレーム材には、多ビンの場合、通
常板厚０．５ｍｍの銅合金あるいは鉄合金を使用するの
で、インナーリードのピッチは２２０μｍ程度であった
。

しかし、集積回路の高集積化と多ビン化が進み、より微
細ピッチが求められるようになってきている。そこで、
集積回路チップの電極とリードフレムの配線にボンディ
ングワイヤを用いる代わりに、ＴＡＢ方式と呼ばれる、
ポリイミドテープに銅箔パターンを接着したテープで配
線する方法が考えられ、１０（ｌＪｉｍ程度の微細ピッ
チに対応できる。

しかしＴＡＢ方式は、汎用性がない上に高価であるとい
う欠点があり、信頼性の点でもリードフレムを用いた方
が優れているので、ＴＡＢよりもリドフレームを使いた
いという要求が根強く、ＴＡＢ方式は一部の特殊な半導
体装置にのみ用いられている。

この発明は、かかる課題を解決するためになされたもの
で、従来よりもインナーリードピッチが小さく、安価で
、従来の半導体装置組立ラインに対応できる集積回路用
リードフレームを得ることを目的とする。

［課題を解決するための手段］ この発明に係る集積回路用リードフレームは、異なるパ
ターンである複数個の金属板を重ねた構造を持ち、集積
回路チップからの配線のための金属細線を接合する部分
が同一平面上にある。

［作　用］ この発明においては、各金属板のパターンは従来のリー
ドフレームと同等あるいは従来のリードフレームより微
細でないピッチを有するものであり、従来の加工方法で
十分製造可能である。また、インナーリードの先端が同
一平面上になるよう加工することで、従来の半導体装Ｗ
組立ラインに対応できる。

［実施例コ この発明の一実施例として、２枚の金属板をエツチング
で加工し、ハーフエツチングにより板厚を薄く加工した
部分を重ね合わせた構造のリードフレームについて述べ
る。第２図は第１のリードフレーム部材（１０）の一部
を示す平面図と断面図、第３図は第１のリードフレーム
部材（１０）とパターンの異なる第２のリードフレーム
部材（２０）の一部を示す平面図と断面図であり、第７
図と同一部分には同一符号を付した。第１のリードフレ
ーム部材（１０）と第２のリードフレーム部材（２０）
を重ね合わせるとインナーリード（１）に板厚骨の段差
が生じる。この段差をなくすため、重ね合わせる部分量
てに、第１のリードフレーム部材（１０）には下面に、
第２のリードフレーム部材（２０）には上面にハーフエ
ツチング加工を施す。第３図（ａ）に示した斜線部がそ
のハーフエツチング部である。第１図は第１のリードフ
レーム部材（１０）と第２のリードフレム部材（２０）
のハーフエツチング部どうしを合わせて重ねたものを示
している。これらは隙間ができることを防止し強度が損
なわれないように接着剤で固定する。

この実施例の第１　第２のリードフレ−ム部材（１０）
　（２０）はそれぞれインナーリード（１）の先端部分
の幅が１００μｍ、インナーリード（１）の先端部分の
間隔が２６０μｍ、すなわち３６０μｍピッチに設計し
た。このパターンで銅合金板にエツチング加工を施して
製造した後重ね合わせて接着したところ、インナーリー
ド（１）の先端部分０幅が１００ノ１ｍ、インナーリー
ド（１）の先端部分の間隔が８０μｍ、すなわち１８０
μｍピッチのリードフレームを得ることができた。

また、このリードフレームの外形はインナーリド（１）
のピッチが小さいということ以外は従来のリードフレー
ムと差異はなく、これを用いて半導体装置を組み立てる
際に、従来の組み立てラインを改造する必要は全くなく
、非常に経済的である。

次に別の実施例について述べる。２枚の金属板をエツチ
ング加工し、第５図に示した第１のりドフレ〜ム部材（
３０）と、第６図に示した第２のりドフレーム部材（４
０）を得たにのうち第１のりドフレーム部材（３０）は
第５図に示した破線部分より曲げ加工を施し、断面は第
５図（ｂ）に示すようになる。第１・第２のリードフレ
ーム部材（３０）（４０〉を重ね合わせて接合すると第
４図のリードフレームとなる。

この実施例についても前の実施例と同様の設計値で製造
し、これを重ね合わせて接着して１８０μｍピッチのリ
ードフレームを得ることができた。ただし、２枚のリー
ドフレーム部材（３０）　（４０）をそのまま重ね合わ
せたため、板厚が、２倍になった部分があるが、これに
より従来の半導体装置組み立てラインを改造する必要は
なく、むしろ構造が頑強になるので変形などの不良が生
じにくくなる。

なお、構成する金属板の枚数は３枚以上でもよく、接着
する方法も例えば樹脂フィルムを使用するなど様々な方
法があり、特に限定はされない。

さらに、前記の二つの実施例ではインナーリド（１〉の
ピッチを１８０μｍとしたが、必要に応して、より微細
なピッチにすることも可能である６［発明の効果コ 以上のように、この発明は、異なるパターンの複数個の
金属板を重ねて接合し、金属ｍＭ、接合部分を同一平面
としたので、従来よりもはるかにインナーリードピッチ
が小さく、かつ従来の半導体装置組み立てラインが利用
できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図はこの発明の一実施例を示し、第１図（
ａ）は平面図、同図（ｂ）（ｃ）はそれぞれ同図（ａ）
のＢ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線に沿う平面での断面図、第２図（
ａ）、第３図（ａ）、はそれぞれ一部平面図、第２図（
ｂ）、第３図（ｂ）はそれぞれ第２図（ａ）、第３図（
ａ）のＢ−Ｂ線に沿う平面での断面図である。 第４図〜第６図は他の実施例を示し、第４図（ａ）は平
面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う平面で
の断面図、第５図（ａ）、第６図はそれぞれ一部平面図
、第５図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ！に沿う平面での
断面図である。 第７図は従来の集積回路用リードフレームの平面図であ
る。 （１〉　　　・インナーリード、（２）・　アウターリ
ド、（３）・・ダイパッド、（４〉　　・・吊りリード
、（５）　　　・タイバー、（１０）　＜３０）・・第
１のリードフレーム部材、（２０）　（４０）　　・第
２のリードフレーム部材。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 昂１図 （Ｑ） （ｂ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 集積回路チップを載置するダイパッドから外方へ延びた
   複数個のインナーリードと、このインナーリードからそ
   れぞれ外方へ延び前記集積回路チツプから外部への電気
   的配線を担うアウターリードと、このアウターリードを
   連結して支えモールド樹脂封止の際に樹脂の流出を防ぐ
   タイバーとを備えた集積回路用リードフレームにおいて
   、 金属板でなり互いにパターンが異なる複数個のリードフ
   レーム部材の重ね接合構造でなり、しかも、前記リード
   フレーム部材の前記集積回路チップからの電気的配線の
   ための金属細線の接合部位が同一平面であることを特徴
   とする集積回路用リードフレーム。