JPH03268014A - 光電検出回路 - Google Patents
光電検出回路Info
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- JPH03268014A JPH03268014A JP2312140A JP31214090A JPH03268014A JP H03268014 A JPH03268014 A JP H03268014A JP 2312140 A JP2312140 A JP 2312140A JP 31214090 A JP31214090 A JP 31214090A JP H03268014 A JPH03268014 A JP H03268014A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ン産業上の利用分野コ
本発明は、発光素子からの断続した光が受光されなかっ
たことを検出する光電検出回路に係わり、特に、誤検出
を防止する検出性能の改善した光電検出回路に関する。
たことを検出する光電検出回路に係わり、特に、誤検出
を防止する検出性能の改善した光電検出回路に関する。
[従来の技術]
従来の光電検出回路を有する光学式座標入力装置は、C
RTデイスプレィ等の画像表示領域を挾んで複数組の発
光素子と受光素子が対向配置されている。これらの発光
素子と受光素子の間に交差した状態で形成される光路は
、表示面上の表示情報に対応して指等の遮光物体で所望
とする座標位1を選択することにより遮断される。該位
置における光信号の遁断位置は、受光素子の受光状態が
順次判定されて遮断操作された座標情報が得られるよう
に成っている。この様な光電検出回路を有する光学式座
標入力装置は、パーソナルコンビ二−タ等の入力装置と
して需要が増大しつつある。
RTデイスプレィ等の画像表示領域を挾んで複数組の発
光素子と受光素子が対向配置されている。これらの発光
素子と受光素子の間に交差した状態で形成される光路は
、表示面上の表示情報に対応して指等の遮光物体で所望
とする座標位1を選択することにより遮断される。該位
置における光信号の遁断位置は、受光素子の受光状態が
順次判定されて遮断操作された座標情報が得られるよう
に成っている。この様な光電検出回路を有する光学式座
標入力装置は、パーソナルコンビ二−タ等の入力装置と
して需要が増大しつつある。
また、この光学式座標入力装置に備わっな光電検出回路
は、光信号の遮断状態を検出する為に機械的劣化が極め
て少なく、入力装置のように頻繁な検出動作が要求され
る用途装置に欠かせない技術として期待されている。
は、光信号の遮断状態を検出する為に機械的劣化が極め
て少なく、入力装置のように頻繁な検出動作が要求され
る用途装置に欠かせない技術として期待されている。
ところで、この様に多数の受、発光素子が対応配置され
た光学座標入力装置は、これらの素子間で受光及び発光
特性のばらつきによって光学変換特性に大きな影響が与
えられている。また、これらの用途装置の配置環境によ
っては、受光素子が太陽光等の外乱光による影響やその
他のノイズを受は易く誤動作し易いものである。従って
、この種の光電検出回路は、種々の悪条件の下にあって
も誤動作を防止できることが強く望まれている。
た光学座標入力装置は、これらの素子間で受光及び発光
特性のばらつきによって光学変換特性に大きな影響が与
えられている。また、これらの用途装置の配置環境によ
っては、受光素子が太陽光等の外乱光による影響やその
他のノイズを受は易く誤動作し易いものである。従って
、この種の光電検出回路は、種々の悪条件の下にあって
も誤動作を防止できることが強く望まれている。
以下に従来の光電検出回路を備えた光学式座標人力装置
を第4図と第5図に従って説明する。
を第4図と第5図に従って説明する。
第4図は、従来の光学式座標入力装置の検出回路構成を
示す図、第5図は第4図に示す波形整形回路の各部の信
号波形を示す図である。
示す図、第5図は第4図に示す波形整形回路の各部の信
号波形を示す図である。
第4図に於て、1は駆動回路、3は増福回路、4は波形
整形回路、5はCPU (中央制御ユニ・・ノド)、6
と7は第1と第2の切換回路を夫々示す6駆動回路1は
マイクロプロセッサで構成されたCPU5からの駆動信
号aに基づいて動作する。
整形回路、5はCPU (中央制御ユニ・・ノド)、6
と7は第1と第2の切換回路を夫々示す6駆動回路1は
マイクロプロセッサで構成されたCPU5からの駆動信
号aに基づいて動作する。
この駆動回路1のトランジスタQ3のベースには、駆動
信号aが入力されている。このコレクタには、電源端子
Vccから正極の電源電圧が印加されている。このエミ
ッタには、複数配置された発光素子である発光ダイオー
ドL1〜[nに電流を経時的に切り換えて供給する第1
の切換回路6の共通端子が接続されている。
信号aが入力されている。このコレクタには、電源端子
Vccから正極の電源電圧が印加されている。このエミ
ッタには、複数配置された発光素子である発光ダイオー
ドL1〜[nに電流を経時的に切り換えて供給する第1
の切換回路6の共通端子が接続されている。
この第1の切換回路6のスイッチング素子SL1〜SL
nは、CPU5からの切換信号すに基づいて、スイッチ
ング素子SL1から順番に1回路がのみ閉成される様に
成っている。この共通端子の全てにエミッタが接続され
たスイッチング素子SL1〜SLnの他方の各端子には
、発光ダイオードL1〜Lnのアノードの夫々かい素子
ずづ接続されている。
nは、CPU5からの切換信号すに基づいて、スイッチ
ング素子SL1から順番に1回路がのみ閉成される様に
成っている。この共通端子の全てにエミッタが接続され
たスイッチング素子SL1〜SLnの他方の各端子には
、発光ダイオードL1〜Lnのアノードの夫々かい素子
ずづ接続されている。
この発光ダイオードし1〜[nのカソードは、共に接地
されている。切換信号すに基づいて選択された発光ダイ
オード[1〜Lnの1つづつは、駆動回路1により所定
の周期で発光と消光とである点灯と消灯とを、切換信号
すの切換周期に従った回数だけ繰り返す様に通電され、
発光ダイオードL1から順番に発光ダイオード[nまで
断続した光パルスを順次出力して行く、この発光ダイオ
ードL1〜Liの列の各発光光軸と発光ダイオードL(
ト1)〜Lnの列の各発光光軸とは、互いに交差する2
つの直線的な配列で行列状に配置されている。
されている。切換信号すに基づいて選択された発光ダイ
オード[1〜Lnの1つづつは、駆動回路1により所定
の周期で発光と消光とである点灯と消灯とを、切換信号
すの切換周期に従った回数だけ繰り返す様に通電され、
発光ダイオードL1から順番に発光ダイオード[nまで
断続した光パルスを順次出力して行く、この発光ダイオ
ードL1〜Liの列の各発光光軸と発光ダイオードL(
ト1)〜Lnの列の各発光光軸とは、互いに交差する2
つの直線的な配列で行列状に配置されている。
一方、発光ダイオードL1〜Lnからの光パルスを受光
する為の受光素子であるフォトトランジスタPT1〜P
T11のタリとフォトトランジスタPT(n→1)〜P
Tnの列とは、夫々発光ダイオードL1〜[lの列と発
光ダイオードL(i−1)〜[nの列とに対向して直線
状に配置されている。フォトトランジシスタPT1ヘ−
PTnの各エミッタは、共に接地されている。このコレ
クタの夫々は、第2の切換図#17の各スイッチング素
子81〜Snの一方の端子に1つずつ接続されている。
する為の受光素子であるフォトトランジスタPT1〜P
T11のタリとフォトトランジスタPT(n→1)〜P
Tnの列とは、夫々発光ダイオードL1〜[lの列と発
光ダイオードL(i−1)〜[nの列とに対向して直線
状に配置されている。フォトトランジシスタPT1ヘ−
PTnの各エミッタは、共に接地されている。このコレ
クタの夫々は、第2の切換図#17の各スイッチング素
子81〜Snの一方の端子に1つずつ接続されている。
このスイッチング素子81〜Snの他方の端子は、波形
整形回路4のコンデンサC4の一端及び電源端子Vcc
から抵抗R1と、R4を直列に介して電圧が印加される
様に成っている抵抗R4の一端の接続点に共に接続され
ている。このスイッチング素子81〜Snは、CP’U
Sから供給される切換信号すに基づいてスイッチング素
子S1から同素子Snまで1回路のみが順番に閉成され
て行く、第2の切換回路7のスイッチング動作は、第1
の切換回路6へ入力された切換信号すと同一のタイミン
グで供給されるので発光ダイオードL1〜Lnの1つと
夫々対向したフォトトランジスタPT1〜PTnの1つ
ずつが同時に動作状態に成る。
整形回路4のコンデンサC4の一端及び電源端子Vcc
から抵抗R1と、R4を直列に介して電圧が印加される
様に成っている抵抗R4の一端の接続点に共に接続され
ている。このスイッチング素子81〜Snは、CP’U
Sから供給される切換信号すに基づいてスイッチング素
子S1から同素子Snまで1回路のみが順番に閉成され
て行く、第2の切換回路7のスイッチング動作は、第1
の切換回路6へ入力された切換信号すと同一のタイミン
グで供給されるので発光ダイオードL1〜Lnの1つと
夫々対向したフォトトランジスタPT1〜PTnの1つ
ずつが同時に動作状態に成る。
ここで、フォトトランジスタPT1〜PTnは、発光ダ
イオード11〜[nからのパルス状で点滅する光信号を
受光すると、この光信号の点滅に基づいてコレクタ電流
値が増減する。そして、抵抗R1とR4との電圧降下の
作用によって第5図の符号VPTで示す様なパルス電圧
波形が生じる。
イオード11〜[nからのパルス状で点滅する光信号を
受光すると、この光信号の点滅に基づいてコレクタ電流
値が増減する。そして、抵抗R1とR4との電圧降下の
作用によって第5図の符号VPTで示す様なパルス電圧
波形が生じる。
このパルス電圧波VPTは、交流信号結合用のコンデン
サC4を介してトランジスタQ1のベースに第5図の符
号VBで示す様なパルス電圧波形で印加される。また、
トランジスタQ1のベースには、電源端子Vccがら抵
抗R5を介して直流バイアス電圧も印加されており、パ
ルス電圧VBは、この直流バイアス電圧によって生じる
トランジスタQ1のベースとエミッタ間の順方向ツェナ
電圧VBE(VBE=・0.6V)とコンデンサc1を
介して切換回B7がら印加されたパルス電圧VPTの変
動分が合成された電圧値と成る。トランジスタQ1のベ
ースにパルス電圧VBが印加されると、順方向ツェナ電
圧VBEを上回った電圧の時だけ第5図に符号IBで示
す様なベース電流波形を生じる。このベース電流IBの
波形に基づいて、電源端子VCCがら抵抗R1とR2を
直列に介してトランジスタQ1のコレクタに接続された
分圧回路にコレクタ電流が流れ、この電流変化によって
生じた電圧変動が波形整形信号として増幅図pI3へ供
給される6抵抗R1及びR2並びR4が共通接続には、
抵抗R1の両端に生じるパルス変動を除去する為に、バ
イパス用のコンデンサC2を介して接地されている。
サC4を介してトランジスタQ1のベースに第5図の符
号VBで示す様なパルス電圧波形で印加される。また、
トランジスタQ1のベースには、電源端子Vccがら抵
抗R5を介して直流バイアス電圧も印加されており、パ
ルス電圧VBは、この直流バイアス電圧によって生じる
トランジスタQ1のベースとエミッタ間の順方向ツェナ
電圧VBE(VBE=・0.6V)とコンデンサc1を
介して切換回B7がら印加されたパルス電圧VPTの変
動分が合成された電圧値と成る。トランジスタQ1のベ
ースにパルス電圧VBが印加されると、順方向ツェナ電
圧VBEを上回った電圧の時だけ第5図に符号IBで示
す様なベース電流波形を生じる。このベース電流IBの
波形に基づいて、電源端子VCCがら抵抗R1とR2を
直列に介してトランジスタQ1のコレクタに接続された
分圧回路にコレクタ電流が流れ、この電流変化によって
生じた電圧変動が波形整形信号として増幅図pI3へ供
給される6抵抗R1及びR2並びR4が共通接続には、
抵抗R1の両端に生じるパルス変動を除去する為に、バ
イパス用のコンデンサC2を介して接地されている。
そして、波形整形口B2の波形整形信号が増幅回路3を
介して供給されたCPU5は、フォトトランジスタPT
1〜PTmとフォトトランジスタPT (n・1)〜P
Tnが受光した状態に対応して遮断操作されたam位置
を抽出して座標信号を出力する。この座標信号は、光信
号が指等によって遮断されることにより受光すべき時点
で受光されなかった一対のフォトトランジスタの場所を
示し、表示面上の位置情報が得られる様に成っている。
介して供給されたCPU5は、フォトトランジスタPT
1〜PTmとフォトトランジスタPT (n・1)〜P
Tnが受光した状態に対応して遮断操作されたam位置
を抽出して座標信号を出力する。この座標信号は、光信
号が指等によって遮断されることにより受光すべき時点
で受光されなかった一対のフォトトランジスタの場所を
示し、表示面上の位置情報が得られる様に成っている。
J発明が解決しようとする課B]
然しながら、上述した従来の光電検出回路にあっては、
以下の様な解決すべき点を有している。
以下の様な解決すべき点を有している。
即ち、光電変換特性が素子間でばらつきを有しており、
波形整形回路2に供給されるパルス電圧VPTに電気的
ノイズが侵入するばかりか、太陽光や証明装置など外部
光源からその都度具なった発光素子以外からの外乱光も
受光素子に侵入する環境に配置される為に、受光素子が
ら得られたパルス電圧VPTの波形は、大きく変動して
、変動を吸収して発光素子からのパルス信号を抽出する
為にコンデンサC1及びトランジスタQ1のベースよエ
ミッタの順方向ツェナ電圧VBEを利用したクランプ回
路では変動吸収の範囲から外れてしまう。
波形整形回路2に供給されるパルス電圧VPTに電気的
ノイズが侵入するばかりか、太陽光や証明装置など外部
光源からその都度具なった発光素子以外からの外乱光も
受光素子に侵入する環境に配置される為に、受光素子が
ら得られたパルス電圧VPTの波形は、大きく変動して
、変動を吸収して発光素子からのパルス信号を抽出する
為にコンデンサC1及びトランジスタQ1のベースよエ
ミッタの順方向ツェナ電圧VBEを利用したクランプ回
路では変動吸収の範囲から外れてしまう。
上述した外乱光の影響を防止する為に光学フィルタを受
光素子に前に装着すると、この光学フィルタによって発
光素子がらり光パルス信号も減衰してしまいかえって光
電検出特性の劣化を生じてしまう場合もある。また、上
述した素子間のばらつきは、素子を選別することも出来
るが多くの無駄な素子がでるので大量生産が出来ない。
光素子に前に装着すると、この光学フィルタによって発
光素子がらり光パルス信号も減衰してしまいかえって光
電検出特性の劣化を生じてしまう場合もある。また、上
述した素子間のばらつきは、素子を選別することも出来
るが多くの無駄な素子がでるので大量生産が出来ない。
従って、本発明は、素子の特性自体に依存すること無く
、カメラのフラッシュ等の様に予知出来ない強い外乱光
やその他のノイズが侵入しても確実に発光素子の光パル
ス信号を抽出できる光電検出回路を提供することを技術
的課題とする。
、カメラのフラッシュ等の様に予知出来ない強い外乱光
やその他のノイズが侵入しても確実に発光素子の光パル
ス信号を抽出できる光電検出回路を提供することを技術
的課題とする。
、課題を解決する為の手段]
上記、課題を解決する為に、本発明は、発光素子りと、
該発光素子[の光信号を受光する様に対応して配置され
た受光素子PTと、該受光素子PTに投光する前記発光
素子りを前記光信号を点滅させる為に、駆動信号aに基
づいた駆動電力を供給する駆動動作を行う駆動回路1と
、前記発光素子りの消灯状態で不所望状態の前記検出信
号を、前記駆動信号aに基づいてダイナミッククランプ
動作を行なって、所望な一定の電圧値に補正する波形整
形口[2と、を有することを特徴とする。
該発光素子[の光信号を受光する様に対応して配置され
た受光素子PTと、該受光素子PTに投光する前記発光
素子りを前記光信号を点滅させる為に、駆動信号aに基
づいた駆動電力を供給する駆動動作を行う駆動回路1と
、前記発光素子りの消灯状態で不所望状態の前記検出信
号を、前記駆動信号aに基づいてダイナミッククランプ
動作を行なって、所望な一定の電圧値に補正する波形整
形口[2と、を有することを特徴とする。
:作用]
上記の技術的手段は以下の通り作用する。
発光ダイオードLからの光パルスを受光するフォトトラ
ンジスタPTで検出され波形整形回路2で光パルスが休
止状態の時に一定の値に強制的に揃えられて、光パルス
の発生状態で安定に波形整形処理が行われることに成る
。
ンジスタPTで検出され波形整形回路2で光パルスが休
止状態の時に一定の値に強制的に揃えられて、光パルス
の発生状態で安定に波形整形処理が行われることに成る
。
、実施例コ
以下に、本発明を第1図乃至第3図に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第1図は本発明の一実施例の回路を示す構成図、第2図
は各部の信号波形を示す図、第3図は波形整形回路が受
光素子から出力された信号を波形補正する動作を示す図
であり、第4図と第5図に従って説明した従来の技術と
同一部分は同一符号を付して詳細な説明を省略する。
は各部の信号波形を示す図、第3図は波形整形回路が受
光素子から出力された信号を波形補正する動作を示す図
であり、第4図と第5図に従って説明した従来の技術と
同一部分は同一符号を付して詳細な説明を省略する。
第1図に於て、2は波形整形回路を示す。
まず、構成を説明すると、第1図で、駆動回路1と波形
整形回路2には駆動信号aが、また、第1と第2の切換
回路6.7には切換信号すがそれぞれ接続されている。
整形回路2には駆動信号aが、また、第1と第2の切換
回路6.7には切換信号すがそれぞれ接続されている。
第1の切換口FH16には駆動回路1からのパルス電流
が発光ダイオードL1〜Lnに順次1回路ずつ通電され
て光パルス信号を出力する様に接続されている。また、
第2の切換回路7は発光ダイオードL1〜Lnの各素子
からの光パルス信号を発光ダイオード[1〜Lnに対応
したフォトトランジスタPT1〜PTnで順次切り換え
て検出し、波形整形回路2へ出力する様に接続されてい
る。
が発光ダイオードL1〜Lnに順次1回路ずつ通電され
て光パルス信号を出力する様に接続されている。また、
第2の切換回路7は発光ダイオードL1〜Lnの各素子
からの光パルス信号を発光ダイオード[1〜Lnに対応
したフォトトランジスタPT1〜PTnで順次切り換え
て検出し、波形整形回路2へ出力する様に接続されてい
る。
この波形整形回路2に第2の切換回路7の出力は結合用
のコンデンサC1を介してトランジスタQ1のベースに
接続されている。このベースにはダイオードD1のカソ
ードが接続され、アノードは接地されている。また、こ
のトランジスタQ1のベースにはダイオードD2のアノ
ードとトランジスタQ2のコレクタが、トランジスタQ
1のコレクタにはダイオードD2のカソードとトランジ
スタQ2のエミ・ンタがそれぞれ接続されている。さら
に、トランジスタQ1のベースには電源端子VCCに接
続された抵抗R5の一方が接続されている。コレクタに
は抵抗R1、R2を介して電源端子VCCに接続されて
いる。そしてトランジスタQ1のエミッタは接地されて
いる。
のコンデンサC1を介してトランジスタQ1のベースに
接続されている。このベースにはダイオードD1のカソ
ードが接続され、アノードは接地されている。また、こ
のトランジスタQ1のベースにはダイオードD2のアノ
ードとトランジスタQ2のコレクタが、トランジスタQ
1のコレクタにはダイオードD2のカソードとトランジ
スタQ2のエミ・ンタがそれぞれ接続されている。さら
に、トランジスタQ1のベースには電源端子VCCに接
続された抵抗R5の一方が接続されている。コレクタに
は抵抗R1、R2を介して電源端子VCCに接続されて
いる。そしてトランジスタQ1のエミッタは接地されて
いる。
トランジスタQ2のベースにはCPU5からの駆動信号
aが波形整形回路2に設けられた増幅器を介して供給さ
れている。
aが波形整形回路2に設けられた増幅器を介して供給さ
れている。
抵抗R1と62の接続点には交流電圧変動を)くイノ(
スさせる為のコンデンサC2が接続されている。この様
に構成された波形整形回路2の信号出力部としてのトラ
ンジスタQ1のコレクタは増幅回路3へ接続され、さら
にこの出力はCPU5に接続されている。
スさせる為のコンデンサC2が接続されている。この様
に構成された波形整形回路2の信号出力部としてのトラ
ンジスタQ1のコレクタは増幅回路3へ接続され、さら
にこの出力はCPU5に接続されている。
次に動作を説明すると、第2の切換口#17から出力さ
れるパルス電圧波形は従来例同様、第2図VPTで示す
電圧波形の様に発光、受光素子の光電変換特性と外乱光
(デイスプレィ、太陽、照明などの光)によるノイズ及
び第2の切換口#I7がフォトトランジスタPT1〜P
Tnからの信号を切り換える時に発生するスイッチング
ノイズを含んでいる。
れるパルス電圧波形は従来例同様、第2図VPTで示す
電圧波形の様に発光、受光素子の光電変換特性と外乱光
(デイスプレィ、太陽、照明などの光)によるノイズ及
び第2の切換口#I7がフォトトランジスタPT1〜P
Tnからの信号を切り換える時に発生するスイッチング
ノイズを含んでいる。
上記のようなノイズを含むパルス電圧波形VPTの一例
をフォトトランジスタPT2とPT3に対応して第3図
で説明する。同図のVPTに示す様にこのパルス電圧波
形VPTにはCとdの差に相当する外乱光量とフォトト
ランジスタPT2 、PT3の受光特性のバラツキによ
って生じた電圧差及び、eとfの差に相当する発光ダイ
オードL2)[3の発光特性のバラツキとフォトトラン
ジスタPT2 、PT3の受光特性のバラツキによって
生じる電圧差また、斜線を付した波形Nは第2の切換口
H@7がフォトトランジスタPT2 、PT3を切り換
える時に発生するスイッチングノイズがそれぞれ含まれ
ている。この電圧差とスイッチングノイズはフォトトラ
ンジスタPT1〜PTnからの信号量てについて含まれ
ており、レベルは異なった値で出力される。
をフォトトランジスタPT2とPT3に対応して第3図
で説明する。同図のVPTに示す様にこのパルス電圧波
形VPTにはCとdの差に相当する外乱光量とフォトト
ランジスタPT2 、PT3の受光特性のバラツキによ
って生じた電圧差及び、eとfの差に相当する発光ダイ
オードL2)[3の発光特性のバラツキとフォトトラン
ジスタPT2 、PT3の受光特性のバラツキによって
生じる電圧差また、斜線を付した波形Nは第2の切換口
H@7がフォトトランジスタPT2 、PT3を切り換
える時に発生するスイッチングノイズがそれぞれ含まれ
ている。この電圧差とスイッチングノイズはフォトトラ
ンジスタPT1〜PTnからの信号量てについて含まれ
ており、レベルは異なった値で出力される。
これらの電圧差とスイッチングノイズを含んだパルス電
圧波形VPTは波形整形口H2を構成する各部分の後述
する動作で第2図及び第3図に示すベース電圧波形VB
の様に波形整形される。
圧波形VPTは波形整形口H2を構成する各部分の後述
する動作で第2図及び第3図に示すベース電圧波形VB
の様に波形整形される。
まず、第2の切換口#17で受光素子としてのフォトト
ランジスタ2丁1〜PTnの内、フォトトランジスタP
T2が選択されると第3図VPTのNS1に示す様な外
乱光に相当する同図CのレベルとスイッチングノイズN
による電圧が検出される。この検出された電圧は波形整
形回路2のコンデンサC1を介してトランジスタQ1の
ベースに印加される。この印加された電圧により電源端
子Vccから抵抗R5を介してトランジスタQ1のベー
スに印加されているベースバイアス電圧をマイナス方向
へ偏倚させる様に電位差が発生する。そして、この電位
差でダイオードD1には第1図IAにで示す方向のクラ
ンプ電流IAKが流れる。またこのクランプ電流IAK
の通電ループはコンデンサC1から第2の切換回路7の
選択されて閉路されたスイッチング素子S2を通り、次
にフォトトランジスタPT2のコレクタから接地された
エミッタへ流れ、さらに接地されたダイオードD1のア
ノードからカソードを通ってコンデンサC1のもう一方
の電極に到達する。このクランプ電流IAにによりコン
デンサC1を介して印加された電位差は第3図VBのN
SI ’に示す斜線部分の電圧分が補正される。
ランジスタ2丁1〜PTnの内、フォトトランジスタP
T2が選択されると第3図VPTのNS1に示す様な外
乱光に相当する同図CのレベルとスイッチングノイズN
による電圧が検出される。この検出された電圧は波形整
形回路2のコンデンサC1を介してトランジスタQ1の
ベースに印加される。この印加された電圧により電源端
子Vccから抵抗R5を介してトランジスタQ1のベー
スに印加されているベースバイアス電圧をマイナス方向
へ偏倚させる様に電位差が発生する。そして、この電位
差でダイオードD1には第1図IAにで示す方向のクラ
ンプ電流IAKが流れる。またこのクランプ電流IAK
の通電ループはコンデンサC1から第2の切換回路7の
選択されて閉路されたスイッチング素子S2を通り、次
にフォトトランジスタPT2のコレクタから接地された
エミッタへ流れ、さらに接地されたダイオードD1のア
ノードからカソードを通ってコンデンサC1のもう一方
の電極に到達する。このクランプ電流IAにによりコン
デンサC1を介して印加された電位差は第3図VBのN
SI ’に示す斜線部分の電圧分が補正される。
この補正された電位差はダイオードD1の順方向ツェナ
電圧VAに(,o、ev)と第2の切換回路7の1つの
スイッチング素子S2で分圧される電圧とフォトトラン
ジスタPTI〜PTnの内の1素子PT2のエミッタと
コレクタ間に分圧された電圧の和であり、クランプ電流
IAKの値によって差が生じる。
電圧VAに(,o、ev)と第2の切換回路7の1つの
スイッチング素子S2で分圧される電圧とフォトトラン
ジスタPTI〜PTnの内の1素子PT2のエミッタと
コレクタ間に分圧された電圧の和であり、クランプ電流
IAKの値によって差が生じる。
しかしながら、クランプ電流IAKで補正されたこの電
圧では、トランジスタQ1にベース電流IBを流すこと
は出来ない、そこで、この補正された電圧は、駆動信号
aに基づいてトランジスタQ2から供給される電圧でさ
らに補正される。即、この時の駆動信号aはローレベル
になっており、トランジスタQ2にはエミッタからコレ
クタを通って接続されたトランジスタQ1のベースに電
圧が供給される。この電圧は前記クランプ電流IAKに
よって補正された電圧を第3図VBのDに1に示す斜線
部分を補正して、実線で示す電圧レベルまで上昇させて
トランジスタQ1を通電状態にする。そしてこのトラン
ジスタ01のコレクタ電圧はローレベルとなる。こうし
て、第3図VPTのNS1の電圧波形は外乱光Cとスイ
ッチングノイズNの部分が除去されたローレベルの信号
としてCPU5へ出力される。この波形整形回路2の補
正動作は発光ダイオードL2)L3が発光していない時
の受光信号である第3図VPTのNS2〜NS6に示す
部分についても同様に行われ、同図VBの0に2〜DK
6に示す様に補正される。
圧では、トランジスタQ1にベース電流IBを流すこと
は出来ない、そこで、この補正された電圧は、駆動信号
aに基づいてトランジスタQ2から供給される電圧でさ
らに補正される。即、この時の駆動信号aはローレベル
になっており、トランジスタQ2にはエミッタからコレ
クタを通って接続されたトランジスタQ1のベースに電
圧が供給される。この電圧は前記クランプ電流IAKに
よって補正された電圧を第3図VBのDに1に示す斜線
部分を補正して、実線で示す電圧レベルまで上昇させて
トランジスタQ1を通電状態にする。そしてこのトラン
ジスタ01のコレクタ電圧はローレベルとなる。こうし
て、第3図VPTのNS1の電圧波形は外乱光Cとスイ
ッチングノイズNの部分が除去されたローレベルの信号
としてCPU5へ出力される。この波形整形回路2の補
正動作は発光ダイオードL2)L3が発光していない時
の受光信号である第3図VPTのNS2〜NS6に示す
部分についても同様に行われ、同図VBの0に2〜DK
6に示す様に補正される。
しかしながら、トランジスタQ1のベース電流IBはト
ランジスタQ2から供給される電流かで定量までであり
、この電流によって補正される第3図VBのDK1〜0
に6に示す斜線部分の量がスイッチングノイズの作用の
有無等によるバラツキを生じる。このバラツキのあるベ
ース電流IBはトランジスタQ1のベース内に蓄積され
る過剰蓄積キャリアの量にバラツキを生じさせる。これ
によって次に入力されるトランジスタQ1のコレクタ電
圧がハイレベルになる為の入力波形をスイッチングノイ
ズが生じた時の第3図VBのfl、f4とスイッチング
ノイズが無かった時の同図VBのf2)f3、f5、f
6に示す様にバラツキを生じさせてしまう。
ランジスタQ2から供給される電流かで定量までであり
、この電流によって補正される第3図VBのDK1〜0
に6に示す斜線部分の量がスイッチングノイズの作用の
有無等によるバラツキを生じる。このバラツキのあるベ
ース電流IBはトランジスタQ1のベース内に蓄積され
る過剰蓄積キャリアの量にバラツキを生じさせる。これ
によって次に入力されるトランジスタQ1のコレクタ電
圧がハイレベルになる為の入力波形をスイッチングノイ
ズが生じた時の第3図VBのfl、f4とスイッチング
ノイズが無かった時の同図VBのf2)f3、f5、f
6に示す様にバラツキを生じさせてしまう。
そこで、この過剰蓄積キャリアの量はトランジスタQ1
のベースとコレクタ間に接続されたダイオードD2の分
流作用によって一定量に調整される。
のベースとコレクタ間に接続されたダイオードD2の分
流作用によって一定量に調整される。
すなわち、この分流作用はトランジスタQ1のベース電
流IBの一部がダイオードD2を介してトランジスタQ
1のコレクタからエミッタに流れる。(第1図■^に′
参照)従って、トランジスタQ1のベース電流IBはベ
ース電圧VBがこのトランジスタQ1のベースとエミッ
タ間の順方向ツェナ電圧(VBE−〇、6V)と、ダイ
オード02のアノードとカソード間の順方向ツェナ電圧
(vAx′、o、ev)及びトランジスタQ1のコレク
タとエミッタ間に分圧された電圧の和との少ない間の電
圧値により通電されることになる。このベース電流IB
のバラツキはほぼトランジスタQ1によるコレクタとエ
ミッタ間に分圧される電圧バラツキ(0,03〜0.1
2v)で生じる値であり、それによって変動するコレク
タ電圧は無視出動る値である。
流IBの一部がダイオードD2を介してトランジスタQ
1のコレクタからエミッタに流れる。(第1図■^に′
参照)従って、トランジスタQ1のベース電流IBはベ
ース電圧VBがこのトランジスタQ1のベースとエミッ
タ間の順方向ツェナ電圧(VBE−〇、6V)と、ダイ
オード02のアノードとカソード間の順方向ツェナ電圧
(vAx′、o、ev)及びトランジスタQ1のコレク
タとエミッタ間に分圧された電圧の和との少ない間の電
圧値により通電されることになる。このベース電流IB
のバラツキはほぼトランジスタQ1によるコレクタとエ
ミッタ間に分圧される電圧バラツキ(0,03〜0.1
2v)で生じる値であり、それによって変動するコレク
タ電圧は無視出動る値である。
次に、発光ダイオードL1〜Lnの1つ素子L2が発光
した時の光パルスはフォトトランジスタPT1〜PTn
の対向する1つの素子PT2で受光されて第3図のSQ
lで示す様なパルス電圧波形VPTが得られる。このパ
ルス電圧波形Sq1は外乱光によりマイナス側へ大きく
偏倚された分(C)と発光ダイオード[2からの光でマ
イナス側へ偏倚された分(e)が合成された値である。
した時の光パルスはフォトトランジスタPT1〜PTn
の対向する1つの素子PT2で受光されて第3図のSQ
lで示す様なパルス電圧波形VPTが得られる。このパ
ルス電圧波形Sq1は外乱光によりマイナス側へ大きく
偏倚された分(C)と発光ダイオード[2からの光でマ
イナス側へ偏倚された分(e)が合成された値である。
この電圧はコンデンサC1を介してトランジスタQ1の
ベースに印加されて、トランジスタQ1のベース内に蓄
積された過剰蓄積キャリア分を打ち消すとともに、さら
に、ベース電圧VBを降下させる。そこで、この印加さ
れた電圧はコンデンサC1の画電極の電位差により第1
図IAKに示す方向のクランプ電流IAにが流れる。そ
して、前述した様にクランプ電流IAKは第3図VBの
[lK1に示す斜線部分を補正して実線で示す一定の電
圧レベルにベース電圧VBをクランプする。
ベースに印加されて、トランジスタQ1のベース内に蓄
積された過剰蓄積キャリア分を打ち消すとともに、さら
に、ベース電圧VBを降下させる。そこで、この印加さ
れた電圧はコンデンサC1の画電極の電位差により第1
図IAKに示す方向のクランプ電流IAにが流れる。そ
して、前述した様にクランプ電流IAKは第3図VBの
[lK1に示す斜線部分を補正して実線で示す一定の電
圧レベルにベース電圧VBをクランプする。
この時、駆動信号aはハイレベルでありトランジスタQ
2からの電圧はトランジスタQ1のベースには印加され
ない。従って、ベース電圧VBはトランジスタ01のベ
ースとエミッタ間の順方向ツェナ電圧VBEよりも低い
為、ベース電流IBは流れないのでコレクタ電圧はハイ
レベルである。
2からの電圧はトランジスタQ1のベースには印加され
ない。従って、ベース電圧VBはトランジスタ01のベ
ースとエミッタ間の順方向ツェナ電圧VBEよりも低い
為、ベース電流IBは流れないのでコレクタ電圧はハイ
レベルである。
この動作は第3図に示すSq2〜Sq6に対しても同様
に作用して、クランプ電流IAKによって同図VBのに
2〜に6で示す斜線部分が補正されて実線で示す一定の
電圧レベルにベース電圧VBがクランプされ、トランジ
スタQ1のコレクタからは一定のレベルのパルス信号と
して波形整形回路2の出力が得られる。
に作用して、クランプ電流IAKによって同図VBのに
2〜に6で示す斜線部分が補正されて実線で示す一定の
電圧レベルにベース電圧VBがクランプされ、トランジ
スタQ1のコレクタからは一定のレベルのパルス信号と
して波形整形回路2の出力が得られる。
ここで、座標入力操作を行うと、例えば発光ダイオード
L2とフォトトランジスタPT2とが第1及び第2の切
換回路6.7の各82が閉成して選択された時に、発光
ダイオードL2とフォトトランジスタPT2との間の光
パルス信号を指等で遮光した場合の受光信号VPTは、
第3図に示した発光ダイオード[2の光パルス信号に対
応する符号e″rlit!する様に示したパルス電圧波
形Sq1〜SQ3の部分が除去された状態に成る。この
光パルス信号の成分が除去された受光信号VPTは、第
3図に符号Cで示すレベルの外乱光等による比較的変動
が少ない成分に第3図に符号Nで示すスイッチングノイ
ズが合成された状態に成る。
L2とフォトトランジスタPT2とが第1及び第2の切
換回路6.7の各82が閉成して選択された時に、発光
ダイオードL2とフォトトランジスタPT2との間の光
パルス信号を指等で遮光した場合の受光信号VPTは、
第3図に示した発光ダイオード[2の光パルス信号に対
応する符号e″rlit!する様に示したパルス電圧波
形Sq1〜SQ3の部分が除去された状態に成る。この
光パルス信号の成分が除去された受光信号VPTは、第
3図に符号Cで示すレベルの外乱光等による比較的変動
が少ない成分に第3図に符号Nで示すスイッチングノイ
ズが合成された状態に成る。
この光パルス信号の光路が遮光された状態での受光信号
VPTは、交流結合手段であるコンデンサC1を介して
以下の手順で波形成形される。
VPTは、交流結合手段であるコンデンサC1を介して
以下の手順で波形成形される。
先ず、駆動信号aがローレベルで供給されて発光ダイオ
ード[2が消灯した時は、ローレベルの駆動信号aに従
って、正極の電源端子Vcc−抵抗R1−抵抗R2→ト
ランジスタQ2のエミッタからコレクタートランジスタ
Q1のベースからエミッタ→接地線の経路と、正極の電
源端子VCC−抵抗R抵抗抵抗R2−)ランジスタQ2
のエミッタからコレクターダイオードD2のアノードか
らカソード−トランジスタQ1のコレクタからエミッタ
ー接地線の経路と、の2つに分流されたダイナミックク
ランプ電流が通電される。このダイナミッククランプ電
流が通電された状態では、外乱光C等及びスイッチング
ノイズNの成分がベースとエミッタ間の順方向ツェナ電
圧値VBEよりも若干高い一定のベース電圧VBi、:
揃えられる。そして、ベース電流が通電されたトランジ
スタQ1には、正極の電源端子VCC→抵抗R1→抵抗
R2→トランジスタQ1のコレクタからエミッタ→接地
線の経路でコレクタ電流が通電される。従って、波形整
形口WI&2の出力は、ローレベルと成る。
ード[2が消灯した時は、ローレベルの駆動信号aに従
って、正極の電源端子Vcc−抵抗R1−抵抗R2→ト
ランジスタQ2のエミッタからコレクタートランジスタ
Q1のベースからエミッタ→接地線の経路と、正極の電
源端子VCC−抵抗R抵抗抵抗R2−)ランジスタQ2
のエミッタからコレクターダイオードD2のアノードか
らカソード−トランジスタQ1のコレクタからエミッタ
ー接地線の経路と、の2つに分流されたダイナミックク
ランプ電流が通電される。このダイナミッククランプ電
流が通電された状態では、外乱光C等及びスイッチング
ノイズNの成分がベースとエミッタ間の順方向ツェナ電
圧値VBEよりも若干高い一定のベース電圧VBi、:
揃えられる。そして、ベース電流が通電されたトランジ
スタQ1には、正極の電源端子VCC→抵抗R1→抵抗
R2→トランジスタQ1のコレクタからエミッタ→接地
線の経路でコレクタ電流が通電される。従って、波形整
形口WI&2の出力は、ローレベルと成る。
次に、駆動信号aがローレベルからハイレベルに変化し
て供給されると、発光ダイオード[2が点灯して、この
ハイレベルに変化した駆動信号aに従って、トランジス
タQ2のダイナミッククランプ電流が遮断される。然し
、発光ダイオードL2からの光パルス信号が座標入力操
作によって遮光されておつ、コンデンサC1を供給され
る電圧信号は、外乱光C等の成分のみと成っている。こ
の外乱光C等の電圧成分と抵抗R5を介したベースバイ
アス電圧とによってトランジスタQ1のベース電圧V
Bは、トランジスタQ1の順方向ツェナ電圧VBEに向
かって降下する。然し、光パルス信号が受光されない時
のベース電圧VBは、抵抗R5を介したベースバイアス
電圧によって順方向ツェナ電圧VBEを下回ることが無
い。従って、トランジスタQ1のベース電流IBは、外
乱光C等の電圧成分で遮断されることが無い。そして、
トランジスタQ1のコレクタ電流が通電され続けて、発
光ダイオードL2とフォトトランジスタPT2とが選択
されている期間に波形整形回路2から出力される電圧は
、光パルス信号が遮断された状態を表わすローレベルで
変化しない。
て供給されると、発光ダイオード[2が点灯して、この
ハイレベルに変化した駆動信号aに従って、トランジス
タQ2のダイナミッククランプ電流が遮断される。然し
、発光ダイオードL2からの光パルス信号が座標入力操
作によって遮光されておつ、コンデンサC1を供給され
る電圧信号は、外乱光C等の成分のみと成っている。こ
の外乱光C等の電圧成分と抵抗R5を介したベースバイ
アス電圧とによってトランジスタQ1のベース電圧V
Bは、トランジスタQ1の順方向ツェナ電圧VBEに向
かって降下する。然し、光パルス信号が受光されない時
のベース電圧VBは、抵抗R5を介したベースバイアス
電圧によって順方向ツェナ電圧VBEを下回ることが無
い。従って、トランジスタQ1のベース電流IBは、外
乱光C等の電圧成分で遮断されることが無い。そして、
トランジスタQ1のコレクタ電流が通電され続けて、発
光ダイオードL2とフォトトランジスタPT2とが選択
されている期間に波形整形回路2から出力される電圧は
、光パルス信号が遮断された状態を表わすローレベルで
変化しない。
上述した波形整形回路2の動作は、フォトトランジスタ
PT1〜PTnの全てについて行われる。そして、波形
整形回路2の出力信号は、増幅回路3を介してCPtJ
5で発光素子が点灯しているべき時に受光素子で受光さ
れなかったことが判断されると、受光されなかったと判
断された一対の受光素子に対応する座標信号に変換処理
されて、位置情報として出力される。
PT1〜PTnの全てについて行われる。そして、波形
整形回路2の出力信号は、増幅回路3を介してCPtJ
5で発光素子が点灯しているべき時に受光素子で受光さ
れなかったことが判断されると、受光されなかったと判
断された一対の受光素子に対応する座標信号に変換処理
されて、位置情報として出力される。
なお、上記実施例のなの実施例として、発光素子の1素
子が発光する光を上記実施例では3パルスとしたが、1
パルスに変更しても発光パルス間のノイズ成分を光パル
スを発生させる為の駆動信号に基づいて消去すると共に
、検出信号を一定に揃えることで、上述した信号処理が
行われ、且つ、単位時間当りの検出速度も速く成る。
子が発光する光を上記実施例では3パルスとしたが、1
パルスに変更しても発光パルス間のノイズ成分を光パル
スを発生させる為の駆動信号に基づいて消去すると共に
、検出信号を一定に揃えることで、上述した信号処理が
行われ、且つ、単位時間当りの検出速度も速く成る。
[発明の効果]
上述した様に本発明の光電検出回路は、発光素子[を点
滅させて光パルスを送る為の駆動信号aに基づいて受光
信号VPTに含まれる発光素子りが消灯している期間の
ノイズを消去して一定の電圧に揃える構成にした為に、
従来では外乱光や素子間のばらつきやその他のノイズで
波形変動して発光素子りの点灯分が抽出出来なく成った
り、これを発光強度を上げることが要求されて′いたが
、素子特性の使用可能な範囲が広がったり、発光電力を
削減して発光素子の寿命を延命や発熱が少ないことから
小型化が出来たり、ノイズに強い等の効果を奏する。
滅させて光パルスを送る為の駆動信号aに基づいて受光
信号VPTに含まれる発光素子りが消灯している期間の
ノイズを消去して一定の電圧に揃える構成にした為に、
従来では外乱光や素子間のばらつきやその他のノイズで
波形変動して発光素子りの点灯分が抽出出来なく成った
り、これを発光強度を上げることが要求されて′いたが
、素子特性の使用可能な範囲が広がったり、発光電力を
削減して発光素子の寿命を延命や発熱が少ないことから
小型化が出来たり、ノイズに強い等の効果を奏する。
第1図は本発明の実施例の回路を示す構成図、第2図は
各部の信号波形を示す図、第3図は波形整形回路の作用
を示す図、第4図及び第5図は従来例を示す図である。 図に於いて、1は駆動回路、2は波形整形回路、3は増
幅回路、5はCPU (マイクロプロセッサ)、6と7
は切換回路、C1ないしC3はコンデンサ、DlとDl
はダイオード、LlないしLnは発光ダイオード、PT
IないしPTnはフォトトランジスタ、QlないしC3
はトランジスタをそれぞれ示す。
各部の信号波形を示す図、第3図は波形整形回路の作用
を示す図、第4図及び第5図は従来例を示す図である。 図に於いて、1は駆動回路、2は波形整形回路、3は増
幅回路、5はCPU (マイクロプロセッサ)、6と7
は切換回路、C1ないしC3はコンデンサ、DlとDl
はダイオード、LlないしLnは発光ダイオード、PT
IないしPTnはフォトトランジスタ、QlないしC3
はトランジスタをそれぞれ示す。
Claims (3)
- (1)発光素子と、該発光素子の光信号を受光する様に
対応して配置された受光素子と、該受光素子に投光する
前記発光素子を前記光信号を点滅させる為に、駆動信号
に基づいた駆動電力を供給する駆動動作を行なう駆動回
路と、前記発光素子の消灯状態で不所望状態の前記検出
信号を、前記駆動信号に基づいてダイナミッククランプ
動作を行なって、所望な一定の電圧値に補正する波形整
形回路と、を有することを特徴とする光電検出回路。 - (2)特許請求の範囲第(1)項記載の光電検出回路に
於て、前記波形整形回路が、前記駆動信号と同期してス
イッチング動作し、前記発光素子が消灯している全ての
時にダイナミッククランプ電流を通電するスイッチング
手段を有すること、を特徴とする光電検出回路。 - (3)特許請求の範囲第(1)項記載の光電検出回路に
於て、前記波形整形回路が、前記検出信号から直流成分
を除去して交流信号を取り出す交流結合手段を有し、該
交流結合手段を介した前記発光素子が点灯状態の前記交
流信号を、クランプ動作を行なつて一定の電圧値に揃え
る為のクランプ電流通電手段と、を有すること、を特徴
とする光電検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2312140A JPH03268014A (ja) | 1990-11-17 | 1990-11-17 | 光電検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2312140A JPH03268014A (ja) | 1990-11-17 | 1990-11-17 | 光電検出回路 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60151913A Division JPS6210721A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 光学式座標入力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268014A true JPH03268014A (ja) | 1991-11-28 |
Family
ID=18025735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2312140A Pending JPH03268014A (ja) | 1990-11-17 | 1990-11-17 | 光電検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03268014A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5672523A (en) * | 1979-11-16 | 1981-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Shaping method of signal waveform |
-
1990
- 1990-11-17 JP JP2312140A patent/JPH03268014A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5672523A (en) * | 1979-11-16 | 1981-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Shaping method of signal waveform |
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