JPH03268302A - 抵抗体素子 - Google Patents
抵抗体素子Info
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- JPH03268302A JPH03268302A JP2067904A JP6790490A JPH03268302A JP H03268302 A JPH03268302 A JP H03268302A JP 2067904 A JP2067904 A JP 2067904A JP 6790490 A JP6790490 A JP 6790490A JP H03268302 A JPH03268302 A JP H03268302A
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- resistor
- adhesive
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- resistor element
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points on resistors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、抵抗体素子、特に抵抗体の抵抗値の温度依存
性を利用して、温度測定等に好適に用いられる抵抗体素
子に関するものである。
性を利用して、温度測定等に好適に用いられる抵抗体素
子に関するものである。
（背景技術）
従来から、この種の抵抗体素子としては、第１図に示さ
れるように、アルミナ等からなる、外径が０．５ ｏｎ
程度のセラミックパイプ２の両端部に、０．２価φ程度
の白金線からなるリード４を、ガラス６によりそれぞれ
接着固定せしめる一方、２０〜４０ｐｍ程度の極めて細
い白金ワイヤ８を抵抗体としてセラミックバイブ２の外
周面に１００ターン程度巻き、そしてかかる白金ワイヤ
８の端を前記リード４に巻き付け、溶接して、電気的に
接続せしめ、更にその全体をガラスコーティングしたも
のが、知られている。
れるように、アルミナ等からなる、外径が０．５ ｏｎ
程度のセラミックパイプ２の両端部に、０．２価φ程度
の白金線からなるリード４を、ガラス６によりそれぞれ
接着固定せしめる一方、２０〜４０ｐｍ程度の極めて細
い白金ワイヤ８を抵抗体としてセラミックバイブ２の外
周面に１００ターン程度巻き、そしてかかる白金ワイヤ
８の端を前記リード４に巻き付け、溶接して、電気的に
接続せしめ、更にその全体をガラスコーティングしたも
のが、知られている。
また、第２図に示される如き薄膜型の抵抗体素子もよく
知られている。そこでは、所定の抵抗値を有するように
パターン形成された白金薄膜１゜が、セラミックバイブ
２の外表面に、前記白金ワイヤ８に代わって設けられて
おり、この白金’ｆｉｌ膜１０が、セラミックパイプ２
の両端部において、それぞれ、リード４．４に対して白
金接続ベースト１２によって電気的に接続せしめられて
、素子を構成している。
知られている。そこでは、所定の抵抗値を有するように
パターン形成された白金薄膜１゜が、セラミックバイブ
２の外表面に、前記白金ワイヤ８に代わって設けられて
おり、この白金’ｆｉｌ膜１０が、セラミックパイプ２
の両端部において、それぞれ、リード４．４に対して白
金接続ベースト１２によって電気的に接続せしめられて
、素子を構成している。
そして、このような抵抗体素子を使用する場合にあって
は、そのリード４が金属端子等に溶接固定されて、目的
とする部位に位置せしめられることとなるのである。例
えば、第３図に示されるように、鉄管等の管１４内に形
成されるガス流路１６中に、上述の如き抵抗体素子１８
を配置せしめて、かかるガス流路１６を流通せしめられ
るガスの温度等を測定する場合において、抵抗体素子１
８は、その両端のリード４部分において、絶縁セラミッ
クス２０を介して管１４内に挿入せしめられた、太さが
２ｍｍφ程度のステンレス棒の如き金属端子２２．２２
に溶接固定されて、セットせしめられることとなるので
ある。なお、金属端子２２、２２は、温度表示装置等の
外部機器２４に接続せしめられている。
は、そのリード４が金属端子等に溶接固定されて、目的
とする部位に位置せしめられることとなるのである。例
えば、第３図に示されるように、鉄管等の管１４内に形
成されるガス流路１６中に、上述の如き抵抗体素子１８
を配置せしめて、かかるガス流路１６を流通せしめられ
るガスの温度等を測定する場合において、抵抗体素子１
８は、その両端のリード４部分において、絶縁セラミッ
クス２０を介して管１４内に挿入せしめられた、太さが
２ｍｍφ程度のステンレス棒の如き金属端子２２．２２
に溶接固定されて、セットせしめられることとなるので
ある。なお、金属端子２２、２２は、温度表示装置等の
外部機器２４に接続せしめられている。
しかしながら、従来の抵抗体素子にあっては、測定環境
が急変したとき等に、正確な測定が困難となる問題を内
在するものであった。即ち、空気の如き温度測定対象の
温度が急変した時、第３図において、抵抗体素子１８を
支持する金属端子２２は、その熱容量が大きいために直
ちに温度変化せず、元の温度のままとなっているところ
から、抵抗体素子１８の温度変化速度は、そのリード４
を伝わって逃げる或いは入る熱量の影響により、遅くな
り、以て正確な温度測定が出来ないという欠点があった
のである。
が急変したとき等に、正確な測定が困難となる問題を内
在するものであった。即ち、空気の如き温度測定対象の
温度が急変した時、第３図において、抵抗体素子１８を
支持する金属端子２２は、その熱容量が大きいために直
ちに温度変化せず、元の温度のままとなっているところ
から、抵抗体素子１８の温度変化速度は、そのリード４
を伝わって逃げる或いは入る熱量の影響により、遅くな
り、以て正確な温度測定が出来ないという欠点があった
のである。
（解決課題）
そこで、本発明者らは、上述の如き温度急変時の抵抗体
素子の応答性を改良すべく、従来から用いられている白
金線よりも熱伝導性の悪い材料を抵抗体素子のリードと
して使用することを試み、第２図に示される如き構造の
抵抗体素子において、白金線に代えて、同じ太さ（サイ
ズ）のステンレス線を用いて、目的とする抵抗体素子を
作製し、更に実際の測温のために、かかる抵抗体素子の
リードを第３図の如き金属端子にスポット溶接（抵抗溶
接）したところ、この溶接後の抵抗体素子による温度測
定時に、指示値の異常なものが存在することを見い出し
た。
素子の応答性を改良すべく、従来から用いられている白
金線よりも熱伝導性の悪い材料を抵抗体素子のリードと
して使用することを試み、第２図に示される如き構造の
抵抗体素子において、白金線に代えて、同じ太さ（サイ
ズ）のステンレス線を用いて、目的とする抵抗体素子を
作製し、更に実際の測温のために、かかる抵抗体素子の
リードを第３図の如き金属端子にスポット溶接（抵抗溶
接）したところ、この溶接後の抵抗体素子による温度測
定時に、指示値の異常なものが存在することを見い出し
た。
そして、本発明者らの更なる検討の結果、かかる指示値
の異常は、抵抗体素子におけるリードと白金薄膜（抵抗
体）との間の電気的な導通の不良に起因するものである
ことが明らかとなったのである。即ち、第２図の如き抵
抗体素子において、そのリードを金属端子に接続するた
めの抵抗溶接時において、溶接用電極により、リード（
ステンレス線）に対して押曲げ力や引張力が加わり、そ
してそれらの力に耐えきれず、リードがガラス接着部か
ら抜けかけて、それらの間に隙間やクランクを惹起せし
めて、白金接続ペーストとの接触が悪くなるものが発生
するのである。
の異常は、抵抗体素子におけるリードと白金薄膜（抵抗
体）との間の電気的な導通の不良に起因するものである
ことが明らかとなったのである。即ち、第２図の如き抵
抗体素子において、そのリードを金属端子に接続するた
めの抵抗溶接時において、溶接用電極により、リード（
ステンレス線）に対して押曲げ力や引張力が加わり、そ
してそれらの力に耐えきれず、リードがガラス接着部か
ら抜けかけて、それらの間に隙間やクランクを惹起せし
めて、白金接続ペーストとの接触が悪くなるものが発生
するのである。
なお、この問題は、リードとして、ステンレス線等の熱
伝導性の悪い金属材料を用いた場合において顕著に見い
出され、従来の白金線をリードとして用いた抵抗体素子
においては、異常な力が加わった時に、リードが抜は出
すよりもリード自体が切れてしまうところから、そのよ
うな問題を生しることはなかったのである。
伝導性の悪い金属材料を用いた場合において顕著に見い
出され、従来の白金線をリードとして用いた抵抗体素子
においては、異常な力が加わった時に、リードが抜は出
すよりもリード自体が切れてしまうところから、そのよ
うな問題を生しることはなかったのである。
ここにおいて、本発明は、かかる事情を背景にして為さ
れたものであって、その目的とするところは、上述の欠
点を解消し、応答性が良く、且つリードの接着強度に優
れた抵抗体素子を提供することにある。
れたものであって、その目的とするところは、上述の欠
点を解消し、応答性が良く、且つリードの接着強度に優
れた抵抗体素子を提供することにある。
（解決手段）
そして、本発明は、上記のような目的を達成するために
、セラミック基体と、該基体上に設けられた抵抗体と、
前記基体に対して接着剤により接着、固定されて、該抵
抗体に電気的に導通せしめられるリードとを含んで構成
され、Ｊ亥す−トは白金を材質としたものよりも熱伝導
量が少なく、且つ該リードの少なくとも外表面を構成す
る金属が前記接着剤中に含有せしめられていることを特
徴とする抵抗体素子を、その要旨とするものである。
、セラミック基体と、該基体上に設けられた抵抗体と、
前記基体に対して接着剤により接着、固定されて、該抵
抗体に電気的に導通せしめられるリードとを含んで構成
され、Ｊ亥す−トは白金を材質としたものよりも熱伝導
量が少なく、且つ該リードの少なくとも外表面を構成す
る金属が前記接着剤中に含有せしめられていることを特
徴とする抵抗体素子を、その要旨とするものである。
（作用・効果）
このように、本発明に従う抵抗体素子は、そのリードと
して、従来の白金線よりも熱伝導性の悪い金属材料を用
い、従って同一サイズ（直径、断面積、長さ）のリード
形態において、白金を材質としたものよりも熱伝導量が
少なくされ、それによって、温度急変時におけるリード
を介しての伝熱が効果的に抑制せしめられ得るようにな
っているのであり、またリードをセラミック基体に接着
固定せしめる接着剤中に、かかるリードの少なくとも外
表面を構成する金属が含有せしめられていることによっ
て、該接着剤中の金属と該リードを構成する金属との間
の結合が惹起され、リードと接着剤との間の接合強度が
高められ、更にはＩＪ−ドとセラミック基体との間の接
着強度が効果的に高められるのである。
して、従来の白金線よりも熱伝導性の悪い金属材料を用
い、従って同一サイズ（直径、断面積、長さ）のリード
形態において、白金を材質としたものよりも熱伝導量が
少なくされ、それによって、温度急変時におけるリード
を介しての伝熱が効果的に抑制せしめられ得るようにな
っているのであり、またリードをセラミック基体に接着
固定せしめる接着剤中に、かかるリードの少なくとも外
表面を構成する金属が含有せしめられていることによっ
て、該接着剤中の金属と該リードを構成する金属との間
の結合が惹起され、リードと接着剤との間の接合強度が
高められ、更にはＩＪ−ドとセラミック基体との間の接
着強度が効果的に高められるのである。
従って、本発明に係る抵抗体素子においては、測定環境
が変化して、温度が急変した時にあっても、かかる素子
は、そのような環境温度の変化に良好に追随し、それに
よって正確な温度測定が可能となるのであり、応答性が
良好となると共に、そのリードの接着強度が向上せしめ
られているところから、かかるリードに対して押曲げ力
や引張力等が作用したりしても、リードの抜は出しやそ
の電気的接続部に隙間やクランク等が生じたりして、そ
の電気的接続性が低下せしめられるようなことも効果的
に抑制され、以て温度測定時ｔこ異常な指示値を発生す
る問題も、有利に回避し得ることとなったのである。
が変化して、温度が急変した時にあっても、かかる素子
は、そのような環境温度の変化に良好に追随し、それに
よって正確な温度測定が可能となるのであり、応答性が
良好となると共に、そのリードの接着強度が向上せしめ
られているところから、かかるリードに対して押曲げ力
や引張力等が作用したりしても、リードの抜は出しやそ
の電気的接続部に隙間やクランク等が生じたりして、そ
の電気的接続性が低下せしめられるようなことも効果的
に抑制され、以て温度測定時ｔこ異常な指示値を発生す
る問題も、有利に回避し得ることとなったのである。
（具体的構成）
ところで、本発明に従う抵抗体素子は、リードとそれを
接着固定する接着剤を除き、従来の素子と同様な構造を
有するものであって、その−例が第４〜６図に示されて
いるが、また第１図や第２図に示される如き構造の素子
とすることも可能である。
接着固定する接着剤を除き、従来の素子と同様な構造を
有するものであって、その−例が第４〜６図に示されて
いるが、また第１図や第２図に示される如き構造の素子
とすることも可能である。
それらの具体例のうち、第４図に示される抵抗体素子は
、第２図のものと同様な構造を有しており、そこでは、
セラミック基体として、アルミナ等の公知のセラミック
材料からなるパイプ状のボビン３０が用いられている。
、第２図のものと同様な構造を有しており、そこでは、
セラミック基体として、アルミナ等の公知のセラミック
材料からなるパイプ状のボビン３０が用いられている。
そして、このボビン３０の両端部に、リード３２．３２
が、それぞれ所定長さ挿入せしめられた状態において、
接着剤３４にて接着固定せしめられている。また、ボビ
ン３０の外周面には、白金等からなる抵抗体薄膜３６が
、従来と同様にして、所定パターンにおいて設けられ、
ボビン３０の端部において導体ペースト３８にてリード
３２に電気的に接続せしめられている。そして、かかる
ボビン３０の全体を覆うように、ガラス等からなる保護
コーティング層４０が設けられている。
が、それぞれ所定長さ挿入せしめられた状態において、
接着剤３４にて接着固定せしめられている。また、ボビ
ン３０の外周面には、白金等からなる抵抗体薄膜３６が
、従来と同様にして、所定パターンにおいて設けられ、
ボビン３０の端部において導体ペースト３８にてリード
３２に電気的に接続せしめられている。そして、かかる
ボビン３０の全体を覆うように、ガラス等からなる保護
コーティング層４０が設けられている。
また、第５図に示される抵抗体素子にあっては、ボビン
３０の外周面に設けられた抵抗体薄膜３６とリード３２
との電気的な接続が、接着剤３４自体によって実現され
ているところが、第４図の素子とは異なっている。接着
剤３４には、後述するように、リード３２の少なくとも
外表面を構成する金属が含有せしめられているところか
ら、そのような金属の配合量を高めることによって、抵
抗体薄膜３６とリード３２との間の電気的な接続が可能
となるのである。
３０の外周面に設けられた抵抗体薄膜３６とリード３２
との電気的な接続が、接着剤３４自体によって実現され
ているところが、第４図の素子とは異なっている。接着
剤３４には、後述するように、リード３２の少なくとも
外表面を構成する金属が含有せしめられているところか
ら、そのような金属の配合量を高めることによって、抵
抗体薄膜３６とリード３２との間の電気的な接続が可能
となるのである。
さらに、第６図に示される抵抗体素子においては、セラ
ミック基体として、所定大きさのセラミック板４２が用
いられ、このセラミック板４２上に形成された所定パタ
ーンの抵抗体薄膜３６に対して、リード３２．３２が、
それぞれ接着剤３４にて接着固定せしめられ、且つ電気
的に接続されている。なお、セラミンク板４２の抵抗体
薄膜３６が設けられた側には、第４図や第５図の素子と
同様に、ガラス等からなる保護コーティング層４０が所
定厚さで設けられている。
ミック基体として、所定大きさのセラミック板４２が用
いられ、このセラミック板４２上に形成された所定パタ
ーンの抵抗体薄膜３６に対して、リード３２．３２が、
それぞれ接着剤３４にて接着固定せしめられ、且つ電気
的に接続されている。なお、セラミンク板４２の抵抗体
薄膜３６が設けられた側には、第４図や第５図の素子と
同様に、ガラス等からなる保護コーティング層４０が所
定厚さで設けられている。
本発明は、このような抵抗体素子において、そのリード
３２を、従来の白金線よりも熱伝導性の悪い金属材料に
て構成するようにしたのである。
３２を、従来の白金線よりも熱伝導性の悪い金属材料に
て構成するようにしたのである。
そして、そのような金属材料としては、単体金属をも用
いられ得るが、融点や熱伝導率の点から、合金材料が有
利に用いられ、代表的なものとしては、ニクロム、錫青
銅、モネルメタル、アンバーステンレス綱、ニッケルー
鉄合金等があり、これらは、何れも、白金の１／３乃至
それ以下の熱伝導率を示すものである。なお、リード３
２は、このような熱伝導性の悪い金属材料のみから構成
されるばかりでなく、同一サイズの白金リードよりも熱
伝導量が少なければ、そのような金属材料からなる線材
の表面を、他の適当な金属の被覆層にて被覆せしめてな
るものも、使用可能である。
いられ得るが、融点や熱伝導率の点から、合金材料が有
利に用いられ、代表的なものとしては、ニクロム、錫青
銅、モネルメタル、アンバーステンレス綱、ニッケルー
鉄合金等があり、これらは、何れも、白金の１／３乃至
それ以下の熱伝導率を示すものである。なお、リード３
２は、このような熱伝導性の悪い金属材料のみから構成
されるばかりでなく、同一サイズの白金リードよりも熱
伝導量が少なければ、そのような金属材料からなる線材
の表面を、他の適当な金属の被覆層にて被覆せしめてな
るものも、使用可能である。
そして、このようなり一ド３２の少なくとも外表面を構
成する金属（複数あれば、そのうちの少なくとも１つ以
上の金属）が含有せしめられ、以て、かかるリード３２
の接着強度が高められるのである。なお、この接着剤３
４のベースには、従来から公知のセラミックと金属を接
合するための接着剤が何れも選択使用されるが、通常、
ガラスが有利に用いられることとなる。また、そのガラ
スの中でも、Ｚ ｎ ０−Ｂｔｕｓ ・Ｓ ｉ Ｏｘ
系などの結晶化ガラスを使用することが望ましく、それ
によって強度を１０％以上も向上せしめることが出来る
のである。なお、この強度が向上する理由としては、接
着剤３４が結晶化していることにより、リード３２に押
曲げ力や引張力が作用して、微少クラックが入りかけて
も、それが結晶部で阻止され、強度低下に繋がるような
りランクの発生が抑制されるためであると考えられる。
成する金属（複数あれば、そのうちの少なくとも１つ以
上の金属）が含有せしめられ、以て、かかるリード３２
の接着強度が高められるのである。なお、この接着剤３
４のベースには、従来から公知のセラミックと金属を接
合するための接着剤が何れも選択使用されるが、通常、
ガラスが有利に用いられることとなる。また、そのガラ
スの中でも、Ｚ ｎ ０−Ｂｔｕｓ ・Ｓ ｉ Ｏｘ
系などの結晶化ガラスを使用することが望ましく、それ
によって強度を１０％以上も向上せしめることが出来る
のである。なお、この強度が向上する理由としては、接
着剤３４が結晶化していることにより、リード３２に押
曲げ力や引張力が作用して、微少クラックが入りかけて
も、それが結晶部で阻止され、強度低下に繋がるような
りランクの発生が抑制されるためであると考えられる。
なお、このような接着剤３４中の前記リード３２外表面
構成金属の含有量は、目的に応じて適宜に決定されるが
、一般に、７容量％〜７０容量％程度の範囲内において
選定されることとなる。その中でも、第５図に示される
ように、接着剤３４そのものによってリード３２と抵抗
体薄膜３６との電気的導通を図る場合にあっては、接着
剤３４中の前記金属の含有量が前記範囲内において高い
割合で選定されることは、言うまでもないところである
。
構成金属の含有量は、目的に応じて適宜に決定されるが
、一般に、７容量％〜７０容量％程度の範囲内において
選定されることとなる。その中でも、第５図に示される
ように、接着剤３４そのものによってリード３２と抵抗
体薄膜３６との電気的導通を図る場合にあっては、接着
剤３４中の前記金属の含有量が前記範囲内において高い
割合で選定されることは、言うまでもないところである
。
そして、かかる接着剤３４を用いて、リード３２をボビ
ン３０やセラミック板４２等のセラミック基体に接着固
定するには、そのような接着剤３４にてリード３２を前
記セラミック基体の所定部位に位置固定に取り付けた状
態において、適当な熱処理（焼成）が施されて、接着剤
３４が溶融せしめられ、以てそれらリードとセラミック
基体との接着が実現されるが、その際、接着剤３４中に
含有されるリード外周面金属の融点の１／３以上の温度
で熱処理（焼成）されることが望ましい。
ン３０やセラミック板４２等のセラミック基体に接着固
定するには、そのような接着剤３４にてリード３２を前
記セラミック基体の所定部位に位置固定に取り付けた状
態において、適当な熱処理（焼成）が施されて、接着剤
３４が溶融せしめられ、以てそれらリードとセラミック
基体との接着が実現されるが、その際、接着剤３４中に
含有されるリード外周面金属の融点の１／３以上の温度
で熱処理（焼成）されることが望ましい。
これによって、接着剤３４中に含まれる金属とり一ド３
２との間の有効な結合／接合が達成され、リードの接着
強度の向上に有利に寄与し得るのである。また、このよ
うな熱処理は、窒素等の不活性雰囲気中で行なわれるこ
とが望ましく、これによってリード３２を接合部におい
て錆びさせることなく、その接着強度を高めることが出
来るのである。
２との間の有効な結合／接合が達成され、リードの接着
強度の向上に有利に寄与し得るのである。また、このよ
うな熱処理は、窒素等の不活性雰囲気中で行なわれるこ
とが望ましく、これによってリード３２を接合部におい
て錆びさせることなく、その接着強度を高めることが出
来るのである。
（実施例）
以下に、本発明の幾つかの実施例を示し、本発明を更に
具体的に明らかにすることとするが、本発明が、そのよ
うな実施例の記載によって、何等限定的に解釈されるも
のでないことは、言うまでもないところである。本発明
には、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知
識に基づいて、種々なる変更、修正、改良等が加えられ
得るものであることが、理解されるべきである。
具体的に明らかにすることとするが、本発明が、そのよ
うな実施例の記載によって、何等限定的に解釈されるも
のでないことは、言うまでもないところである。本発明
には、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知
識に基づいて、種々なる変更、修正、改良等が加えられ
得るものであることが、理解されるべきである。
実施例 １
第４図に示される如き抵抗体素子を得るべく、内径：０
．３ｍφ、外径：０．５ｍφ、長さ：２醜のアルミナボ
ビンをセラミック基体として用い、その外周面に、白金
薄膜を、スパッタリングにより０．８μｍの厚さにおい
て形成した後、レーザートリミングによって、抵抗値が
１００Ωとなるように、かかる白金薄膜にスパイラル状
の切り溝を入れ、目的とする抵抗体薄膜を形成した。
．３ｍφ、外径：０．５ｍφ、長さ：２醜のアルミナボ
ビンをセラミック基体として用い、その外周面に、白金
薄膜を、スパッタリングにより０．８μｍの厚さにおい
て形成した後、レーザートリミングによって、抵抗値が
１００Ωとなるように、かかる白金薄膜にスパイラル状
の切り溝を入れ、目的とする抵抗体薄膜を形成した。
一方、作業温度が７５０°Ｃのガラス：９ｏ容量％にニ
ッケル粉末＝１０容量％を配合し、更に有機バインダ及
びテルピネオールを加えて、ペースト状としたガラスペ
ーストを接着剤として用い、０．２１１ＩＩｌφノステ
ンレス線（ＳＵＳ３０４）からなるリードワイヤを、上
記アルミナボビンの両端部にそれぞれ挿入して、該ガラ
スペーストにて固定、乾燥せしめた後、窒素雰囲気中に
おいて７５０ ’Ｃの温度で１０分間焼成することによ
り、該アルミナボビンの両端部にリードワイヤをそれぞ
れ接着固定せしめた。
ッケル粉末＝１０容量％を配合し、更に有機バインダ及
びテルピネオールを加えて、ペースト状としたガラスペ
ーストを接着剤として用い、０．２１１ＩＩｌφノステ
ンレス線（ＳＵＳ３０４）からなるリードワイヤを、上
記アルミナボビンの両端部にそれぞれ挿入して、該ガラ
スペーストにて固定、乾燥せしめた後、窒素雰囲気中に
おいて７５０ ’Ｃの温度で１０分間焼成することによ
り、該アルミナボビンの両端部にリードワイヤをそれぞ
れ接着固定せしめた。
その後、かかるアルミナボビンの両端部に白金ペースト
を塗って、７００°Ｃの温度で５分間焼成することによ
り、アルミナボビンの両端部に取り付けられたリードワ
イヤとアルミナボビンの外表面に設けられた抵抗体薄膜
との電気的導通を行なった。更に、その後、全体にガラ
スをかけて、６００°Ｃで１０分間焼成することにより
、全体に保護コーティング層を形成せしめ、目的とする
抵抗体素子を完成した。
を塗って、７００°Ｃの温度で５分間焼成することによ
り、アルミナボビンの両端部に取り付けられたリードワ
イヤとアルミナボビンの外表面に設けられた抵抗体薄膜
との電気的導通を行なった。更に、その後、全体にガラ
スをかけて、６００°Ｃで１０分間焼成することにより
、全体に保護コーティング層を形成せしめ、目的とする
抵抗体素子を完成した。
かくして得られた抵抗体素子のリードワイヤの引張試験
を行なった結果、ｎ＝５において、リードワイヤの接着
剤（ガラスペースト）からの抜は出しを何等惹起するこ
となく、１４００ｇ〜１７００ｇでリードワイヤが切断
された。
を行なった結果、ｎ＝５において、リードワイヤの接着
剤（ガラスペースト）からの抜は出しを何等惹起するこ
となく、１４００ｇ〜１７００ｇでリードワイヤが切断
された。
また、かかる抵抗体素子を、第３図に示されるように取
り付け、測温素子として用い、温度急変時の応答性（正
確性をも含む）について評価したところ、従来の白金を
リードとする抵抗体素子に比べて優れていることが判っ
た。更に、本実施例で得られた抵抗体素子においては、
その指示値の異常なものは認められなかった。
り付け、測温素子として用い、温度急変時の応答性（正
確性をも含む）について評価したところ、従来の白金を
リードとする抵抗体素子に比べて優れていることが判っ
た。更に、本実施例で得られた抵抗体素子においては、
その指示値の異常なものは認められなかった。
なお、上記のリードワイヤに代えて、上記のステンレス
線（ＳＵＳ３０４）上にＮｉメツキを施したものを用い
て、上記と同様にして抵抗体素子を作製したところ、上
記と同様な、リードワイヤの接着強度の強い素子を得る
ことが出来た。
線（ＳＵＳ３０４）上にＮｉメツキを施したものを用い
て、上記と同様にして抵抗体素子を作製したところ、上
記と同様な、リードワイヤの接着強度の強い素子を得る
ことが出来た。
実施例 ２
第５図に示される抵抗体素子を得るべく、セラミック基
体として、内径：０．２０ｍｍφ、外径：０．４５ｍｍ
φ、長さ：２．５ｍｍのアルミナボビンを用い、その外
表面に、実施例１と同様にして、白金薄膜からなる、抵
抗体値が１００Ωの抵抗体薄膜を形成した。
体として、内径：０．２０ｍｍφ、外径：０．４５ｍｍ
φ、長さ：２．５ｍｍのアルミナボビンを用い、その外
表面に、実施例１と同様にして、白金薄膜からなる、抵
抗体値が１００Ωの抵抗体薄膜を形成した。
次いで、かかるアルミナボビンの両端部に、４０％Ｎｉ
−Ｆｅワイヤの表面に３μｍの厚さでＰｔメツキを施し
てなる０、１３１１Ｉｎφのリードワイヤを、Ｐｔ：６
０容量％とガラス：４０容量％からなるガラスペースト
を用いて、それぞれ取り付け、空気中において７００°
ＣＸ５分焼成を行ない、更にその後、ガラスをコーティ
ングして、空気中で６８０℃×５分の焼き付けを行ない
、アルミナボビンの外周面にガラスの保護コーティング
層を焼き付けて、目的とする抵抗体素子を得た。
−Ｆｅワイヤの表面に３μｍの厚さでＰｔメツキを施し
てなる０、１３１１Ｉｎφのリードワイヤを、Ｐｔ：６
０容量％とガラス：４０容量％からなるガラスペースト
を用いて、それぞれ取り付け、空気中において７００°
ＣＸ５分焼成を行ない、更にその後、ガラスをコーティ
ングして、空気中で６８０℃×５分の焼き付けを行ない
、アルミナボビンの外周面にガラスの保護コーティング
層を焼き付けて、目的とする抵抗体素子を得た。
かくして得られた抵抗体素子のリードワイヤの引張強度
を測定（ｎ＝５）したところ、１２５０〜１３８０ｇで
リードワイヤが切断した。なお、リードワイヤが切断す
るまでに、リードワイヤが素子から抜は出すようなこと
は、何等認められなかった。
を測定（ｎ＝５）したところ、１２５０〜１３８０ｇで
リードワイヤが切断した。なお、リードワイヤが切断す
るまでに、リードワイヤが素子から抜は出すようなこと
は、何等認められなかった。
実施例 ３
実施例２の抵抗体素子において、リードワイヤ及び／又
は接着剤を下記の如く種々異ならしめて、第５図に示さ
れる如き抵抗体素子を作製したところ、何れも、リード
ワイヤの接合強度の高い素子を得ることが出来た。
は接着剤を下記の如く種々異ならしめて、第５図に示さ
れる如き抵抗体素子を作製したところ、何れも、リード
ワイヤの接合強度の高い素子を得ることが出来た。
ａ）４０％Ｎｉ−Ｆｅワイヤ表面にＰｔを蒸着したもの
を、リードワイヤとして用いた。
を、リードワイヤとして用いた。
ｂ）４０％Ｎｉ−Ｆｅワイヤ表面にＮｉメツキを施した
ものを、リードワイヤとして用い、また、Ｎｉ：３０容
量％、Ｐｔ：３０容量％及びガラス：４０容量％からな
るガラスペーストを接着剤として用いて、Ｎ２雰囲気中
において焼成した。
ものを、リードワイヤとして用い、また、Ｎｉ：３０容
量％、Ｐｔ：３０容量％及びガラス：４０容量％からな
るガラスペーストを接着剤として用いて、Ｎ２雰囲気中
において焼成した。
Ｃ）４０％Ｎｉ−Ｆｅワイヤ表面にＡｇを蒸着にて１μ
ｍの厚さにおいて付与したものを、リードワイヤとし、
またガラスペーストとして、Ａｇ：２０容量％、Ｐｔ、
：２０容量％及びガラス：６０容量％からなるものを、
使用した。
ｍの厚さにおいて付与したものを、リードワイヤとし、
またガラスペーストとして、Ａｇ：２０容量％、Ｐｔ、
：２０容量％及びガラス：６０容量％からなるものを、
使用した。
ｄ）４０％Ｎｉ−Ｆｅワイヤ表面に７ｕｍの厚さにおい
てＰｄメツキを施したものを、リードワイヤとする一方
、Ｐｄ：４０容量％を含むガラスペーストを、接着剤と
して使用した。
てＰｄメツキを施したものを、リードワイヤとする一方
、Ｐｄ：４０容量％を含むガラスペーストを、接着剤と
して使用した。
ｅ）４０％Ｎｉ−Ｆｅワイヤ表面にスパッタリングによ
りＲｈ層を０．５μｍの厚さにて設けたものを、リード
ワイヤとする一方、２０％Ｒｈ−Ｐｔ合金を含むガラス
ペーストを使用した。
りＲｈ層を０．５μｍの厚さにて設けたものを、リード
ワイヤとする一方、２０％Ｒｈ−Ｐｔ合金を含むガラス
ペーストを使用した。
ｆ）リードワイヤとして、クラツド材（外表面に２μｍ
のＰｔ膜を形成した５２％Ｎｉ−Ｆｅワイヤ）を使用し
た。
のＰｔ膜を形成した５２％Ｎｉ−Ｆｅワイヤ）を使用し
た。
実施例 ４
第６図に示される如き構造の抵抗体素子を得るべく、セ
ラミック基体として、厚さ：ｌｌｌｌ１１、幅：２ｍｍ
のＢｅＯ□板を用い、その一方の面上に、実施例１と同
様にして、白金薄膜からなる、抵抗体値が１００Ωの抵
抗体薄膜を、ジグザグパターンにおいて形成した。
ラミック基体として、厚さ：ｌｌｌｌ１１、幅：２ｍｍ
のＢｅＯ□板を用い、その一方の面上に、実施例１と同
様にして、白金薄膜からなる、抵抗体値が１００Ωの抵
抗体薄膜を、ジグザグパターンにおいて形成した。
次いで、かかるセラミック板の両端部に、４０％Ｎｉ−
Ｆｅワイヤの表面に３μｍの厚さでｐｔメツキを施して
なる、０．２０ｍｍφのリードワイヤを、ＰＬ ： １
０容量％、Ｆｅ：ｌＯ容量％、Ｎｉ：５容量％、及びガ
ラス：残部からなるガラスペーストを用いて、それぞれ
取り付け、Ｎ２雲囲気中において７８０°Ｃ×１０分焼
成を行ない、更にその後、ガラスをコーティングして、
７００″ｃ×５分の焼き付けを行ない、セラミック板の
一方の面上にガラスの保護コーティング層を焼き付けて
、目的とする抵抗体素子を得た。
Ｆｅワイヤの表面に３μｍの厚さでｐｔメツキを施して
なる、０．２０ｍｍφのリードワイヤを、ＰＬ ： １
０容量％、Ｆｅ：ｌＯ容量％、Ｎｉ：５容量％、及びガ
ラス：残部からなるガラスペーストを用いて、それぞれ
取り付け、Ｎ２雲囲気中において７８０°Ｃ×１０分焼
成を行ない、更にその後、ガラスをコーティングして、
７００″ｃ×５分の焼き付けを行ない、セラミック板の
一方の面上にガラスの保護コーティング層を焼き付けて
、目的とする抵抗体素子を得た。
力へして得られた抵抗体素子のリードワイヤの引張試験
を行なった結果、ｎ＝５において、リードワイヤの接着
剤（ガラスペースト）からの抜は出しを同等惹起するこ
となく、１０００ｇ〜１５００ｇでリードワイヤが切断
された。
を行なった結果、ｎ＝５において、リードワイヤの接着
剤（ガラスペースト）からの抜は出しを同等惹起するこ
となく、１０００ｇ〜１５００ｇでリードワイヤが切断
された。
実施例 ５
前記実施例Ｉにおいて、ガラスペースト（接着剤）を構
成するガラスとして、その結晶化温度が８５０°Ｃであ
る、Ｚｎ０−ＢｔＯ，−Ｓ ｉｏｚ系結高結晶化ガラス
い、Ｎ２雰囲気中にて、７２０”ＣＸ １５分の焼成の
後、更に８５０°Ｃ×３０分焼成を行なって、リードワ
イヤの取り付けを行なったところ、その強度が１０％以
上向上することが判った。
成するガラスとして、その結晶化温度が８５０°Ｃであ
る、Ｚｎ０−ＢｔＯ，−Ｓ ｉｏｚ系結高結晶化ガラス
い、Ｎ２雰囲気中にて、７２０”ＣＸ １５分の焼成の
後、更に８５０°Ｃ×３０分焼成を行なって、リードワ
イヤの取り付けを行なったところ、その強度が１０％以
上向上することが判った。
第１図及び第２図は、それぞれ、従来の抵抗体素子の一
例を示す斜視図及び断面説明図であり、第３図は、それ
らの抵抗体素子の配置構成を示す概略説明図であり、第
４図、第５図及び第６図は、それぞれ、本発明に係る抵
抗体素子の一例を示す断面説明図である。 ３０：ボビン ３２：リード ３４：接着剤 ３６：抵抗体薄膜３８：導体ペー
スト ４０：保護コーティング層 ４２：セラミック板
例を示す斜視図及び断面説明図であり、第３図は、それ
らの抵抗体素子の配置構成を示す概略説明図であり、第
４図、第５図及び第６図は、それぞれ、本発明に係る抵
抗体素子の一例を示す断面説明図である。 ３０：ボビン ３２：リード ３４：接着剤 ３６：抵抗体薄膜３８：導体ペー
スト ４０：保護コーティング層 ４２：セラミック板
Claims (2)
- （１）セラミック基体と、該基体上に設けられた抵抗体
と、前記基体に対して接着剤により接着、固定されて、
該抵抗体に電気的に導通せしめられるリードとを含んで
構成され、該リードは白金を材質としたものよりも熱伝
導量が少なく、且つ該リードの少なくとも外表面を構成
する金属が前記接着剤中に含有せしめられていることを
特徴とする抵抗体素子。 - （２）前記リード及び接着剤が、該接着剤にて該リード
を前記基体に取り付けた状態において、前記金属の融点
の１／３以上の温度で熱処理されている請求項（１）記
載の抵抗体素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2067904A JP2559875B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 抵抗体素子 |
| US07/669,007 US5168256A (en) | 1990-03-16 | 1991-03-13 | Resistor element using conductors having relatively low thermal conductivity |
| DE4108514A DE4108514C2 (de) | 1990-03-16 | 1991-03-15 | Widerstandselement und Verfahren zur Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2067904A JP2559875B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 抵抗体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268302A true JPH03268302A (ja) | 1991-11-29 |
| JP2559875B2 JP2559875B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=13358350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2067904A Expired - Lifetime JP2559875B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 抵抗体素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5168256A (ja) |
| JP (1) | JP2559875B2 (ja) |
| DE (1) | DE4108514C2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016126018A (ja) * | 2014-12-31 | 2016-07-11 | テクトロニクス・インコーポレイテッドＴｅｋｔｒｏｎｉｘ，Ｉｎｃ． | 試験プローブ及び試験プローブ・チップ |
| US10222248B2 (en) | 2016-10-17 | 2019-03-05 | Koa Corporation | Platinum temperature sensor element |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0571412B1 (de) * | 1991-02-15 | 1998-05-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochtemperatur-platinmetall-temperatursensor |
| JPH071185B2 (ja) * | 1991-08-21 | 1995-01-11 | 日本碍子株式会社 | 抵抗体素子 |
| JPH07312301A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-11-28 | Ngk Insulators Ltd | 抵抗体素子 |
| DE19813468C1 (de) * | 1998-03-26 | 1999-07-22 | Sensotherm Temperatursensorik | Sensorbauelement |
| WO2002091397A1 (de) * | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Epcos Ag | Keramisches bauelement mit klimastabiler kontaktierung |
| DE10153217B4 (de) * | 2001-10-31 | 2007-01-18 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Manteldraht, insbesondere Anschlussdraht für elektrische Temperatursensoren |
| CN202632917U (zh) * | 2010-12-31 | 2012-12-26 | 厦门赛尔特电子有限公司 | 一种温度保险丝与电阻结合的装置 |
| JP2018146403A (ja) * | 2017-03-06 | 2018-09-20 | Koa株式会社 | 温度センサ素子 |
| US10845384B2 (en) | 2017-11-07 | 2020-11-24 | Tektronix. Inc. | Surface-mountable apparatus for coupling a test and measurement instrument to a device under test |
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| US3626348A (en) * | 1969-04-02 | 1971-12-07 | Essex International Inc | Current-regulating apparatus |
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| US4057777A (en) * | 1975-11-19 | 1977-11-08 | Trw Inc. | Termination for electrical resistor and method of making same |
| DE8003431U1 (de) * | 1980-02-09 | 1980-05-14 | Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler, 6000 Frankfurt | Messwiderstand fuer widerstandsthermometer |
| DE3049056A1 (de) * | 1980-12-24 | 1982-09-09 | Draloric Electronic GmbH, 8672 Selb | Temperaturfuehler |
| US4758814A (en) * | 1985-12-02 | 1988-07-19 | Motorola, Inc. | Structure and method for wire lead attachment to a high temperature ceramic sensor |
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-
1990
- 1990-03-16 JP JP2067904A patent/JP2559875B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-03-13 US US07/669,007 patent/US5168256A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-15 DE DE4108514A patent/DE4108514C2/de not_active Expired - Fee Related
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| JP2016126018A (ja) * | 2014-12-31 | 2016-07-11 | テクトロニクス・インコーポレイテッドＴｅｋｔｒｏｎｉｘ，Ｉｎｃ． | 試験プローブ及び試験プローブ・チップ |
| US10222248B2 (en) | 2016-10-17 | 2019-03-05 | Koa Corporation | Platinum temperature sensor element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4108514C2 (de) | 1995-08-10 |
| DE4108514A1 (de) | 1991-09-19 |
| US5168256A (en) | 1992-12-01 |
| JP2559875B2 (ja) | 1996-12-04 |
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