JPH03268335A - カルコパイライト系化合物膜の生成方法 - Google Patents
カルコパイライト系化合物膜の生成方法Info
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- JPH03268335A JPH03268335A JP2065829A JP6582990A JPH03268335A JP H03268335 A JPH03268335 A JP H03268335A JP 2065829 A JP2065829 A JP 2065829A JP 6582990 A JP6582990 A JP 6582990A JP H03268335 A JPH03268335 A JP H03268335A
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- JP
- Japan
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- film
- compound
- layer
- chalcopyrite
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコン系太陽電池に比して太陽光スペクト
ルの長波長領域までカバーできる薄膜太陽電池の材料と
して用いられるカルコパイライト系化合物膜の生成方法
に関する。
ルの長波長領域までカバーできる薄膜太陽電池の材料と
して用いられるカルコパイライト系化合物膜の生成方法
に関する。
三元系のカルコパイライト系化合物半導体はＣｕＸＹｓ
の分子式を有し、そのＸはＩｎ＋ ＧａあるいはＭ、Ｙ
ばＳ、ＳｅあるいはＴｅである。この半導体では、Ｅ＆
”１．７ｅＶのシリコンと異なる光学バンドギャップを
有するものが得られるためその利用が期待されている０
例えばＣｕ１ｎＳｅｔは、その禁制帯幅が約１ｅＶであ
って直接遷移形の帯構造を持ち、ｐおよびｎの両型の電
導性を示す、また太陽電池の光入射側の窓層材料である
禁制帯幅２．４ｅＶのＣｄＳとは格子の不整合も１％程
度であり、したがってｎ型ＣｄＳとｐ型Ｃｕ１ｎＳｅｚ
のへテロ接合で高効率太陽電池が得られる可能性がある
ことから、近年その研究、開発が盛んに進められている
。このような薄膜太陽電池としては、第２図に示すよう
に、ガラス、アルミナなどの基板２１上にオーム性接触
用の電極２２を形成し、その上にｐ型ＣｕＩｎ５ｅｚ２
３． ｎ型Ｃｄ５２４を順次積層し、さらに透明電極２
５を形成してなるものがあげられる。プラス電極端子２
６およびマイナス電極端子２７は、各々電極２２．透明
電極２５の一部に接触して形成される。このような薄膜
太陽電池におけるカルコパイライト系化合物は、通常状
の通りの方法で生成される。
の分子式を有し、そのＸはＩｎ＋ ＧａあるいはＭ、Ｙ
ばＳ、ＳｅあるいはＴｅである。この半導体では、Ｅ＆
”１．７ｅＶのシリコンと異なる光学バンドギャップを
有するものが得られるためその利用が期待されている０
例えばＣｕ１ｎＳｅｔは、その禁制帯幅が約１ｅＶであ
って直接遷移形の帯構造を持ち、ｐおよびｎの両型の電
導性を示す、また太陽電池の光入射側の窓層材料である
禁制帯幅２．４ｅＶのＣｄＳとは格子の不整合も１％程
度であり、したがってｎ型ＣｄＳとｐ型Ｃｕ１ｎＳｅｚ
のへテロ接合で高効率太陽電池が得られる可能性がある
ことから、近年その研究、開発が盛んに進められている
。このような薄膜太陽電池としては、第２図に示すよう
に、ガラス、アルミナなどの基板２１上にオーム性接触
用の電極２２を形成し、その上にｐ型ＣｕＩｎ５ｅｚ２
３． ｎ型Ｃｄ５２４を順次積層し、さらに透明電極２
５を形成してなるものがあげられる。プラス電極端子２
６およびマイナス電極端子２７は、各々電極２２．透明
電極２５の一部に接触して形成される。このような薄膜
太陽電池におけるカルコパイライト系化合物は、通常状
の通りの方法で生成される。
（ｍｌ 三元蒸着あるいはスパッタ法各成分元素Ｃｕ
、 Ｉｎ、 Ｓｅを独立のソースから同時にオーム性接
触用電極２２を被着した基板２１上に蒸着あるいはスパ
ッタする。この時基板は適当な温度に加熱保持される。
、 Ｉｎ、 Ｓｅを独立のソースから同時にオーム性接
触用電極２２を被着した基板２１上に蒸着あるいはスパ
ッタする。この時基板は適当な温度に加熱保持される。
山） 二段階蒸着あるいはスパッタ法
オーム性接触用電極２２の付いた基板２１上に、室温で
ＣｕおよびＩｎを別々もしくは同時に蒸着あるいはスパ
ッタし、このＣｕおよびＩｎからなる薄膜を高温３００
〜５００℃程度の高温でセレン化してカルコパイライト
系化合物層２３を形成する。セレン化の方法としては、
大別して、焼成炉中で高温に保持したＣｕ−ｒｎｌＦ！
ＩＩに水素化セレンなどの蒸気を供給する方法と、Ｃｕ
−Ｉｎｎ膜上にさらにＳｓ薄膜を蒸着あるいはスパッタ
し、焼成炉で不活性ガス雰囲気中で加熱処理する方法と
がある。
ＣｕおよびＩｎを別々もしくは同時に蒸着あるいはスパ
ッタし、このＣｕおよびＩｎからなる薄膜を高温３００
〜５００℃程度の高温でセレン化してカルコパイライト
系化合物層２３を形成する。セレン化の方法としては、
大別して、焼成炉中で高温に保持したＣｕ−ｒｎｌＦ！
ＩＩに水素化セレンなどの蒸気を供給する方法と、Ｃｕ
−Ｉｎｎ膜上にさらにＳｓ薄膜を蒸着あるいはスパッタ
し、焼成炉で不活性ガス雰囲気中で加熱処理する方法と
がある。
〔発明が解決しようとするＩＩＩ）
従来技術による上記のようなカルコパイライト化合物の
生成法には次のような問題点がある。すなわち、（ａ）
の三元蒸着法はＣｕ ＋ Ｉ ｎ ＋ Ｓ ｓの組成制
御が非常に難しい、太陽電池として高性能を得るために
はＣｕ、 Ｉｎ＋ Ｓｓを原子数比でほぼ１：ｌ：２の
化学量論比に制御する必要があるが、三元を各々別個の
通常水素振動子が用いられる膜厚モニタを利用して一定
の蒸着速度になるように制御することはかなり困難であ
る。さらに、三元蒸着法の場合、基板温度を２００℃程
度の高温に保つ必要があり、蒸着された元素の内のＳｅ
や場合によってはＩｎの一部が再蒸発するため、ますま
す組成制御が難しくなるという問題点もある。
生成法には次のような問題点がある。すなわち、（ａ）
の三元蒸着法はＣｕ ＋ Ｉ ｎ ＋ Ｓ ｓの組成制
御が非常に難しい、太陽電池として高性能を得るために
はＣｕ、 Ｉｎ＋ Ｓｓを原子数比でほぼ１：ｌ：２の
化学量論比に制御する必要があるが、三元を各々別個の
通常水素振動子が用いられる膜厚モニタを利用して一定
の蒸着速度になるように制御することはかなり困難であ
る。さらに、三元蒸着法の場合、基板温度を２００℃程
度の高温に保つ必要があり、蒸着された元素の内のＳｅ
や場合によってはＩｎの一部が再蒸発するため、ますま
す組成制御が難しくなるという問題点もある。
これに対して中）の二段階蒸着法では、蒸着を室温で個
別に行うことができるため組成ｌ制御が比較的容易であ
るという利点がある。しかしながらこの場合セレン化の
過程において次のような問題点がある。すなわち、セレ
ン化に水素化セレンを用いる方法は、水素化セレン自身
猛毒であるため、取り扱いが難しく、安全対策を含めて
製造設備が高コストにならざるを得ない、一方Ｃｕ−Ｉ
ｎの上にＳｅを＊ｉＦＬ加熱処理によりセレン化する方
法はこのような問題はないが、加熱処理条件の制御が難
しいという問題点がある。この方法においては、通常、
Ｓｅは、カルコパイライト構造を形成するのに必要な量
の２〜１０倍蒸着され、熱処理過程において余分のＳｅ
は蒸発して、丁度必要な量のＳｅが薄膜中に残るように
する。しかしながら、種々の条件で加熱処理を行った三
元化合物薄膜をＸ線回折法やオージェ分光法で調べてみ
ると加熱処理条件が強すぎると、大部分は極めて良好な
結晶成長が起こるものの、表面層においてＳｅの離脱に
よるＳｅ不足の層が生成することがわかった。ｌｌ膜の
大部分において良好な結晶が得られてもｎ型ＣｄＳ層と
接する肝心の表面層においてＳｅが不足すると良好な太
陽電池特性を得ることはできない。
別に行うことができるため組成ｌ制御が比較的容易であ
るという利点がある。しかしながらこの場合セレン化の
過程において次のような問題点がある。すなわち、セレ
ン化に水素化セレンを用いる方法は、水素化セレン自身
猛毒であるため、取り扱いが難しく、安全対策を含めて
製造設備が高コストにならざるを得ない、一方Ｃｕ−Ｉ
ｎの上にＳｅを＊ｉＦＬ加熱処理によりセレン化する方
法はこのような問題はないが、加熱処理条件の制御が難
しいという問題点がある。この方法においては、通常、
Ｓｅは、カルコパイライト構造を形成するのに必要な量
の２〜１０倍蒸着され、熱処理過程において余分のＳｅ
は蒸発して、丁度必要な量のＳｅが薄膜中に残るように
する。しかしながら、種々の条件で加熱処理を行った三
元化合物薄膜をＸ線回折法やオージェ分光法で調べてみ
ると加熱処理条件が強すぎると、大部分は極めて良好な
結晶成長が起こるものの、表面層においてＳｅの離脱に
よるＳｅ不足の層が生成することがわかった。ｌｌ膜の
大部分において良好な結晶が得られてもｎ型ＣｄＳ層と
接する肝心の表面層においてＳｅが不足すると良好な太
陽電池特性を得ることはできない。
本発明の目的は、毒性の強いガスを用いる必要がなく作
業条件の設定が容易な、はぼ化学量論的組成をもつカル
コパイライト系化合物膜の生成方法を提供することにあ
る。
業条件の設定が容易な、はぼ化学量論的組成をもつカル
コパイライト系化合物膜の生成方法を提供することにあ
る。
（課題を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために、本発明は、Ｃｕ Ｘ Ｓ
ｅｇなる分子式を有するカルコパイライト系化合物膜を
生成するに際し、基板上にＣｕおよびＸ元素からなる膜
を形成したのち、所定の温度に加熱された基板上の前記
の膜の表面にセレンを含み前記の温度で分解する化合物
の溶液を噴霧状にして吹き付けるものとする。
ｅｇなる分子式を有するカルコパイライト系化合物膜を
生成するに際し、基板上にＣｕおよびＸ元素からなる膜
を形成したのち、所定の温度に加熱された基板上の前記
の膜の表面にセレンを含み前記の温度で分解する化合物
の溶液を噴霧状にして吹き付けるものとする。
噴霧状に吹きつけられた水溶液中の化合物は、加熱され
た基板上のＣｕおよびＸ元素からなる層の表面近傍で熱
分解し、生成したセレン蒸気が基板上の層と反応してＣ
ｕＸＳｅｚなる分子式を有するカルコパイライト系化合
物層が生成される。
た基板上のＣｕおよびＸ元素からなる層の表面近傍で熱
分解し、生成したセレン蒸気が基板上の層と反応してＣ
ｕＸＳｅｚなる分子式を有するカルコパイライト系化合
物層が生成される。
第３図、第４図は本発明の二つの実施例を適用した薄膜
太陽電池の製造工程をそれぞれ示し、第２図と共通の部
分には同一の符号が付されている。
太陽電池の製造工程をそれぞれ示し、第２図と共通の部
分には同一の符号が付されている。
第３図においては、ガラス基板２１上にオーム性接触用
電極としてスパッタ法により一〇膜２２を１−の厚さで
形成する。この上に、Ｃｕ膜３１を電子ビーム蒸着装置
を用いて０．１−の厚さに形成する。さらにその上にｒ
ｎｊｌ１３２を同乙、電子ビームｉｌＦ装置により、Ｃ
ｕとＩｎの原子数比が１＝１となるよう０．２２−の厚
さに形成する。このＣｕおよびＩｎの電子ビーム蒸着は
、いずれも室温で、水晶振動子膜厚モニタを利用して膜
厚を制御しながら行った。このようにして得られた試料
を試料Ａとする。
電極としてスパッタ法により一〇膜２２を１−の厚さで
形成する。この上に、Ｃｕ膜３１を電子ビーム蒸着装置
を用いて０．１−の厚さに形成する。さらにその上にｒ
ｎｊｌ１３２を同乙、電子ビームｉｌＦ装置により、Ｃ
ｕとＩｎの原子数比が１＝１となるよう０．２２−の厚
さに形成する。このＣｕおよびＩｎの電子ビーム蒸着は
、いずれも室温で、水晶振動子膜厚モニタを利用して膜
厚を制御しながら行った。このようにして得られた試料
を試料Ａとする。
第４図においては、第３図と同様にガラス基板２１上に
Ｍｏ膜２２を形成し、この上にＣｕとＩｎを各々別々の
ソースから同時に電子ビーム蒸着して（ｕ−Ｉｎ膜３３
を形成した。この時、二つの水晶振動子膜厚モニタを利
用してＣｕおよびＩｎの蒸着速度を各々１００人／１１
Ｉ＋および２２０ 人／ｓｉｎ となるよう調整し、Ｉ
Ｏ分間蒸着を行った。このようにして得られた試料を試
料Ｂとする。
Ｍｏ膜２２を形成し、この上にＣｕとＩｎを各々別々の
ソースから同時に電子ビーム蒸着して（ｕ−Ｉｎ膜３３
を形成した。この時、二つの水晶振動子膜厚モニタを利
用してＣｕおよびＩｎの蒸着速度を各々１００人／１１
Ｉ＋および２２０ 人／ｓｉｎ となるよう調整し、Ｉ
Ｏ分間蒸着を行った。このようにして得られた試料を試
料Ｂとする。
これらの試料Ａ、Ｂを第１図に示すような装置を用いて
セレン化処理した。試料Ａあるいは試料Ｂを基板ホルダ
１にセットし、ヒータ２により３５０℃に加熱した。溶
液タンク３の中には５重量％ジメチルセレン尿素水溶液
４を入れておく、ノズル５は、基本的には噴霧器の原理
を応用したもので、数ｋｇのＮ８の圧力によりノズルの
１００ ｎ程度の大きさの穴からジメチルセレン水溶液
４を霧状に試料に向かって吹き付けることがてきる。ノ
ズル５と基板ホルダｌの位置関係としては、試料上への
液滴の落下を防止するために、図示のように基板ホルダ
ｌがノズル５の上方に位置する、いわゆるデボアップ方
式が望ましい、ノズル５の上方には回動可能のシャッタ
６が備えられている。ノズル５から噴霧された水溶液は
加熱された試料の表面近傍で熱分解し、生成したＳｅ蒸
気がＣｕとＩｎからなる薄膜をセレン化してカルコパイ
ライト型化合物ＣｕＩｎ５ｅｔの層が試料上に形成され
る。 Ｓｓ化処理の時間は１５分〜２時間程度で、ここ
では１時間処理を行った。
セレン化処理した。試料Ａあるいは試料Ｂを基板ホルダ
１にセットし、ヒータ２により３５０℃に加熱した。溶
液タンク３の中には５重量％ジメチルセレン尿素水溶液
４を入れておく、ノズル５は、基本的には噴霧器の原理
を応用したもので、数ｋｇのＮ８の圧力によりノズルの
１００ ｎ程度の大きさの穴からジメチルセレン水溶液
４を霧状に試料に向かって吹き付けることがてきる。ノ
ズル５と基板ホルダｌの位置関係としては、試料上への
液滴の落下を防止するために、図示のように基板ホルダ
ｌがノズル５の上方に位置する、いわゆるデボアップ方
式が望ましい、ノズル５の上方には回動可能のシャッタ
６が備えられている。ノズル５から噴霧された水溶液は
加熱された試料の表面近傍で熱分解し、生成したＳｅ蒸
気がＣｕとＩｎからなる薄膜をセレン化してカルコパイ
ライト型化合物ＣｕＩｎ５ｅｔの層が試料上に形成され
る。 Ｓｓ化処理の時間は１５分〜２時間程度で、ここ
では１時間処理を行った。
このようにして得られた化合物薄膜をＸ線回折並びにオ
ージェ分光により分析すると、試料Ａ。
ージェ分光により分析すると、試料Ａ。
Ｂのいずれを用いた場合にもカルコパイライト構造特有
のＸ線回折ピークが観測され、Ｃｕ＋ Ｉｎ単独あるい
はＣｕ−５ｓ、 Ｉｎ−３ｓ化合物の回折ピークは認め
られなかった。また表面層におけるＳｅの欠乏も認めら
れなかった。
のＸ線回折ピークが観測され、Ｃｕ＋ Ｉｎ単独あるい
はＣｕ−５ｓ、 Ｉｎ−３ｓ化合物の回折ピークは認め
られなかった。また表面層におけるＳｅの欠乏も認めら
れなかった。
これらのセレン化処理を行ったｐ型ＣｕＩｎＳｅオ層２
３上にｎ型Ｃｄ５層２４を、１０００人の厚さとなるよ
う電子ビーム蒸着法により形成し、続いて透明電極とし
てＺｎ０層２５をスパッタ法により１ｐａの厚さに形成
し、さらにＭあるいはＭｏでプラス電橋端子２６および
マイナス電極端子２７を形成すれば第２図に示す断面構
造をもつ太陽電池を構成することができた。
３上にｎ型Ｃｄ５層２４を、１０００人の厚さとなるよ
う電子ビーム蒸着法により形成し、続いて透明電極とし
てＺｎ０層２５をスパッタ法により１ｐａの厚さに形成
し、さらにＭあるいはＭｏでプラス電橋端子２６および
マイナス電極端子２７を形成すれば第２図に示す断面構
造をもつ太陽電池を構成することができた。
第１表は、試料ＡあるいはＢから出発した太陽電池のそ
れぞれの特性をＣｕ、 Ｉｎ、 Ｓｅを順次積層して熱
処理（３５０℃、ＩＨ）した従来例の太陽電池の特性と
比較したもので、測定は＾、Ｍ、１．５，１００ｓＷ／
ｃｄの条件下で行った。
れぞれの特性をＣｕ、 Ｉｎ、 Ｓｅを順次積層して熱
処理（３５０℃、ＩＨ）した従来例の太陽電池の特性と
比較したもので、測定は＾、Ｍ、１．５，１００ｓＷ／
ｃｄの条件下で行った。
第 １ 表
実施例の太陽電池は、いずれも従来例に比べて、特に開
回路電圧ＶＢ、フィルファクタＦＦに優れており、これ
はｐ型ＣｕＩｎＳｅｚの表面状態が改善されたためと推
察される。試料ＡおよびＢの比較では、装置コストの点
からはＡが多少優れ、製造コストの点からはＢが多少優
れているが、特性上全く差がなく総合的には優劣をつけ
難い。
回路電圧ＶＢ、フィルファクタＦＦに優れており、これ
はｐ型ＣｕＩｎＳｅｚの表面状態が改善されたためと推
察される。試料ＡおよびＢの比較では、装置コストの点
からはＡが多少優れ、製造コストの点からはＢが多少優
れているが、特性上全く差がなく総合的には優劣をつけ
難い。
上記の実施例ではカルコパイライト系化合物として、太
陽電池に用いられるＣｕ１ｎＳｅｘを引用したが、発光
素子のためのワイドギヤツブ材料として用いられるＣｕ
ＡｊＳｅ膜の生成にも適用することができる。
陽電池に用いられるＣｕ１ｎＳｅｘを引用したが、発光
素子のためのワイドギヤツブ材料として用いられるＣｕ
ＡｊＳｅ膜の生成にも適用することができる。
本発明によれば、ＣｕＸ５ｅｌの分子式を有するカルコ
パイライト系化合物を生成するためのＣｕおよびＸを被
着した基板へのＳｅの添加を、基板を高温に保った状態
でＳｅ化合物水溶液を噴霧ノズルがら基板へ吹き付ける
ことにより行う、吹き付けられた化合物から分解して生
ずるＳｅの濃度が高いため、ＣｕおよびＸと結合しやす
く再蒸発も起こらない。
パイライト系化合物を生成するためのＣｕおよびＸを被
着した基板へのＳｅの添加を、基板を高温に保った状態
でＳｅ化合物水溶液を噴霧ノズルがら基板へ吹き付ける
ことにより行う、吹き付けられた化合物から分解して生
ずるＳｅの濃度が高いため、ＣｕおよびＸと結合しやす
く再蒸発も起こらない。
そのため、膜中のＳｅ含有量の制御は、本発明に基づく
噴霧のためのガスの圧力あるいは流量を制御することに
よって容易に行うことができ、表面層まで所期のＳｅ含
有量を育するカルコパイライト系化合物膜を実用的に作
成することができる。しかも、取扱いの容易な水溶液を
用い、猛毒のガスを用いる必要がないため、特に高性能
の薄膜太陽電池を簡便に製造することができる。
噴霧のためのガスの圧力あるいは流量を制御することに
よって容易に行うことができ、表面層まで所期のＳｅ含
有量を育するカルコパイライト系化合物膜を実用的に作
成することができる。しかも、取扱いの容易な水溶液を
用い、猛毒のガスを用いる必要がないため、特に高性能
の薄膜太陽電池を簡便に製造することができる。
第１図は本発明の一実施例に用いた噴霧装置の断面図、
第２図は本発明を実施して製造される薄膜太陽電池の断
面図、第３図、第４図は本発明の一実施例の中間段階を
示す断面図である。 ｌ：基板ホルダ、２：ヒータ、４ニジメチルセレン尿素
水溶液、５：ノズル、２１ニガラス基板、２２：オーム
性接触用電極、２３ ： ＣｕｌｎＳｅｌ層、２４：Ｃ
ｄＳ層、２５：透明電極、３１ ： Ｃｕ膜、３２：Ｉ
ｎ膜、第１ 第２図
第２図は本発明を実施して製造される薄膜太陽電池の断
面図、第３図、第４図は本発明の一実施例の中間段階を
示す断面図である。 ｌ：基板ホルダ、２：ヒータ、４ニジメチルセレン尿素
水溶液、５：ノズル、２１ニガラス基板、２２：オーム
性接触用電極、２３ ： ＣｕｌｎＳｅｌ層、２４：Ｃ
ｄＳ層、２５：透明電極、３１ ： Ｃｕ膜、３２：Ｉ
ｎ膜、第１ 第２図
Claims (1)
- １）ＣｕＸＳｅ＿２なる分子式を有するカルコパイライ
ト系化合物層を生成するに際し、基板上にＣｕおよびＸ
元素からなる膜を形成したのち、所定の温度に加熱され
た基板上の前記の膜の表面にセレンを含み前記の温度で
分解する化合物の溶液を噴霧状にして吹き付けることを
特徴とするカルコパイライト系化合物膜の生成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2065829A JPH03268335A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | カルコパイライト系化合物膜の生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2065829A JPH03268335A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | カルコパイライト系化合物膜の生成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268335A true JPH03268335A (ja) | 1991-11-29 |
Family
ID=13298305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2065829A Pending JPH03268335A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | カルコパイライト系化合物膜の生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03268335A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003005456A1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-01-16 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for forming light-absorbing layer |
| KR100385487B1 (ko) * | 1998-10-09 | 2003-05-27 | 일본국 통상산업성 공업기술원 | 태양 전지용 박막 제조 방법 |
| WO2012096370A1 (ja) * | 2011-01-13 | 2012-07-19 | 国立大学法人 山梨大学 | 太陽電池用の薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP2065829A patent/JPH03268335A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100385487B1 (ko) * | 1998-10-09 | 2003-05-27 | 일본국 통상산업성 공업기술원 | 태양 전지용 박막 제조 방법 |
| WO2003005456A1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-01-16 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for forming light-absorbing layer |
| WO2012096370A1 (ja) * | 2011-01-13 | 2012-07-19 | 国立大学法人 山梨大学 | 太陽電池用の薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
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