JPH11177112A - 光起電力装置及びその製造方法 - Google Patents
光起電力装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11177112A JPH11177112A JP9356214A JP35621497A JPH11177112A JP H11177112 A JPH11177112 A JP H11177112A JP 9356214 A JP9356214 A JP 9356214A JP 35621497 A JP35621497 A JP 35621497A JP H11177112 A JPH11177112 A JP H11177112A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photovoltaic device
- light absorbing
- absorbing layer
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光吸収層の結晶性が良好で且つ基板との密着
性に優れ、光電変換効率の高い光起電力装置を提供す
る。また、光起電力装置が低コストで得られる製造方法
を提供する。 【解決手段】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体から
なる光吸収層を有する光起電力装置において、光吸収層
に接して光の入射側と反対側に導電層を有し、少なくと
も該導電層と光吸収層との界面に、該導電層を構成する
元素との間で金属間化合物を形成する元素を有する光起
電力装置。Ｉ族およびＩＩＩ族元素を含む層を少なくと
もＶＩ族元素を含む雰囲気中で加熱することによって光
吸収層を形成する光起電力装置の製造方法。
性に優れ、光電変換効率の高い光起電力装置を提供す
る。また、光起電力装置が低コストで得られる製造方法
を提供する。 【解決手段】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体から
なる光吸収層を有する光起電力装置において、光吸収層
に接して光の入射側と反対側に導電層を有し、少なくと
も該導電層と光吸収層との界面に、該導電層を構成する
元素との間で金属間化合物を形成する元素を有する光起
電力装置。Ｉ族およびＩＩＩ族元素を含む層を少なくと
もＶＩ族元素を含む雰囲気中で加熱することによって光
吸収層を形成する光起電力装置の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ
2族化合物半導体を光吸収層とする光電変換効率の高い
光起電力装置及びその製造方法に関するものである。
2族化合物半導体を光吸収層とする光電変換効率の高い
光起電力装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】カルコパイライト構造を有するＩ−ＩＩ
Ｉ−ＶＩ2族化合物半導体を光吸収層とする光起電力装
置は、光吸収層が薄膜であっても高い光電変換効率を示
し、また光照射による効率の劣化等が少ないことから実
用化が期待されている。上記光吸収層を形成する方法と
しては、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体を構成する
各元素を別々の蒸発源から同時に蒸発させて基板上で化
合物を得る多源同時蒸着法や化合物を構成する金属の積
層膜あるいは混合膜をカルコゲン元素を含む雰囲気中で
加熱する気相セレン化（硫化）法などが知られている。
特に後者は大面積に大量に製造できるため量産に適した
方法として注目されているが、作製パラメータの自由度
が小さいために基板との密着性、結晶構造、組織、導電
率など光吸収層として求められる膜特性の全てを良好な
ものとすることは困難であるという不具合があった。と
りわけ、結晶性の向上と基板との密着性の確保とはトレ
ードオフの関係にあることが知られており、これらを両
立させる技術が望まれていた。
Ｉ−ＶＩ2族化合物半導体を光吸収層とする光起電力装
置は、光吸収層が薄膜であっても高い光電変換効率を示
し、また光照射による効率の劣化等が少ないことから実
用化が期待されている。上記光吸収層を形成する方法と
しては、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体を構成する
各元素を別々の蒸発源から同時に蒸発させて基板上で化
合物を得る多源同時蒸着法や化合物を構成する金属の積
層膜あるいは混合膜をカルコゲン元素を含む雰囲気中で
加熱する気相セレン化（硫化）法などが知られている。
特に後者は大面積に大量に製造できるため量産に適した
方法として注目されているが、作製パラメータの自由度
が小さいために基板との密着性、結晶構造、組織、導電
率など光吸収層として求められる膜特性の全てを良好な
ものとすることは困難であるという不具合があった。と
りわけ、結晶性の向上と基板との密着性の確保とはトレ
ードオフの関係にあることが知られており、これらを両
立させる技術が望まれていた。
【０００３】このような技術として、特開平６−３１０
４７号公報には、カルコゲン元素を含む雰囲気中で熱処
理する前の薄膜中にＩ族およびＩＩＩ族元素以外に化学
量論組成より少ない量のカルコゲン元素を含有させるこ
とによって、熱処理後の膜の結晶性と基板との密着性を
向上させる方法が開示されている。しかしながら、この
ような方法では熱処理前の薄膜中のカルコゲン元素の含
有量の制御が難しく、量産にむかないという難点があ
る。また、基板との密着性も必ずしも実用上十分なレベ
ルには至っていないのが実状である。
４７号公報には、カルコゲン元素を含む雰囲気中で熱処
理する前の薄膜中にＩ族およびＩＩＩ族元素以外に化学
量論組成より少ない量のカルコゲン元素を含有させるこ
とによって、熱処理後の膜の結晶性と基板との密着性を
向上させる方法が開示されている。しかしながら、この
ような方法では熱処理前の薄膜中のカルコゲン元素の含
有量の制御が難しく、量産にむかないという難点があ
る。また、基板との密着性も必ずしも実用上十分なレベ
ルには至っていないのが実状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の課題は
このような問題点を解決し、光吸収層の結晶性が良好で
且つ基板との密着性に優れ、光電変換効率の高い光起電
力装置を提供することにある。また、本発明の課題は高
い光電変換効率を有する光起電力装置が低コストで得ら
れる製造方法を提供することにある。
このような問題点を解決し、光吸収層の結晶性が良好で
且つ基板との密着性に優れ、光電変換効率の高い光起電
力装置を提供することにある。また、本発明の課題は高
い光電変換効率を有する光起電力装置が低コストで得ら
れる製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第一
に、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収
層を有する光起電力装置において、光吸収層に接して光
の入射側と反対側に導電層を有し、少なくとも該導電層
と光吸収層との界面に、該導電層を構成する元素との間
で金属間化合物を形成する元素を有することを特徴とす
る光起電力装置が提供される。
に、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収
層を有する光起電力装置において、光吸収層に接して光
の入射側と反対側に導電層を有し、少なくとも該導電層
と光吸収層との界面に、該導電層を構成する元素との間
で金属間化合物を形成する元素を有することを特徴とす
る光起電力装置が提供される。
【０００６】第二に、上記第一に記載の光起電力装置に
おいて、導電層を構成する元素との間で金属間化合物を
形成する元素がダイヤモンド構造の結晶型を有すること
を特徴とする光起電力装置が提供される。
おいて、導電層を構成する元素との間で金属間化合物を
形成する元素がダイヤモンド構造の結晶型を有すること
を特徴とする光起電力装置が提供される。
【０００７】第三に、上記第一または第二に記載の光起
電力装置において、導電層を構成する元素との間で金属
間化合物を形成する元素が白金族元素であることを特徴
とする光起電力装置が提供される。
電力装置において、導電層を構成する元素との間で金属
間化合物を形成する元素が白金族元素であることを特徴
とする光起電力装置が提供される。
【０００８】第四に、上記第一乃至第三のいずれかに記
載の光起電力装置において、光吸収層に接して光の入射
側に、光吸収層よりバンドギャップの大きい半導体材料
層を有することを特徴とする光起電力装置が提供され
る。
載の光起電力装置において、光吸収層に接して光の入射
側に、光吸収層よりバンドギャップの大きい半導体材料
層を有することを特徴とする光起電力装置が提供され
る。
【０００９】第五に、上記第四に記載の光起電力装置に
おいて、半導体材料層が光吸収層と接合を形成する層と
その層に接して光の入射側に形成された透明電極層から
なることを特徴とする光起電力装置が提供される。
おいて、半導体材料層が光吸収層と接合を形成する層と
その層に接して光の入射側に形成された透明電極層から
なることを特徴とする光起電力装置が提供される。
【００１０】第六に、上記第五に記載の光起電力装置に
おいて、光吸収層と接合を形成する層がＺｎＳ、ＺｎＳ
ｅ、ＺｎＯよりなる群から選ばれた少なくとも１種類を
含有して構成されていることを特徴とする光起電力装置
が提供される。
おいて、光吸収層と接合を形成する層がＺｎＳ、ＺｎＳ
ｅ、ＺｎＯよりなる群から選ばれた少なくとも１種類を
含有して構成されていることを特徴とする光起電力装置
が提供される。
【００１１】第七に、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導
体からなる光吸収層および光吸収層に接して光の入射側
と反対側に導電層を有し、少なくとも導電層と光吸収層
との界面に、導電層を構成する元素との間で金属間化合
物を形成する元素を有する光起電力装置の製造方法にお
いて、Ｉ族およびＩＩＩ族元素を含む層を少なくともＶ
Ｉ族元素を含む雰囲気中で加熱することによって光吸収
層を形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法
が提供される。
体からなる光吸収層および光吸収層に接して光の入射側
と反対側に導電層を有し、少なくとも導電層と光吸収層
との界面に、導電層を構成する元素との間で金属間化合
物を形成する元素を有する光起電力装置の製造方法にお
いて、Ｉ族およびＩＩＩ族元素を含む層を少なくともＶ
Ｉ族元素を含む雰囲気中で加熱することによって光吸収
層を形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法
が提供される。
【００１２】以下に本発明をさらに詳しく説明する。上
記第一に記載の光起電力装置は、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族
化合物半導体からなる光吸収層を有する光起電力装置に
おいて、光吸収層に接して光の入射側と反対側に導電層
を有し、少なくとも該導電層と光吸収層との界面に、該
導電層を構成する元素との間で金属間化合物を形成する
元素を有することを特徴とするものである。ここで、導
電層とは導電層を設けた基板における導電層や導電性を
有する金属基板における光吸収層と接する表面を意味し
ている。
記第一に記載の光起電力装置は、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族
化合物半導体からなる光吸収層を有する光起電力装置に
おいて、光吸収層に接して光の入射側と反対側に導電層
を有し、少なくとも該導電層と光吸収層との界面に、該
導電層を構成する元素との間で金属間化合物を形成する
元素を有することを特徴とするものである。ここで、導
電層とは導電層を設けた基板における導電層や導電性を
有する金属基板における光吸収層と接する表面を意味し
ている。
【００１３】Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からな
る光吸収層を形成する際、ＩＩＩ族元素に対するＩ族元
素の原子数比を１より大きくする、すなわちＩ族元素リ
ッチな組成にすることによって結晶粒径が大きくなり、
良好な結晶性を有するとともにｐ型伝導を示す膜を得る
ことができ、このような膜は光吸収層として好適である
が、基板あるいは基板上に形成された導電層との密着性
に劣り、製造工程中に剥離する場合がある。
る光吸収層を形成する際、ＩＩＩ族元素に対するＩ族元
素の原子数比を１より大きくする、すなわちＩ族元素リ
ッチな組成にすることによって結晶粒径が大きくなり、
良好な結晶性を有するとともにｐ型伝導を示す膜を得る
ことができ、このような膜は光吸収層として好適である
が、基板あるいは基板上に形成された導電層との密着性
に劣り、製造工程中に剥離する場合がある。
【００１４】本発明者らは、光吸収層と導電層との界面
に化学的な結合を導入することによって付着力を増大さ
せ、光吸収層と導電層との剥離を防止することができる
ことを見出した。すなわち、導電層と光吸収層との界面
に、導電層を構成する元素との間で金属間化合物を形成
する元素を含有させることによって、光吸収層の結晶性
が良好で且つ基板との密着性が優れていると共に高い光
電変換効率が得られることを見出した。
に化学的な結合を導入することによって付着力を増大さ
せ、光吸収層と導電層との剥離を防止することができる
ことを見出した。すなわち、導電層と光吸収層との界面
に、導電層を構成する元素との間で金属間化合物を形成
する元素を含有させることによって、光吸収層の結晶性
が良好で且つ基板との密着性が優れていると共に高い光
電変換効率が得られることを見出した。
【００１５】導電層を構成する元素としては高融点の遷
移金属が望ましく、ガラスなどの基板との密着性やコス
トを考慮するとＭｏ、Ｔｉなどが好適である。また、こ
れらの元素との間で金属間化合物を形成する元素として
は、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｒｈ、Ｉ
ｒ、Ｐｄ、Ｐｔなどが例示できる。形成される金属間化
合物の多くはＡ−１５型結晶構造を有している。
移金属が望ましく、ガラスなどの基板との密着性やコス
トを考慮するとＭｏ、Ｔｉなどが好適である。また、こ
れらの元素との間で金属間化合物を形成する元素として
は、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｒｈ、Ｉ
ｒ、Ｐｄ、Ｐｔなどが例示できる。形成される金属間化
合物の多くはＡ−１５型結晶構造を有している。
【００１６】上記第二に記載の光起電力装置は、導電層
を構成する元素との間で金属間化合物を形成する元素が
ダイヤモンド構造の結晶型を有することを特徴とするも
のである。ダイヤモンド構造はＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化
合物の典型的な結晶型であるカルコパイライト構造に類
似であるため、光吸収層と導電層との界面に金属間化合
物の形成に寄与しなかった残存元素が単体で存在して
も、光吸収層との格子のマッチングが良好となり、光吸
収層の結晶性を損なうことがないのでより好ましい。そ
のような元素としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどが例示で
きる。
を構成する元素との間で金属間化合物を形成する元素が
ダイヤモンド構造の結晶型を有することを特徴とするも
のである。ダイヤモンド構造はＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化
合物の典型的な結晶型であるカルコパイライト構造に類
似であるため、光吸収層と導電層との界面に金属間化合
物の形成に寄与しなかった残存元素が単体で存在して
も、光吸収層との格子のマッチングが良好となり、光吸
収層の結晶性を損なうことがないのでより好ましい。そ
のような元素としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどが例示で
きる。
【００１７】上記第三に記載の光起電力装置は、導電層
を構成する元素との間で金属間化合物を形成する元素が
白金族元素であることを特徴とするものである。導電層
として好適なＭｏ、Ｔｉなどの元素はＩ−ＩＩＩ−ＶＩ
2族化合物半導体の薄膜の形成時に、比較的容易にＶＩ
族元素との化合物（セレン化物、硫化物）を形成しやす
く、そのような化合物層が界面に存在することによって
光吸収層と導電層とが層状剥離を引き起こす場合がある
が、金属間化合物を形成する元素が白金族元素の場合に
は、それらの元素はセレン化物や硫化物をほとんど形成
しないので、剥離の発生をよりよく防止することができ
る。そのような元素としては、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ
などが例示できる。
を構成する元素との間で金属間化合物を形成する元素が
白金族元素であることを特徴とするものである。導電層
として好適なＭｏ、Ｔｉなどの元素はＩ−ＩＩＩ−ＶＩ
2族化合物半導体の薄膜の形成時に、比較的容易にＶＩ
族元素との化合物（セレン化物、硫化物）を形成しやす
く、そのような化合物層が界面に存在することによって
光吸収層と導電層とが層状剥離を引き起こす場合がある
が、金属間化合物を形成する元素が白金族元素の場合に
は、それらの元素はセレン化物や硫化物をほとんど形成
しないので、剥離の発生をよりよく防止することができ
る。そのような元素としては、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ
などが例示できる。
【００１８】上記第四に記載の光起電力装置は、さらに
光吸収層に接して該層より光入射側に、光吸収層よりバ
ンドギャップの大きい半導体材料層を設けたことを特徴
とするものである。このような半導体材料層を設けるこ
とにより、いわゆる窓効果によって、ホモ接合の場合に
比べて短波長感度が向上し、高い光電変換効率を得るこ
とができる。なお、この場合両者の伝導型を逆のものと
することは言うまでもない。
光吸収層に接して該層より光入射側に、光吸収層よりバ
ンドギャップの大きい半導体材料層を設けたことを特徴
とするものである。このような半導体材料層を設けるこ
とにより、いわゆる窓効果によって、ホモ接合の場合に
比べて短波長感度が向上し、高い光電変換効率を得るこ
とができる。なお、この場合両者の伝導型を逆のものと
することは言うまでもない。
【００１９】上記第五に記載の光起電力装置は、光吸収
層よりバンドギャップの大きい半導体材料層が、光吸収
層と接合を形成する層とその層に接して光の入射側に形
成された透明電極層からなることを特徴とするものであ
る。これにより、理想的な接合界面の形成と表面再結合
の抑止が可能となり、光吸収層とそれに接する層の接合
特性が良好なものとなることによって高い光電変換効率
を得ることができる。
層よりバンドギャップの大きい半導体材料層が、光吸収
層と接合を形成する層とその層に接して光の入射側に形
成された透明電極層からなることを特徴とするものであ
る。これにより、理想的な接合界面の形成と表面再結合
の抑止が可能となり、光吸収層とそれに接する層の接合
特性が良好なものとなることによって高い光電変換効率
を得ることができる。
【００２０】上記第六に記載の光起電力装置は、光吸収
層と接合を形成する層が、少なくともＺｎＳ、ＺｎＳ
ｅ、ＺｎＯよりなる群から選ばれた少なくとも１種類を
含有して構成されていることを特徴とするものである。
上記材料は、いずれもバンドギャップが２．６ｅＶ以上
と大きいため、大きな窓効果が期待でき、また適当な混
晶比を選ぶことによって、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物
半導体との格子不整合を小さくすることができるため、
良好な接合特性が得られる。さらには、従来用いられて
きたＣｄＳにおけるＣｄのような有害な物質を含まない
点でも望ましい。
層と接合を形成する層が、少なくともＺｎＳ、ＺｎＳ
ｅ、ＺｎＯよりなる群から選ばれた少なくとも１種類を
含有して構成されていることを特徴とするものである。
上記材料は、いずれもバンドギャップが２．６ｅＶ以上
と大きいため、大きな窓効果が期待でき、また適当な混
晶比を選ぶことによって、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物
半導体との格子不整合を小さくすることができるため、
良好な接合特性が得られる。さらには、従来用いられて
きたＣｄＳにおけるＣｄのような有害な物質を含まない
点でも望ましい。
【００２１】上記第七に記載の光起電力装置の製造方法
は、少なくともＩ族およびＩＩＩ族元素を含む層を、少
なくともＶＩ族元素を含む雰囲気中で加熱することによ
って光吸収層を形成することを特徴とするものである。
光吸収層をこのようにして形成することにより、良好な
結晶性と基板（基板上の導電層）との密着性を確保しな
がら光吸収層を大面積で大量に製造することができ、光
起電力装置の製造コストを低減することができる。
は、少なくともＩ族およびＩＩＩ族元素を含む層を、少
なくともＶＩ族元素を含む雰囲気中で加熱することによ
って光吸収層を形成することを特徴とするものである。
光吸収層をこのようにして形成することにより、良好な
結晶性と基板（基板上の導電層）との密着性を確保しな
がら光吸収層を大面積で大量に製造することができ、光
起電力装置の製造コストを低減することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１は本発明の光起電力装置の
一例を模式的に示す断面図であり、導電層を設けた基板
や導電性を有する金属基板などの基板１、導電層を構成
する元素との間で金属間化合物を形成する元素を含む層
２、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収
層３、光吸収層３と逆の伝導型である光吸収層と接合を
形成する層４および透明電極層５から構成されている。
面に基づいて説明する。図１は本発明の光起電力装置の
一例を模式的に示す断面図であり、導電層を設けた基板
や導電性を有する金属基板などの基板１、導電層を構成
する元素との間で金属間化合物を形成する元素を含む層
２、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収
層３、光吸収層３と逆の伝導型である光吸収層と接合を
形成する層４および透明電極層５から構成されている。
【００２３】導電層はＭｏ、Ｔｉなどを真空蒸着法、ス
パッタリング法等により膜厚０．５〜５μｍに堆積して
形成される。導電層を構成する元素との間で金属間化合
物を形成する元素を含む層２は導電層上にＡｌ、Ｇａ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔなど
を真空蒸着法、スパッタリング法等により膜厚１〜５０
０ｎｍに堆積した後、３００〜６００℃の熱処理（Ｉ−
ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収層３を形
成する過程での熱処理で兼ねてもよい）を施すことによ
り形成することができる。
パッタリング法等により膜厚０．５〜５μｍに堆積して
形成される。導電層を構成する元素との間で金属間化合
物を形成する元素を含む層２は導電層上にＡｌ、Ｇａ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔなど
を真空蒸着法、スパッタリング法等により膜厚１〜５０
０ｎｍに堆積した後、３００〜６００℃の熱処理（Ｉ−
ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収層３を形
成する過程での熱処理で兼ねてもよい）を施すことによ
り形成することができる。
【００２４】Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2化合物半導体からなる
光吸収層３を構成する元素は、Ｉ族元素としてＣｕ、Ａ
ｇ、ＩＩＩ族元素としてＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、ＶＩ族元素
としてＳｅ、Ｓ、の各々から１種類または２種を選択す
ることが望ましい。各元素は、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2化合
物半導体のバンドギャップを太陽光スペクトルに対する
量子効率が大きくなるような値（概ね１〜２ｅＶ）に設
定するように選択することが好ましい。また、Ｉ−ＩＩ
Ｉ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収層３は、ＩＩ
Ｉ族元素に対するＩ族元素の原子数比を０．９５〜１．
９５とし、伝導型をｐ型とするのが好ましい。
光吸収層３を構成する元素は、Ｉ族元素としてＣｕ、Ａ
ｇ、ＩＩＩ族元素としてＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、ＶＩ族元素
としてＳｅ、Ｓ、の各々から１種類または２種を選択す
ることが望ましい。各元素は、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2化合
物半導体のバンドギャップを太陽光スペクトルに対する
量子効率が大きくなるような値（概ね１〜２ｅＶ）に設
定するように選択することが好ましい。また、Ｉ−ＩＩ
Ｉ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収層３は、ＩＩ
Ｉ族元素に対するＩ族元素の原子数比を０．９５〜１．
９５とし、伝導型をｐ型とするのが好ましい。
【００２５】Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2化合物半導体からなる
光吸収層３の形成方法としては、多源同時蒸着法、気相
セレン化（硫化）法などが採用される。多源同時蒸着法
は、上記のようにして選ばれたＩ族、ＩＩＩ族およびＶ
Ｉ族元素を別々の蒸発源から同時に蒸発させて、上方に
設置された基板（３００〜５００℃に加熱）上で所望の
組成の化合物を得る方法であり、各元素の蒸発速度を厳
密にコントロールすることが必要である。
光吸収層３の形成方法としては、多源同時蒸着法、気相
セレン化（硫化）法などが採用される。多源同時蒸着法
は、上記のようにして選ばれたＩ族、ＩＩＩ族およびＶ
Ｉ族元素を別々の蒸発源から同時に蒸発させて、上方に
設置された基板（３００〜５００℃に加熱）上で所望の
組成の化合物を得る方法であり、各元素の蒸発速度を厳
密にコントロールすることが必要である。
【００２６】気相セレン化（硫化）法は、Ｉ族およびＩ
ＩＩ族元素からなる積層膜あるいは混合膜を真空蒸着
法、スパッタリング法などで基板上に形成した後、Ｓｅ
あるいはＳを含む雰囲気、例えば不活性ガスで希釈した
Ｈ2ＳｅあるいはＨ2Ｓガス中で４００〜６００℃に加熱
して化合物を得る方法であり、この方法は光吸収層の大
面積化、量産化が容易である点から好ましい。Ｉ−ＩＩ
Ｉ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収層３の膜厚と
しては、０．５〜５μｍが適切である。
ＩＩ族元素からなる積層膜あるいは混合膜を真空蒸着
法、スパッタリング法などで基板上に形成した後、Ｓｅ
あるいはＳを含む雰囲気、例えば不活性ガスで希釈した
Ｈ2ＳｅあるいはＨ2Ｓガス中で４００〜６００℃に加熱
して化合物を得る方法であり、この方法は光吸収層の大
面積化、量産化が容易である点から好ましい。Ｉ−ＩＩ
Ｉ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収層３の膜厚と
しては、０．５〜５μｍが適切である。
【００２７】Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からな
る光吸収層に接して該層より光入射側に設けられる半導
体材料層（光吸収層と逆の伝導型である半導体材料層）
の材料としては、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体と
同一の化合物半導体を用いること（ホモ接合）もできる
が、それよりバンドギャップの大きい半導体を用いるこ
とが、窓効果によって短波長領域の光をより多く光吸収
層に取り込むことができる点、すなわち短波長感度を向
上させる点から望ましい。さらには、半導体材料層を光
吸収層と接合を形成する層（例えば光吸収層と逆の伝導
型であるｎ型半導体層）４とその上の透明電極層（例え
ば縮退したｎ型半導体層）５の積層として形成すること
が、接合特性を良好とする点から望ましい。
る光吸収層に接して該層より光入射側に設けられる半導
体材料層（光吸収層と逆の伝導型である半導体材料層）
の材料としては、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体と
同一の化合物半導体を用いること（ホモ接合）もできる
が、それよりバンドギャップの大きい半導体を用いるこ
とが、窓効果によって短波長領域の光をより多く光吸収
層に取り込むことができる点、すなわち短波長感度を向
上させる点から望ましい。さらには、半導体材料層を光
吸収層と接合を形成する層（例えば光吸収層と逆の伝導
型であるｎ型半導体層）４とその上の透明電極層（例え
ば縮退したｎ型半導体層）５の積層として形成すること
が、接合特性を良好とする点から望ましい。
【００２８】光吸収層と接合を形成する層４は、例えば
溶液成長法、ＭＯＣＶＤ法等により、ＺｎＳｅ、Ｚｎ
Ｓ、ＺｎＯまたはこれらの混晶を膜厚１０〜２００ｎｍ
に堆積して形成し、透明電極層５は、例えばスパッタリ
ング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、ＭＯＣ
ＶＤ法等によりＩＴＯ、ＺｎＯ：Ａｌ等を膜厚０．１〜
２μｍに堆積して形成することができる。
溶液成長法、ＭＯＣＶＤ法等により、ＺｎＳｅ、Ｚｎ
Ｓ、ＺｎＯまたはこれらの混晶を膜厚１０〜２００ｎｍ
に堆積して形成し、透明電極層５は、例えばスパッタリ
ング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、ＭＯＣ
ＶＤ法等によりＩＴＯ、ＺｎＯ：Ａｌ等を膜厚０．１〜
２μｍに堆積して形成することができる。
【００２９】
【実施例】以下に本発明を実施例により説明する。 実施例１ 図１に示す構成の光起電力装置を図２に示す工程で以下
のようにして作製した。まず、ガラス基板１１上に導電
層として、スパッタリング法により膜厚１μｍのＭｏ薄
膜１２を堆積し導電層付き基板１とした。この導電層上
に真空蒸着法でＳｎ薄膜２１、Ｃｕ薄膜６１およびＩｎ
薄膜６２をそれぞれ膜厚３０ｎｍ、３５０ｎｍおよび５
５０ｎｍで堆積しプリカーサ層６とした。これを石英管
炉内に設置し、ＡｒまたはＮ2ガス中で５００℃まで昇
温した後、Ｈ2Ｓガスを希釈量１０％の割合にして４時
間流して硫化を行った。硫化後さらにＡｒまたはＮ2ガ
スを流しながら５００℃に１時間保持したのち冷却し
た。このようにして、導電層との界面にＭｏとの間で金
属間化合物を形成する元素Ｓｎを含む層２を有するＩ−
ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体（ＣｕＩｎＳ2）からなる
光吸収層３１を形成した。
のようにして作製した。まず、ガラス基板１１上に導電
層として、スパッタリング法により膜厚１μｍのＭｏ薄
膜１２を堆積し導電層付き基板１とした。この導電層上
に真空蒸着法でＳｎ薄膜２１、Ｃｕ薄膜６１およびＩｎ
薄膜６２をそれぞれ膜厚３０ｎｍ、３５０ｎｍおよび５
５０ｎｍで堆積しプリカーサ層６とした。これを石英管
炉内に設置し、ＡｒまたはＮ2ガス中で５００℃まで昇
温した後、Ｈ2Ｓガスを希釈量１０％の割合にして４時
間流して硫化を行った。硫化後さらにＡｒまたはＮ2ガ
スを流しながら５００℃に１時間保持したのち冷却し
た。このようにして、導電層との界面にＭｏとの間で金
属間化合物を形成する元素Ｓｎを含む層２を有するＩ−
ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体（ＣｕＩｎＳ2）からなる
光吸収層３１を形成した。
【００３０】ついで、光吸収層３１の上に、ＭＯＣＶＤ
法でＺｎＳ−ＺｎＯ混晶体膜を膜厚１００ｎｍで堆積し
光吸収層と接合を形成する層（ｎ型半導体層）４とし
た。次に、スパッタリング法で膜厚４００ｎｍのＩＴＯ
薄膜を堆積し透明電極層５を形成し光起電力装置を得
た。上記光起電力装置の製造工程中、膜剥離等の欠陥の
発生は全く見られなかった。この光起電力装置の光電変
換効率は、９．５％（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃ
ｍ2）であった。
法でＺｎＳ−ＺｎＯ混晶体膜を膜厚１００ｎｍで堆積し
光吸収層と接合を形成する層（ｎ型半導体層）４とし
た。次に、スパッタリング法で膜厚４００ｎｍのＩＴＯ
薄膜を堆積し透明電極層５を形成し光起電力装置を得
た。上記光起電力装置の製造工程中、膜剥離等の欠陥の
発生は全く見られなかった。この光起電力装置の光電変
換効率は、９．５％（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃ
ｍ2）であった。
【００３１】比較例１ Ｓｎ薄膜２１を堆積しないこと以外は実施例１と同様に
して光起電力装置を作製したところ、硫化後にＣｕＩｎ
Ｓ2薄膜に部分的な剥離がみられた。この光起電力装置
の光電変換効率は、６．７％（ＡＭ１．５、１００ｍＷ
／ｃｍ2）であった。
して光起電力装置を作製したところ、硫化後にＣｕＩｎ
Ｓ2薄膜に部分的な剥離がみられた。この光起電力装置
の光電変換効率は、６．７％（ＡＭ１．５、１００ｍＷ
／ｃｍ2）であった。
【００３２】実施例２ 図１に示す構成の光起電力装置を図２に示す工程で以下
のようにして作製した。まず、ガラス基板１１上に導電
層として、スパッタリング法により膜厚１μｍのＭｏ薄
膜１２を堆積し導電層付き基板１とした。この導電層上
に真空蒸着法でＧｅ薄膜２１、Ｃｕ薄膜６１およびＩｎ
薄膜６２をそれぞれ膜厚５０ｎｍ、３５０ｎｍおよび５
５０ｎｍで堆積しプリカーサ層６とした。これを石英管
炉内に設置し、ＡｒまたはＮ2ガス中で５００℃まで昇
温した後、Ｈ2Ｓｅガスを希釈量１０％の割合にして２
時間流してセレン化を行った。セレン化後さらにＡｒま
たはＮ2ガスを流しながら５００℃に１時間保持したの
ち冷却した。このようにして、導電層との界面にＭｏと
の間で金属間化合物を形成する元素Ｇｅを含む層２を有
するＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体（ＣｕＩｎＳ
ｅ2）からなる光吸収層３１を形成した。
のようにして作製した。まず、ガラス基板１１上に導電
層として、スパッタリング法により膜厚１μｍのＭｏ薄
膜１２を堆積し導電層付き基板１とした。この導電層上
に真空蒸着法でＧｅ薄膜２１、Ｃｕ薄膜６１およびＩｎ
薄膜６２をそれぞれ膜厚５０ｎｍ、３５０ｎｍおよび５
５０ｎｍで堆積しプリカーサ層６とした。これを石英管
炉内に設置し、ＡｒまたはＮ2ガス中で５００℃まで昇
温した後、Ｈ2Ｓｅガスを希釈量１０％の割合にして２
時間流してセレン化を行った。セレン化後さらにＡｒま
たはＮ2ガスを流しながら５００℃に１時間保持したの
ち冷却した。このようにして、導電層との界面にＭｏと
の間で金属間化合物を形成する元素Ｇｅを含む層２を有
するＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体（ＣｕＩｎＳ
ｅ2）からなる光吸収層３１を形成した。
【００３３】ついで、光吸収層３１の上に、ＭＯＣＶＤ
法でＺｎＳｅ−ＺｎＯ混晶体膜を膜厚１００ｎｍで堆積
し光吸収層と接合を形成する層（ｎ型半導体層）４とし
た。次に、スパッタリング法で膜厚４００ｎｍのＩＴＯ
薄膜を堆積し透明電極層５を形成し光起電力装置を得
た。上記光起電力装置の製造工程中、膜剥離等の欠陥の
発生は全く見られなかった。この光起電力装置の光電変
換効率は、１０．４％（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ
2）であった。
法でＺｎＳｅ−ＺｎＯ混晶体膜を膜厚１００ｎｍで堆積
し光吸収層と接合を形成する層（ｎ型半導体層）４とし
た。次に、スパッタリング法で膜厚４００ｎｍのＩＴＯ
薄膜を堆積し透明電極層５を形成し光起電力装置を得
た。上記光起電力装置の製造工程中、膜剥離等の欠陥の
発生は全く見られなかった。この光起電力装置の光電変
換効率は、１０．４％（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ
2）であった。
【００３４】比較例２ Ｇｅ薄膜２１を堆積しないこと以外は実施例２と同様に
して光起電力装置を作製したところ、セレン化後にＣｕ
ＩｎＳｅ2薄膜に部分的な剥離がみられた。この光起電
力装置の光電変換効率は、８．６％（ＡＭ１．５、１０
０ｍＷ／ｃｍ2）であった。
して光起電力装置を作製したところ、セレン化後にＣｕ
ＩｎＳｅ2薄膜に部分的な剥離がみられた。この光起電
力装置の光電変換効率は、８．６％（ＡＭ１．５、１０
０ｍＷ／ｃｍ2）であった。
【００３５】実施例３ 図１に示す構成の光起電力装置を図３に示す工程で以下
のようにして作製した。まず、ガラス基板１１上に導電
層として、スパッタリング法により膜厚２μｍのＴｉ薄
膜１３を堆積し導電層付き基板１とし、この導電層上に
スパッタリング法で膜厚１００ｎｍのＰｔ薄膜２２を堆
積した。この上にスパッタリング法でＣｕ−Ｇａ薄膜６
３およびＩｎ薄膜６２をそれぞれ膜厚４００ｎｍおよび
５５０ｎｍで堆積しプリカーサ層６とした。これを石英
管炉内に設置し、ＡｒまたはＮ2ガス中で５５０℃まで
昇温した後、Ｈ2Ｓｅガスを希釈量１０％の割合にして
２時間流してセレン化を行った。セレン化後さらにＡｒ
またはＮ2ガスを流しながら５００℃に１時間保持した
のち冷却した。このようにして、導電層との界面にＴｉ
との間で金属間化合物を形成する元素Ｐｔを含む層２を
有するＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体〔Ｃｕ（Ｉ
ｎ，Ｇａ）Ｓｅ2〕からなる光吸収層３２を形成した。
のようにして作製した。まず、ガラス基板１１上に導電
層として、スパッタリング法により膜厚２μｍのＴｉ薄
膜１３を堆積し導電層付き基板１とし、この導電層上に
スパッタリング法で膜厚１００ｎｍのＰｔ薄膜２２を堆
積した。この上にスパッタリング法でＣｕ−Ｇａ薄膜６
３およびＩｎ薄膜６２をそれぞれ膜厚４００ｎｍおよび
５５０ｎｍで堆積しプリカーサ層６とした。これを石英
管炉内に設置し、ＡｒまたはＮ2ガス中で５５０℃まで
昇温した後、Ｈ2Ｓｅガスを希釈量１０％の割合にして
２時間流してセレン化を行った。セレン化後さらにＡｒ
またはＮ2ガスを流しながら５００℃に１時間保持した
のち冷却した。このようにして、導電層との界面にＴｉ
との間で金属間化合物を形成する元素Ｐｔを含む層２を
有するＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体〔Ｃｕ（Ｉ
ｎ，Ｇａ）Ｓｅ2〕からなる光吸収層３２を形成した。
【００３６】ついで、光吸収層３２の上に、ＭＯＣＶＤ
法でＺｎＳｅ−ＺｎＯ混晶体膜を膜厚５０ｎｍで堆積し
光吸収層と接合を形成する層（ｎ型半導体層）４とし
た。次に、スパッタリング法で膜厚４００ｎｍのＩＴＯ
薄膜を堆積し透明電極層５を形成し光起電力装置を得
た。上記光起電力装置の製造工程中、膜剥離等の欠陥の
発生は全く見られなかった。この光起電力装置の光電変
換効率は、１１．０％（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ
2）であった。
法でＺｎＳｅ−ＺｎＯ混晶体膜を膜厚５０ｎｍで堆積し
光吸収層と接合を形成する層（ｎ型半導体層）４とし
た。次に、スパッタリング法で膜厚４００ｎｍのＩＴＯ
薄膜を堆積し透明電極層５を形成し光起電力装置を得
た。上記光起電力装置の製造工程中、膜剥離等の欠陥の
発生は全く見られなかった。この光起電力装置の光電変
換効率は、１１．０％（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ
2）であった。
【００３７】比較例３ Ｐｔ薄膜２２を堆積しないこと以外は実施例３と同様に
して光起電力装置を作製したところ、セレン化後にＣｕ
（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2薄膜に部分的な剥離がみられた。
この光起電力装置の光電変換効率は、９．０％（ＡＭ
１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2）であった。
して光起電力装置を作製したところ、セレン化後にＣｕ
（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2薄膜に部分的な剥離がみられた。
この光起電力装置の光電変換効率は、９．０％（ＡＭ
１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2）であった。
【００３８】
【発明の効果】請求項１乃至３の光起電力装置によれ
ば、光吸収層の結晶性が良好で且つ基板との密着性が優
れていると共に高い光電変換効率が得られる。請求項４
の光起電力装置によれば、短波長感度が向上し、高い光
電変換効率が得られる。請求項５の光起電力装置によれ
ば、光吸収層とそれに接する層の接合特性が良好とな
り、さらに高い光電変換効率が得られる。
ば、光吸収層の結晶性が良好で且つ基板との密着性が優
れていると共に高い光電変換効率が得られる。請求項４
の光起電力装置によれば、短波長感度が向上し、高い光
電変換効率が得られる。請求項５の光起電力装置によれ
ば、光吸収層とそれに接する層の接合特性が良好とな
り、さらに高い光電変換効率が得られる。
【００３９】請求項６の光起電力装置によれば、光吸収
層とそれに接する層の接合特性がより良好となり、高い
光電変換効率が得られると共に有害物質を含まないた
め、安全性の高い光起電力装置が得られる。請求項７の
光起電力装置の製造方法によれば、光吸収層の結晶性お
よび基板との密着性を確保しながら大面積を有する均一
な光吸収層を大量に製造することができ、光起電力装置
の製造コストを低減することができる。
層とそれに接する層の接合特性がより良好となり、高い
光電変換効率が得られると共に有害物質を含まないた
め、安全性の高い光起電力装置が得られる。請求項７の
光起電力装置の製造方法によれば、光吸収層の結晶性お
よび基板との密着性を確保しながら大面積を有する均一
な光吸収層を大量に製造することができ、光起電力装置
の製造コストを低減することができる。
【図１】本発明の光起電力装置の一例を模式的に示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の光起電力装置の製造工程の一例を模式
的に示す説明図である。
的に示す説明図である。
【図３】本発明の光起電力装置の製造工程の他の例を模
式的に示す説明図である。
式的に示す説明図である。
１ 基板 ２ 導電層を構成する元素との間で金属間化合物を形成
する元素を含む層 ３ Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収
層 ４ 光吸収層と接合を形成する層 ５ 透明電極層
する元素を含む層 ３ Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体からなる光吸収
層 ４ 光吸収層と接合を形成する層 ５ 透明電極層
Claims (7)
- 【請求項１】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体から
なる光吸収層を有する光起電力装置において、光吸収層
に接して光の入射側と反対側に導電層を有し、少なくと
も該導電層と光吸収層との界面に、該導電層を構成する
元素との間で金属間化合物を形成する元素を有すること
を特徴とする光起電力装置。 - 【請求項２】 導電層を構成する元素との間で金属間化
合物を形成する元素がダイヤモンド構造の結晶型を有す
ることを特徴とする請求項１記載の光起電力装置。 - 【請求項３】 導電層を構成する元素との間で金属間化
合物を形成する元素が白金族元素であることを特徴とす
る請求項１または２記載の光起電力装置。 - 【請求項４】 光吸収層に接して光の入射側に、光吸収
層よりバンドギャップの大きい半導体材料層を有するこ
とを特徴とする請求項１、２または３記載の光起電力装
置。 - 【請求項５】 半導体材料層が光吸収層と接合を形成す
る層とその層に接して光の入射側に形成された透明電極
層からなることを特徴とする請求項４記載の光起電力装
置。 - 【請求項６】 光吸収層と接合を形成する層がＺｎＳ、
ＺｎＳｅ、ＺｎＯよりなる群から選ばれた少なくとも１
種類を含有して構成されていることを特徴とする請求項
５記載の光起電力装置。 - 【請求項７】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物半導体から
なる光吸収層および光吸収層に接して光の入射側と反対
側に導電層を有し、少なくとも導電層と光吸収層との界
面に、導電層を構成する元素との間で金属間化合物を形
成する元素を有する光起電力装置の製造方法において、
Ｉ族およびＩＩＩ族元素を含む層を少なくともＶＩ族元
素を含む雰囲気中で加熱することによって光吸収層を形
成することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9356214A JPH11177112A (ja) | 1997-12-09 | 1997-12-09 | 光起電力装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9356214A JPH11177112A (ja) | 1997-12-09 | 1997-12-09 | 光起電力装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11177112A true JPH11177112A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18447913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9356214A Pending JPH11177112A (ja) | 1997-12-09 | 1997-12-09 | 光起電力装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11177112A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006126598A1 (ja) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Showa Shell Sekiyu K.K. | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層・窓層（透明導電膜）連続製膜方法及びその連続製膜方法を実施するための連続製膜装置 |
| JP2007335625A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池 |
| JP2009515343A (ja) * | 2005-11-02 | 2009-04-09 | ソロパワー、インコーポレイテッド | 太陽電池及びモジュール製造のために半導体層を堆積させる技術及び装置 |
| JP2009277995A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Ulvac Japan Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2010192689A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tdk Corp | 太陽電池、及び太陽電池の製造方法 |
| JP2011151160A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Ritsumeikan | 薄膜太陽電池、及びその製造方法 |
| WO2011136140A1 (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-03 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| JP2012124232A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Toyota Central R&D Labs Inc | ｐ型半導体及び光電素子 |
| JP2013026297A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-04 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JP2013506991A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| JP2013077706A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Fujifilm Corp | 光電変換素子およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-12-09 JP JP9356214A patent/JPH11177112A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8093096B2 (en) | 2005-05-27 | 2012-01-10 | Showa Shell Sekiyu K.K. | Method of successive high-resistance buffer layer/window layer (transparent conductive film) formation for CIS based thin-film solar cell and apparatus for successive film formation for practicing the method of successive film formation |
| JP2006332440A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Showa Shell Sekiyu Kk | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層・窓層（透明導電膜）連続製膜方法及び製膜装置 |
| WO2006126598A1 (ja) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Showa Shell Sekiyu K.K. | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層・窓層（透明導電膜）連続製膜方法及びその連続製膜方法を実施するための連続製膜装置 |
| JP2009515343A (ja) * | 2005-11-02 | 2009-04-09 | ソロパワー、インコーポレイテッド | 太陽電池及びモジュール製造のために半導体層を堆積させる技術及び装置 |
| JP2007335625A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池 |
| JP2009277995A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Ulvac Japan Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2010192689A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tdk Corp | 太陽電池、及び太陽電池の製造方法 |
| JP2013506991A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| JP2011151160A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Ritsumeikan | 薄膜太陽電池、及びその製造方法 |
| WO2011136140A1 (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-03 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| US8916905B2 (en) | 2010-04-27 | 2014-12-23 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion device |
| JP2012124232A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Toyota Central R&D Labs Inc | ｐ型半導体及び光電素子 |
| JP2013026297A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-04 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JP2013077706A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Fujifilm Corp | 光電変換素子およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5078804A (en) | I-III-VI2 based solar cell utilizing the structure CuInGaSe2 CdZnS/ZnO | |
| US6534704B2 (en) | Solar cell | |
| US8026122B1 (en) | Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method | |
| US8211736B2 (en) | Bulk copper species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method | |
| US20160141441A1 (en) | Control of composition profiles in annealed cigs absorbers | |
| WO2009110092A1 (ja) | Ｃｉｓ系太陽電池の積層構造、及び集積構造 | |
| US8993370B2 (en) | Reverse stack structures for thin-film photovoltaic cells | |
| JP2922466B2 (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPH11177112A (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| Nakada et al. | Improved efficiency of Cu (In, Ga) Se/sub 2/thin film solar cells with chemically deposited ZnS buffer layers by air-annealing-formation of homojunction by solid phase diffusion | |
| JPH07122762A (ja) | 薄膜光起電力装置 | |
| JPH10135501A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに太陽電池 | |
| JPH0555615A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP3408618B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2003008039A (ja) | 化合物太陽電池の製造方法 | |
| JP2000012883A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH11224953A (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JPH11204810A (ja) | 化合物半導体太陽電池 | |
| Basol et al. | Preparation of Cd (Zn) Te and CuInSe2 films and devices by a two-stage process | |
| JP2815723B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| US8236597B1 (en) | Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method | |
| JPH11168227A (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JPH11330507A (ja) | 太陽電池 | |
| US20140261689A1 (en) | Method of manufacturing a photovoltaic device | |
| JP3146612B2 (ja) | 固溶体薄膜の製造方法および太陽電池の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050225 |
|
| A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20050816 |