JPH03268456A - Manufacture of resin-sealed semiconductor device - Google Patents

Manufacture of resin-sealed semiconductor device

Info

Publication number
JPH03268456A
JPH03268456A JP2069008A JP6900890A JPH03268456A JP H03268456 A JPH03268456 A JP H03268456A JP 2069008 A JP2069008 A JP 2069008A JP 6900890 A JP6900890 A JP 6900890A JP H03268456 A JPH03268456 A JP H03268456A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor device
lead frame
cutting
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2069008A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2917375B2 (en
Inventor
Toshihide Yasui
俊秀 安井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2069008A priority Critical patent/JP2917375B2/en
Publication of JPH03268456A publication Critical patent/JPH03268456A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2917375B2 publication Critical patent/JP2917375B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic materials other than metals or composite materials

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To ensure an accurate and stable cutting processing without use of a cutting punch by positioning a lead frame and cutting and removing dam part resin and a tie bar by laser beam irradiation, and thereafter moving the lead frame by one lead pitch for repetition of the same process. CONSTITUTION:A lead frame 6 is supplied onto a cutting stage 9, and positioned and fixed on the stage 9 using a positioning hole 7. Then, a CCD camera 4 picks up the lead frame as an image, and a portion of the lead frame to be cut first is aligned to a laser beam irradiation position based upon a calculation result by an image processing device 5, and dam part resin 10 and a tie bar part 11 are irradiated with the laser beam for cutting in a predetermined amount. After the lead frame is cut at the one portion of the same, the cutting stage is driven by a one lead pitch fraction by an X-Y table 8 based upon the previous calculation result, and the previous process is repeated using the laser beam. Hereby, there are eliminated the need of a cutting punch and the cutting by a die, and the present method can deal with cutting of lead frames of fine pitches and ensure stable processing accuracy.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関し、特に
、樹脂封止済半導体装置のリードフレームに対するダム
部樹脂とダイバー部の切断方法に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device, and more particularly to a method for cutting a dam portion resin and a diver portion of a lead frame of a resin-sealed semiconductor device. .

[従来の技術] この種の樹脂封止型半導体装置(以下、ICと記す)は
、リードフレームに半導体チップをマウントし、ワイヤ
ボンディングを行った後、トランスファ方式等で半導体
チップ及び内部リード部を樹脂封止することによって製
造される。
[Prior Art] This type of resin-sealed semiconductor device (hereinafter referred to as IC) mounts a semiconductor chip on a lead frame, performs wire bonding, and then attaches the semiconductor chip and internal leads using a transfer method or the like. Manufactured by resin sealing.

樹脂封止時に、封止金型内のキャビティーに樹脂が充填
されると、金型がクランプしているリードフレームには
その打ち抜き部分に板厚分の隙間が生じるため、そこか
ら流れ出た樹脂は、第3図の部分斜視図に示すように、
ICパッケージ13と、隣り合う外部リード12と、そ
の外部リード間を接続するダイバー部11で囲まれたダ
ム部にダム部樹脂10として充填される。そこで、次工
程にて切断パンチ14を矢印方向に降下させてダイバー
部11を切断除去する際に、ダム部に充填された樹脂1
0も同時に除去している。第3図において、切断パンチ
14による切断除去部19の位置と形状は、2点鎖線で
示されている。
During resin sealing, when the cavity in the sealing mold is filled with resin, a gap equal to the thickness of the lead frame is created at the punched part of the lead frame clamped by the mold, and the resin flows out from there. As shown in the partial perspective view of Fig. 3,
A dam portion surrounded by an IC package 13, adjacent external leads 12, and a diver portion 11 connecting the external leads is filled with a dam portion resin 10. Therefore, when lowering the cutting punch 14 in the direction of the arrow to cut and remove the diver part 11 in the next process, the resin 1 filled in the dam part
0 is also removed at the same time. In FIG. 3, the position and shape of the cut/remove portion 19 by the cutting punch 14 is indicated by a two-dot chain line.

従来、リード間ピッチが0.5〜1.Ou+程度の場合
のICのダム部樹脂及びダイバー部の切断は、第3図の
A−A線断面図である第4図に示すように、外部リード
12の下面を受けるダイ15上にリードフレーム6をセ
ットし、くし歯状になった切断パンチ14をダム部樹脂
10及びダイバー部11に下降させて、リード間を1ピ
ツチおきに2工程に分けて打ち抜くことにより行なって
いた。
Conventionally, the pitch between leads was 0.5 to 1. When cutting the dam part resin and diver part of the IC in the case of Ou+, the lead frame is placed on the die 15 that receives the lower surface of the external lead 12, as shown in FIG. 6 and lowered the comb-like cutting punch 14 into the dam part resin 10 and the diver part 11, and punched out every other pitch between the leads in two steps.

[発明が解決しようとする課題] ところか、近年、ICの高密度実装の要求によって更に
多ビン化、小型化が進む傾向にあり、そのため、外部リ
ード間ピッチが0.511m以下とファインピッチ化さ
れたICが増加しつつある。
[Problem to be solved by the invention] In recent years, the demand for high-density packaging of ICs has led to a trend towards more bins and miniaturization, and as a result, the pitch between external leads has become finer, with a pitch of 0.511 m or less. The number of ICs that have been developed is increasing.

従来の切断パンチによる切断方法では、リード間ピッチ
が0.5−1、リード端子幅が0.211mの場合には
、リードフレームの位置決めの際のがたつきや切断パン
チとダイとの適正クリアランスを考慮すると、切断パン
チの刃先の板厚は0.2鰭程度しかとれず、切断時にか
す詰まり等による負荷がかかると、刃先が簡単に破損し
てしまうという欠点があった。
In the conventional cutting method using a cutting punch, when the pitch between leads is 0.5-1 and the lead terminal width is 0.211 m, there may be looseness during positioning of the lead frame and proper clearance between the cutting punch and die. Considering this, the thickness of the cutting edge of the cutting punch can only be about 0.2 fins, and there is a drawback that the cutting edge easily breaks if a load is applied due to clogging during cutting.

また、従来法では、くし刃形成の切断パンチやダイを一
体化加工するのは、ファインピッチ化されると困難であ
りかつ高価なものとなるので、2〜3工程に分けて1ピ
ツチ又は2ピツチおきに切断するという方法をとってい
るが、各ステージにおけるリードフレームの位置決め時
のがたつきにより、第5図の部分平面図に示すようなタ
イバー部切断ずれ16が発生し易く、外部リード12へ
のパンチ食い込みによる規格寸法外れやリード寸法のば
らつき等が生じがちであった。
In addition, in the conventional method, it is difficult and expensive to integrate cutting punches and dies for forming comb blades when fine pitches are formed, so it is divided into 2 to 3 steps to process 1 pitch or 2 punches. Although a method of cutting at every pitch is used, due to looseness during positioning of the lead frame at each stage, misalignment of the tie bar section 16 as shown in the partial plan view of Fig. 5 is likely to occur, and the external lead Due to the punch biting into 12, deviations from standard dimensions and variations in lead dimensions tended to occur.

また、くし刃状の切断パンチは、加工が難しいためそれ
自体高価であり、更に刃先が1本でも折れてしまえば新
しいパンチに交換する必要があるので、板厚が薄くなっ
た場合パンチの破損頻度の高さからランニングコストが
極めて高くつく。そのため、第6図斜視図に示すような
、−枚物の個片切断パンチ17とスペーサー18との組
合せによる切断パンチを採用することが多いが、この積
み重ね型切断パンチはビン数が多くなると個々のパンチ
及びスペーサーの板厚の累積誤差が大きくなり、そのた
め、切断寸法精度が一体方式に比べると劣る。また、こ
の方式ではファインピッチ化が進むと、パンチとダイと
のクリアランスを所定の範囲内に収めることが困難とな
り、パンチ破損増加する。
In addition, comb-shaped cutting punches are difficult to process and are therefore expensive, and if even one cutting edge breaks, it is necessary to replace the punch with a new one, so if the plate becomes thinner, the punch will break. Running costs are extremely high due to the high frequency. Therefore, as shown in the perspective view of FIG. 6, a cutting punch consisting of a combination of an individual piece cutting punch 17 and a spacer 18 is often used. The cumulative error in the thickness of the punch and spacer becomes large, and as a result, the cutting dimensional accuracy is inferior to that of the integrated method. Furthermore, in this method, as the pitch becomes finer, it becomes difficult to keep the clearance between the punch and the die within a predetermined range, leading to an increase in punch breakage.

従って、切断パンチやダイによる切断はいずれの型のパ
ンチを用いるにしろ、これ以上のファインピッチ化に対
しては対応できなくなってきており、また、切断パンチ
も0.2u+以下の厚さでは強度的に耐えられないとい
う問題もある。
Therefore, no matter which type of punch is used for cutting with a cutting punch or die, it is no longer possible to support finer pitches, and cutting punches with a thickness of 0.2u+ or less have no strength. There is also the problem of not being able to withstand it.

[課題を解決するための手段] 本発明による半導体装置の製造方法は、■樹脂封止済半
導体装置をX−Yテーブル上に位置決めして載置し、■
レーザビームを外部リードと平行に走査しながら照射し
てリードフレームのダイバー部及びダム部樹脂を一箇所
ずつを切断除去し、■x−Yテーブルを操作して樹脂封
止済半導体装置を外部リードの1リードピッチ分送り、
■所要回数■、■の工程を経り返す、ようにしたもので
ある。
[Means for Solving the Problems] A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes: (1) positioning and placing a resin-sealed semiconductor device on an X-Y table;
The laser beam is irradiated while scanning parallel to the external leads to cut and remove the resin in the diver and dam parts of the lead frame one by one, and the x-y table is operated to attach the resin-sealed semiconductor device to the external leads. Feed by 1 lead pitch of
■Repeat the steps ■ and ■ the required number of times.

半導体装置のリードフレームが搬送されるピッチは、例
えばCCDカメラによる撮像データを画像処理すること
により得られた結果に基づいて決定される。
The pitch at which the lead frame of a semiconductor device is conveyed is determined based on, for example, the results obtained by image processing of image data captured by a CCD camera.

[実施例コ 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
[Embodiments] Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は、本発明の一実施例の切断方法を示す構成図で
ある。同図において、1はレーザ光源、2aは反射ミラ
ー、2bはハーフミラ−13はレーザビームを走査させ
るためのガルバノミラ−4はCCDカメラ、5はCCD
カメラから得られた画像を処理する画像処理装置、6は
樹脂封止済の複数個の半導体チップが搭載されているリ
ードフレーム、7はリードフレームに穿孔された位置決
め用穴、8はx−yテーブル、9はX−Yテーブル上に
載置された、リードフレームを収容するための切断ステ
ージである。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a cutting method according to an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a laser light source, 2a is a reflecting mirror, 2b is a half mirror, 13 is a galvanometer mirror for scanning the laser beam, 4 is a CCD camera, and 5 is a CCD
An image processing device that processes images obtained from a camera, 6 a lead frame on which a plurality of resin-sealed semiconductor chips are mounted, 7 a positioning hole drilled in the lead frame, 8 an x-y A table 9 is a cutting stage placed on an XY table for accommodating a lead frame.

次に、この装置を用いた切断方法について説明する。ま
ず、リードフレーム6は切断ステージ9上に供給され、
リードフレーム6に形成された位置決め用穴7を用いて
ステージ9上に設けられた位置決めビンによりステージ
上に位置決め固定される。続いて、CCDカメラ4はハ
ーフミラ−2aを介しリードフレームの画像をとらえ、
その画像情報を画像処理装置5へ送る。画像処理装置5
では、リードフレームの各外部リードの絶対位置を認識
し、切断すべきダム部樹脂及びダイバー部の位置を演算
処理により求める。その演算結果に基づき、必要に応じ
てX−Yテーブルを操作してリードフレーム6の最初に
切断すべき個所をレーザビーム照射位置に合わせる。し
かる後、レーザ光源1からのレーザビームをミラー2a
、2b、ガルバノミラ−3を介して切断すべきダム部樹
脂及びダイバー部上に照射する。その際、ガルバノミラ
−3を駆動することにより、レーザビームを外部リード
と平行方向に走査させながら、連続照射して所定量の切
断を行う。1箇所の切断が完了してから、先の演算結果
に基づいてX−Yテーブル8により隣接する切断すべき
ダム部樹脂及びダイバー部まで1リードピッチ分切断ス
テージを駆動し、然る後、先の工程と同様にレーザビー
ムによる切断を行う。以下、同様の搬送工程、切断工程
を繰り返す。
Next, a cutting method using this device will be explained. First, the lead frame 6 is supplied onto the cutting stage 9,
The lead frame 6 is positioned and fixed on the stage by a positioning bin provided on the stage 9 using a positioning hole 7 formed in the lead frame 6 . Next, the CCD camera 4 captures an image of the lead frame through the half mirror 2a,
The image information is sent to the image processing device 5. Image processing device 5
Now, the absolute position of each external lead of the lead frame is recognized, and the positions of the dam part resin and diver part to be cut are determined by calculation processing. Based on the calculation result, the X-Y table is operated as necessary to align the part of the lead frame 6 to be cut first with the laser beam irradiation position. After that, the laser beam from the laser light source 1 is transferred to the mirror 2a.
, 2b, irradiate onto the dam part resin and diver part to be cut through the galvanometer mirror 3. At this time, by driving the galvanometer mirror 3, the laser beam is continuously irradiated while scanning in a direction parallel to the external lead to cut a predetermined amount. After cutting one location is completed, the cutting stage is driven by one lead pitch to the adjacent dam resin and diver portion to be cut using the X-Y table 8 based on the previous calculation result, and then Cutting is performed using a laser beam in the same manner as in the step. Thereafter, the same conveying process and cutting process are repeated.

Ic、個分の切断が完了したところでリードフレーム6
はIc、個分搬送され、引き続き前述した通りの切断を
行う、1リ一ドフレーム分の切断が完了した時点で図示
しない搬送機構によりリードフレームは除去され、新た
に未切断のリードフレームが搬送されてくる。
Ic, when the cutting of the pieces is completed, the lead frame 6
Ic is transported individually, and then cutting is performed as described above. When the cutting of one lead frame is completed, the lead frame is removed by a transport mechanism (not shown), and a new uncut lead frame is transported. It will be done.

以上説明したように、本発明では、切断時に破損する切
断パンチを使用するものではないので、ランニングコス
トを低減化することができる。また、レーザビームは、
そのビーム直径を0.2+u+以下に絞ることが可能な
ため、本発明の製造方法によれば、リード間ピッチが0
.5+n以下のファインピッチのICに対しても、容易
に対応することができる。また、本実施例は外部リード
を1本ずつ画像認識して切断位置を算出しその結果に基
づいて位置決めを行うものであるので、切断時における
位置ずれがなくなり、加工精度の安定化が図れる。更に
、従来は品種毎に異なる金型を用意する必要があったが
、本実施例による方法では、各外部リードを認識しなが
ら切断位置を決定しているため、品種データ登録等によ
り自動的にかつ容易に多品種に対応できる。
As explained above, the present invention does not use a cutting punch that is damaged during cutting, so running costs can be reduced. In addition, the laser beam
Since it is possible to reduce the beam diameter to 0.2+u+ or less, according to the manufacturing method of the present invention, the pitch between the leads can be reduced to 0.
.. It can also be easily applied to fine pitch ICs of 5+n or less. Further, in this embodiment, the cutting position is calculated by image recognition of each external lead one by one, and positioning is performed based on the result, so that positional deviation during cutting is eliminated and processing accuracy can be stabilized. Furthermore, conventionally it was necessary to prepare a different mold for each product type, but with the method of this embodiment, the cutting position is determined while recognizing each external lead, so the cutting position can be automatically determined by registering the product type data. Moreover, it can be easily applied to a wide variety of products.

第2図は、本発明の第2の実施例の切断方法を示す構成
図である。第2図において、第1図に示された先の実施
例の部分と同等の部分には同一の参照番号が付されてい
る。
FIG. 2 is a configuration diagram showing a cutting method according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 2, parts that are equivalent to those of the previous embodiment shown in FIG. 1 are given the same reference numerals.

本実施例においては、CCDカメラ4によりリードフレ
ーム6におけるIc、個分の範囲の画像をとらえ、位置
決め穴7やリードフレーム6の複数の点を画像認識し、
その結果と予め入力されている機種特有のリードフレー
ム情報から切断すべき個所の位置を決定する。
In this embodiment, the CCD camera 4 captures an image of a range of Ic on the lead frame 6, and the positioning hole 7 and a plurality of points on the lead frame 6 are image-recognized.
The position of the point to be cut is determined based on the result and lead frame information unique to the model inputted in advance.

これ以降は先の実施例と同様に、X−Yテーブルを駆動
してリードフレームを位置決めし、レーザビームを外部
リードと平行に走査してダム部樹脂及びダイバー部を切
断する動作を繰り返す。
From this point on, as in the previous embodiment, the operation of driving the X-Y table to position the lead frame, scanning the laser beam parallel to the external lead, and cutting the dam part resin and diver part is repeated.

本実施例の場合は、品種毎に切断位置に関するデータを
予めプログラムに入力しておく必要はあるが、Ic、個
分すべての外部リードの位置を画像処理によって決定す
るものではないので、画像処理に要する時間を短縮する
ことができる。そのため、本実施例によれば、樹脂封止
後のリードフレームの収縮等による外部リード位置精度
のばらつきが少ない製品については、効率よくかつ高精
度に切断加工を行うことができる。
In the case of this embodiment, although it is necessary to input data regarding the cutting position for each type into the program in advance, the positions of all external leads for each type are not determined by image processing. The time required for this can be reduced. Therefore, according to this embodiment, it is possible to efficiently and accurately cut a product with little variation in external lead position accuracy due to shrinkage of the lead frame after resin sealing or the like.

本実施例においては、リードフレームの適宜個所に位置
決め用マークを付設しておくと、画像処理をより効率的
に行うことができる。
In this embodiment, image processing can be performed more efficiently by attaching positioning marks to appropriate locations on the lead frame.

なお、以上の実施例では、光学的手段により外部リード
の位置を決定して、切断時のリードの位置決めを行って
いたが、機械的位置決め手段により十分の精度が得られ
る場合には、必ずしも光学的位置検出手段を用いる必要
はない、また、光学的位置検出手段を行う場合にしても
、全てのICに関してこれを行う必要はなく、同一ロッ
ト内でのばらつきの少ない場合には、初めの数個に関し
て光学的位置検出を行い、そのロット内の他のICに関
しては得らhた結果を用いて位置決めを行うようにして
もよい。
Note that in the above embodiments, the position of the external lead was determined by optical means to position the lead at the time of cutting. However, if sufficient accuracy can be obtained by mechanical positioning means, optical It is not necessary to use an optical position detection means, and even if an optical position detection means is used, it is not necessary to do this for all ICs.If there is little variation within the same lot, the first number Optical position detection may be performed for each IC in the lot, and positioning may be performed using the obtained results for other ICs in the lot.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明は、X−Yテーブル上にリ
ードフレームを位置決めし、レーザビームを照射してリ
ードフレームのダム部樹脂及びタイバーを切断除去した
後、リードフレームを1リードピッチ分だけ搬送し、更
に同様の工程を繰り返すものであるので、以下の効果を
奏することができる。
[Effects of the Invention] As explained above, the present invention positions a lead frame on an X-Y table, irradiates a laser beam to cut and remove the dam part resin and tie bars of the lead frame, and then removes the lead frame. Since the sheet is transported by one lead pitch and the same process is repeated, the following effects can be achieved.

■ 切断パンチを用いていないので、パンチ破損が生じ
ることがなくランニングコストを低減化することができ
る。
■ Since no cutting punch is used, there is no chance of punch damage and running costs can be reduced.

■ 切断パンチで2工程パンチングを行う場合のように
ピッチずれが生じることがなくなる。
■ Pitch deviations do not occur as would occur when two-step punching is performed using a cutting punch.

■ ミピ・要に応じて光学的位置検出手段を用いること
により、正確な切断が行えるので、ファインピッチのI
Cに対しても精確で安定した切断加工が可能となる。
■ Accurate cutting is possible by using optical position detection means depending on the pitch and diameter, so fine pitch I
Accurate and stable cutting is also possible for C.

■ プログラム変更等により直ちに品種変更が実施でき
るため、多品種少量生産の製品に対する対応が容易とな
る。
■ Product changes can be made immediately by changing the program, etc., making it easier to handle high-mix, low-volume production of products.

12・・・外部リード、 14・・・切断パンチ、 ダイバー部切断ずれ、 18・・・スペーサー 3・・・ICパッケージ、 5・・・ダイ、   16・・・ 7・・・個片切断パンチ、 9・・・切断除去部。12...External lead, 14... Cutting punch, Misalignment of the diver section, 18...Spacer 3...IC package, 5...Die, 16... 7... Piece cutting punch, 9... Cutting removal section.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の第1の実施例の切断方法を示す構成
図、第2図は、本発明の第2の実施例の切断方法を示す
構成図、第3図は、従来の切断方法を示す部分斜視図、
第4図は、第3図におけるA−A線断面図、第5図は、
従来の切断方法によるダイバー部の切断ずれを示す部分
平面図、第6図は、従来の切断方法に用いられる組合せ
切断パンチの斜視図である。 1・・・レーザ光源、 2b・・・ハーフミラ− 4・・・CCDカメラ、 6・・・リードフレーム、 8・・・X−Yテーブル、 10・・・ダム部樹脂、 2a・・・反射ミラー 3・・・ガルバノミラ− 5・・・画像処理装置、 7・・・位置決め用穴、 9・・・切断ステージ、 11・・・ダイバー部、
FIG. 1 is a block diagram showing the cutting method according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing the cutting method according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram showing the cutting method according to the second embodiment of the present invention. A partial perspective view showing the method;
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line A-A in FIG. 3, and FIG.
FIG. 6, a partial plan view showing the cutting deviation of the diver section according to the conventional cutting method, is a perspective view of a combination cutting punch used in the conventional cutting method. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Laser light source, 2b... Half mirror 4... CCD camera, 6... Lead frame, 8... X-Y table, 10... Dam part resin, 2a... Reflection mirror 3... Galvano mirror 5... Image processing device, 7... Positioning hole, 9... Cutting stage, 11... Diver section,

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)a、樹脂封止型半導体装置をX−Yテーブル上に
位置決めして載置する段階と、 b、レーザビームをリードフレームの外部リードと平行
に走査しながら照射してダム部樹脂及びリードフレーム
のダイバー部一箇所ずつを切断除去する段階と、 c、前記X−Yテーブルを操作して予めプログラムされ
ているリードフレームの1リードピッチ分だけ半導体装
置を搬送する段階と、 d、前記b及びcの段階を交互に繰り返す段階と、 を具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
(1) a. Positioning and placing the resin-sealed semiconductor device on an X-Y table; b. Irradiating the dam part resin and cutting and removing the diver portions of the lead frame one by one; c. operating the X-Y table to transport the semiconductor device by one lead pitch of the lead frame programmed in advance; d. A method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device, comprising the steps of alternately repeating steps b and c.
(2)a、樹脂封止型半導体装置をX−Yテーブル上に
載置する段階と、 b、撮像装置により前記樹脂封止型半導体装置の位置を
認識し該半導体装置をレーザ光源の発するレーザビーム
に対して位置決めする段階と、c、レーザビームをリー
ドフレームの外部リードに平行に走査しながら照射して
ダム部樹脂及びリードフレームのダイバー部を一箇所ず
つを切断除去する段階と、 d、前記X−Yテーブルを操作して予めプログラムされ
ているリードフレームの1リードピッチ分だけ半導体装
置を搬送する段階と、 e、前記c及びdの段階を交互に繰り返す段階と、 を具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
(2) a. Placing the resin-sealed semiconductor device on an X-Y table; and b. Recognize the position of the resin-sealed semiconductor device using an imaging device and place the semiconductor device on a laser beam emitted by a laser light source. positioning with respect to the beam; c. cutting and removing the dam resin and the diver portion of the lead frame one by one by irradiating the outer lead of the lead frame with the laser beam while scanning in parallel; d. A resin seal comprising: operating the X-Y table to transport the semiconductor device by one lead pitch of the lead frame programmed in advance; e, repeating steps c and d alternately; A method for manufacturing a static semiconductor device.
(3)a、樹脂封止型半導体装置をX−Yテーブル上に
載置する段階と、 b、撮像装置により前記樹脂封止型半導体装置のリード
フレームの複数のリードの位置を認識し前記半導体装置
をレーザ光源の発するレーザビームに対して位置決めす
る段階と、 c、レーザビームをリードフレームの外部リードに平行
に走査しながら照射してダム部樹脂及びリードフレーム
のダイバー部一箇所ずつを切断除去する段階と、 d、前記bの段階におけるリード位置の認識に基づきX
−Yテーブルを操作してリードフレームの1リードピッ
チ分だけ半導体装置を搬送する段階と、 e、前記c及びdの段階を交互に繰り返す段階と、 を具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
(3) a. Placing the resin-sealed semiconductor device on an X-Y table; and b. Recognizing the positions of the plurality of leads of the lead frame of the resin-sealed semiconductor device using an imaging device and placing the semiconductor device on the X-Y table. positioning the device with respect to the laser beam emitted by the laser light source; c. irradiating the external leads of the lead frame while scanning them in parallel to cut and remove the dam part resin and the diver part of the lead frame one by one. d, based on the recognition of the lead position in step b,
- A method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device, comprising: operating a Y table to transport the semiconductor device by one lead pitch of the lead frame; e. repeating steps c and d alternately; .
(4)樹脂封止型半導体装置をX−Yテーブル上に位置
決めして載置する段階と、レーザビームをリードフレー
ムの外部リードと平行に走査しながら照射してダム部樹
脂及びリードフレームのダイバー部一箇所ずつを切断除
去する段階と、前記X−Yテーブルを操作して予めプロ
グラムされているリードフレームの1リードピッチ分だ
け半導体装置を搬送する段階と、を具備する樹脂封止型
半導体装置の製造方法において、前記樹脂封止型半導体
装置のX−Yテーブル上での載置位置は、同一ロット内
の他の半導体装置に対する撮像データを画像処理して得
られた結果に基づいて決定されたものであることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
(4) The step of positioning and placing the resin-sealed semiconductor device on an A resin-sealed semiconductor device comprising the steps of: cutting and removing the parts one by one; and transporting the semiconductor device by one lead pitch of the lead frame programmed in advance by operating the X-Y table. In the manufacturing method, the placement position of the resin-sealed semiconductor device on the X-Y table is determined based on results obtained by image processing image data for other semiconductor devices in the same lot. 1. A method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device, characterized in that:
(5)レーザビームをリードフレームの外部リードと平
行に走査してダム部樹脂及びリードフレームのダイバー
部一箇所ずつを切断除去する段階と、樹脂封止済半導体
装置を所定の距離だけ搬送する段階と、を交互に繰り返
す樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記所定
の距離は、同一ロット内の他の半導体装置の撮像データ
を画像処理して得られた外部リード間間隔であることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
(5) A step of scanning the laser beam parallel to the external leads of the lead frame to cut and remove the dam part resin and the diver part of the lead frame one by one, and a step of transporting the resin-sealed semiconductor device a predetermined distance. In the method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device in which steps 1 and 2 are alternately repeated, the predetermined distance is an interval between external leads obtained by image processing image data of other semiconductor devices in the same lot. A method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device.
JP2069008A 1990-03-19 1990-03-19 Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device Expired - Lifetime JP2917375B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2069008A JP2917375B2 (en) 1990-03-19 1990-03-19 Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2069008A JP2917375B2 (en) 1990-03-19 1990-03-19 Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03268456A true JPH03268456A (en) 1991-11-29
JP2917375B2 JP2917375B2 (en) 1999-07-12

Family

ID=13390140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2069008A Expired - Lifetime JP2917375B2 (en) 1990-03-19 1990-03-19 Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2917375B2 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315381A (en) * 1992-05-07 1993-11-26 Nec Corp Semiconductor manufacturing device
US5662822A (en) * 1994-10-13 1997-09-02 Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Dam bar cutting apparatus and dam bar cutting method
US5763853A (en) * 1994-04-20 1998-06-09 Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Laser processing apparatus, laser processing method and dam bar processing method
CN102873455A (en) * 2012-09-21 2013-01-16 合肥知常光电科技有限公司 Laser pre-treating method and device for large-caliber optical element
TWI490076B (en) * 2012-07-04 2015-07-01

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315381A (en) * 1992-05-07 1993-11-26 Nec Corp Semiconductor manufacturing device
US5763853A (en) * 1994-04-20 1998-06-09 Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Laser processing apparatus, laser processing method and dam bar processing method
US5662822A (en) * 1994-10-13 1997-09-02 Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Dam bar cutting apparatus and dam bar cutting method
TWI490076B (en) * 2012-07-04 2015-07-01
CN102873455A (en) * 2012-09-21 2013-01-16 合肥知常光电科技有限公司 Laser pre-treating method and device for large-caliber optical element

Also Published As

Publication number Publication date
JP2917375B2 (en) 1999-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101483976B (en) Method for manufacturing flexible substrate and flexible substrate punching device
KR19990058714A (en) Gate residue cutting device including cutting punch with air inlet
JPH03268456A (en) Manufacture of resin-sealed semiconductor device
JP2922742B2 (en) External lead molding method and molding apparatus
JPH0722555A (en) Lead frame structure for semiconductor device and its cutting method
KR0132461Y1 (en) Burr Crimping Device
JPH02143552A (en) Manufacture of resin-sealed semiconductor device
JP2003234448A (en) Lead frame tie bar cutting device and cutting method
CN100431119C (en) Manufacturing method of lead frame
KR101141704B1 (en) Method for manufacturing a lead frame and press system for the same
JPH02288259A (en) Lead frame for resin-sealed type semiconductor device
JP2000286366A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR0127109Y1 (en) Package guide
JP2001150067A (en) Molding die for beltlike strip products
JP2887992B2 (en) Manufacturing method of hybrid integrated circuit device
KR0123314Y1 (en) Double forming device of semiconductor device
JPH06283627A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR920004761Y1 (en) Package Support of Semiconductor Chip Forming Machine
JPH05211260A (en) Method for cutting tiebar of semiconductor device
JPH09153504A (en) Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus
JPH1079463A (en) Cutting equipment for semiconductor device manufacturing
JP2002237561A (en) Lead electrode cutter for electronic component
JPH0250468A (en) Device for removing solder plating chip
JPH11330336A (en) Method and device for positioning metal thin-plate working device
KR100276275B1 (en) Printed Circuit Board Processing Method