JPH03268456A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH03268456A JPH03268456A JP2069008A JP6900890A JPH03268456A JP H03268456 A JPH03268456 A JP H03268456A JP 2069008 A JP2069008 A JP 2069008A JP 6900890 A JP6900890 A JP 6900890A JP H03268456 A JPH03268456 A JP H03268456A
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- JP
- Japan
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- resin
- semiconductor device
- lead frame
- cutting
- lead
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic materials other than metals or composite materials
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関し、特に
、樹脂封止済半導体装置のリードフレームに対するダム
部樹脂とダイバー部の切断方法に関する。
、樹脂封止済半導体装置のリードフレームに対するダム
部樹脂とダイバー部の切断方法に関する。
［従来の技術］
この種の樹脂封止型半導体装置（以下、ＩＣと記す）は
、リードフレームに半導体チップをマウントし、ワイヤ
ボンディングを行った後、トランスファ方式等で半導体
チップ及び内部リード部を樹脂封止することによって製
造される。
、リードフレームに半導体チップをマウントし、ワイヤ
ボンディングを行った後、トランスファ方式等で半導体
チップ及び内部リード部を樹脂封止することによって製
造される。
樹脂封止時に、封止金型内のキャビティーに樹脂が充填
されると、金型がクランプしているリードフレームには
その打ち抜き部分に板厚分の隙間が生じるため、そこか
ら流れ出た樹脂は、第３図の部分斜視図に示すように、
ＩＣパッケージ１３と、隣り合う外部リード１２と、そ
の外部リード間を接続するダイバー部１１で囲まれたダ
ム部にダム部樹脂１０として充填される。そこで、次工
程にて切断パンチ１４を矢印方向に降下させてダイバー
部１１を切断除去する際に、ダム部に充填された樹脂１
０も同時に除去している。第３図において、切断パンチ
１４による切断除去部１９の位置と形状は、２点鎖線で
示されている。
されると、金型がクランプしているリードフレームには
その打ち抜き部分に板厚分の隙間が生じるため、そこか
ら流れ出た樹脂は、第３図の部分斜視図に示すように、
ＩＣパッケージ１３と、隣り合う外部リード１２と、そ
の外部リード間を接続するダイバー部１１で囲まれたダ
ム部にダム部樹脂１０として充填される。そこで、次工
程にて切断パンチ１４を矢印方向に降下させてダイバー
部１１を切断除去する際に、ダム部に充填された樹脂１
０も同時に除去している。第３図において、切断パンチ
１４による切断除去部１９の位置と形状は、２点鎖線で
示されている。
従来、リード間ピッチが０．５〜１．Ｏｕ＋程度の場合
のＩＣのダム部樹脂及びダイバー部の切断は、第３図の
Ａ−Ａ線断面図である第４図に示すように、外部リード
１２の下面を受けるダイ１５上にリードフレーム６をセ
ットし、くし歯状になった切断パンチ１４をダム部樹脂
１０及びダイバー部１１に下降させて、リード間を１ピ
ツチおきに２工程に分けて打ち抜くことにより行なって
いた。
のＩＣのダム部樹脂及びダイバー部の切断は、第３図の
Ａ−Ａ線断面図である第４図に示すように、外部リード
１２の下面を受けるダイ１５上にリードフレーム６をセ
ットし、くし歯状になった切断パンチ１４をダム部樹脂
１０及びダイバー部１１に下降させて、リード間を１ピ
ツチおきに２工程に分けて打ち抜くことにより行なって
いた。
［発明が解決しようとする課題］
ところか、近年、ＩＣの高密度実装の要求によって更に
多ビン化、小型化が進む傾向にあり、そのため、外部リ
ード間ピッチが０．５１１ｍ以下とファインピッチ化さ
れたＩＣが増加しつつある。
多ビン化、小型化が進む傾向にあり、そのため、外部リ
ード間ピッチが０．５１１ｍ以下とファインピッチ化さ
れたＩＣが増加しつつある。
従来の切断パンチによる切断方法では、リード間ピッチ
が０．５−１、リード端子幅が０．２１１ｍの場合には
、リードフレームの位置決めの際のがたつきや切断パン
チとダイとの適正クリアランスを考慮すると、切断パン
チの刃先の板厚は０．２鰭程度しかとれず、切断時にか
す詰まり等による負荷がかかると、刃先が簡単に破損し
てしまうという欠点があった。
が０．５−１、リード端子幅が０．２１１ｍの場合には
、リードフレームの位置決めの際のがたつきや切断パン
チとダイとの適正クリアランスを考慮すると、切断パン
チの刃先の板厚は０．２鰭程度しかとれず、切断時にか
す詰まり等による負荷がかかると、刃先が簡単に破損し
てしまうという欠点があった。
また、従来法では、くし刃形成の切断パンチやダイを一
体化加工するのは、ファインピッチ化されると困難であ
りかつ高価なものとなるので、２〜３工程に分けて１ピ
ツチ又は２ピツチおきに切断するという方法をとってい
るが、各ステージにおけるリードフレームの位置決め時
のがたつきにより、第５図の部分平面図に示すようなタ
イバー部切断ずれ１６が発生し易く、外部リード１２へ
のパンチ食い込みによる規格寸法外れやリード寸法のば
らつき等が生じがちであった。
体化加工するのは、ファインピッチ化されると困難であ
りかつ高価なものとなるので、２〜３工程に分けて１ピ
ツチ又は２ピツチおきに切断するという方法をとってい
るが、各ステージにおけるリードフレームの位置決め時
のがたつきにより、第５図の部分平面図に示すようなタ
イバー部切断ずれ１６が発生し易く、外部リード１２へ
のパンチ食い込みによる規格寸法外れやリード寸法のば
らつき等が生じがちであった。
また、くし刃状の切断パンチは、加工が難しいためそれ
自体高価であり、更に刃先が１本でも折れてしまえば新
しいパンチに交換する必要があるので、板厚が薄くなっ
た場合パンチの破損頻度の高さからランニングコストが
極めて高くつく。そのため、第６図斜視図に示すような
、−枚物の個片切断パンチ１７とスペーサー１８との組
合せによる切断パンチを採用することが多いが、この積
み重ね型切断パンチはビン数が多くなると個々のパンチ
及びスペーサーの板厚の累積誤差が大きくなり、そのた
め、切断寸法精度が一体方式に比べると劣る。また、こ
の方式ではファインピッチ化が進むと、パンチとダイと
のクリアランスを所定の範囲内に収めることが困難とな
り、パンチ破損増加する。
自体高価であり、更に刃先が１本でも折れてしまえば新
しいパンチに交換する必要があるので、板厚が薄くなっ
た場合パンチの破損頻度の高さからランニングコストが
極めて高くつく。そのため、第６図斜視図に示すような
、−枚物の個片切断パンチ１７とスペーサー１８との組
合せによる切断パンチを採用することが多いが、この積
み重ね型切断パンチはビン数が多くなると個々のパンチ
及びスペーサーの板厚の累積誤差が大きくなり、そのた
め、切断寸法精度が一体方式に比べると劣る。また、こ
の方式ではファインピッチ化が進むと、パンチとダイと
のクリアランスを所定の範囲内に収めることが困難とな
り、パンチ破損増加する。
従って、切断パンチやダイによる切断はいずれの型のパ
ンチを用いるにしろ、これ以上のファインピッチ化に対
しては対応できなくなってきており、また、切断パンチ
も０．２ｕ＋以下の厚さでは強度的に耐えられないとい
う問題もある。
ンチを用いるにしろ、これ以上のファインピッチ化に対
しては対応できなくなってきており、また、切断パンチ
も０．２ｕ＋以下の厚さでは強度的に耐えられないとい
う問題もある。
［課題を解決するための手段］
本発明による半導体装置の製造方法は、■樹脂封止済半
導体装置をＸ−Ｙテーブル上に位置決めして載置し、■
レーザビームを外部リードと平行に走査しながら照射し
てリードフレームのダイバー部及びダム部樹脂を一箇所
ずつを切断除去し、■ｘ−Ｙテーブルを操作して樹脂封
止済半導体装置を外部リードの１リードピッチ分送り、
■所要回数■、■の工程を経り返す、ようにしたもので
ある。
導体装置をＸ−Ｙテーブル上に位置決めして載置し、■
レーザビームを外部リードと平行に走査しながら照射し
てリードフレームのダイバー部及びダム部樹脂を一箇所
ずつを切断除去し、■ｘ−Ｙテーブルを操作して樹脂封
止済半導体装置を外部リードの１リードピッチ分送り、
■所要回数■、■の工程を経り返す、ようにしたもので
ある。
半導体装置のリードフレームが搬送されるピッチは、例
えばＣＣＤカメラによる撮像データを画像処理すること
により得られた結果に基づいて決定される。
えばＣＣＤカメラによる撮像データを画像処理すること
により得られた結果に基づいて決定される。
［実施例コ
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例の切断方法を示す構成図で
ある。同図において、１はレーザ光源、２ａは反射ミラ
ー、２ｂはハーフミラ−１３はレーザビームを走査させ
るためのガルバノミラ−４はＣＣＤカメラ、５はＣＣＤ
カメラから得られた画像を処理する画像処理装置、６は
樹脂封止済の複数個の半導体チップが搭載されているリ
ードフレーム、７はリードフレームに穿孔された位置決
め用穴、８はｘ−ｙテーブル、９はＸ−Ｙテーブル上に
載置された、リードフレームを収容するための切断ステ
ージである。
ある。同図において、１はレーザ光源、２ａは反射ミラ
ー、２ｂはハーフミラ−１３はレーザビームを走査させ
るためのガルバノミラ−４はＣＣＤカメラ、５はＣＣＤ
カメラから得られた画像を処理する画像処理装置、６は
樹脂封止済の複数個の半導体チップが搭載されているリ
ードフレーム、７はリードフレームに穿孔された位置決
め用穴、８はｘ−ｙテーブル、９はＸ−Ｙテーブル上に
載置された、リードフレームを収容するための切断ステ
ージである。
次に、この装置を用いた切断方法について説明する。ま
ず、リードフレーム６は切断ステージ９上に供給され、
リードフレーム６に形成された位置決め用穴７を用いて
ステージ９上に設けられた位置決めビンによりステージ
上に位置決め固定される。続いて、ＣＣＤカメラ４はハ
ーフミラ−２ａを介しリードフレームの画像をとらえ、
その画像情報を画像処理装置５へ送る。画像処理装置５
では、リードフレームの各外部リードの絶対位置を認識
し、切断すべきダム部樹脂及びダイバー部の位置を演算
処理により求める。その演算結果に基づき、必要に応じ
てＸ−Ｙテーブルを操作してリードフレーム６の最初に
切断すべき個所をレーザビーム照射位置に合わせる。し
かる後、レーザ光源１からのレーザビームをミラー２ａ
、２ｂ、ガルバノミラ−３を介して切断すべきダム部樹
脂及びダイバー部上に照射する。その際、ガルバノミラ
−３を駆動することにより、レーザビームを外部リード
と平行方向に走査させながら、連続照射して所定量の切
断を行う。１箇所の切断が完了してから、先の演算結果
に基づいてＸ−Ｙテーブル８により隣接する切断すべき
ダム部樹脂及びダイバー部まで１リードピッチ分切断ス
テージを駆動し、然る後、先の工程と同様にレーザビー
ムによる切断を行う。以下、同様の搬送工程、切断工程
を繰り返す。
ず、リードフレーム６は切断ステージ９上に供給され、
リードフレーム６に形成された位置決め用穴７を用いて
ステージ９上に設けられた位置決めビンによりステージ
上に位置決め固定される。続いて、ＣＣＤカメラ４はハ
ーフミラ−２ａを介しリードフレームの画像をとらえ、
その画像情報を画像処理装置５へ送る。画像処理装置５
では、リードフレームの各外部リードの絶対位置を認識
し、切断すべきダム部樹脂及びダイバー部の位置を演算
処理により求める。その演算結果に基づき、必要に応じ
てＸ−Ｙテーブルを操作してリードフレーム６の最初に
切断すべき個所をレーザビーム照射位置に合わせる。し
かる後、レーザ光源１からのレーザビームをミラー２ａ
、２ｂ、ガルバノミラ−３を介して切断すべきダム部樹
脂及びダイバー部上に照射する。その際、ガルバノミラ
−３を駆動することにより、レーザビームを外部リード
と平行方向に走査させながら、連続照射して所定量の切
断を行う。１箇所の切断が完了してから、先の演算結果
に基づいてＸ−Ｙテーブル８により隣接する切断すべき
ダム部樹脂及びダイバー部まで１リードピッチ分切断ス
テージを駆動し、然る後、先の工程と同様にレーザビー
ムによる切断を行う。以下、同様の搬送工程、切断工程
を繰り返す。
Ｉｃ、個分の切断が完了したところでリードフレーム６
はＩｃ、個分搬送され、引き続き前述した通りの切断を
行う、１リ一ドフレーム分の切断が完了した時点で図示
しない搬送機構によりリードフレームは除去され、新た
に未切断のリードフレームが搬送されてくる。
はＩｃ、個分搬送され、引き続き前述した通りの切断を
行う、１リ一ドフレーム分の切断が完了した時点で図示
しない搬送機構によりリードフレームは除去され、新た
に未切断のリードフレームが搬送されてくる。
以上説明したように、本発明では、切断時に破損する切
断パンチを使用するものではないので、ランニングコス
トを低減化することができる。また、レーザビームは、
そのビーム直径を０．２＋ｕ＋以下に絞ることが可能な
ため、本発明の製造方法によれば、リード間ピッチが０
．５＋ｎ以下のファインピッチのＩＣに対しても、容易
に対応することができる。また、本実施例は外部リード
を１本ずつ画像認識して切断位置を算出しその結果に基
づいて位置決めを行うものであるので、切断時における
位置ずれがなくなり、加工精度の安定化が図れる。更に
、従来は品種毎に異なる金型を用意する必要があったが
、本実施例による方法では、各外部リードを認識しなが
ら切断位置を決定しているため、品種データ登録等によ
り自動的にかつ容易に多品種に対応できる。
断パンチを使用するものではないので、ランニングコス
トを低減化することができる。また、レーザビームは、
そのビーム直径を０．２＋ｕ＋以下に絞ることが可能な
ため、本発明の製造方法によれば、リード間ピッチが０
．５＋ｎ以下のファインピッチのＩＣに対しても、容易
に対応することができる。また、本実施例は外部リード
を１本ずつ画像認識して切断位置を算出しその結果に基
づいて位置決めを行うものであるので、切断時における
位置ずれがなくなり、加工精度の安定化が図れる。更に
、従来は品種毎に異なる金型を用意する必要があったが
、本実施例による方法では、各外部リードを認識しなが
ら切断位置を決定しているため、品種データ登録等によ
り自動的にかつ容易に多品種に対応できる。
第２図は、本発明の第２の実施例の切断方法を示す構成
図である。第２図において、第１図に示された先の実施
例の部分と同等の部分には同一の参照番号が付されてい
る。
図である。第２図において、第１図に示された先の実施
例の部分と同等の部分には同一の参照番号が付されてい
る。
本実施例においては、ＣＣＤカメラ４によりリードフレ
ーム６におけるＩｃ、個分の範囲の画像をとらえ、位置
決め穴７やリードフレーム６の複数の点を画像認識し、
その結果と予め入力されている機種特有のリードフレー
ム情報から切断すべき個所の位置を決定する。
ーム６におけるＩｃ、個分の範囲の画像をとらえ、位置
決め穴７やリードフレーム６の複数の点を画像認識し、
その結果と予め入力されている機種特有のリードフレー
ム情報から切断すべき個所の位置を決定する。
これ以降は先の実施例と同様に、Ｘ−Ｙテーブルを駆動
してリードフレームを位置決めし、レーザビームを外部
リードと平行に走査してダム部樹脂及びダイバー部を切
断する動作を繰り返す。
してリードフレームを位置決めし、レーザビームを外部
リードと平行に走査してダム部樹脂及びダイバー部を切
断する動作を繰り返す。
本実施例の場合は、品種毎に切断位置に関するデータを
予めプログラムに入力しておく必要はあるが、Ｉｃ、個
分すべての外部リードの位置を画像処理によって決定す
るものではないので、画像処理に要する時間を短縮する
ことができる。そのため、本実施例によれば、樹脂封止
後のリードフレームの収縮等による外部リード位置精度
のばらつきが少ない製品については、効率よくかつ高精
度に切断加工を行うことができる。
予めプログラムに入力しておく必要はあるが、Ｉｃ、個
分すべての外部リードの位置を画像処理によって決定す
るものではないので、画像処理に要する時間を短縮する
ことができる。そのため、本実施例によれば、樹脂封止
後のリードフレームの収縮等による外部リード位置精度
のばらつきが少ない製品については、効率よくかつ高精
度に切断加工を行うことができる。
本実施例においては、リードフレームの適宜個所に位置
決め用マークを付設しておくと、画像処理をより効率的
に行うことができる。
決め用マークを付設しておくと、画像処理をより効率的
に行うことができる。
なお、以上の実施例では、光学的手段により外部リード
の位置を決定して、切断時のリードの位置決めを行って
いたが、機械的位置決め手段により十分の精度が得られ
る場合には、必ずしも光学的位置検出手段を用いる必要
はない、また、光学的位置検出手段を行う場合にしても
、全てのＩＣに関してこれを行う必要はなく、同一ロッ
ト内でのばらつきの少ない場合には、初めの数個に関し
て光学的位置検出を行い、そのロット内の他のＩＣに関
しては得らｈた結果を用いて位置決めを行うようにして
もよい。
の位置を決定して、切断時のリードの位置決めを行って
いたが、機械的位置決め手段により十分の精度が得られ
る場合には、必ずしも光学的位置検出手段を用いる必要
はない、また、光学的位置検出手段を行う場合にしても
、全てのＩＣに関してこれを行う必要はなく、同一ロッ
ト内でのばらつきの少ない場合には、初めの数個に関し
て光学的位置検出を行い、そのロット内の他のＩＣに関
しては得らｈた結果を用いて位置決めを行うようにして
もよい。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明は、Ｘ−Ｙテーブル上にリ
ードフレームを位置決めし、レーザビームを照射してリ
ードフレームのダム部樹脂及びタイバーを切断除去した
後、リードフレームを１リードピッチ分だけ搬送し、更
に同様の工程を繰り返すものであるので、以下の効果を
奏することができる。
ードフレームを位置決めし、レーザビームを照射してリ
ードフレームのダム部樹脂及びタイバーを切断除去した
後、リードフレームを１リードピッチ分だけ搬送し、更
に同様の工程を繰り返すものであるので、以下の効果を
奏することができる。
■ 切断パンチを用いていないので、パンチ破損が生じ
ることがなくランニングコストを低減化することができ
る。
ることがなくランニングコストを低減化することができ
る。
■ 切断パンチで２工程パンチングを行う場合のように
ピッチずれが生じることがなくなる。
ピッチずれが生じることがなくなる。
■ ミピ・要に応じて光学的位置検出手段を用いること
により、正確な切断が行えるので、ファインピッチのＩ
Ｃに対しても精確で安定した切断加工が可能となる。
により、正確な切断が行えるので、ファインピッチのＩ
Ｃに対しても精確で安定した切断加工が可能となる。
■ プログラム変更等により直ちに品種変更が実施でき
るため、多品種少量生産の製品に対する対応が容易とな
る。
るため、多品種少量生産の製品に対する対応が容易とな
る。
１２・・・外部リード、
１４・・・切断パンチ、
ダイバー部切断ずれ、
１８・・・スペーサー
３・・・ＩＣパッケージ、
５・・・ダイ、 １６・・・
７・・・個片切断パンチ、
９・・・切断除去部。
第１図は、本発明の第１の実施例の切断方法を示す構成
図、第２図は、本発明の第２の実施例の切断方法を示す
構成図、第３図は、従来の切断方法を示す部分斜視図、
第４図は、第３図におけるＡ−Ａ線断面図、第５図は、
従来の切断方法によるダイバー部の切断ずれを示す部分
平面図、第６図は、従来の切断方法に用いられる組合せ
切断パンチの斜視図である。 １・・・レーザ光源、 ２ｂ・・・ハーフミラ− ４・・・ＣＣＤカメラ、 ６・・・リードフレーム、 ８・・・Ｘ−Ｙテーブル、 １０・・・ダム部樹脂、 ２ａ・・・反射ミラー ３・・・ガルバノミラ− ５・・・画像処理装置、 ７・・・位置決め用穴、 ９・・・切断ステージ、 １１・・・ダイバー部、
図、第２図は、本発明の第２の実施例の切断方法を示す
構成図、第３図は、従来の切断方法を示す部分斜視図、
第４図は、第３図におけるＡ−Ａ線断面図、第５図は、
従来の切断方法によるダイバー部の切断ずれを示す部分
平面図、第６図は、従来の切断方法に用いられる組合せ
切断パンチの斜視図である。 １・・・レーザ光源、 ２ｂ・・・ハーフミラ− ４・・・ＣＣＤカメラ、 ６・・・リードフレーム、 ８・・・Ｘ−Ｙテーブル、 １０・・・ダム部樹脂、 ２ａ・・・反射ミラー ３・・・ガルバノミラ− ５・・・画像処理装置、 ７・・・位置決め用穴、 ９・・・切断ステージ、 １１・・・ダイバー部、
Claims (5)
- （１）ａ、樹脂封止型半導体装置をＸ−Ｙテーブル上に
位置決めして載置する段階と、 ｂ、レーザビームをリードフレームの外部リードと平行
に走査しながら照射してダム部樹脂及びリードフレーム
のダイバー部一箇所ずつを切断除去する段階と、 ｃ、前記Ｘ−Ｙテーブルを操作して予めプログラムされ
ているリードフレームの１リードピッチ分だけ半導体装
置を搬送する段階と、 ｄ、前記ｂ及びｃの段階を交互に繰り返す段階と、 を具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - （２）ａ、樹脂封止型半導体装置をＸ−Ｙテーブル上に
載置する段階と、 ｂ、撮像装置により前記樹脂封止型半導体装置の位置を
認識し該半導体装置をレーザ光源の発するレーザビーム
に対して位置決めする段階と、ｃ、レーザビームをリー
ドフレームの外部リードに平行に走査しながら照射して
ダム部樹脂及びリードフレームのダイバー部を一箇所ず
つを切断除去する段階と、 ｄ、前記Ｘ−Ｙテーブルを操作して予めプログラムされ
ているリードフレームの１リードピッチ分だけ半導体装
置を搬送する段階と、 ｅ、前記ｃ及びｄの段階を交互に繰り返す段階と、 を具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - （３）ａ、樹脂封止型半導体装置をＸ−Ｙテーブル上に
載置する段階と、 ｂ、撮像装置により前記樹脂封止型半導体装置のリード
フレームの複数のリードの位置を認識し前記半導体装置
をレーザ光源の発するレーザビームに対して位置決めす
る段階と、 ｃ、レーザビームをリードフレームの外部リードに平行
に走査しながら照射してダム部樹脂及びリードフレーム
のダイバー部一箇所ずつを切断除去する段階と、 ｄ、前記ｂの段階におけるリード位置の認識に基づきＸ
−Ｙテーブルを操作してリードフレームの１リードピッ
チ分だけ半導体装置を搬送する段階と、 ｅ、前記ｃ及びｄの段階を交互に繰り返す段階と、 を具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - （４）樹脂封止型半導体装置をＸ−Ｙテーブル上に位置
決めして載置する段階と、レーザビームをリードフレー
ムの外部リードと平行に走査しながら照射してダム部樹
脂及びリードフレームのダイバー部一箇所ずつを切断除
去する段階と、前記Ｘ−Ｙテーブルを操作して予めプロ
グラムされているリードフレームの１リードピッチ分だ
け半導体装置を搬送する段階と、を具備する樹脂封止型
半導体装置の製造方法において、前記樹脂封止型半導体
装置のＸ−Ｙテーブル上での載置位置は、同一ロット内
の他の半導体装置に対する撮像データを画像処理して得
られた結果に基づいて決定されたものであることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - （５）レーザビームをリードフレームの外部リードと平
行に走査してダム部樹脂及びリードフレームのダイバー
部一箇所ずつを切断除去する段階と、樹脂封止済半導体
装置を所定の距離だけ搬送する段階と、を交互に繰り返
す樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記所定
の距離は、同一ロット内の他の半導体装置の撮像データ
を画像処理して得られた外部リード間間隔であることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2069008A JP2917375B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2069008A JP2917375B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268456A true JPH03268456A (ja) | 1991-11-29 |
| JP2917375B2 JP2917375B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=13390140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2069008A Expired - Lifetime JP2917375B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2917375B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05315381A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| US5662822A (en) * | 1994-10-13 | 1997-09-02 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Dam bar cutting apparatus and dam bar cutting method |
| US5763853A (en) * | 1994-04-20 | 1998-06-09 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Laser processing apparatus, laser processing method and dam bar processing method |
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| TWI490076B (ja) * | 2012-07-04 | 2015-07-01 |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP2069008A patent/JP2917375B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05315381A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
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| JP2917375B2 (ja) | 1999-07-12 |
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